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UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO SUL

ESCOLA DE ENGENHARIA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

ENG04 447
ELETRNICA FUNDAMENTAL I-A

Turma B

RELATRIO DO LABORATRIO 3
Diodo de Juno

GRUPO: Bruno Rodriguez Tondin (161131)


Maurcio Kenji Yamawaki (160966)
Matheus Moro Martins (159466)

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SUMRIO

Lista de figuras Pag, 3

Lista de smbolos Pag, 4

Introduo Pag, 5

Caractersticas do diodo de juno de Silcio Pag, 6

Polarizao de diodos aproximaes tericas e resultados experimentais Pag, 9

Resultados Pag, 11

Concluso Pag, 16

Bibliografia Pag, 17

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LISTA DE FIGURAS

- Figura 1 Circuito 1

- Figura 2 Grfico de com aproximao exponencial.

- Figura 3 Grfico de comparao entre terico e medido.

- Figura 4 Circuito 2.

- Figura 5 Circuito 3.

- Figura 6 Tabela de resultado do item 1.2.

- Figura 7 Grfico de medidos.

- Figura 8 Tabela com a resistncia para cada faixa de medidos.

- Figura 9 Grfico de resistncia dinmica

- Figura 10 Tabela de medidas do item 2.1.

- Figura 11 Tabela de medidas do item 2.2.

- Figura 12 Tabela de valores ideais do circuito 2.

- Figura 13 Tabela de erro entra valores ideias e reais do circuito 2.

- Figura 14 Tabela de valores ideais do circuito 3.

- Figura 15 Tabela de erro entra valores ideais e reais do circuito 3.

- Figura 16 Tabela de valores calculados com 0,6V de queda de tenso sobre diodos em conduo.

- Figura 17 Tabela de erro entre valores tericos (com QT 0,6V) e reais do circuito 2.

- Figura 18 Tabela de valores calculados com 0,6V de queda de tenso sobre diodos em conduo.

- Figura 19 Tabela de erro entre valores tericos (com QT 0,6V) e reais do circuito 3.

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LISTA DE SMBOLOS

V Tenso em Volts
A Corrente em Amperes
S Tempo em Segundos
C Temperatura em Graus Celsius
- Resistncia eltrica em Ohm
F Capacitncia em Faraday

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INTRODUO

Este relatrio tem o objetivo de analisar e verificar o comportamento do diodo de


juno de silcio 1N4148 no carter ideal e experimental, verificando assim, suas
imperfeies e no linearidades, ausentes quando trabalhados apenas como modelos tericos.
Comparar esses dois comportamentos ir mostrar o quanto os valores reais diferem
dos valores ideais.

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1 Caractersticas do diodo de juno de Silcio

1.1. O circuito 1 mostrado a baixo foi montado no Protoboard sendo o diodo D do tipo
1N4148

(Figura 1)

1.2. As fontes foram montadas de forma a permitir as condies necessrias para


operar o diodo nas regies de corte e de conduo e, a partir disso foi possvel medir
diferentes valores de corrente e tenso sobre ele.

1.3. Utilizando a ferramenta grfica do Microsoft Office Excel foi possvel obter, a partir dos
valores da Tabela 1, um grfico (Grfico 1) que representa o comportamento de quando
varia de -3V at 687mV. Este grfico se encontra na SEO DE RESULTADOS no
final deste relatrio.

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1.4. A partir do grfico do item 1.3 foi possvel, para valores de , obter um novo
grfico e nele obter, com a ferramenta matemtica do Microsoft Office Excel, uma
aproximao exponencial contnua para o comportamento de quando varia. Com
isso possvel comparar essa funo obtida com a equao com = 26mV
que j era previamente estabelecida. Deste modo possvel obter os valores de n e .
O valor a corrente de fuga, enquanto o valor n a constante que depende do
numero de pernas do componente semicondutor.

(Figura 2)

1.5.A partir dos valores de e n obtidos no item anterior foi possvel traar um grfico
terico a partir da expresso completa de em relao a :

com isso possvel fazer uma comparao ao do item 1.3 para analisar as diferenas entre o
comportamento real e terico do diodo medido.

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O grfico assume essa forma:

(Figura 3)

1.6. A partir dos resultados dos itens anteriores foi possvel verificar que, diferente de
dispositivos hmicos, os diodos no variam sua corrente linearmente. Ou seja; sua
resistncia no constante. No entanto possvel, mesmo com essa no-linearidade,
utilizar a lei de Ohm para determinar a resistncia para uma faixa de valores pequena
utilizando a equao: , onde , e sero os valores de da resistncia, tenso
e corrente em cada faixa medida no item 1.1. respectivamente. O resultado destas
operaes se encontra na SEO DE RESULTADOS no final deste relatrio.

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2 - Polarizao de diodos aproximaes tericas e resultados experimentais

2.1. O circuito 2 representado na figura a baixo foi montado no protoboard e alimentado com
duas fontes simtricas de 10V. Em seguida foram medidas as tenses em cima de cada
componente e com elas calculadas as correntes.

(Figura 4)

2.2. O procedimento do item anterior foi repetido para o circuito 3, que est representado na
figura a baixo.

(Figura 5)
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2.3. Depois de obtidos os valores por medio, ser necessrio que se compare esses
resultados com os obtidos por clculos em cima de modelos ideais. Para isso ser considerado
o valor da queda de tenso sobre o diodo nulo, depois ser calculado um possvel erro
percentual entre os valores obtidos terico e experimentalmente.

2.4 Para se obter um valor terico mais prximo do real, a mesma analise do item anterior
ser feita, porm com a queda de tenso sobre os diodos sendo de 0,6V, quando considerados
em conduo. Este o valor escolhido para esta imperfeio pois a tenso nominal de
polarizao da juno PN de diodos de silcio.

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RESULTADOS

1.2.

-3,0 -1,0 0,0 0,3 0,4 0,5 0,53 0,57 0,605 0,622 0,637 0,668 0,687
0 0 0 0 0,018 0,11 0,1 0,25 0,5 0,75 1,0 2,0 3,0
(Figura 6)
1.3.

(Figura 7)

1.4.

A partir da aproximao feita e MSO Excel foi possvel chegar equao contnua:

Comparando com a expresso terica: pode-se deduzir que:

isolando n e considerando , ficamos com:

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que aproximadamente:

O que plausvel para uma componente de dois terminais.

1.5. Ambos os grficos assumiram um comportamento semelhante, porem a linha do


modelo medido est 0,2V adiantado ao modelo calculado. Possvelmente por imperfeies
existentes no componente e por erros de paralaxe.

1.6.

0,4 0,5 0,53 0,57 0,605 0,622 0,637 0,668 0,687


0,0018 0,11 0,1 0,25 0,5 0,75 1,0 2,0 3,0
222,22 4,54 5,3 2,28 1,21 0,83 0,64 0,33 0,23

(Figura 8)
A resistncia para valores de corrente tendendo a zero no foram calculados, pois, devido
impreciso do voltmetro, no foi possvel medir um valor para corrente diferente de 0
nesses pontos, fazendo com que seja impossvel calcular essas resistncias.
A partir desses valores possvel traar a seguinte curva num grfico (Grfico 4):

(Figura 9)

possvel perceber que a resistncia dinmica depende da variao da tenso em relao


corrente, ou seja, a resistncia a derivada da tenso no diodo pela corrente. Como a

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tenso varia logariticamente em relao a tenso, podemos deduzir que o grfico a cima
responde a uma funo na forma de .

2.1. Atravs das medidas de tenses no circuito 2 e da simples aplicao da Lei de Ohm
(V=R.I) e da Lei de Kirchoff para correntes em um n pode-se montar uma
tabela com as tenses e correntes sobre cada componente.

v(V) 9,4 10 0,6 0,6


i(mA) 2 1 1 1
(Figura 10)

2.2. Atravs das medidas de tenses no circuito 3 e da simples aplicao da Lei de Ohm
(V=R.I) e da Lei de Kirchoff para correntes em um n pode-se montar uma
tabela com as tenses e correntes sobre cada componente.

v(V) 13,12 6,2 -3,14 0,6


i(mA) 1,31 1,32 -0,01 1,32
(Figura 11)

2.3. Para fazer a anlise terica ideal do circuito 2 foi arbitrado quais os diodos estavam
em corte e quais estavam em conduo. Quando em conduo, o diodo ideal possui
e , porm em corte possui e .
Arbitrando que ambos os diodos estavam em conduo e fazendo a anlise, foi
verificada que esta escolha foi a correta, pois foram satisfeitas as expresses:
e .
Aplicando a Lei de Ohm (V=R.I) e a Lei de Kirchoff para correntes em um
n no circuito foi possvel montar uma tabela com os valores ideais de
tenso e corrente para o circuito 2.

v(V) 10 10 0 0
i(mA) 2,13 1 1,13 1
(Figura 12)
Para o clculo do erro foi utilizada a equao:
|
Onde o erro percentual entre o valor prtico e terico.

para a 6 0 100 100


tenso
para a 6,1 0 11,5 0
corrente
(Figura 13)

13
Arbitrando que o diodo 1 estava em corte e o diodo 2 estava em conduo e fazendo a
anlise, foi verificada que esta escolha foi a correta, pois foram satisfeitas as expresses:
e para o diodo 2 e e para o diodo 1.
Aplicando a Lei de Ohm (V=R.I) e a Lei de Kirchoff para correntes em um
n no circuito foi possvel montar uma tabela com os valores ideais de
tenso e corrente para o circuito 3.

v(V) 13,6 6,4 -3,6 0


i(mA) 1,36 1,36 0 1,36
(Figura 14)

Para o clculo do erro foi utilizada a equao:

Onde o erro percentual entre o valor prtico e terico.

para a 3,53 3,13 12,78 100


tenso
para a 3,68 2,94 100 2,94
corrente
(Figura 15)

O erro considerando a tenso sobre o diodo em conduo nula relativamente alto, visto que
sua tenso real bem diferente de zero.

2.4. Atribuindo o valor fixo de 0,6V para o diodo em conduo, teremos suas expresses:
e para o diodo em conduo e e para o diodo em corte.

No circuito 2 ser arbitrado os estados dos diodos exatamente como no item 2.3, ou
seja, ambos em conduo.
possvel notar que esta analise foi correta pois satisfez as expresses para o diodo
em conduo mostradas anteriormente. Com isso, pode-se montar a tabela de valores de
corrente e tenso.

v(V) 9,4V 10 0,6 0,6


i(mA) 2 1 1 1
(Figura 16)

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Para o clculo do erro foi utilizada a equao:

Onde o erro percentual entre o valor prtico e terico.

para a 0 0 0 0
tenso
para a 0 0 0 0
corrente
(Figura 17)

No circuito 3 ser arbitrado os estados dos diodos exatamente como no item 2.3, ou seja, D1
em corte e D2 em conduo.
possvel notar que esta analise foi correta pois satisfez as expresses para o diodo
em conduo e corte mostradas anteriormente. Com isso, pode-se montar a tabela de valores
de corrente e tenso.

v(V) 13,2 6,2 -3,2 0,6


i(mA) 1,32 1,32 0 1,32
(Figura 18)

Para o clculo do erro foi utilizada a equao:

Onde o erro percentual entre o valor prtico e terico.

para a 0,6 0 1,9 0


tenso
para a 0,7 0 100 0
corrente
(Figura 19)

Considerando o valor de tenso sobre o diodo em conduo 0,6V mostrou ser muito eficaz
para calcular a partir de um modelo terico; um modelo real, visto que o erro relativo entre os
valores muito pequeno.

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CONCLUSO

Terminado este relatrio, foi possvel verificar que o diodo, como esperado, no se comporta
como um componente linear devido imperfeies, provavelmente diferenas de temperatura,
imprecises de fabricao, resistncias parasitas, entre outras. No entanto, mesmo com estes
problemas possvel, considerando as limitaes, projetar circuitos tericos e verificar um
comportamento real muito prximo ao ideal.

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BIBLIOGRAFIA

[1] Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith. Microeletrnica 5 Edio So Paulo: Pearson


Prentice Hall, 2007

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