1.1.Descr eva com as suas palavr as o funcionamento do diodo semicondutor .

A juno PN forma-se quando juntamos dois cristais, um do tipo P e outro do tipo N.

Desta maneira, obtemos o componente que conhecemos como diodo semicondutor.
Juno PN sem polar izao:
Os ons negativos que apareceram do lado P do diodo repelem novos eltrons do material
tipo N que tentem atravessar a juno. O mesmo ocorre com os ons positivos formados
no lado N do diodo que repelem novas lacunas do material tipo P que tentem atravessar
a juno. A regio em que houve a efetiva difuso de cargas conhecida como regio de
depleo ou barreira de potencial.
Juno PN polar izada de maneir a r ever sa
O polo positivo da bateria foi ligado ao material tipo N (catodo do diodo), e o polo
negativo, ao material tipo P (anodo do diodo). Quando a fonte ligada desta maneira,
dizemos que o diodo foi polarizado de maneira reversa.
O que ocorre nesta situao que o polo negativo da fonte fornece mais eltrons aos
tomos do lado P, criando mais ons negativos no anodo do diodo. O efeito anlogo ocorre
com o polo positivo, que fornece mais lacunas aos tomos do lado N, criando mais ons
positivos no catodo do diodo. Houve, ento, um aumento de ons dos dois lados da juno
e, consequentemente, um aumento da regio de depleo, impedindo ainda mais a
passagem de eltrons de um lado para outro do diodo. Quanto maior for a tenso reversa
aplicada, maior ser o espessamento da regio de depleo.
Juno PN polar izada dir etament e
O polo positivo da fonte est ligado ao material tipo P (anodo do diodo), e o polo negativo,
ao material tipo N (catodo do diodo). O efeito que teremos ser o inverso do qual
observamos no tpico anterior. O polo negativo da fonte ir fornecer eltrons aos tomos
do material tipo N, que podero, ento, entrar em equilbrio (passaro a ter o mesmo
nmero de prtons e eltrons), deixando de ser ons positivos. O polo positivo da fonte
ir fornecer lacunas aos tomos do material tipo P, que tambm deixaro de ser ons (no
caso, negativos). A diminuio do nmero de ons que ocorre simultaneamente nos dois
lados do diodo tambm diminui a espessura da regio de depleo. Quanto maior a tenso
aplicada, menor a espessura da regio de depleo, at o ponto em que essa regio for
praticamente extinguida e a corrente eltrica puder atravessar a juno PN.

1.2. Em que consiste o pr ocesso de dopagem dos mater iais semicondutor es silcio
e ger mnio?

ou receptadores de eltrons que participaro das ligaes covalentes do cristal.

 importante lembrar que mesmo os semicondutores dopados so eletricamente neutros,
pois todos os tomos possuem o mesmo nmero de prtons e de nutrons.
Caso sejam adicionados tomos doadores de eltrons, estaremos criando mobilidade de
eltrons no cristal. Desta maneira, criando um cristal do Tipo N. De outra maneira, se
adicionarmos tomos receptadores de eltrons, estaremos gerando mobilidade de lacunas,
criando ento um cristal do Tipo P.
1.3. Par a que pode ser usado um diodo semicondutor ?

Na maioria das aplicaes para converter corrente alternada em corrente contnua.

Entretanto, o diodo pode ser empregado para outras finalidades alm da retificao.
Existem diodos de uso especial utilizados para regulao de tenso (diodos zener),
sintonia eletrnica em receptores de rdio e TV (varicaps), gerao de rdio frequncia
(diodos tnel) e produo de luz (leds).
1.4. Qual a finalidade dos diodos Zener ?
A propriedade til do diodo Zener a de que, quando polarizado no sentido reverso,
mantm praticamente constante a tenso em seus terminais, mesmo com a variao da
corrente reversa.
1.5. O que tenso de j oelho?
Tenso de joelho de um diodo a tenso mnima que pode ser aplicada em um diodo
polarizado (no reverso) para que ele possa conduzir

Valores de tenso inferiores a tenso de joelho quase no provoca o aparecimento de

correntes no diodo, e tenses a partir da tenso de joelho provocam o aparecimento de
altas correntes.
1.6. O que tenso de r uptur a ou tenso Zener ?
A tenso de ruptura a tenso mxima a partir da qual um diodo polarizado reversamente
passa a conduzir corrente eltrica. Tal situao no desejada, exceto em casos
especficos em que se utilizam diodos zener.
1.7. Quais as difer enas nas metodologias de anlise de 1, 2 e 3 Apr oximao
L inear par a o diodo semicondutor ?
1 Apr oximao L inear :
Analisamos o diodo como se ele fosse o componente ideal ou perfeito. O que
esperaramos de um diodo ideal para qualquer aplicao? A resposta seria:
Uma chave aberta quando polarizado no sentido reverso, no permitindo a passagem
de corrente eltrica, e uma chave fechada no sentido direto, permitindo a passagem da
corrente sem nenhuma oposio, no havendo queda de tenso entre os terminais do diodo
nesta situao.
2 Apr oximao L inear
A 2 Aproximao Linear a mais utilizada na anlise comportamental dos diodos por se
aproximar muito mais do comportamento real em comparao a 1 Aproximao,
representando, ainda assim, uma forma simples e rpi da de anlise. No sentido reverso, o
diodo continuar a se comportar como chave aberta, mas, no sentido direto, como uma
fonte de tenso constante, oferecendo uma tenso de 0,6V ou 0,7V entre seus terminais
para os diodos de silcio e 0,2V ou 0,3V para os diodos de germnio.
3 Apr oximao L inear
Em um circuito prtico, se variarmos a corrente que circula pelo diodo, iremos observar
que existir uma pequena variao de tenso entre os terminais do diodo. Ou seja, para
uma determinada corrente, teremos 0,7V entre os terminais do diodo, e para uma corrente
um pouco maior, uma tenso maior que os 0,7V por exemplo, 0,75V. exatamente isto
que a 3 Aproximao Linear tenta considerar. De todas as trs aproximaes, ela com
certeza a mais fiel ao modelamento real.
Na 3 Aproximao Linear (modelo linearizado por trechos de retas), consideraremos o
diodo polarizado, no sentido reverso, como chave aberta, e, no sentido direto, como uma
fonte de tenso de 0,7V em srie com uma resistncia R D (RD = Resistncia CC no
sentido direto).
1.8. Quais so os par metr os mais impor tantes na escolha de um diodo Zener ?
Tenso Zener : o diodo Zener especificado de acordo com a tenso que se deseja obter
para o circuito em questo.
Potncia Zener : de acordo com a corrente de projeto que dever circular pelo Zener,
uma potncia de dissipao proporcional a essa corrente e a tenso Zener exigida:

2.1. Descr eva como constitudo e como funciona o tr ansistor BJT.

O transistor BJT formado pela juno de trs cristais semicondutores dopados, dois do
tipo N e um do tipo P, formando um transistor do tipo NPN, ou, ento, dois do tipo P e
um do tipo N, formando um transistor PNP. As Figuras 1 e 2 mostram a formao e a
simbologia deste componente para os tipos NPN e PNP respectivamente.

Ao juntarmos esses trs cristais semicondutores, criamos duas regies de depleo

distintas (conforme mostra a Figura 3), a primeira na juno base-emissor e a segunda na
juno base coletor. Conforme acontece com os diodos, cada uma dessas regies de
ou igual a 0,7V (para os transistores de silcio).
De outra forma, se polarizarmos qualquer uma das duas junes no sentido reverso, a
regio de depleo aumentada. Importante frisarmos que o valor de 0,7V assim como
nos diodos uma aproximao, sendo que podemos aplicar a mesma equao para o
clculo das correntes no transistor, vista no modelamento real dos diodos. Contudo, neste
material e o que ocorre na maioria das vezes , adotaremos essa aproximao de 0,7V
para que qualquer juno inicie a conduo no sentido direto.
O cristal que constitui o emissor bastante dopado e ser responsvel pela emisso de
eltrons (no caso do transistor NPN). A base do transistor constituda por um cristal
extremamente fino se comparado aos outros dois e possui um nvel de dopagem
, p. 96). O coletor
formado pelo maior de todos os cristais, pois nele dissipada quase toda a potncia do
transistor, o qual possui nvel de dopagem mediano. Existem trs formas teis de polarizar
o transistor, obtendo para cada uma delas comportamentos diferentes do componente.
As duas junes reversamente, polarizao reversa-reversa.
As duas junes diretamente, polarizao direta-direta.
A juno base-emissor diretamente e a juno base-coletor reversamente, polarizao
direta - reversa.
2.2. O que significa quando dizemos que o BJT est em cor te?
Na regio de corte o ponto onde a reta de carga intercepta a curva IB=0. Nesse ponto a
corrente de base (zero) e a corrente de coletor (Ice0) muito pequena.
Na regio de corte, as junes base emissor e base-coletor de um transistor so ambas
Em termos prticos, para colocarmos o transistor em corte, no precisamos
necessariamente enviar valores de tenso reversa na juno base-emissor, basta
garantirmos que nenhuma corrente circule pela base do transistor para que ele estar no
ponto de corte.
2.3. O que significa quando dizemos que o BJT est satur ado?
Quando o transistor est saturado, como se houvesse uma chave fechada do coletor para
o emissor.
Saturao o ponto onde existe a interseo da reta de carga e a curva IB=IB (SAT).
Nesse ponto a corrente de coletor mxima.
Na regio de saturao, as junes base-emissor e base-coletor so polarizadas
diretamente
ou seja, formalmente idntico a um campo eltrico de dipolo. No bvio que este
campo magntico exista. Precisamos, ento, exibir uma distribuio de correntes que gere
este campo. Empiricamente, porm, sabemos que campos desse tipo existem, e so muito
abundantes: o campo de um im de barra, por exemplo, excelentemente descrito por um
dessa forma, assim como o campo magntico da Terra. Porm, como, para ns, a fonte
de um campo magntico uma corrente, devemos exibi-las.
3.4. Como podemos usar um dipolo magntico?
Podemos na construo de motores, solenoides, eletroms, etc.
3.5. Como podemos usar um diodo semicondutor ?
O diodo um componente eletrnico de dois terminais, que conduz corrente eltrica
preferivelmente em um s sentido, bloqueando a sua passagem no sentido oposto.
Esse comportamento unidirecional chamado retificao, sendo uti lizado para converter
corrente alternada em corrente contnua e extrair a informao de um sinal modulado em
amplitude (AM).
Entretanto, o diodo pode ser empregado para outras finalidades alm da retificao.
Existem diodos de uso especial utilizados para regulao de tenso (diodos zener),
sintonia eletrnica em receptores de rdio e TV (varicaps), gerao de rdio frequncia
(diodos tnel) e produo de luz (leds).
3.6. Como podemos usar um diodo zener ?
So diodos fabricados para conduzir a corrente eltrica em sentido inverso (polarizao
inversa). Este efeito chamado de "ruptura zener" e ocorre em um valor de tenso
bastante preciso, permitindo que esse diodo seja utilizado com uma referncia de tenso.
So bastante empregados em circuitos reguladores de tenso em fontes de alimentao.
Os diodos zener so utilizados nos mais diversos circuitos eletrnicos, dos quais pode-se
destacar: Regulao de Tenso DC, Proteo de Circuitos e Supresso de Fascas. Todos
esses circuitos utilizam a capacidade de conduo reversa e o fato do diodo zener fixar
uma tenso entre seus terminais, quando estes est adequadamente polarizado.
Caso as instalaes eltricas do consumidor apresentem uma eficincia inferior a 92%,
caber Concessionria a cobrana de multa por baixo FP. Essa multa cobrada
diretamente na Fatura entregue ao Consumidor.
3.2. Como melhor ar o fator de potncia de um cir cuito?
Dimensionamento de mquinas eltricas (motores e transformadores) para 80% de sua
capacidade mxima, desta forma evitamos que trabalhem em vazio ou com cargas muito
baixas, alm de mantermos uma zona de segurana de 20%;
Instalao de capacitores em paralelo a cada circuito de lmpadas de descarga (vapor
de mercrio, vapor metlica, fluorescentes, entre outras) para correo do fator de
potncia;
Monitoramento dos nveis de tenso da instalao, a fim de verificar se os mesmos se
encontram dentro de uma faixa aceitvel;
Instalao de buffers e/ou banco de capacitores (quando necessrio) para correo do
fator de potncia da instalao;
Utilizao de produtos com grande eficincia energtica, pois estes tipos de produtos,
geralmente possuem altos ndices de fator de potncia e tendem a aquecer menos
3.3. O que dipolo M agntico?
um sistema constitudo por dois polos magnticos iguais, mas de sinais opostos,
separados por uma pequena distncia finita.
Sabemos bem o que um dipolo eltrico: duas cargas de mesmo valor e sinais opostos, a
uma distncia uma da outra, e observadas a uma distncia muito maior do que . Nessas
condies, o campo eltrico dado por
(1)
Neste caso, o dipolo (ou, mais precisamente, a carga negativa) est na origem; a carga
positiva, , est na posio indicada pelo vetor , que nasce na origem e termina na carga
negativa. O vetor denominado momento de dipolo. Finalmente, o vetor
unitrio na direo radial. Vemos, assim, que o campo do dipolo decresce com a distncia
mais rapidamente do que o de uma carga isolada.
Definimos como campo de dipolo magntico ao campo magntico que tem a seguinte
expresso:
(2)
2.4. Quais so os r equisitos par a que um BJT possa funcionar como chave de
estado slido?
2.5. A que se r efer e r egio ativa de um BJT?
Refere-se exatamente regio utilizada na amplificao de sinais.
Na regio ativa, a juno base-emissor est polarizada diretamente, enquanto a juno
base-coletor est polarizada reversamente.
A corrente de emissor a soma das correntes de coletor e corrente de base: Ie =Ib+ Ic.
Existe tambm a relao entre as tenses encontradas nos terminais do transistor operando
nesta regio: Vce = Vcb + Vbe
2.6. Descr eva r esumidamente as configur aes de polar izao do BJT como
amplificador .
Amplificador emissor comum
Esta a configurao mais comum de amplificador com BJT, pois, com ela, temos tanto
ganho de corrente quanto ganho de tenso, configurando o melhor ganho de potncia de
todas as trs configuraes.
chamada de configurao emissor comum, pois o emissor comum em relao aos
terminais de entrada e sada (neste caso, comum aos terminais de coletor e base).
Amplificador base comum
Esse amplificador caracteriza-se por possuir tanto ganho de corrente menor e bem
prximo a 1 ou seja, no h ganho de corrente quanto ganho de tenso.
A amplificao de corrente Ic/Ie sempre menor do que 1 para a configurao
Outra caracterstica marcante desse amplificador a baixa impedncia de entrada, motivo
pelo qual essa configurao pouco usada: Z E RE.
Amplificador coletor comum
Nesta configurao, temos o comportamento inverso ao amplificador base comum.
Sendo o ganho de tenso prximo a 1, h, ento, somente ganho de corrente.
Outra diferenciao em relao configurao anterior est nas caractersticas de
impedncia de entrada e sada. No amplificador coletor comum, temos o que realmente
desejado (no quesito impedncia) em um amplificador: ele possui alta impedncia de
entrada; sendo assim, no carrega as fontes de sinal e baixa impedncia de sada.
A configurao coletor comum utilizada principalmente para o casamento de
impedncia, pois possui alto valor de impedncia de entrada e baixo valor de impedncia
de sada.
2.7. Descr eva r esumidamente as classes de amplificador es de potncia com BJT.
Amplificador Classe A
Esta a classe de amplificador com a melhor fidelidade ou linearidade. H corrente de
coletor durante todo o tempo, traduzindo -se em um ngulo de conduo de 360; com
isso, todo o sinal de entrada amplificado, ou seja, os dois semiciclos o so.
O circuito polarizado de modo que, na ausncia de sinal de entrada, encontre -se no
centro da regio ativa do transistor.
Amplificador Classe B
O Amplificador Classe B se caracteriza, entre outros fatores, por um ganho muito maior
que os Amplificadores Classe A.
Isso se deve principalmente ao fato de que os transistores so polarizados no corte (mas
na eminncia de conduzir), ou seja, sem sinal de entrada, no h corrente de coletor. Como
o transistor polarizado no corte, ele capaz de amplificar somente um dos dois
semiciclos do sinal de entrada (ngulo de trabalho, 180). Ento, para amplificar todo o
sinal de entrada, precisam ser empregados dois transistores para operarem de modo
complementar, de modo que, enquanto um esteja conduzindo o outro, ele encontre -se em
corte e vice-versa.
Amplificador Classe C
Esses amplificadores possuem rendimento muito superior aos Amplificadores Classe A
ou B. So normalmente empregados na etapa de sada de circuitos de rdio transmisso.
Um fato importante que tais amplific adores so construdos para trabalharem em uma
2.8. Qual classe de amplificador com BJT tem a melhor fidelidade e por qu?
Amplificador Classe A.
H corrente de coletor durante todo o tempo, traduzindo-se em um ngulo de conduo
de 360; com isso, todo o sinal de entrada amplificado, ou seja, os dois semiciclos o so.
O circuito polarizado de modo que, na ausncia de sinal de entrada, encontre -se no
centro da regio ativa do transistor.
Amplificador Classe C.
Esses amplificadores possuem rendimento muito superior aos Amplificadores Classe A
ou B. So normalmente empregados na etapa de sada de circuitos de rdio transmisso.
Um fato importante que tais amplificadores so construdos para trabalharem em uma
O Amplificador Classe C conduz somente em um pequeno intervalo do Semiciclo
positivo; contudo, nesse intervalo, a intensidade da corrente de coletor altssima. Quem
fornece a polarizao de base para o transistor o prprio sinal a ser amplificado.
3.1. O que fator de potncia?
A maioria das cargas das unidades consumidoras consome energia reativa indutiva, tais
como: motores, transformadores, reatores para lmpadas de descarga, fornos de induo,
entre outros. As cargas indutivas necessitam de campo eletromagntico para seu
funcionamento, por isso sua operao requer dois tipos de potncia:
Potncia ativa: potncia que efetivamente realiza trabalho gerando calor, luz, m ovimento,
etc., sendo medida em kW.
Potncia reativa: potncia usada apenas para criar e manter os campos eletromagnticos
das cargas indutivas. medida em kVAr.
Assim, enquanto a potncia ativa sempre consumida na execuo de trabalho, a potncia
reativa, alm de no produzir trabalho, circula entre a carga e a fonte de alimentao,
ocupando um espao no sistema eltrico que poderia ser utilizado para fornecer mais
energia ativa.
Definio: o fator de potncia a razo entre a potncia ativa e a potncia aparente. Ele
indica a eficincia do uso da energia. Um alto fator de potncia indica uma eficincia alta
e inversamente, um fator de potncia baixo indica baixa eficincia energtica. Um
tringulo retngulo frequentemente utilizado para representar a s relaes entre kW, kvar
e kVA.
-----------------------------------------------------------------------------------------
A Legislao brasileira estabelece que o FP mnimo admitido de 0,92. Isto significa
dizer que as unidades consumidoras devero transformar em Potncia Ativa no mnimo
92% da Potncia recebida (Potncia Apar ente).