Laser Semicondutor

Uma introduo aos conceitos bsicos

Gabriela Prando

Trabalho apresentado a disciplina de Mecnica quntica aplicada

Departamento de Fsica
Universidade Federal de So Carlos
Brasil
Junho 2015

Contedo

1
2
2.1
2.2
3

Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Reviso geral de semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Estrutura de Bandas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Ocupao dos nveis de energia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Teoria da perturbao dependente do tempo aplicada a emisso estimulada de
ftons [7] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
3.1 Teoria da perturbao dependente do tempo e a regra de ouro de Fermi . . . . . 5
3.2 Densidade de estados e densidade de energia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
4
Transies pticas no semicondutor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
5
Dispositivo Laser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

1 Introduo

Resumo
O presente trabalho apresenta uma introduo ao laser semicondutor para a disciplina de mecnica
quntica aplicada no programa de ps-graduao do departamento de Fsica da UFSCar, tendo em
vista evidenciar os conceitos bsicos da mecnica quntica diretamente aplicados ao dispositivo de laser
semicondutor.
Inicialmente apresentada uma introduo histrica sobre o desenvolvimento de dispositivos laser,
posteriormente uma reviso de semicondutores evidenciando o surgimento da estrutura de bandas
obtidas a partir da resoluo da equao schrdinger para funo de onda do eltron em um potencial
peridico.
Relembrando conceitos de mecnica quntica estatstica de ocupao dos nveis de energia e densidade de estados para eltrons e densidade de energia de ftons e sua relao com o energia dada
atravs do eletromagnetismo.
Posteriormente demonstra-se a aplicao da teoria de perturbao dependente do tempo para determinao da probabilidade de transio entre dois estados e aplicao na determinao das taxas
de emisso no semicondutor e a relao com a determinao do ganho ptico.

Finalizando com a

apresentao do dispositivo de laser diodo.

Introduo

Dispositivos laser's atualmente se encontram presentes em praticamente todos lugares, leitores e gravadores de DVD's, equipamentos mdicos e principalmente nos laboratrios de pesquisa.
A palavra laser um acrnimo da lngua inglesa, abreviao de Light Amplication by Stimulated Emission of Radiation , as principais caractersticas da luz laser ser monocromtica,
coerente, direcionada e pode alcanar uma alta potncia[2].
Os fundamentos tericos mais relevantes na idealizao do laser comea com a quantizao
da energia proposta em 1900 por Max Plank, seguida da descoberta do fton por Einstein,
que ainda contribui para idealizao de dispositivos laser em 1917 em trabalhos sobre emisso
ptica estimulada. Em 1954 Charles Hard Townes, produziu o primeiro dispositivo, que era
o Maser, laser na faixa do microondas. Posteriormente dispositivos para ampliao de luz na
faixa do visvel, foi proposto por Townes e Shalow e tambm Prokhorov e Basov em 1958.
O primeiro laser de ruby foi construido por Maiman em 1960. Em 1962 foi observada a emisso de luz laser em um dispositivo semicondutor de GaAs, um diodo de juno p-n, mais ainda
apenas em temperaturas criognicas na ordem de 70K. Nesta poca ainda se desenvolvia os
processos de produo de materiais semicondutores, e alm de baixas temperaturas ainda havia
problemas como a alta corrente de limite, alta dissipao e baixa ecincia. Estes problemas
apenas comearam a ser solucionados com o surgimento das heteroestruras.
Os aprimoramentos seguintes zeram do laser semicondutor uma alternativa a outros tipos
de laser, com vantagem de possuir pequenas dimenses e longo tempo de funcionamento, mas
a principal foi na comunicao via bra optica devido ao fato de que o laser pode ser modulado
pela modulao da corrente injetada [3]. O uso comercial de dispositivos semicondutor se iniciou
em 1990.
2

Reviso geral de semicondutores

A classicao em condutor e isolante de modo mais geral pode ser dada pelos valores da
resistividade eltrica do material para semicondutores estes valores so intermedirios da ordem
10 2 a 109 /cm e tem forte dependncia com a temperatura[6].
Dois conceitos so fundamentais para entender a classicao dos slidos que o gap de
energia na estruturas de bandas e ocupao dos nveis pelos eltrons apresentados em 2.1 e 2.2.

2 Reviso geral de semicondutores

Nos podemos ter semicondutores intrnsecos normalmente, os mais utilizados so o silcio

(Si) e o germnio (Ge), semicondutores da famlia IV-A da tabela peridica, ou os compostos
semicondutores como os binrios III-V, que so formados a partir de ligao entre um elemento
trivalente e um pentavalente, os mais comuns so: GaAs e o InP[6]. Quando o condutor
intrnseco a pequenas temperaturas a densidade de eltrons excitados igual a quantidade
buracos e proporcional a eEg /2kb T .
Existem tambm os semicondutores dopados com impurezas de tipo n e p, os tipo n so
aqueles com impurezas que adicionam eltrons livres normalmente tomos da famlia III, e
tipo p falta de eltrons famlia IV. A dopagem pode alterar as caractersticas eltricas como
mobilidade e resistividade, colocando nveis de energia entre os gap's[8].
2.1

Estrutura de Bandas

Quando tratamos do movimento de um eltron sujeito a um potencial central obtemos nveis

de energia discretos, o eltrico no ocupa qualquer estado mas somente com certos nveis de
energia[4].
Entretanto ao ter eltrons se deslocando em uma rede de tomos o que ocorre e que ele
estar sujeito ao potencial dos demais eltrons e dos tomos vizinhos, para tentar compreender
o que ocorre necessrio utilizar modelos aproximados.
Para slidos cristalinos denimos que a estrutura de todo cristal pode ser descrita em termos
de uma rede, com um grupo de tomos ligados a cada ponto da rede formando um arranjo
peridico[6].
Considerando o eltron sujeito a um potencial V (r) , sendo V (r) = V (R + r), onde R
qualquer vetor da rede que possui simetria de translao. Seja a equao de Schrndinger:


~2 2
+ V (r) = 

2m

(1)

As autofunes para os eltron sujeito a um potncial peridico so dadas pelo teorema de

Bloch[1] como:
nk (~r + R) = ei .R .nk (~r)
(2)
Considerando um sistema unidimensional como modelo mais simples vamos tomar uma sucesso de poos potenciais estreitos:
k

V (x) =

N
1
X

(3)

(x ja)

Na regio 0 < x < a o potencial nulo e da equao 1

Onde
De soluo geral:

~ 2 d2
= E
2m dx2
d2
= k 2
2
dx

2mE
k=
~

(x) = A.sin(kx) + B.cos(kx)

(4)
0<x<a

Usando o teorema Bloch a esquerda da origem:

(x) = eiKx [A.sin(k(x + a)) + B.cos(k(x + a))]

a<x<0

(5)

2 Reviso geral de semicondutores

(x) deve ser continua em x = 0:

B = eiKa [A.sin(ka) + B.cos(ka)]

(6)

E a derivada primeira tem a descontinuidade imposta pela funo :

kA eiKa k[A.cos(ka) B.sen(ka)] =

2m
B
~2

(7)

Resolvendo 6 para sin(ka) e substituindo 7 encontramos:

cos(Ka) = cos(ka) +

m
sin(ka)
~2 k

(8)

Esta equao nos diz os valores possveis para k, fazendo z = ka, e simplicando:
f (z) = cos(z) +

sin(z)
z

Fazendo um Plot de f (z) :

Fig. 1:

Grco para a funo f (z) equao 2.1 com = 10, destacando as regies permitidas
para a equao 8

claro que para valores fora do intervalo [1, 1] a equao 8 no tem soluo, estes so
os chamados gap's, regies de energia proibida separada or regies permitidas chamadas de
bandas.
Em cada banda teremos as energias permitidas [5]. Isto signica que em geral nos slidos
temos nveis discretos de energia para bandas permitidas, normalmente prximos o sucientes
para serem considerados contnuos, nos cristais a estrutura da banda depende da constante k
que relacionada as zonas de Brillouin, sendo K o vetor da rede reciproca [1].
2.2

Ocupao dos nveis de energia

A estrutura de banda obtida considerando somente condies de potencial peridico, mas

a ocupao dos nveis de energia por N eltrons dada pela funo distribuio estatstica de
Fermi-Dirac:
1
f (E, T ) = (E)/kT
(9)
e

+1

Lembrando que esta distribuio obtida a partir de conceito de partculas idnticas com
funo anti-simtrica, a equao 9 probabilidade de um estado de energia E estar ocupado no

3 Teoria da perturbao dependente do tempo aplicada a emisso estimulada de ftons [7]

equilbrio termodinmico a temperatura T, assim o nmero de eltrons (E)dE entre o valor

de energia E e E + dE :
(E)dE = f (E, T )D(E)dE

Onde D(E) densidade de estados. No estado fundamental com T = 0 denimos a energia

de fermi Ef , que a energia mxima que pode ser ocupada por um eltron em dado sistema e
dependera do nmero total de eltrons.
Conhecendo ento a estrutura de banda e o nmero de estados por banda, a determinao
da energia de fermi em um slido permite dizer se este ou no um condutor , se a energia
de fermi cai no meio de uma banda permitida dito um bom condutor, lembrando que os
condutores em geral possuem gaps estreitos alguns praticamente zero, e esta ser a chamada
banda de conduo, e se o valor da energia de fermi prximo a borda e a banda anterior
inteiramente ocupada (de valncia) dito um bom isolante[4].
No caso de semicondutores onde Gap de energia pequeno comparado a de um bom isolante,
a banda de valncia esta prxima a banda de conduo e a temperatura T facilmente alguns
eltrons pulam para banda de conduo, o interessante e que os buracos deixados na banda de
valncia contribuem na corrente eltrica [4].

Fig. 2:

Classicao dos slidos pela ocupao das bandas de energia

A gura 2.2 nos mostra um diagrama esquemtico da ocupao das bandas. E comum
a confuso na classicao de condutor com a ausncia de gap, mas como vimos no modelo
simplicado a estrutura de bandas surge considerando somente a periodicidade da estrutura
cristalina e comum nos slidos.
3

Teoria da perturbao dependente do tempo aplicada a emisso

estimulada de ftons [7]

O funcionamento do dispositivo laser tem como base a emisso estimulada de luz na transio
ptica entre estados eletrnicos[7]. Para compreender os mecanismos envolvido neste processo
preciso retomar alguns conceitos fundamentais.
3.1

Teoria da perturbao dependente do tempo e a regra de ouro

de Fermi

Se temos um sistema estacionrio de hamiltoniana no perturbada H0 e uma base autoestados |ni:

H0 |ni = En |ni

3 Teoria da perturbao dependente do tempo aplicada a emisso estimulada de ftons [7]

(t) teremos autoestados (t):

Aplicando um perturbao dependente do tempo W
(t) =

an (t)|nieiEn t/~

Isto signica que durante a aplicao da perturbao os nveis de energia podem se deslocar
e ocorrer transies, sendo o estado inicial |ni com energia En = ~n .
Usando a equao de schrdinger dependente do tempo:

(t))(t)
(t) = (H0 + W
t
X
X
(t))
i~
an (t)|niein t = (H0 + W
an (t)|niein t
t n
n
i~

Aplicando a regra da cadeia para diferenciar e usando a equao no perturbada:

i~

an (t)

|niein t =
an (t)H0 |niein t
t
n

Temos como resultado:

i~

ein t

(t)|niein t
an (t) =
an (t)W
t
n

Aplicando hm| na equao, e usando a condio de hm|ni

i~

X
d
am (t) =
an (t)Wmn eimn t
dt
n

(10)

(t)|ni e podem ser obtidos a partir dos autoestados da hamiltoniana H0

Sendo Wmn = hm|W
so elementos de matriz que acopla na m e cria os coecientes am , e
mn =

Em En
~

Para encontrar am , podemos fazer com que an (t = 0) = 1

1
am (t) =
i~

t0 =t

(11)

Wmn eimn t dt0

t0 =0

A ideia calcular a probabilidade do sistema sofrer uma transio para Em quando aplicamos
a perturbao.
1
Pn (t) = |am (t)|2 = 2
~

Z 0
2
 t =t

|Wmn |2
0


Wmn eimn t dt0  =

 t0 =0

~2

 imn t
2
e
1 

 mn 

Aps algumas manipulaes matemticas chegamos:

Pn (t) =

2t
|Wmn |2 (Em En )
~

Se a transio ocorrer para um continuo de estados nais no intervalo entre de energias E e

E + dE de densidade D(E), temos:
2t
Pn (t) =
|Wmn |2
~

Z
D(E)(Em En )dE

3 Teoria da perturbao dependente do tempo aplicada a emisso estimulada de ftons [7]

A razo de transies derivada temporal da probabilidade Pn (t):

dPn (t)
2
=
|Wmn |2 D(E)
dt
~

E agora possvel obter a probabilidade de transio entre dois estados por unidade de
tempo, chamada regra de ouro de fermi.
1
2
=
|Wmn |2 D(E)(Em En )
n
~

(12)

Sendo n o tempo de vida no estado |ni.

3.2

Densidade de estados e densidade de energia

Denindo a densidade de estados pticos em trs dimenses para ondas eletromagnticas

planas com vetor de onda k, caracteriza-se a densidade de modos por unidade de volume em
trs dimenses no espao k como:
D3opt (k)dk = 2 4k 2

dk
k2
=
dk
(2)3
2

(13)

Onde o fator 2 devido a polarizao, estamos obtendo esta densidade considerando uma
esfera no espao k. Para um meio dispersivo com ndice de refrao nr , onde k = nr /c:
D3opt ()d =

2 n3r
d
3 c3

(14)

~ H/2
~
Tomando a media do vetor de Poynting S~ = E
que o uxo de energia por unidade
de rea de uma onda eletromagntica:
~ 0 |2
~ = 1 c0 |E
|S|
2

(15)

Obtemos a densidade de energia por fton por unidade de frequncia:

1 ~ 2
U () = 0 |E
0|
2

(16)

Por outro lado no equilbrio trmico a temperatura T sabemos esta densidade de energia para
um gs de ftons livres :
U () = D3opt ()fBE ()~

Substituindo a equao 14 e a funo distribuio de Bose Einstein:

1

f (E) =
e

~
kb T

(17)

Temos equao 18 que a densidade de energia por unidade de frequncia.

U () =

~ 3 n3r
1
~
2 c3 e kb T 1

(18)

4 Transies pticas no semicondutor

Transies pticas no semicondutor

No laser semicondutor as transies pticas ocorrem entre tipicamente em gaps diretos entre
a banda de valncia e a banda de conduo[7]. Na gura 4, podemos os dois tipos gap, direto
e indireto

Fig. 3:

(a) Semincondutor de Gap direto e (b) Semicondutor de Gap indireto, Figura retirada
de Kittel[6]

O modelo que utilizamos para deduzir a estrutura de banda 2.1 no leva em considerao
interaes de spin-rbita e resultam sempre em gap's diretos de energia[6], onde a energia
mxima da banda de valncia coincide com a mnima energia da banda de conduo no espao
k como vemos na gura 4.
Transies pticas so transies diretas, semicondutores de gap direto so mais ecazes para
dispositivos pticos, pois a emisso e absoro de ftons tem maior probabilidade de ocorrer
nas transies diretas no espao-k. No gap-indireto, como Si e Ge, preciso a participao de
um fnon no processo de transio[3].
De forma geral para sistemas com nveis de energia E1 e E2 um fton pode ser absorvido, e
ocorrer uma transio do nvel |1i para o nvel |2i, transio estimulada. E inversamente pode
ocorrer a emisso de um fton, por transio de |2i para |1i espontnea ou estimulada. No caso

(a) Esquema ilustrativo da transio entre

(b) Transio entre dois nveis de

dois nveis de energia

energia no semicondutor de gap

direto no espao k
Fig. 4:

Transio ptica

4 Transies pticas no semicondutor

do semicondutor teremos:
E2 = Eg +

~2 k 2
2me

A energia do eltron na banda de conduo, considerando a massa efetiva me e

E1 =

~2 k 2
2mh

A energia na banda de valncia com massa efetiva mh , h uma referencia ao buraco ou role,
que temos um semicondutor na banda de valncia quando h a excitao de um eltron.
A diferena de energia ento:
~2 k 2
~ = E2 E1 = Eg +
2

1
1
+

me mh

Denindo a massa efetiva reduzida do eletron mr

1
1
1
= +
mr
me mh

Resultando em:
~ = Eg +

~2 k 2
2mr

(19)

Revertendo para k, retomando a equao da densidade de estado em funo de k 13, onde

agora


1/2

2mr
k = (~ Eg )
~

1/2
1
2mr
1/2
dk = (~ Eg )
2
~
1/2

Substituindo na equao 13 obtemos a densidade de estados eletrnicos em funo da energia:

1
D(E) = D(~) = 2
2

2mr
~2

1/2

(~ Eg )1/2

(20)

Novamente agora fazemos estas substituies para obter a densidade de estados opticos com
E = ~ = ~ckopt no espao livre com dk = ~cnr dko pt substituindo em 14
D3opt (E) =

E2
2 ~3 c3

(21)

Multiplicando pela distribuio de Bose Einstein equao 17 ignorando a relao de disperso

quando nr () e temos E = ~ckopt /nr obtemos a densidade espectral medida por numero de
ftons por intervalo de energia:
P (E) = D3opt (E)f (E) =

E 2 n3r
1
E
2
3
3
~ c e kb T 1

(22)

Para aplicar a regra de ouro de fermi 12, am de calcular as taxas de emisso e absoro
espontnea de ftons com energia E21 = E2 E1 vamos denir os coecientes:
B12 =

2
|W12 |2
~

(23)

4 Transies pticas no semicondutor

10

est
Para absoro: R12
= B12 P (E21 )f1 (1 f2 )
est
= B21 P (E21 )f2 (1 f1 )
Emisso estimulada: R21
esp
= A21 f2 (1 f1 )
Emisso espontnea: R21

Considerando uma situao de equilbrio trmico teremos que a taxa de emisso deve ser
igual a taxa de absoro:
esp
est
est
R12
= R21
+ R21

B21 = B12

Os potenciais qumicos devem tambm ser iguais, lembrando que nas equaes acima fi
a probabilidade de o nvel de energia Ei estar ocupado e fi (1 fj ) a probabilidade de j estar
desocupado, ambas dadas pela distribuio estatstica de fermi dirac (equao 9), temos :
P (E21 ) =

A21
E2 1

B21 (e kb T 1)

Comparando com a equao 22:

2 3
A21
E21
n
opt
= D3 (E21 ) = 2 3 r3
B21
~c

Outra quantidade de interesse o coeciente de absoro , que razo entre os ftons

absorvidos por volume por unidade de tempo, pela razo de ftons incidentes, o nmero de
ftons incidentes esta relacionado com o vetor de Poyting (15), dividido pela energia de cada
fton ~ .
est
est
=

R12 R21
S/~

Em acordo com o apresentado na sesso 3.2 podemos escrever S = (c/nr )P (E21 ) , fazendo
as substituies das equaes conhecidas, mais agora considerando que os coecientes so
diferentes j que estamos tratando de nveis de energia de fermi aproximados, pois as massas
efetiva de buracos e eltrons so diferentes na banda de conduo e valncia.
=

nr
B12 (f1 f2 )
c

(24)

Considerando a razo entre a emisso espontnea e o coeciente de absoro temos:

=

esp
R12
B12 (f1 f2 )
2 c2 ~2 esp (E21 )/kb T
(e
1)
= 2 2 R12
A21 f2 (1 f1 )
E21 nr

(25)

Estas relaes mostram importantes concluses quanto ao ganho ptico g , que o negativo
do coeciente , ou seja, existe ganho ptico quando a emisso maior que a absoro, na
equao 25 fcil observar que desde que a taxa de emisso espontnea sempre positiva,
< 0 se f1 < f2 .
Ou ainda se > E21 , o fato da energia do fton ter que ser menor do a diferena entre os
nveis aproximados de Fermi chamada condio de Bernard Duraourg.
No semicondutor existe um continuo de nveis de energia permitido, como podemos ver na
gura 4 , f2 a distribuio dos eltrons na banda de conduo e f1 na de valncia, e no geral
so diferentes devidos a diferena na densidade de estados, j que a massa efetiva diferente
para cada banda.

4 Transies pticas no semicondutor

11

Substituindo a equao 23 em 24 e multiplicando pela densidade de estados eletrnicos

20,obtemos o ganho ptico no material semicondutor, por convenincia utilizamos a distribuio
de buracos fh = 1 f1 e de eltrons na banda de conduo fe = f2 .
1
2nr
|W21 |2 2
g(~) = (~) =
c~
2

2mr
~2

3/2

(~ Eg )1/2 (fe + fh 1)

(26)

O elemento de matriz |W12 | pode ser obtido considerando que a perturbao seja um campo
eltrico oscilatrio
~ opt = E
~ 0 .eikopt .xt
E

Lembrando que para um cristal as funes de onda so dadas pelo teorema de bloch
k o momento, que ser diferente para os buracos.

= Uek (x)ei(k.x) , sendo

Whe

|h i = e|E|
~
= hh |W

i(kk'kopt )
Uhk
dx
0 (x)Uek (x)xe

O termo exponencial oscila rapidamente, exceto quando k k' = kopt , como para os estados
eletrnicos k algumas ordens de grandeza maior do que o kopt este pode ser considerado zero,
e o termo valido na transio ptica principalmente quando o momento do cristal se conserva
k = k', nos gaps diretos. W depende ento das propriedades do material, em geral este termo
no explicitamente calculado e tomamos o ganho ptico como sendo:
gopt = g0 (~ Eg )1/2 (fe + fh 1)

(27)

Onde g0 depende do material, num modelo aproximado pode ser considerado uma constante
do material, por exemplo para GaAs a temperatura de 300K temos:
Eg = 1.4eV e g0 = 2.64 104 cm1 eV 1/2.

Fig. 5:

Ganho ptico no GaAs em funo da energia para diferentes densidade de portadores[7]

A densidade de portadores tem um papel fundamental no ganho ptico do material, assim

para a emisso ser eciente vemos no grco 4 que melhor ser em baixas temperaturas, outra
fator importante que exista uma grande quantidade de eltrons na banda de conduo e uma

5 Dispositivo Laser

12

grande quantidade de lacunas na banda de valncia. Esta situao conhecida como inverso
de populao.
Outra informao que podemos retirar da equao 27 dependncia com a temperatura,
podemos observar um grco 4 de D()(fe + fh 1) por  que a energia  = ~ Eg , para
diferentes temperaturas com densidade de 4 1019 cm3 .

Fig. 6:

Densidade de estados e distribuio D()(fe + fh 1) em funo da energia do fton

 = ~ Eg para diferentes temperaturas[3]

Vemos que quando menor a temperatura, maior o pico, de forma que o ganho maior a
baixa temperaturas [3].
5

Dispositivo Laser

Em um semicondutor intrnseco o o ganho efetivo s aprecivel para a manufatura de um

dispositivo laser vivel em baixas temperaturas. Porm os dispositivos modernos como sabemos
funcionam em temperatura ambiente, isto se torna possvel com a utilizao de heteroestruras,
por enquanto apenas vamos considerar um esquema simples de diodo como na gura 5

Fig. 7:

Ilustrao do laser diodo

Semicondutores dopados com impurezas tem o nmero de portadores aumentados, do tipo

n caso as impurezas sejam doadoras e tipo p caso seja aceitadora, isto , adiciona buracos[1].
Quando fazemos uma juno p-n podemos observar a ocupao dos nveis como na gura 5
atravs da juno.

5 Dispositivo Laser

Fig. 8:

13

Diagrama de ocupao da energia na direo x da juno p-n

Na gura 5 vemos o nvel de fermi , e ainda na regio da juno ca claro a existncia
de eltrons na banda de conduo e buracos na banda de conduo, que populao invertida
necessria para que ocorra ganha ptico e consequentemente emisso laser[3]. A ideia ento do
laser e aplicar uma corrente na direo da juno, mostrado na gura 5 .

Fig. 9:

Esquema ilustrativo da juno p-n, a rea destacada a regio ativa de ganho

Na gura 5 quando passamos corrente, eltrons so injetados para banda de conduo e

buracos para banda de valencia, criando a inverso de populao necessria para que ocorra a
combinao eltron buraco que ira emitir os ftons. Uma regio ativa de recombinao aparece
quando a corrente direta injetada na juno acima de um valor mnimo conhecido como corrente
de limiar.
Para selecionar o comprimento de onda e garantir a coerncia da luz laser que ser emitida
no dispositivo, aumentando tambm o ganho e nmero da densidade de ptica necessria uma
cavidade ptica, que conna a luz de um particular comprimento de onda, como os eltrons
contribuindo na corrente I emitem com um comprimento de onda especico a ecincia do
processo assegurada se a cavidade ptica tiver ressonncia no mesmo comprimento de onda
do mximo do ganho ptico do semicondutor [7].
Na gura 5 vemos trs tipos de dispositivos de laser semicondutor que se diferenciam pela
forma da cavidade optica de connamento.

5 Dispositivo Laser

14

Fig. 10:

Alterao dos nveis de fermi com aplicao da corrente

Fig. 11:

Diferentes dispositivos

Referncias

[1] N.W. Ashcroft and N.D. Mermin.

[2] V.S. Bagnato.
2008.

. Cengage Learning, 2011.

Solid State Physics

Laser e suas aplicaes em Cincia e Tecnologia

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