5.

SEMICONDUTORES INTRNSECOS
Tambm chamados de puros , so aqueles que s possuem tomos das espcies
contidas em sua frmula qumica (Ex.: Si, Ge, GaAs, InP, InGaAs, etc.).

T =0K
T = 300 K

B.C. totalmente vazia & B.V. totalmente cheia.

B.C. com eltrons & B.V. com estados vazios (buracos).

2
e
BAIXA CONDUTIVIDADE A 300 K = n
e
i
me *

Eg
k BT

DEPENDNCIA MUITO FORTE COM A TEMPERATURA n exp

i

5.1 Si, Ge, semicondutores compostos III-V e II-VI

A condutividade eltrica do material SEMICONDUTOR depende fortemente de Eg
e de T, mas no depende da forma das bandas na 1. Zona de Brillouin.
As propriedades pticas do material SEMICONDUTOR dependem fortemente da
forma das bandas na 1. Zona de Brillouin porque as interaes entre excitaes
elementares demandam satisfao das LEIS DE CONSERVAO de energia e de
momentum linear.
MATERIAIS PARA ELETRNICA E PARA OPTOELETRNICA
Gap DIRETO (Eg = 1,43 eV)
Gap INDIRETO (Eg = 0,66 eV)

Gap DIRETO

Compostos III-V: GaAs (Eg = 1,43 eV)

InSb (Eg = 0,18 eV)
InP (Eg = 1,35 eV)

Gap INDIRETO

Elementos SIMPLES: Si (Eg = 1,12 eV)

Ge (Eg = 0,66 eV)
GaP (Eg = 2,26 eV)

Compostos II-VI: CdS (Eg = 2,42 eV)

PbS (Eg = 0,35 eV)
CdTe (Eg = 1,45 eV)
Nas interaes entre excitaes elementares:

E f E i = h
r
r
r
f i =

Exemplo 1 - Decaimento radiativo no cristal de Si

Analise-se o processo de decaimento radiativo no Si (a =5,431 ; Eg = 1,12 eV)
sabendo que o mnimo de sua B.C. est prximo do limite da 1. Zona de Brillouin.
Princpio da
CONSERVAO DA ENERGIA
Ei = 1,12 eV
= 1,12 eV
Ef = 0 eV
Contudo:
ph = 2,7 . 1014 Hz
ph = 1,1 m

ph = 5,7 . 104 cm-1

Princpio da
CONSERVAO DO MOMENTUM
i ~ ZB = /a ~ 108 cm-1
>> ph
f ~ 104 cm-1

Concluso
No Si o decaimento de um eltron da B.C. para a B.V. s possvel se, aliada
emisso de um fton (conservao da energia), estiver associada a emisso de um
fnon de rede (conservao do momentum). A coincidncia dos dois fenmenos
extremamente improvvel ! NO UM MATERIAL OPTOELETRNICO.

Exemplo 2 - Decaimento radiativo no cristal de GaAs

Analise-se o processo de decaimento radiativo no GaAs (Eg = 1,43 eV) sabendo que o
mnimo de sua B.C. coincide com o mximo de sua B.V.
Princpio da
CONSERVAO DA ENERGIA
Ei = 1,43 eV
= 1,43 eV
Ef = 0 eV

Agora:
ph = 8,7 . 1014 Hz
ph = 0,87 m

ph = 7,23 . 104 cm-1

Princpio da
CONSERVAO DO MOMENTUM
i ~ 104 cm-1
~ ph
f ~ 104 cm-1

Concluso
No GaAs o decaimento de um eltron da B.C. para a B.V. muito mais provvel,
resultando na emisso de um fton (conservao da energia e do momentum linear).
TRATA-SE DE UM MATERIAL OPTOELETRNICO muito empregado na
indstria de LEDs e lasers de estado slido.

MASSA EFETIVA DAS LACUNAS

Os eltrons na B.C. ocupam estados prximos ao mnimo de energia (por qu ?).
Portanto, todos tm a mesma massa efetiva:
h2
NOTE
Uma vez que a B.C. tem concavidade
para cima , tm-se que

me* > 0

me

2E
2

min

Fe = - eE (i.e, deslocamento no sentido oposto a E)

r
r
e
eE = h
<0
t

r
r
dv
Fe = me* e < 0
dt

Os eltrons na B.V. ocupam estados afastados do mximo de energia (por qu ?).

Contudo, os estados mais prximos do mximo sero ocupado por eltrons sob
influncia do campo E externo aplicado, quando tero massa efetiva:
NOTE
Uma vez que a B.V. tem concavidade
para baixo , tm-se que

me* * < 0

me

**

h2
2
E
2 max

Fe = - eE (i.e, deslocamento no sentido oposto a E)

r
r

eE = h e < 0
t

r
r
d
v
Fe = me** e > 0
dt

Ex = 0

Ex > 0

Para um dado eltron prximo ao mximo da B.V. h um estado simtrico vazio:

b = e

r
r
r
e
b
eE = h
= h
>0
t
t

r
r
d
v
Fb = mb* b > 0
dt

desde que se defina a massa efetiva para o buraco:

*

mb m e

**

h2
2
>0
E
2 max

Concluso
O buraco (estado vazio simtrico a um eltron ativo no processo de conduo
na B.V.) se comporta como uma partcula com CARGA e MASSA POSITIVAS.

Qb = Q e = + e

mb* me* (Por qu ?)

OBSERVAO
Tipicamente os semicondutores exibem mais de uma B.V. e B.C., com curvaturas
que variam inclusive com a direo. Consequentemente existem vrias me* e mb* .

CRIAO E ANIQUILAO DE PARES e-b

Eltrons e buracos so gerados aos pares quando h transio da B.V. para a B.C.
PROCESSOS DE GERAO DE PARES e-b

TRMICO (T > 0 K)
Envolvendo interaes
eltrons-fnons de rede

PTICO ( h > Eg)

Envolvendo interaes
eltrons-ftons incidentes

Em cada evento de gerao de um par e-b as leis de conservao so satisfeitas.

Def. n a concentrao de eltrons na B.C. a uma dada T.

Def. p a concentrao de buracos na B.V. a uma dada T.
Num SEMICONDUTOR INTRNSECO:

n = p = ni (Eg, T)

Seja qual for o processo de transio, ele DINMICO.

Def. g a taxa de gerao de pares e-b (cm-3s-1).

Def. r a taxa de recombinao de pares e-b (cm-3s-1).
Princpio do
BALANCEAMENTO DETALHADO

g=r

MATERIAIS DE INTERESSE TECNOLGICO PARA INDSTRIA DE

COMPONENTES ELETRNICOS E OPTOELETRNICOS
Paradigma
EMISSO AZUL

Paradigma SEMICONDUTORES ORGNICOS

5.2 Concentraes de portadores intrnsecos

Propriedades pticas e eltricas de um SEMICONDUTOR dependem de n e de p.
LEMBRAR

e 2
ni
e =
me *

com

Eg
ni exp
k BT

HIPTESES: Para calcular a concentrao de eltrons na B.C.:

1) n depende da DENSIDADE DE ESTADOS existentes na B.C.
2) n depende da PROBABILIDADE DE OCUPAO desses estados.
+

n=

f ( E ) D( E )dE

EC

com

f (E) =

1
(E E F )
1 + exp
k BT

EV < EF < EC

Nos metais alcalinos o Nvel de Fermi pode ser calculado a partir de

EF

N=

D( E )dE
0

Nos semicondutores, contudo, o Nvel de Fermi depende da forma das bandas de energia
e sua posio ser determinada relativamente a EV e EC do material.

HIPTESE: Os processos pticos e eltricos de interesse envolvem apenas os estados

prximos aos extremos da B.V. e da B.C. porque as excitaes
consideradas so de baixa energia.
APROXIMAO PARABLICA
Dentro das bandas a energia dos estados de interesse pode ser expressa relativamente
mnima (B.C.)/mxima (B.V.) energia:

h 2 2
E EC =
2mC*
e, consequentemente:

h 2 2
EV E =
2mV*

(E na B.C.)
1
2
2
D( E ) =
1
2 2

2m
2
h

*
C

2mV*
2
h

3/2

3/ 2

(E E )

1/ 2

(E

(E na B.V.)

, na B.C.

E ) , na B.V.
1/ 2

Def. mC* a massa efetiva dos eltrons na para efeito de clculo

da densidade de estados (NC) prximo ao mnimo da B.C. (mC* me*).
Def. mV* a massa efetiva dos buracos na para efeito de clculo
da densidade de estados (NV) prximo ao mximo da B.V. (mV* mb*).

Exemplos: Para os principais semicondutores: Si: mC* = 1,10 mo ; mV* = 0,56 mo

Ge: mC* = 0,55 mo ; mV* = 0,31 mo
GaAs: mC* = 0,068 mo ; mV* = 0,5 mo
HIPTESES: Para calcular a concentrao de buracos na B.V.:
1) p depende da DENSIDADE DE ESTADOS existentes na B.V.
2) p depende da PROBABILIDADE DE DESOCUPAO desses estados.
EV

[1 f ( E )]D( E )dE

p=

tambm com

1
f (E) =
(E E F )
1 + exp
k BT

EXPRESSES PARA CLCULO DE n E DE p

Nos SEMICONDUTORES INTRNSECOS o Nvel de Fermi se situa prximo ao meio
do gap (como ser provado adiante) e os estados considerados tm energias E
muito distantes desse nvel de energia.

NOTE: kBT ~ 0,026 (eV), temperatura ambiente (T = 300 K).

Portanto, nos materiais semicondutores (Eg ~ 1 eV):

E EF

Eg
2

>> k B T

(E-E F )
exp , na B.C. (onde E > E F )
k
T
B

f (E) f B (E) =
(E-E F )
(Boltzmann)
1 exp k T , na B.V. (onde E < E F )
B

Ou seja, tm-se que calcular:

(E E F ) 1
n = f ( E ) D( E )dE exp
2
k
T
B

2
EC
EC
+

2m
2
h

*
C

3/2

(E E )

1/ 2

dE

e
EV

p=

[1 f ( E )]D( E )dE

(E E F ) 1
exp
2
k
T
B

EV

2m

*
V
2

3/2

(E

E ) dE
1/ 2

de onde resultam as expresses:

mC* k B T

n = 2
2
2h

3/ 2

E EF
exp C
k BT

mV* k B T

p = 2
2

h
2

3/ 2

E F EV
exp
k BT

Def. NC - densidade de estados prximo ao mnimo da B.C.

Def. NV - densidade de estados prximo ao mximo da B.V.
m k BT

N C ,V = 2
2

h
2

*
C ,V

3/ 2

E EF
n N C exp C
k BT

E EV
p N C exp F
k BT

OBSERVAES
1) Uma prova de que os estados efetivamente envolvidos nos processos eltricos e
pticos, em condies normais, so aqueles prximos aos limites de energia extremos
nas bandas, pode ser verificada assumindo que a densidade de estados existentes D(E)
se concentra prximo a esses limites de energia:

N C (E EC ), na B.C.
D( E ) =
N V (EV E ), na B.V.
Utilizando as propriedades da Delta de Dirac:
+

n=

EC
EV

p=

(E E F )
(E C E F )
(
)
exp
N
E

E
dE
=
N
exp

C
C
C

k
T
k
T
B
B

EC
+

f ( E ) D( E )dE

[1 f ( E )]D( E )dE

(E E F )
(EV E F )

=
exp
N

(
E
E
)
dE
N
exp
V
V
V

k
T
k
T
B
B

EV

2) Independentemente de se tratar de um semicondutor puro (intrnseco) ou de um

material dopado (extrnseco), desde que se tenha E EF >> kBT de modo que a
Distribuio de Fermi f(E) possa ser aproximada pela Distribuio de Boltzmann fB(E), as
expresses obtidas para n e p sero vlidas como excelentes aproximaes para clculo
das populaes de portadores-livres nas respectivas bandas de energia.

NVEL DE FERMI INTRNSECO

Quando se trata especificamente de um SEMICONDUTOR INTRNSECO:

EF = Ei
n = p = ni

Com isso, tm-se que:

(E C E i )
(Ei EV )
ni N C exp
= N V exp

k
T
k
T
B
B

NOTE: E EV + EC = E + E g = E E g
i
V
C
2

EC Ei

exp
3/ 2
*
k B T N V mV

= *
Ei EV N C mC

exp
k BT

mV*
EV + EC 3
Ei
+ k B T ln *
2
4
mC

(i.e, Ei no meio do gap)

somente quando T = 0 K, uma vez que mV* mC*.

Contudo, para T = 300 K, tm-se kBT ~ 0,026 eV << Eg e assim,
E +E

Ei

Finalmente, observe que:

EV EC
n = np = N C N V exp
k BT
2
i

Eg

ni = N C N V exp
2k B T

MATERIAIS INTRNSECOS SO USADOS EM OPTOELETRNICA

Por que o espectro de emisso dos

LEDs maior do que o dos lasers ?

Num dispositivo
optoeletrnico a gerao de
calor (fnons) compete com a
gerao de luz (ftons).

LEDs SO DISPOSITIVOS COM ESTRUTURAS MULTICAMADAS

A camada intrnseca tem gap menor para
confinar eltrons e buracos (por qu ?)
A presena de impurezas favorece as
recombinaes no-radiativas (por qu ?)