BC1519 Circuitos Eltricos e Fotnica

Apresentao

Marcos R. R. Gesualdi
Centro de Engenharia, Modelagem e Cincias Sociais Aplicadas (CECS)
Universidade Federal do ABC, Santo Andr SP - Brasil

email: marcos.gesualdi@ufabc.edu.br

BC1519 Circuitos Eltricos e Fotnica

Motivao
Porque...
Porque
...
Circuitos...
Circuitos...
Eletrnica...
Eletrnica...
Fotnica...
Fotnica...

BC1519 Circuitos Eltricos e Fotnica

Motivao
Porque...
Porque
...
Circuitos...
Circuitos...
Eletrnica...
Eletrnica...
Fotnica...
Fotnica...

BC1519 Circuitos Eltricos e Fotnica

Motivao
Porque...
Porque
...
Circuitos...
Circuitos...
Eletrnica...
Eletrnica...
Fotnica...
Fotnica...

BC1519 Circuitos Eltricos e Fotnica

Motivao

BC1519
BC
1519 Circuitos Eltricos e Fotnica
Bibliografia

Bibliografia Bsica (Fotnica)

Fotnica):

1. Halliday,
Halliday, Resnick and Krane,
Krane, Fsica 4, 5 ed., LTC (2004).
2. E. Hetch,
Hetch, ptica Fundao Calouste Gumbekhian (2004)
2004).

Bibliografia Complementar (Fotnica)

Fotnica):
1. M. Young, ptica e Lasers, EDUSP (2000)
2000).
2. S. O. Kasap,
Kasap, Optoelectronics and Photonics, Prentice Hall (2001)
2001) .
3. B. E. A. Saleh and M. C. Teich,
Teich, Fundamentals of Photonics, Wiley (2006)
2006).

Softwares de Apoio:
Apoio:
1. Pspice,
Pspice, Lambda Res.
Res. Corp.
Corp. (2005)
2005).
2. OSLO, Virtual Lab e MatLab.

Aulas::
Aulas
Disponibilizadas via Col:
Col: http:
http://col.
//col.larc.
larc.usp.
usp.br

BC1519 Circuitos Eltricos e Fotnica

Fotnica.
Semicondutores. Diodos. Fontes e
Detectores de Luz I

Marcos R. R. Gesualdi
Centro de Engenharia, Modelagem e Cincias Sociais Aplicadas (CECS)
Universidade Federal do ABC, Santo Andr SP - Brasil

email: marcos.gesualdi@ufabc.edu.br

BC1519 Circuitos Eltricos e Fotnica

Fotnica. Semicondutores. Diodo. Fontes e Detectores
O que Fotnica
Semicondutores
Diodo e LED (Light Emitting Diode)
Lasers (Light Amplification Stimulated Emission
Radiation)
Fotodetectores

BC1519
BC
1519 Circuitos Eltricos e Fotnica
O que Fotnica?
Fotnica e Ftons
Radiao e Espectro Eletromagntico
Aplicaes e Dispositivos

BC1519
BC
1519 Circuitos Eltricos e Fotnica
O que FOTNICA?
Fotnica a rea da cincia relacionada gerao, processamento e
deteco de ftons.
ftons.
Analogia

Fotnica Ftons
Eletrnica Eltrons

O que so FTONS?
Fton = Partcula elementar associada radiao eletromagntica
pacote elementar de energia
= Quantum de energia eletromagntica
Luz = Forma de radiao eletromagntica
= Feixe de ftons
Relaciona a energia de um fton frequncia
da radiao
h = Constante de Planck; [h] = Energia tempo ; SI: [h] = Joule segundo (Js)
h = 6.63
6.631034 Js (SI) // h = 4.14
4.141015 eVs
eVs (1 eV = 1.60
1.601019 J)
Equao de PlanckPlanck-Einstein

BC1519
BC
1519 Circuitos Eltricos e Fotnica
Radiao eletromagntica: Frequncia e comprimento de onda
Frequncia
Nmero de oscilaes por segundo
Smbolo:
Unidade SI (S
(Sistema Internacional): [ ] = segundo1 = Hertz (Hz)
Comprimento de onda
sucessivos da onda

distncia entre dois mximos (ou mnimos)

Smbolo:
Unidade SI: [ ] = metro (m)

e esto relacionados com velocidade da luz (c)

atravs da expresso: c =

BC1519
BC
1519 Circuitos Eltricos e Fotnica
Radiao eletromagntica: Frequncia e comprimento de onda
ESPECTRO ELETROMAGNTICO
Frequncias aproximadas em Hertz (ciclos/seg
(ciclos/seg)
seg)
Raios Gama: 1022 (Hz)
Infravermelho: 1013
Raios X: 1018
Microondas: 1010
Ultravioleta: 1016
FMFM-AM: 108 - 106
Luz visvel: 51014
Ondas longas: 104 - 1

BC1519 Circuitos Eltricos e Fotnica

FAIXA VISVEL DO ESPECTRO ELETROMAGNTICO
COR: Definida pela frequncia da radiao
Espectro visvel de 750 THz (violeta) at 430 THz (vermelho)
Ordem de grandeza: 51014 ciclos/segundo

0.5 m (1 m = 1
1106 m = 1 milsimo de milmetro)

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FAIXA VISVEL DO ESPECTRO ELETROMAGNTICO
FOTNICA: APLICAES E DISPOSITIVOS
Aplicaes: Aplicaes concentradas principalmente a regio que cobre a faixa
espectral do UV, Visvel,
Visvel, e IR.
IR.
Dispositivos: Grande parte dos dispositivos utilizados em fotnica so fabricados a
partir de materiais semicondutores.
semicondutores.
Ex.: LEDs,
LEDs, Lasers de semicondutores, Fotodiodos, etc.

BC1519
BC
1519 Circuitos Eltricos e Fotnica
Semicondutores e Bandas de Energia
Semicondutores e Bandas de Energia

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Semicondutor e Bandas de Energia
tomo

Portadores de carga + : buracos (p)

Portadores de carga - : eltrons (e)

Fisica Moderna: energia dos portadores quantizada

Interaes interatmicas
Bandas de energia

Bandas de Energia
tomo de Li
Metal cristalino Ltio (10
(1023 a)

Electron Energy,

--- completa: ISOLANTE Vacuum

level
--- incompleta: METAL
-Fenmenos
Fenmenos de transporte de
-Portadores
Portadores de carga, ou seja,

E =0

3s Band
2 p Band
3p
3s
2p
2s

1s

CONDUTOR

Free electron

ATOM

Overlapping energy
bands
2 s Band

Electrons

1s
SOLID

In a metal the various energy bands overlap to give a single band

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BC
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Semicondutor e Bandas de Energia
Cristal Semicondutor
ligados

Cristal Si

cada tomo Si tem 4 vizinhos

Interao eletrnica
Bandas de energia

4 eltrons na camada de valncia

banda de valncia (BV)
banda de conduo (BC)
Covalent bond

BV: funes de onda elementares

ligaes atmicas
eltrons de valncia

Si ion core (+4e)

Eg bandgap (energia do gap)

Electron energy, E
Ec+
Conduction Band (CB)
Empty of electrons at 0 K.

Ec
Band gap = Eg

BC: funes de onda eletrnicas

+ energticas

Ev
Valence Band (VB)
Full of electrons at 0 K.

Eg = Ec - Ev

(a)

(b)

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Semicondutor e Bandas de Energia
Cristal de Silcio
Criao de um eltron ou buraco livre no cristal de Si
fotn (hv Eg)
Electron energy, E
Ec+

cristal Si

CB
h > Eg

eltron salta da BV para BC

estado menos energtico
para
mais energtico

Ec

Free e

Eg

Ev

hole
e

Hole h+

VB
0

e-

h+

so gerados

(a)

(b)

BC1519
BC
1519 Circuitos Eltricos e Fotnica
Semicondutor e Bandas de Energia
Conduo em semicondutores

portadores de carga

eltrons eburacos h+
fotn (hv Eg)

Gerao por radiao

par eltroneltron-buraco
Gerao Trmica

Energia TrmicaTrmica-Vibrao

par eltroneltron-buraco
Recombinao

rompe ligao
e- (h+) volta de BC para BV
fotn (hv = Eg)

Condutividade

eNde

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Semicondutor e Bandas de Energia
Isolantes, Metais e Semicondutores

BC1519
BC
1519 Circuitos Eltricos e Fotnica
Semicondutores
Semicondutor
es
Materiais de condutividade intermediria entre os metais e os isolantes
Condutividade Capacidade de conduzir eletricidade Relacionada
mobilidade das cargas
eltricas no material
Classificao dos materiais quanto condutividade eltrica
METAL
Excelente condutor
> 105 S/m (= 103 S/cm)
ISOLANTE
Pssimo condutor
< 106 S/m (= 108 S/cm)
SEMICONDUTOR
Condutividade intermediria
106 S/m < < 105 S/m

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Semicondutor e Bandas de Energia

BC1519 Circuitos Eltricos e Fotnica

Semicondutores
Semicondutor
es
Faixas aproximadas de condutividade para condutores,
condutores, isolantes e
semicondutores

BC1519 Circuitos Eltricos e Fotnica

Semicondutor e Bandas de Energia
Semicondutores Extrnsecos (Impurezas ou Dopantes)
s na concentrao de portadores de carga no cristal (e(e-h)
p. e., no cristal de Si dopado com As (impureza pentavalente 5 e- )
1 e- no ligado (eltron livre)

1 As ligado com 4 Si
(b)

(a)

+ 0.05eV
05eV

Electron Energy

1 e- na BC

CB
As+
e

SEMICONDUTOR

~0.05 eV

Ec
Ed

As+

As+

As+

As+

Ev

x
As atom sites every 106 Si atoms

Distance into
crystal

TIPO n

BC1519 Circuitos Eltricos e Fotnica

Semicondutor e Bandas de Energia
Semicondutores Extrnsecos (Impurezas ou Dopantes)
s na concentrao de portadores de carga no cristal (e(e-h)
p. e., no cristal de Si dopado com B (impureza trivalente 3 e- )
1 B ligado com 4 Si
Electron energy
B atom sites every 106 Si atoms

Ec

1 h+ no ligado (buraco livre)

+ 0.05eV
05eV
x Distance
into crystal

1 h+ na BV

h+
B

Ea

~0.05 eV

Ev

SEMICONDUTOR
TIPO p

VB

(imobilidade de carga)
(a)

(b)

BC1519 Circuitos Eltricos e Fotnica

Semicondutor e Bandas de Energia
Semicondutores Intrnsecos e Extrnsecos

CB
Ec
EFi
Ev

Ec
EFn

Ec

Ev

EFp
Ev

VB

(a)

(b)

(c)

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Semicondutor e Bandas de Energia
Diagrama de bandas de energia de uma semicondutor do tipo n com tenso V
aplicada
V(x), PE (x)
V(x)

x
PE (x) = eV

Electron Energy

Ec
EF
E c eV
E F eV

Ev

E v eV

A
B
n-Type Semiconductor

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BC
1519 Circuitos Eltricos e Fotnica
Principios da Juno pn e Diodo
Princpios de Juno pn
Diodos

BC1519 Circuitos Eltricos e Fotnica

Principios da Juno pn
Cristal Si dopado
1 lado com As

tipo n

1 lado com Bo

tipo p
p

n
As+

BDispositivo de juno pn
h+

DIODO
(Elemento de 2 terminais)
Anodo e Catodo

(a)
e
M

Metallurgical Junction

Neutral p-region

Neutral n-region

BC1519
BC
1519 Circuitos Eltricos e Fotnica
Principios da Juno pn
p

Dispositivo de juno pn (Diodo)

n
As+

Bh+

(a)
e

(a) Juno metalrgica: difuso

(b) Regio de depleo: campo
(c) Equilbrio: corrente nula
(d) Densidade de carga
(e) Campo eltrico
(f) Diferena de potencial
(g) Energia potencial da juno

Metallurgical Junction

Eo

Neutral p-region

E (x)

Neutral n-region

Wp

Wn

(e)
(b)

Eo
V(x)

M
log(n), log(p)

Wp

Wn

Vo

Space charge region

(f)

ppo

nno

p
n
Alta resistncia ao
fluxo de corrente
n
p
Baixa resistncia ao
fluxo de corrente

(c)

ni
pno

npo

eVo
Hole PE(x)

x=0

net

PE(x)

M
eNd

Electron PE(x)
Wp

x
Wn

-eNa

(d)

eVo

(g)

BC1519
BC
1519 Circuitos Eltricos e Fotnica
Principios da Juno pn
Diodo
Diodo ideal
corrente infinita num sentido
(direto)
Juno pn com polarizao direta (chave fechada)
diminuio da barreira de potencial para V0 V
Log (carrier concentration)

Eo E

Neutral p-region

Neutral n-region
Minute increase

ppo

Hole PE(x)

nno
pn(0)
Excess electrons

npo

corrente total cte

Excess holes

eVo
e(VoV)

p-region

np(0)

Total current

Majority carrier diffusion

and drift current

pno
SCL

n-region

J = Jelec + Jh

Hole
diffusion

Electron
diffusion

SCL

Jhole

Jelec

Minority carrier diffusion

current

Wo

(a)

(b)

Wp

Wn

BC1519
BC
1519 Circuitos Eltricos e Fotnica
Principios da Juno pn
Diodo
Diodo ideal
corrente nula em outro sentido
(reverso)
Juno pn com polarizao reversa (chave aberta)
Aumento da barreira de potencial para V0 + V
Minority Carrier
Concentration
Neutral p-region

(a)
Eo+E

(b)
Hole PE(x)

Neutral n-region

Thermally
generated
EHP

Holes

Electrons

npo

pno
x

Wo
W

Diffusion
Drift

e(Vo+Vr)
eVo

Wo
W(V = Vr)

BC1519
BC
1519 Circuitos Eltricos e Fotnica
Principios da Juno pn
Diodo
Diodo ideal
corrente infinita num sentido
(direto)

Eo
p
Ec

(c) Juno pn com polarizao

reversa (chave aberta)

Ec
Ec
EFn

EFp
Ev

eV

EFp
Ev

Ec
EFn

e(VoV)

Ev

corrente nula no outro

(reverso)

(b) Juno pn com polarizao

direta (chave fechada)

(b)

EoE

eVo

Na prtica, corrente resultante de

fuga (reverso)

(a)
n

Ev

SCL

I
V

Eo+E
Ec

(d)

Eo+E

(c)
Ec
e(Vo+Vr)

EFp
Ev

Ec
EFn

EFp
Ev

e(Vo+Vr)

Thermal
generation

Ec
EFn

Ev
p

Vr

Ev
p

Vr

I = Very Small

BC1519 Circuitos Eltricos e Fotnica

Principios da Juno pn
Diodo: Animao

BC1519 Circuitos Eltricos e Fotnica

Principios da Juno pn
Juno pn:
pn: curva correntecorrente-tenso caracterstica

BC1519
BC
1519 Circuitos Eltricos e Fotnica
Principios da Juno pn
Junes pn:
pn: Dispositivos e Aplicaes

BC1519
BC
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LED (Light Emitting Diode)
Principios
Estrutura do dispositivo
Materiais
Caracteristicas

BC1519 Circuitos Eltricos e Fotnica

Princpios
LED (Light Emitting Diodes)
Diodo de juno pn
(p.e. GaAs)

Recombinao do par ee- h

Juno pn+

Electron energy
n+

Ec

eVo
(a)

EF

n+

p
Ec
EF

Eg

Eg

(b)
h - Eg

Ev
eVo

Emisso de 01 fton
(hv = Eg)

Ev

Distance into device

Electron in CB
Hole in VB

Diagrama de Bandas de
Energia
Emisso espontnea de ftons

V0

V0 - V

o numero de e- indo para o lado p

(injeo eletroluminescente)
recombinao

BC1519
BC
1519 Circuitos Eltricos e Fotnica
Estrutura do Dispositivo
LED: Processo de fabricao

deposio em substrato
(GaAs ou GaP)

Impurezas ou defeitos na rede crsitalina

(s parametros entre as 2 redes)
Estimula recombinao par ee-h

emisso de luz (AlGaAs: red)

Juno pn planar
Light output

Light output

p
n+

Epitaxial layers

n+

n+

Substrate

(a )

Metal electrode

Insulator (oxide)

p
n+

Epitaxial layer

Substrate

(b )

BC1519
BC
1519 Circuitos Eltricos e Fotnica
Estrutura do Dispositivo
Encapsulamentos

Hemisferico (+ comum)

Reflexo Interna Total

ngulo critico c
GaAs (
( c = 16 graus)
(a) Alta RIT
(a)

(a)

(b) Baixa RIT devido a

configurao do dispositivo
Light output

(c)

(b)

Plastic dome
Light

p
n+

(c) Baixa RIT devido calota

plstica (polmero n > 1)

Domed
semiconductor

pn Junction
+

Substrate
Electrodes

Electrodes

BC1519 Circuitos Eltricos e Fotnica

Materiais
Materiais semicondutores de bandgap direto
ternrios (3 elementos, p.e., Ga, As e P)
quaternrios (4 elementos, p.e., Ga, As, P e In)

GaSb

emitem na regio do vermelho e infra vermelho

comunicaes pticas

InP

Indirect
bandgap

GaAs1-yPy
x = 0.43

In1-xGaxAs1-yPy

AlxGa1-xAs

0.5

0.6

Red

0.4

Blue

In0.49AlxGa0.51-xP

0.7 0.8
Infrared

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.6

1.7

BC1519 Circuitos Eltricos e Fotnica

Materiais
Materiais semicondutores de bandgap direto
ternrios (3
(3 elementos, p.e., Ga, As e P)
emitem na regio do vermelho e infra vermelho
dopagem com nitrognio (N)

LEDS que emitem no verde, amarelo e laranja

GaN e InGaN

LEDS que emitem no azul

BC1519 Circuitos Eltricos e Fotnica

Materiais
LED: Eficincia externa (
( externa)
externa = Psada(ptica)/IV (x 100%)
Heterojuno: LEDS de alta intensidade
n+

(a)

AlGaAs

GaAs

AlGaAs

~ 0.2 m

eVo

EF
Ec

(b)

Ec

Ec

Electrons in CB

No bias

2 eV

1.4 eV

EF
Ev

2 eV

Holes in VB

Ev

With
forward
bias

(c)

n+

(d)
AlGaAs

GaAs

AlGaAs

BC1519
BC
1519 Circuitos Eltricos e Fotnica
Caracteristicas da luz LED
Propriedades pticas: espectro de emisso

(a)

(b)

(c)

Electrons in CB

CB

2kBT
Ec

1/ k T
2B

(2.5-3)kBT

Ev

VB

Relative intensity

Relative intensity
Eg + kBT

Eg
1

(d)

0
Holes in VB
Carrier concentration
per unit energy

h1
Eg

h2

h3

2 1

BC1519
BC
1519 Circuitos Eltricos e Fotnica
Caracteristicas da luz LED
Espectro de emisso tpico

Relative
intensity

(c)

(b)

(a)

Relative light intensity

655nm
1.0

0.5

24 nm

0
600

0
650

700

I (mA)
0

20

40

I (mA)

0
0

20

40

BC1519 Circuitos Eltricos e Fotnica

Dispositivos LED de luz branca

BC1519
BC
1519 Circuitos Eltricos e Fotnica
Dispositivos LED e fibra ptica

Fiber (multimode)
Fiber
Epoxy resin

Microlens (Ti2O3:SiO2 glass)

Electrode
Etched well
Double heterostructure

SiO2 (insulator)
Electrode
(a)

(b)

BC1519 Circuitos Eltricos e Fotnica

Aplicaes e
Tendncias
Displays (OLEDS)

Comunicaes pticas

60-70 m

L
Stripe electrode
Insulation
p+-InP (Eg = 1.35 eV, Cladding layer)
p+-InGaAsP (Eg 1 eV, Confining layer)
n-InGaAs (Eg 0.83 eV, Active layer)
+
n -InGaAsP (Eg 1 eV, Confining layer)
n+-InP (Eg = 1.35 eV, Cladding/Substrate)
Electrode

2
1
Current
paths
Substrate

200-300 m

Cleaved reflecting surface

Active region (emission region)

Light beam

Schematic illustration of the the structure of a double heterojunction stripe

contact edge emitting LED

Iluminao

Lens

ELED

GRIN-rod lens
Multimode fiber

Single mode fiber

ELED

Active layer

Outros....

(a)

(b)

Light from an edge emitting LED is coupled into a fiber typically by using a lens or a
GRIN rod lens.

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Bibliografia

Bibliografia Bsica (Fotnica)

Fotnica):

1. Halliday,
Halliday, Resnick and Krane,
Krane, Fsica 4, 5 ed., LTC (2004
(2004).
2004).
2. E. Hetch,
Hetch, ptica Fundao Calouste Gumbekhian (2004)
2004).

Bibliografia Complementar (Fotnica)

Fotnica):
1. M. Young, ptica e Lasers, EDUSP (2000)
2000).
2. S. O. Kasap,
Kasap, Optoelectronics and Photonics Principles and Practices, Prentice Hall (2001)
2001) .
3. B. E. A. Saleh and M. C. Teich,
Teich, Fundamentals of Photonics, Wiley (2006)
2006).

Softwares de Apoio:
Apoio:
1. Pspice
Pspice,, Lambda Res.
Res. Corp.
Corp. (2005)
2005).
2. OSLO, Virtual Lab e MatLab.

Aulas::
Aulas
Col:: http:
http://col.
//col.larc.
larc.usp.
usp.br
Disponibilizadas via Col