Lista 1 Prova 1

1. A funo de trabalho do ouro de 5,3 eV e do csio de 2,1 eV.

Calcula os mximos comprimentos de onda de luz para fotoemisso dos dois materiais.
R: 234 nm e 590 nm
2. Energia de Fermi do cobre de 7,0 eV. a) Calcula a
probabilidade para um nvel de energia de 7,15 eV a ser ocupado
em T = 300K. b) Repita o clculo para T = 900 K.
R: a) 0,3%; b) 12,6%
3. Calcula a concentrao intrnseca do Ge, Si e GaAs para
temperatura T = 500 K. Leva em conta a variao das densidades
dos estados e a largura da banda proibida com a temperatura.
R: 1,92E16 cm-3, 2,28E14 cm-3, 9,21E11 cm-3,
4. Determina os valores de n0 e p0 para silcio ( T = 300 K ), se o
nvel de Fermi fosse de 0,25 eV acima do topo da banda de
valncia (EV).
R: 8,5E4 cm-3, 1,17E15 cm-3
5. Uma amostra de silcio tipo-n possui resistividade de 2 ohm.cm
em temperatura T = 300 K. a) Qual a concentrao dos tomos
doadores nesta amostra? b) Qual seria a resistividade desta
amostra em T = 500 K?
R: 6,8 .cm