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Instrumentação Eletrônica Geral (SENAI) PDF
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Instrumentao
Eletrnica Geral
REVISO AGOSTO/99
Eletrotcnica Bsica Instrumentao
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CST
2 Companhia Siderrgica de Tubaro
ndice
Assunto Pgina
Transistor Bipolar................................................................ 19
Fontes de Alimentao......................................................... 57
Tiristores...............................................................................86
Exerccios.............................................................................113
FSICA DOS SEMICONDUTORES E DIODOS
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4 Companhia Siderrgica de Tubaro
Um tomo possui no mximo 7 (sete) camadas, assim denominadas: k, l, m, n, o, p, conforme
abaixo:
As camadas inferiores, uma vez completas, no cedem nem recebem eltrons, logo os
eltrons de valncia (eltrons da ltima camada externa) so os nicos em condio de
participarem de fenmenos qumicos ou mesmo eltricos.
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1.2 - Classificao do Materiais quanto condutividade
Os materiais podem ser classificados em 03 (trs) tipos:
condutores
isolantes
semicondutores
Condutores:
Dizemos que um material condutor, quando os eltrons so fracamente ligados ao ncleo e
ao serem submetidos a uma diferena de potencial passam a se locomover no interior do
material.
Podemos citar como exemplo o ouro, a prata, o cobre e outros.
Isolantes:
Dizemos que um material isolante, quando os eltrons se encontram fortemente presos em
suas ligaes, evitando a circulao desses eltrons.
Podemos citar como exemplo, a borracha, a mica, a porcelana, etc.
Semicondutores:
Dizemos que um material semicondutor se sua resistncia se encontra entre a dos
condutores e a dos isolantes.
Os principais semicondutores utilizados so:
Silcio (Si)
Germnio (Ge)
A principal caracterstica dos semicondutores a de possuir 04 (quatro) eltrons em sua
ltima camada, camada de valncia. Isto permite aos tomos do material semicondutor a
formao entre si de ligaes covalentes.
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6 Companhia Siderrgica de Tubaro
Ligao covalente:
a ligao por meio de pares de eltrons que participam simultaneamente dos dois tomos,
mantendo a estabilidade.
Elemento tetravalente:
todo elemento que possua em sua ltima camada (camada de valncia) um total de 04
(quatro) eltrons Exemplo:
Silcio, germnio, carbono, estanho.
Elemento pentavalente:
todo elemento que possua em sua ltima camada(camada de valncia) um total de 05
(cinco) eltrons. Exemplo:
Antimnio, nitrognio, fsforo, arsnio.
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1.6 - Semicondutor tipo N
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8 Companhia Siderrgica de Tubaro
1.8 - Portadores de cargas
A condutividade de um semicondutor depende do nmero de portadores de carga, eltrons ou
lacunas, dependendo da dopagem. Outro fator que influi na condutividade a temperatura.
Este fator contribui para o rompimento da ligao covalente, dando origem a eltrons e
lacunas medida que a temperatura aumenta. No material tipo N os eltrons da dopagem
mais os surgidos pelo rompimento das ligaes so chamados de portadores majoritrios,
pois existem em maior quantidade no material. E as lacunas surgidas no material tipo N,
devido ao rompimento das ligaes, chamadas de portadores minoritrios.
No material tipo P os portadores majoritrios so as lacunas e os portadores minoritrios so
os eltrons:
2 - DIODO
2.1 - Juno PN
Se unirmos um material do tipo P a um material do tipo N, de maneira a construirmos um
nico cristal, esta juno ser denominada de juno PN ou diodo de juno. Sua grande
utilidade reside em deixar passar uma dada corrente em apenas um sentido. Sendo esta
corrente alternada, que flui em dois sentidos, passa a fluir em um s sentido. A esta operao
chamamos de retificao.
Na figura abaixo, representamos uma juno PN no polarizada.
Neste caso, os portadores majoritrios do lado P (lacunas) so atrados pelo plo negativo da
bateria e do lado N (eltrons) pelo plo positivo da bateria.
Os portadores majoritrios se afastam da juno, aumentando a barreira de potencial, no
permitindo a passagem de corrente atravs da juno.
Na realidade existir uma pequena corrente, devido aos portadores minoritrios. Esta corrente
chamada corrente de fuga, e varia com a temperatura.
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10 Companhia Siderrgica de Tubaro
Neste caso, os portadores majoritrios so repelidos em direo juno, havendo uma
barreira de potencial muito pequena e facilidade para passagem da corrente eltrica. O diodo
apresenta uma resistncia muito baixa para esta polarizao.
NOTA:
Conforme os estudos anteriores, podemos concluir que o elemento PN conduz quando
diretamente polarizado, apresentando, na juno, uma pequena resistncia, um pouco maior
que uma ou duas dezenas de ohms, e no conduz quando polarizado inversamente,
apresentando uma resistncia da ordem de mega-ohms.
Como vimos, ao elemento puro, por exemplo o silcio, dopado de forma a ter uma regio P e
N, chamados de diodo de juno.
O diodo possui 02 (dois) eletrodos. Ao lado P, conecta-se um elemento denominado nodo, e
o lado N, o catodo, conforme a figura abaixo.
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12 Companhia Siderrgica de Tubaro
A polarizao direta representada no eixo positivo pela tenso (Vd), e a corrente (Id),
enquanto que a marcada no eixo negativo indica a polarizao inversa.
Podemos observar que o diodo s comea a conduzir a partir da tenso V
Esta tenso, a 25C , de aproximadamente 0,3 V para um diodo de germnio (Ge), e de
0,7V para um diodo de silcio (Si). Podemos notar, pela curva em polarizao direta, que para
pequenos valores de Vd, praticamente no temos Id, passando a existir quando atingirmos as
caractersticas de conduo do diodo.
A corrente da polarizao direta (id) da ordem de mili-ampres (mA).
Na polarizao inversa, notamos que para pequenos valores de tenso, a corrente
aproximadamente constante. Esta corrente devida aos portadores minoritrios, sendo da
ordem de micro-ampres ( A). Quando aumentamos a tenso inversa, notamos que Ir quase
no apresenta variaes, at atingirmos a tenso mxima inversa na qual o diodo se queima; a
esta tenso chamamos de tenso de ruptura.
No circuito acima temos um diodo polarizado diretamente, onde circula uma corrente I no
sentido indicado, passando pelo resistor R.
Conhecemos a curva caracterstica do diodo, descrita anteriormente.
Para sabermos o ponto de funcionamento do diodo, devemos conhecer o valor da corrente e
da tenso sobre o mesmo. Pelo circuito, podemos escrever:
E= Vd + I.R
E= Vd + 0.R
E= 0 + I . R
A reta que passa por estes pontos chamada de reta de carga e sua interseo com a curva
caracterstica do diodo, indica o ponto de operao do diodo ou ponto quiescente.
Exemplo :
Dada a curva caracterstica de um diodo, mostrada na figura abaixo, determinar o seu ponto
quiescente e sua potncia de dissipao, sabendo-se que ele est ligado em srie com um
resistor de 50 e alimentado por uma fonte de 2,2V.
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14 Companhia Siderrgica de Tubaro
Assim, o ponto quiescente resultante :
Vd = 1,2V e Id = 20mA
Dizemos que um diodo ideal quando conduz, diretamente, ao ser polarizado e sua
resistncia igual a zero; porm quando polarizado inversamente, sua resistncia infinita, o
diodo no conduz.
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2.7.2 - Modelo 2 - Diodo com V
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16 Companhia Siderrgica de Tubaro
2.7.3 - Modelo 3 - Diodo com V e RD ( Modelo Linear )
..............
Exemplos:
Para efeito de comparao, estes exemplos mostram os resultados dos clculos das correntes
num diodo, utilizando-se os trs modelos em duas condies diferentes de circuitos:
Circuito 1
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18 Companhia Siderrgica de Tubaro
TRANSISTOR BIPOLAR
1 - TRANSISTOR
1 .1 - Introduo
No estudo de diodo, analisamos uma juno PN. Para o transistor, estudaremos duas junes.
Para cada juno do transistor, existir uma barreira de potencial. Temos 02 (dois) tipos de
transistores, NPN e PNP, apresentando 03 (trs) terminais: o emissor, a base e o coletor, e
duas junes: juno base-emissor e a juno base-coletor, conforme a figura abaixo.
Neste caso, o emissor composto de um material tipo N, tem a funo de emitir eltrons. O
coletor, que tambm de material tipo N, coleta os eltrons. A base, formada por material
tipo P, a parte comum.
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Os eltrons que so portadores majoritrios do material tipo N, saem do emissor e so
injetados na regio da base, devido polarizao direta da juno base-emissor. Como a
juno base-coletor possui polarizao inversa, os eltrons que saem do emissor so injetados
na base, e so atrados para o coletor, devido a base ser fina e possuir uma quantidade
pequena de lacunas.
A corrente do emissor (IE) relativamente grande, dada em mili-ampre (mA), a corrente da
base (Ib) pequena, dada em micro-ampre ( A) e a corrente do coletor (IC) tambm
grande, dada em mili-ampre (mA). A corrente de base pequena devido a ela ser
praticamente resultante de poucas recombinaes na base. Pela figura 2 podemos escrever a
equao: IE = IB + IC, e como a corrente da base IB pequena, temos IE IC. Outra equao
que podemos escrever a seguinte: VCE = VBE + VCB, onde VCE a tenso entre coletor e
emissor.
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20 Companhia Siderrgica de Tubaro
1.4 - Relaes entre correntes no transistor
Sabemos que: IE = IB + IC; mas IB muito menor que IC e representa a parte do fluxo de
eltrons atingiu o coletor.
Para relacionarmos IC e IE podemos introduzir um parmetro (ganho em corrente contnua).
= IC .
IE
Como IC menor que IE, teremos que ser sempre menor que 01 (um).
Podemos tambm relacionar IC com IB. Neste caso, temos o parmetro S (ganho em corrente
contnua), que relaciona a corrente de sada (IC), com a corrente de entrada (IB).
= IC . = /(1+) ou = /(1-)
IB
NOTA:
Algumas vezes, o ganho de corrente do transistor (), representado por outro parmetro que
denominado h fE.
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b) Configurao base comum
Dizemos que um transistor est na configurao. coletor, tendo a base como elemento
comum.
medio
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22 Companhia Siderrgica de Tubaro
1.6 - Curvas caractersticas do transistor
As curvas caractersticas do transistor estabelecem relaes entre entrada e sada para cada
configurao, sendo a mais utilizada a configurao emissor comum. As curvas so de grande
importncia para conseguirmos o ponto de timo funcionamento do transistor, de acordo com
o projeto adotado.
a) Caractersticas VCE x IC
Fornece-nos a caracterstica de sada do transistor na configurao emissor comum, sendo IB
constante para cada variao de VCE e IC.
b)Caracterstica VBE x IB
Fornece-nos a caracterstica de entrada do transmissor na configurao emissor comum,
quando VCE constante.
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Exemplos:
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24 Companhia Siderrgica de Tubaro
b) A curva caracterstica de entrada foi obtida para VCE = 5V. Entrando com esse valor na
curva caracterstica de sada, juntamente com a corrente de entrada iB obtida no item a,
tem-se que a corrente de sada iC = 110mA.
iC = 280mA
Assim:
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temperatura mxima. Se ultrapassarmos estes limites, poderemos danificar o transistor ou
faz-lo trabalhar com distores.
O ponto de operao de um transistor, tambm denominado ponto de trabalho ou ponto
quiescente, deve ser localizado na regio de operao limitada pelos valores mximos de
tenso, corrente e potncia.
Alm da regio de operao (regio ativa), onde o transistor trabalha sem distores, devem
ser levadas tambm em considerao as regies de corte e de saturao. Na regio de corte, a
tenso VBE menor que VBE de conduo, logo no haver corrente IB circulando, IC tambm
ser zero, e VCE estar com valor elevado. Na regio de saturao, a tenso VBE um pouco
maior que VBE de conduo. Neste caso, a corrente de entrada IB e consequentemente IC so
muito grandes, o que implica em VCE baixo, em torno de 0,2 Volts (dependendo do transistor)
Considerando apenas o transistor NPN, pode-se fazer a anlise das malhas de entrada e
sada.
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28 Companhia Siderrgica de Tubaro
Malha de entrada: RB*IB + VBE = VBB
Portanto, a equao de RB :
RB = ( VBB VBE ) / IB
Portanto a equao de RC :
RC = (VCC VCE ) / IC
Existem vrias formas de simplificar este circuito, eliminando-se uma das fontes de
alimentao, como sero vistas a seguir.
Para eliminar a fonte de alimentao da base VBB , pode-se fazer um divisor de tenso entre
o resistor de base RB e a juno base-emissor, utilizando apenas a fonte VCC, como mostra a
figura 7.8.
Para garantir a polarizao direta da juno base-emissor, e reversa da juno base-coletor,
RB deve ser maior que RC .
Portanto, a equao de RB :
RB = ( VCC VBE ) / IB
Portanto a equao de RC :
RC = ( VCC VCE ) / IC
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Neste circuito, como VCC e RB so valores constantes e VBE praticamente no varia, a
variao da corrente de polarizao da base desprezvel. Por isso, este circuito chamado
de polarizao EC com corrente de base constante.
Clculo de RC :
Potncia de RC :
Clculo de RB :
Potncia de RB :
Observao:
Ao se adotarem os valores comercias para os resistores de polarizao, impe-se um pequeno
deslocamento no ponto quiescente. Porm este erro no relevante, dado que todos os
parmetros do transistor so, tambm, valores estimados pelos fabricantes, sem contar a
tolerncia dos resistores de polarizao.
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30 Companhia Siderrgica de Tubaro
O circuito de polarizao EC com corrente de base constante tem o inconveniente de ser
muito sensvel a variaes de temperatura.
de 25C para 50C causa uma diminuio aproximada de 0,05V em VBE ). Porm, a
corrente de fuga e o podem Ter variaes acentuadas ( no caso de , a mesma variao
de temperatura pode dobr-lo ). Isto ocasiona uma grande variao na corrente de coletor,
sem que haja variao na corrente de base, deixando o circuito instvel.
Analisando a malha de sada, formada por VCC, RC e VCE , observa-se que o aumento da
temperatura faz com que a corrente de coletor ICQ aumente ( aumento da corrente
quiescente ), aumentando a tenso VRC. Sendo VCC constante, esse aumento de VRC tem
que ser compensado pela diminuio de VCEQ ( diminuio da tenso quiescente ).
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A diminuio de VCEQ provoca novo aumento de ICQ , resultando numa realimentao
positiva, ou seja, numa instabilidade do circuito.
Portanto, uma forma de contornar este problema, forar uma realimentao negativa,
sempre que houver uma tendncia de instabilidade no circuito.
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32 Companhia Siderrgica de Tubaro
Como a realimentao negativa faz ICQ voltar ao seu valor original, o mesmo acontece com
IEQ, que mantm-se, portanto, constante. Por isso, esse circuito de polarizao conhecido
por polarizao EC com corrente de emissor constante.
Portanto, a equao de RB :
Portanto, a equao de RC :
2) Adota-se uma tenso para VRE de valor pequeno em relao VCC, para que o resto da
tenso possa ser utilizada para determinar a tenso e a corrente de sada quiescentes,
respectivamente, VCEQ e ICQ ( esta ltima, atravs de VRC ). Normalmente, utiliza-se VRE =
VCC/10 .
Clculo de RC :
Potncia de RC :
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PRC = RC*ICQ2 = 82*(100*10-3)2 = 0,82W ( 1,5W )
Clculo de RB :
Potncia de RB :
Clculo de RE :
Potncia de RE:
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34 Companhia Siderrgica de Tubaro
O circuito de polarizao por divisor de tenso na base projetado de forma a fixar o valor de
VRB2.
Da malha de entrada, tem-se:
Fixado o valor de VRB2 , como VBE praticamente constante com a temperatura, VRE
tambm permanece constante. Isto garante a estabilizao de IEQ e ICQ, independente da
variao de .
O valor de RB2 pode ser fixado a partir da sua corrente, adotando-se o seguinte critrio:
IB2 = 10*IB
Portanto, a equao de RC :
Para este tipo de polarizao, devido ao nmero de incgnitas, vale tambm o seguinte
critrio prtico:
VRE = VCC / 10
Mas, IC = IE , portanto :
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( RC + RE )*ICsat = VCC ICsat = VCC / ( RC + RE )
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36 Companhia Siderrgica de Tubaro
Clculo de RC :
Potncia de RC :
RB2 = ( VBE + VRE ) / IB2 RB2 = ( 0,65 + 0,9 ) / 800*10-6 RB2 = 1937
Potncia de RB2:
RB1 = VCC VBE VRE/ IB1 RB1 = 9 0,65 0,9/ 880*10-6 RB1 = 8466
Potncia de RB1:
Clculo de RE:
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Valor comercial adotado : RE = 47
Potncia de RE:
Portanto, a reta de carga com o respectivo ponto quiescente fica como mostrada a seguir:
Uma outra forma de analisar o circuito de polarizao EC com divisor de tenso na base,
substituindo-se o divisor de tenso por seu circuito equivalente Thvenin , visto da base
do transistor.
A tenso equivalente de Thvenin ( VTH ) a tenso aplicada pelo divisor de tenso base
do transistor, isto :
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38 Companhia Siderrgica de Tubaro
Portanto, o circuito de polarizao fica como mostra a figura:
Pelas equaes das malhas, observa-se que existem mais de duas incgnitas.
VRE = VCC/10
IB = IB2/10
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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (FET)
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40 Companhia Siderrgica de Tubaro
2.2 - A corrente no FET tipo juno
Vamos considerar o circuito:
A porta (G) de um FET de juno tem sempre polarizao reserva para impedir corrente de
porta e tambm para criar camadas de depleo em volta das regies P (canal N),
possibilitando o estreitamento do canal condutor e, consequentemente, a diminuio da
corrente entre a fonte e o dreno.
A corrente de dreno (ID) controlada pela tenso de VGS. Como existe o canal, mesmo que a
tenso VGS seja igual a zero, haver corrente percorrendo o elemento.
O aumento da polarizao reserva (VGS), diminui a largura do canal N, o que provoca uma
diminuio na corrente do dreno (ID).
VGS = 0
Condio da porta em curto.
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VGS corte - Tenso de constrio
Quando a tenso da porta for suficientemente negativa, as camadas de depleo tocam-se e o
canal condutor desaparece, ID=0.
O grfico da figura 19.b relaciona-se a corrente de sada versus a tenso de entrada Essa
curva conhecida como curva de transcondutncia, que um trecho de uma parbola.
A sua equao a seguinte:
ID = IDSS [ 1 - VGS . ]2
VGS corte
Onde:
ID = corrente de dreno.
IDSS = corrente de dreno para fonte com a porta em curto circuito
VGS = tenso entre a porta e fonte.
VGS corte = tenso de constrio.
Polarizao do JFET
Autopolarizao
Esta polarizao utiliza apenas uma fonte de alimentao.
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42 Companhia Siderrgica de Tubaro
O resistor RS produz uma realimentao negativa. Se a corrente de dreno ID aumenta, a
tenso sobre RS tambm aumenta. Isto faz aumentar a tenso reversa porta-fonte ( VGS )
estreitando o canal, reduzindo novamente o canal, reduzindo novamente a corrente ID. Por
isso o nome autopolarizao.
Existem duas formas de se determinar os valores dos resistores de polarizao: pela reta de
carga traada sobre as curvas de dreno e pela reta de autopolarizao traada sobre a curva
de transferncia.
-VGS = RS . ID RG . IG
-VGS = RS . ID
Pela curva de transferncia com valores tpicos, atravs dos pontos IDQ ou VGSQ previamente
escolhidos, tem-se um ponto da reta de autopolarizao. O outro ponto a prpria origem da
curva de transferncia.
O ponto timo de polarizao deve ser escolhido de tal forma que fique localizado no meio
da curva de transferncia.
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Anlise das tolerncias do JFET
Conhecendo-se as tolerncias do JFET dadas pelos manuais atravs de valores ou na prpria
curva de transferncia, percebe-se que , uma vez definida a reta de autopolarizao, o ponto
quiescente pode estar localizado em qualquer posio entre Q1 e Q2 .
Portanto, alm da variao possvel de IDQ na autopolarizao ser menor que no processo
de polarizao anterior ( com VGS constante ), a realimentao negativa imposta por RS
para variaes de IDQ garante uma melhor estabilidade do circuito.
RS = - VGSQ/IDQ
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44 Companhia Siderrgica de Tubaro
Da malha de sada , obtm-se:
Como a curva de transferncia praticamente a mesma para todo VDS > VPO ( regio ativa
da curva de dreno ), o valor de VDSQ fixado por RD.
Exemplo :
Clculo de RS e RD :
O fato de o valor adotado para RD ser um pouco maior que o calculado, diminui VDSQ de
15V para 14V. Porm, as variaes de IDQ e VGSQ so desprezveis, pois o ponto
quiescente est na regio ativa.
Uma outra forma de se polarizar o JFET pela reta de autopolarizao, porm, sem a curva de
transferncia, utilizando os parmetros mximos e mnimos de IDSS e VP , fornecidos pelos
manuais:
Assim, como os parmetros ( IDSSmax , -VPmax ) e (IDSSmin , -VPmin ) , calculam-se dois valores
para o resistor RS , sendo um para a parbola mxima e outro para a mnima:
min max
IDSS ( mA ) 2,0 6,5
VP ( V ) -0,5 -8,0
Clculo de RS:
2.3 - Mosfet
O MOSFET um elemento largamente empregado na construo de circuitos integrados,
devido a caractersticas de construo.
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46 Companhia Siderrgica de Tubaro
O MOSFET de canal n constitudo de um substrato tipo p no qual so difundidas duas
regies tipo n. Estas regies formam a fonte (S) e o dreno (D). A porta (G) formada por
uma camada de dixido de silcio (isolante), em cima da qual depositada uma placa de
metal.
A porta isolada do canal. O diodo PN que existe num FET de juno foi eliminado no
MOSFET.
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O MOSFET se subdivide em dois grupos: MOSFET tipo depleo e o MOSFET tipo
crescimento.
Este tipo de construo apresenta uma estreita camada tipo N que interliga a fonte (S) e que
permitir o fluxo de corrente mesmo quando nenhuma tenso for aplicada porta.
Se a tenso VGS for igual a zero, ir circular uma corrente ID no circuito, uma vez que existe
canal para que essa corrente possa fluir. Sendo a porta (G) negativa em relao fonte (S),
teremos que a camada de metal fica negativa e polariza o isolante. Haver um estreitamento
do canal N, diminuindo a corrente ID no dispositivo.
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48 Companhia Siderrgica de Tubaro
Este estreitamento do canal tanto maior, quanto maior for a polarizao negativa da porta
(G).
Se aplicarmos uma tenso positiva porta (G), haver um alargamento no canal, aumentando
a circulao da corrente ID .
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Para este tipo de construo o canal de conduo da corrente ID s vai aparecer quando
houver tenso VGS.
No caso da figura acima em que o MOSFET de canal N, quando polarizamos a porta (G)
negativamente em rel
circular entre estes dois elementos ser funo da relao fonte (S), no haver conduo.
Fazendo a porta (G) positiva em relao fonte (S) e aumentando a tenso de VGS
estabelecemos um contato entre a fonte (S) e o dreno (D), onde a corrente ID que agora
circular entre estes dois elementos ser funo da tenso positiva porta (G) que controlar
a largura do canal.
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50 Companhia Siderrgica de Tubaro
VGS min - Tenso de limiar
Tenso necessria para criar uma fina camada no material tipo N prximo do dixido de
silcio ligando a fonte ao dreno.
Para o MOSFET tipo crescimento de canal p, teremos uma mudana de polarizao.
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CIRCUITOS BSICOS DE AMPLIFICADORES
A tenso de entrada (Vi) produz uma variao na tenso de base-emissor (VBE) que, por sua
vez, produz uma variao na corrente de base (IB) e esta produz uma variao de vezes na
corrente de coletor (IC), onde IC = IB, fazendo com que haja uma variao de tenso no
resistor R2. Como a tenso E constante, a tenso VCE variar de forma inversamente
proporcional variao da tenso em R2, produzindo a tenso de sada (Vo).
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52 Companhia Siderrgica de Tubaro
Podemos representar as tenses de entrada e sada conforme figura abaixo.
As tenses de entrada (Vi) e sada (Vo) esto defasadas de 180. O ganho de tenso dado
por: Av = Vo
Vi
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Como vemos no circuito anterior, o sinal que aplicamos na entrada uma tenso alternada, e
a polarizao
do transistor feita com uma tenso contnua.
Os capacitores de acoplamento C1 e C2 permitem a passagem de um sinal alternado,
bloqueando a corrente contnua.
Como a reatncia capacitiva (Xc) inversamente proporcional freqncia (Xc = 1/2 f.c),
podemos considerar os capacitores C1 e C2 como curto-circuito para corrente alternada e um
circuito aberto para corrente contnua.
Baseado nesses conceitos, podemos escrever o circuito equivalente em corrente contnua, ou
circuito de polarizao, conforme figura abaixo.
OBSERVAO:
A fonte E pode ser considerada como um curto-circuito para CA, devido sua pequena
resistncia interna.
NOTA:
Para evitar confuso entre as correntes e tenses contnuas e alternadas, usaremos letras e
ndices maisculos para corrente e tenses contnuas, e ndices minsculos para as correntes e
tenses alternadas,
ou seja:
IE,IC,IB para correntes contnuas
VBE, VCE, VCB para tenses contnuas
ie, ic, ib para correntes alternadas
Vbe, Vce, Vcb para tenses contnuas
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54 Companhia Siderrgica de Tubaro
Tipos de amplificadores
Porm, para efeito de estudo dos amplificadores, eles podem ser divididos apenas em trs
categorias: amplificadores de baixa potncia e frequncia, amplificadores de potncia e
amplificadores de alta frequncia , uma vez que tais categorias englobam todos os
conceitos de amplificadores.
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A faixa de frequncia de udio ( sinais audveis ou sonoros ) est compreendida entre
20Hz e 20KHz , ou seja, comea abaixo da faixa VLF e termina dentro desta faixa.
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56 Companhia Siderrgica de Tubaro
FONTES DE ALIMENTAO
1) RETIFICADORES :
a) Retificador de meia onda: a tenso de entrada varia de maneira senoidal . Como o diodo da
figura 02 s conduz quando polarizado diretamente (anodo (+) , catodo (-) ) somente no
semiciclo positivo haver corrente circulando pela carga. No semiciclo negativo o diodo
estar polarizado reversamente e portanto: i = 0.
Im = Vm/ RL
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Ento, para que o diodo no queime, ele deve suportar tanto esta corrente mdia quanto a
tenso de pico reversa, ou seja:
Exemplo:
c) Especificao do diodo:
Como a corrente mdia no diodo igual da carga e como no semiciclo negativo toda a
tenso do transformador cai sobre o diodo, suas especificaes devem ser as seguintes:
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CST
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d) Formas de onda na carga e no diodo:
b) Retificador de onda completa com CENTER TAP: o transformador com CENTER TAP do
retificador da figura 4 possui 2 secundrios iguais mas com tenses defasadas de 180.
Quando a tenso no enrolamento superior cresce, o diodo D1 polarizado e conduz uma
corrente que passa por R. Ao mesmo tempo a tenso no enrolamento inferior diminui,
polarizando D2 inversamente. Quando termina o semiciclo a situao se inverte, ou seja, D2
fica polarizado diretamente, enquanto D1 cortado. Assim, durante os dois semiciclos haver
corrente circulando pela carga.
Im = Vm/ RL
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Em relao s especificaes dos diodos, tem-se uma grande vantagem neste circuito. Como
cada diodo conduz corrente somente num semiciclo, a corrente que eles devem suportar
corresponde metade da corrente mdia na carga. Por outro lado, a tenso reversa que os
diodos devem suportar a tenso total de pico secundrio j que suas duas metades somam-
se sobre os diodos quando estes esto cortados. Assim:
Exemplo:
A figura abaixo mostra um transformador com derivao central e tenso total no secundrio
de 4Vrms ligado a um retificador de onda completa (diodos de silcio) com uma carga de
10. Considerando o valor de V do diodo (modelo 2), determinar:
c) Especificaes do diodo:
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CST
60 Companhia Siderrgica de Tubaro
c) Retificador de onda completa tipo ponte:
Durante o semiciclo positivo de Vi, h um potencial positivo aplicado ao nodo de D2 e ao
catodo de D1 e um potencial negativo aplicado ao catodo de D4 e ao nodo de D3. Desta
forma, D2 e D4 esto polarizados diretamente e permitem circular uma corrente pelo resistor.
Quando vi passar para o semiciclo negativo, a polarizao dos diodos se inverte e passando
agora a conduzir D1 e D3.
Com isso vemos que h sempre uma corrente circulando pelo resistor com uma mesma
polaridade.
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Diodo Ideal: 2*V2p/
Im = Vm/ RL
Em relao s especificaes dos diodos, como cada diodo conduz corrente somente num
semiciclo, a corrente que eles devem suportar corresponde metade da corrente mdia na
carga. Quanto tenso reversa, os diodos devem suportar a tenso de pico da tenso de
entrada. Assim:
Exemplo:
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CST
62 Companhia Siderrgica de Tubaro
a) Tenso mdia na carga:
Como a tenso de entrada grande em relao a V, neste caso ser adotado o modelo do
diodo ideal.
c) Especificaes do diodo:
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2-DOBRADORES DE TENSO:
a) Dobrador de tenso de meia onda:
O dobrador de tenso um circuito que retifica e filtra um sinal senoidal, dando na sada o
dobro do valor mximo desse sinal.
Funcionamento:
Durante o semiciclo negativo, o diodo D1 est conduzindo carregando assim o capacitor C1
com o valor mximo da tenso de entrada.
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CST
64 Companhia Siderrgica de Tubaro
- Durante o semiciclo positivo, o diodo D1 est cortado e D2 conduzindo. Desta maneira, a
corrente i circula por C1 e D2 carregando C2. Como o capacitor C1 estava carregado com a
tenso mxima de entrada, a sua polarizao faz com que C2 seja carregado com duas vezes a
tenso mxima de entrada. Portanto, teremos sobre a carga uma tenso mxima de 2
. 2.E.
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b) Dobrador de tenso de onda completa:
Este circuito, alm de dobrar a tenso de entrada, faz uma retificao de onda completa, e por
isso conhecido como dobrador de onda completa.
O seu funcionamento assemelha-se a uma onda.
3- FILTRO CAPACITIVO:
Para que a fonte de alimentao fique completa, falta ainda fazer a filtragem do sinal
retificado para que o mesmo se aproxime o mximo possvel de uma tenso contnua
constante.
A utilizao de um filtro capacitivo, com capacitor de filtro na sada em paralelo com a carga,
muito comum nas fontes de alimentao que no necessitam boa regulao, ou seja, que
podem Ter pequenas oscilaes na tenso de sada. Um exemplo o eliminador de bateria,
cujo circuito vem todo montado na caixinha que vai ligada rede eltrica.
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CST
66 Companhia Siderrgica de Tubaro
O valor de pico a pico do ripple pode ser calculado pela equao abaixo:
Vr = Vmf / f.RL.C
Onde:
RL = resistncia da carga
C = capacitor de filtro
Assim, para o projeto de uma fonte de alimentao deve-se, antes, estipular a tenso mdia de
sada e o ripple desejados para, em seguida, calcular o capacitor necessrio para a filtragem,
as especificaes dos diodos e as especificaes do transformador.
Projetar uma fonte com tenso de entrada de 110Vrms/60Hz e tenso mdia de sada de 5V
com ripple de 0,1V , para alimentar um circuito que tem uma resistncia de entrada
equivalente a 1K. Utilizar o retificador de onda completa em ponte.
Neste caso, ser utilizado um capacitor eletroltico comercial de 470F, o que acarretar
numa pequena reduo do ripple, melhorando o desempenho da fonte.
Para definir as especificaes ( IDM e VBr ) dos diodos, preciso calcular a corrente mdia
na carga e a tenso de pico no secundrio do transformador.
Assim, a corrente mdia na carga vale:
O transformador tem que ser dimensionado para uma potncia maior que a de trabalho.
Como a corrente na carga praticamente constante j que o ripple pequeno, a potncia de
trabalho do transformador pode ser estimada por:
Assim, o circuito da nossa fonte de alimentao fica como mostra a figura abaixo :
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CST
68 Companhia Siderrgica de Tubaro
DIODO ZENER
Simbologia:
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Funcionamento:
O Zener um diodo semicondutor, construdo especialmente para trabalhar na regio da
ruptura, sem se danificar, o que no acontece com os diodos retificadores.
Podemos observar pela figura 15, que o Zener deve ser polarizado reversamente, para que
possa operar corretamente. Existe uma corrente mnima (Izmin), que deve ser mantida atravs
do dispositivo, para que este permanea na regio de ruptura.
Izmax determinado em funo da potncia do diodo (P = Vz . Izmax ).
Note que depois que a tenso no dispositivo atinge Vz, a corrente varia por uma extensa faixa
de valores, limitada por Izmax , enquanto que a tenso praticamente constante.
Ainda, pelas caractersticas da ltima aplicao acima, pode-se afirmar que se trata do caso
mais geral, pois tanto a tenso de entrada quanto a carga so variveis.
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CST
70 Companhia Siderrgica de Tubaro
Assim, faz-se necessria uma anlise mais detalhada do circuito regulador de tenso quando
neste ligada uma carga.
IS = IZ + IRL
VZ = VRL = RL.IRL
Equao de regulao:
VE = RS.IS + VZ
A figura abaixo mostra um circuito regulador de tenso com carga varivel e tenso de
entrada com ripple.
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O valor do resistor RS deve satisfazer as condies dadas pela variao existente na tenso
de entrada ( ripple ), pela variao desejada para a carga e pelas especificaes do diodo
zener.
Corrente zener mnima Izm
Neste caso, esta condio mais crtica no caso em que VE assume seu valor mximo VEM
e IRL seu valor mnimo IRLm , ou seja, quando a corrente IS mxima:
RSm RS RSM
Uma fonte de alimentao possui uma tenso mdia de sada de 30V com ripple de 3V.
Determinar RS do regulador de tenso que elimina o ripple desta fonte e estabiliza sua
tenso em 15V , sabendo-se que ela ser utilizada para alimentar cargas de 50 at 100K
e que o diodo zener do circuito tem as especificaes dadas abaixo :
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CST
72 Companhia Siderrgica de Tubaro
Especificaes do diodo zener:
VZ = 15V
IZM = 700mA
IZm = 30mA
Condio de IZm :
RSM = 41
Condio de IZM :
RSm = ( VEM VZ )/( IZM + IRLm ) RSm = ( 31,5 15 )/( 700*10-3 + 150*10-6)
RSm = 24
Fixado o valor de RS , pode-se calcular a potncia dissipada por ele no circuito no pior caso,
ou seja, quando a tenso VE mxima:
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AMPLIFICADORES OPERACIONAIS - GENERALIDADES
O nome Amplificador Operacional (A.0) deve-se ao fato do dispositivo ser empregado para
realizar operaes matemticas, como multiplicao, integrao, diferenciao e tambm para
uma infinidade de funes. 0 smbolo caracterstico do elemento, vem representado na figura
l.
0 sinal de sada (es), proporcional a eBA, (eB - eA), sendo o mesmo independente de
eA e eB em separado.
Atravs de uma rpida anlise do circuito da figura 3, extrairemos algumas
consideraes vlidas para o emprego dos A.0 em diversos circuitos.
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CST
74 Companhia Siderrgica de Tubaro
Como sabemos, nosso elemento apresenta uma impedncia de entrada infinita, logo a
corrente I passar de Z1 para Z2, de onde podemos tirar a relao.
Vi - Ve = - (Vs -Ve)
Z1 Z2
-Z2 = Vs - Ve (1)
Z1 V1 - Ve
Vs = A . Ve A=
Ve = Vs Ve = 0
A
OBS.:
a) O n B representado na figura 3, e denominado d ponto de terra virtual, pois para
grandes valores de A, se potencial se aproxima de zero.
b) Podemos aqui designar o ganho de malha aberta
A = - Vs
Ve
Amf = - Z2
Z1
b) Resposta em Freqncia
O A.0 real ter seu ganho reduzido em funo do aumento da freqncia, como mostra a
curva da figura 4, para um determinado A.0.
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c) Deriva da Tenso de Sada com a temperatura. (Drift)
O ponto do quiescente do A.0 desloca-se em funo da temperatura, e do tempo de
funcionamento, sendo por conseguinte especificado em funo dessas duas variveis,
tempo e temperatura.
Obs.:
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Para o amplificador operacional, necessitamos de uma fase diferente de 180 quando a
freqncia for igual a F, para evitarmos oscilaes do sistema.
Quando em malha aberta, dependendo dos elos de realimentao estabelecidos, o
sistema pode oscilar.
a) Elementos Parasitrios
Para que melhor possamos compreender o j exposto, lancemos mo da figura 9.
Rl,C1 = R2,C2, onde C1 varia numa faixa de 20 a 40 pF.e: C2 pode ser obtido com
facilidade a partir dos dados fornecidos .
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CST
78 Companhia Siderrgica de Tubaro
b) Malha de Realimentao Mal Projetada
a) Circuito Inversor
Pela figura 10; temos que para R1 = R2, o ganho do circuito ser de -1, logo um sinal
aplicado entrada do operacional, sofrer uma inverso de fase.
Obs.:
Caso desejemos uma inverso de fase com variao da amplitude do sinal aplicado, a
relao ( - R1 / R2 ), na figura 10, dever acompanhar tal variao solicitada.
Circuito no inversor:
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b) Circuito Somador
i = i1 + i2 + .............................in (1)
I = V1 + V2 + ....................... Vn (2)
R1 R2 Rn
Como podemos observar pela expresso (3), a sada proporcional soma das
entradas.
Subtrator:
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CST
80 Companhia Siderrgica de Tubaro
c) Diferenciador
Podemos isolar o valor de V0 da expresso (1), e ficamos que - V0 = +RC dv1 / dt, que indica
que o sinal de sada proporcional derivada do sinal de entrada (V1).
C.1) Fazendo um dos conceitos dados acima, podemos obter um circuito que faa a soma e
subtrao de derivadas, como o da figura 13.
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OBS.:
Apesar de no se acharem inclusos na figura 13, os capacitores (C1 e C2) devem ser
introduzidos por questes de estabilidade, conforme j discutido anteriormente.
d) Integrador
i1 = i => V1 = - C dvo
R dt
t
Dvo = - V1 dt
RC
-V0 = 1
RC 0
vldt (1)
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CST
82 Companhia Siderrgica de Tubaro
d.1) Fazendo uso do conceito acima, podemos obter um circuito que faa soma e subtrao de
integrais, conforme figura 16.
Obs.:
Para o caso de integradores, devemos inserir um resistor em paralelo com o capacitor
de integrao, para que tenhamos na sada uma resposta desejada, caso o contrrio o circuito
tenderia a saturao.
d.2) No caso de desejarmos fazer uma dupla integrao, podemos lanar mo do circuito da
figura 17.
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Exemplo1 : No circuito a seguir, se R1 = 100 determinar o ganho do circuito e R2.
Vcc = 15 V
Av = Vo / Vi = - 12 / 1 = - 12
Av = Vo / Vi = 1 + R2 / R1
Vo / 1 = 1 + 100 / 100
Vo = 1 + 1
Vo = 2V
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CST
84 Companhia Siderrgica de Tubaro
Exemplo 3 : No circuito esquematizado a seguir pede-se:
O A. O. est sendo utilizado como um Buffer, ou seja, a tenso aplicada sua entrada ser
transmitida sada, sem sofrer qualquer alterao. O transistor no circuito tem a funo de
amplificar a corrente que sai do A.O.
A tenso de entrada A.O., a tenso que cabe sobre o diodo Zener logo:
Vi = Vz
Vi = 5V
logo a tenso cobre RL = 5V, pois a sada do A.O., por conseguinte o transistor s amplifica
a corrente, sem alterar o valor da tenso.
Vc = 12 Vz = 12 6 = 6V
Logo: Ic = Vc / Rc
Ic = 6 V / 500
Ic = 12 mA
Portanto: IL = 12 mA
b) RL = VL / IL
RL = 6V / 12 mA
RL = 500
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TIRISTORES
1 - TIRISTORES
b) Funcionamento
0 S.C.R. um .dispositivo de 4 camadas (PNPN) e 3 terminais como podemos observar na
figura 1. Para melhor entendermos o seu funcionamento, vamos utilizar o circuito equivalente
com os 2 transistores.
Aplicando-se uma tenso E [ (+) no anodo (A) e (-) no catodo (K)] veremos que o transistor
PNP e o NPN no conduzem porque no circula a corrente i2 e a corrente i1. Aplicando agora
um pulso positivo no gate (G) em relao ao catodo, (o pulso deve ter amplitude maior que
0,7 V, pois entre G e K existe uma juno PN formando um diodo), vamos fazer circular a
corrente i1 que far o transistor NPN entrar em conduo. Com isso i2 tambm ir circular
fazendo com que o transistor PNP conduza.
Assim, sendo, o pulso no gate no mais necessrio pois o transistor PNP mantm o NPN
conduzindo e vice-versa.
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CST
86 Companhia Siderrgica de Tubaro
OBSERVAES:
1) No possvel simular um SCR com 2 transistores pois, a corrente i2 (da base do transistor
PNP) ser muito pequena.
2) Ateno, para sempre colocar uma carga em srie com a alimentao quando for utilizar
um SCR.
Pela figura 2 observar que o SCR pode ser disparado tambm pela tenso VAK (VAK = E,
enquanto o SCR no est conduzindo).
Esta tenso chamada tenso de bloqueio, que a tenso mxima que o SCR admite ;entre
anodo e catodo, sem romper a barreira de potencial da juno NP (no centro), e entrar em
conduo,
Quanto maior a corrente Ig, menor ser a tenso de bloqueio e consequentemente, o SCR ir
entrar em conduo com um tempo menor.
VRM - Tenso de pico repetitiva p/ estado desligado.
a tenso de pico mxima que pode ser aplicada entre o anodo e o catodo para o SCR
desligado. Se for aplicado tenso maior do que esta, pode ocorrer ruptura das junes
(breakdowm).
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Departamento Regional do Esprito Santo 87
d) Caractersticas de conduo de um SCR
I - Caractersticas de Gate:
A curva da figura 3 ilustra a regio em que o disparo de SCR pelo Gate seguro e garantido.
Esta regio limitada pelas curvas de impedncia mxima e mnima, pelos valores de VG
mximo e IG mximo e tambm pela curva de potncia mxima dissipada no gate (PG max).
Portanto, os valores de IG,e VG devem estar dentro da regio ACDB e com valores maiores
do que IG mnimo e VG mnimo.
A regio de disparo incerto, aquela em que o fabricante no garante que o SCR ser
disparado com valores menores do que IG mnimo e VG mnimo.
- Tempo de atraso (delay - time) - o tempo que SCR demora para reagir ao (gatilho)
recebido do gate.
- Tempo de subida (rise-time) - o tempo que o SRC gasta para sair do 0,9 (VDM-VT), at
atingir 0,1 (VDM-VT).
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CST
88 Companhia Siderrgica de Tubaro
III - Corrente de manuteno ( IH )
o valor mnimo de corrente capaz de manter o SCR no estado de conduo. Para SCRs de
35 A(RMS),por exemplo, a corrente IH est na faixa de 14 a 90 [mA]
(ex: 2N6173)
Existem casos em que cargas indutivas no circuito, faro com que a corrente, pelo SCR,
cresa mais lentamente.
Na subida, se aplicarmos pulsos no gate, ocorrero pulsos de conduo como mostrado na
figura 5. Isso ocorre porque necessrio que a corrente de conduo possa alcanar um valor
de 1,5 a 3 vezes IH para conseguir manter o SCR em conduo, quando for gatilhado; caso
contrrio vai conduzir e depois cortar enquanto a corrente de conduo no for maior do que
IL.
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Departamento Regional do Esprito Santo 89
Quando for usado um ngulo de conduo menor que 90 (1/2 onda), e o menor que 180
(onda completa) deve-se determinar novo valor de IT (AV).
Esse valor de IT (AV) ser tambm menor que o anterior.
O valor de IT(AV) para onda completa senoidal e diferente do valor de IT(AV) para meia
onda 1/2. O valor precisa ser determinado no grfico da figura 6 (a) e 7 (a).
O ngulo de conduo dado por: = 1 + 2 (onda completa).
- IT(RMS) - Valor da corente IT para corrente contnua.
IT(RMS) = /2 . IT(AV)
E) Circuito de Proteo:
I - Circuito de Gate:
a) Funes de R
- Evitar gatilhamento por corrente de fuga devido a temperatura.
- Ajudar a evitar gatilhamento por dv/dt.
- Diminuir o tempo de turn-off time.
- Valor tpico: R = 1 k.
b) Funo de C
- Retirar rudo de alta freqncia.
c) Funo de D.
- Evitar tenses negativas no Gate
a) Funo de C.
- Compensar o efeito da indutncia no circuito.
b) Funo de R.
- Amortecer as oscilaes (tericas) devido indutncia e o capacitor C.
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Departamento Regional do Esprito Santo 91
F) Funes Bsicas de um SCR:
1) Chave Esttica.
O valor prtico de R pouco maior do que o valor mximo por motivo de segurana.
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CST
92 Companhia Siderrgica de Tubaro
Circuito da figura 11 tem o mesmo funcionamento do circuito da figura 10.
A nica diferena que temos agora o resistor R varivel, o que permite a mudana do
ngulo de conduo do SCR controlando o nvel de tenso de Gate (e consequentemente o
nvel da corrente IG). Pelas formas de onda da corrente G podemos notar que o valor de R
para curva (1 maior do que o da curva 2) que maior do que o do curva 3.
R1 >R2 > R3
Assim sendo, podemos observar que o menor ngulo de conduo conseguido com esse
circuito de 90 (1). E a variao mxima de aproximadamente 180 a 90:
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Departamento Regional do Esprito Santo 93
- ngulo de conduo de 180 a 0.
G) Circuitos de Disparo:
I - Circuito oscilador UJT. (unijuction transistor)
Transistor de Unijuno (UJT)
O UJT basicamente uma barra de slicio, tipo N, onde pressionado um emissor, tipo P,
mais perto da base 2. Desta forma obtm-se uma juno PN. Na figura 14 (a) podemos notar
que existe uma barreira de potencial devido a juno PN (regio (#)). Para melhor
compreendermos o funcionamento de UJT, vamos analisar a curva caracterstica da tenso VE
x IE, como mostrado na figura 15.
Existem 3 regies distintas na curva caracterstica da figura 15, a primeira a regio de corte
( de VE = 0 at atingir VP), a segunda a regio de resistncia negativa (de VP at Vv) e a
terceira a regio de saturao.
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Senai
Departamento Regional do Esprito Santo 95
Quando a tenso de emissor se iguala a VP, a juno do emissor se torna polarizada
diretamente deixando circular uma pequena corrente de emissor que injeta um nmero
suficiente de portadores de corrente no material N, reduzindo RB1 a um valor muito baixo. A
corrente de emissor cai do valor de pico (DP) para a tenso de vale (Vv) a medida que sobre o
valor de IE.
Circuito oscilador UJT
Vamos supor a condio inicial em que o capacitor esteja de descarregado (Vc = 0). A partir
do instante em que o circuito for ligado, o capacitor CE comea a se recarregar atravs do
resistor RE, at atingir o valor de VP. A partir deste instante o UJT comea a conduzir (pois o
ponto (a) tem potencial positivo em relao a base 1). Neste instante o valor da resistncia
RB1 cai muito e a corrente de descarga do capacitor ser limitida praticamente por R1.
O UJT continua conduzindo at que a tenso Ve caia abaixo do valor da tenso de vale,
fazendo ento com que UJT entre em corte novamente. A partir da, o capacitor comea a se
carregar novamente e o ciclo se repete e o circuito oscila.
O valor de Vp dado por:
Vp = . VEE + VD onde VD = 0,6 [V] da juno PN
e VEE = tenso de alimentao
O valor de (relao intrseca de posio) constante e varia normalmente de 0,5 a 0,8.
O perodo de oscilao do circuito dado por:
T = RE .CE
OBS.:
1 - Na forma de onda de VB1 da figura 16 (b), est presente uma componente contnua.
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CST
96 Companhia Siderrgica de Tubaro
Isso se deve ao fato de que a resistncia entre B2 e B1 se finita, permitindo circular uma
corrente que provoca uma queda de tenso sobre R1.
2 - O valor de R1 tem de ser pequeno ( R1 < 100) para que quando ligado ao Gate de SCR, a
queda de tenso sobre o mesmo, no venha a disparar o SCR.
Este circuito sincroniza o primeiro pulso para gatilhar o SCR na frequencia de alimentao
alternada. Sem o mesmo, o SCR seria gatilhado, em cada ciclo em tempos diferentes.
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Senai
Departamento Regional do Esprito Santo 97
Durante o semiciclo positivo o oscilador se comporta como explicado anteriormente.
O resistor RE atua modificando o intervalo entre os pulsos permitindo um controle de
conduo de 180 a 0. Neste caso o primeiro pulso de gatilhamento ocorrer sempre em
sincronismo com a alimentao, pois, a cada semiciclo positivo, o primeiro pulso ocorrer
com o mesmo intervalo de tempo que o primeiro do semiciclo positivo anterior.
O PUT, como o seu nome j diz, o componente que pode ser programado para disparar com
determinada tenso. Para compreendermos o seu funcionamento, vamos analisar o circuito
equivalente do PUT. (Figura 19 (c)).
Entre o anodo e o Gate temos a juno emissor-base do transistor PNP.
Como j sabemos, para que o transistor (PNP) conduza, potencial do emissor (anodo) tem
que ser 0,6Volts maior que o potencial da base (Gate). Desta forma, se aplicarmos uma
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CST
98 Companhia Siderrgica de Tubaro
determinada tenso no Gate (VG), o PUT conduzir quando o potencial do anodo for VG +
0,6 [V]. Assim sendo, possvel determinar o nvel de tenso para o disparo do PUT. Uma
vez conduzido o PUT se mantm, at que a tenso entre anodo e catoto cai abaixo do nvel de
vale (Vv), quando ento entra em corte novamente. (Figura 19 (d)).
No circuito de disparo com PUT, a tenso no Gate definida pelo divisor de tenso formado
por R1 e R2.
VG = R2 . V
R1+R2
e VP = VG + 0,6 [V]
Quando a tenso do capacitor atingir VP (5,6[V], neste caso) o PUT conduzir descarregando
o capacitor C, produzindo um pulso na sada.
O intervalo de tempo entre cada pulso dado por:
T = R . C . ln (1 + R2)
R1
h) Exemplo de circuitos.
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Senai
Departamento Regional do Esprito Santo 99
I - Chave de Corrente contnua
Quando usamos o SCR como chave de C.C., ns nos deparamos com grande problema, que
o de desligar (cortar) o SCR , uma vez que este tenha sido disparado. O circuito da figura 21
nos permite ligar e desligar a alimentao da carga usando SCRs.
Vejamos como funciona:
- Com o circuito alimentado, movimentamos a chave S1 para aposio on (ligado). Desta
forma, aplicamos uma tenso no Gate, que dispara o SCR1, alimentando assim a carga.
Quando o SCR1 conduz (SCR2 est cortado) o potencial do ponto A vai praticamente a
zero, enquanto que o potencial do ponto B permanece com +Vcc .
- Quando for necessrio desligar a alimentao da carga basta mudarmos a posio S1 de
on para off (desligado). Quando ns fazemos isso, disparado o SCR2, pois, haver agora
a tenso no Gate de SCR2. Como a conduo de SCR2 muito rpida o potencial no
ponto B passa rapidamente de +Vcc para aproximadamente zero volts. Como ns
sabemos, um capacitor no muda instantaneamente a diferena de potencial entre suas
placas, portanto, como C tender a manter a mesma diferena de potencial entre A e B, e
B caiu de +Vcc para zero, implica que A tambm cai de zero para -Vcc.
Esse pulso negativo no modo do SCR1 suficiente para cort-lo, desligando assim a
alimentao da carga.
- Se quisermos ligar novamente a alimentao da carga, basta mudarmos S1 para on, que o
SCR1 conduzir provocando o mesmo efeito no capacitor (-Vcc em B), desligando
SCR2.
Os valores de R1, R2 e C, so calculados da seguinte forma:
Onde:
Vcc - alimentao do circuito
IGm - corrente de Gate mxima
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CST
100 Companhia Siderrgica de Tubaro
IH - corrente de conduo mnima
K - fator de segurana (1,5 a 2)
Tq - turn-off time do SCR
I - corrente de carga do capacitor
O motor universal pode funcionar com correntes contnuas ou alternadas. Devido a isso,
muito utilizada em enceradeiras, liquidificadores, mquinas de costura e furadeiras.
Quando alimentado com uma tenso Va, este ir girar com uma determinada velocidade. Se
retirarmos a alimentao ir aparecer entre os terminais A e B uma tenso Vb produzida pelo
motor (como um gerador) e proporcional a velocidade do motor, contraria em sentido, a
tenso Va.
Funcionamento do circuito:
Vamos analisar o circuito da figura 22, no instante em que ligarmos a alimentao.
A situao inicial de que o SCR est cortado e o motor parado (consequentemente V2 = 0) o
pontencimetro R2 est em sua posio intermediria.
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- Sem o capacitor C1
Os resistores R1 e R2 fomam um divisor de tenso do ciclo positivo do sinal de alimentao
(VAC). O diodo D1 est conduzindo no semiciclo positivo e cortado no negativo. Desta
forma, a tenso V1 ser sempre uma parcela do semiciclo positivo do sinal de entrada. Como
V1 acompanha o sinal da alimentao, e V2 inicialmente igual a zero, um pequeno valor de
V1 proporcionar uma corrente de Gate que ir disparar o SCR logo no incio do semiciclo
positivo de VAC. O motor ter ento, alimentao durante todo o semiciclo (o que implica
dizer que fornecido maior potncia para a partida do motor). O motor comea a girar
provocando assim um valor de V2 diferente de zero. Com a velocidade do motor estabilizada
teremos as formas de onda mostradas na figura 23 (a) . A alimentao do motor agora no
aplicada desde o incio do semiciclo. Isso acontece porque a tenso V1 tem que ser maior que
V2 para disparar o SCR. Vamos supor agora, que ser aplicada uma carga no motor, isso
provoca uma diminuio da velocidade do mesmo, e consequetemente V2 ser menor. Se o
valor de V2 diminui, o SCR ser disparado mais cedo, que implica em alimentaodurante
mais tempo sobre o motor (logo mais potncia) . Como foi fornecido maior potncia, o motor
tender a manter a velocidade constante . Assim sendo, podemos controlar a velocidade
domotor, variando o potencimetro R2 que determina ao nvel de V1, e portanto, tambm
varia a velocidade domotor .
Com o capacitor C1
Quando colocado o capacitor C1 que tem um valor elevado de capacitncia (ex: 10F), a
tenso V1 ter a forma mostrada na figura 23 (b). O valor de R2 para V1 (S) maior que o de
V1 (R) e a defesagem de V1 (S) para o sinal de entrada menor do que o de V1 (R). Logo, V1
atinge o valor de V2 em tempos diferentes fazendo o circuito funcionar como explicado
anteriormente .
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III - Carregador de bateria
Funcionamento do circuito:
Vamos supor, inicialmente que SCR1 esteja cortado e que a bateria esteja descarregada (VBAT
= VBi) .
O resistor R2 e o diodo Zener (Dz) definem o nvel de conduo de SCR2 (V1).
Como a tenso da bateria est com um valor pequeno (VBi) o SCR2 no disparado.
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Quando ligamos a alimentao, o potencial do ponto (C) ser prximo do potencial do ponto
(A) (devido ao SCR2 estar cortado). Desta forma, quando o potencial do ponto (C).
Ultrapassar o potencial do ponto (B) (VBi), o SCR1 conduzir aplicando assim a alimentao
sobre a bateria . (figura 25(b))
Quando o potencial do ponto B ultrapassar o nvel de tenso de V1, o SCR2 ser disparado
fazendo com que o potencial do ponto C seja dividido por 2. (para o SCR2 conduzindo : VC =
R3/R3 + R3 . VA VC = VA/2 . (Figura 25(d))
A tenso de alimentao passa por um ponto mximo e depois decresce. A bateria aumenta
sua tenso pois recebeu carga. Com isso, quando a tenso cair a abaixo de VBAT, o potencial
do ponto (3) ser mantido pela bateria (figura 25 (d))
Para o semiciclo 2 (figura 25 (a) ) , tudo se repete, apenas a tenso VBAT ser maior e o tempo
de conduo de SCR1 ser menor (figura 25 (c) ) .
No semiciclo 3, a tenso da bateria ultrapassa a tenso de V1 isso indica que quando a
alimentao cair abaixo de V1, o SCR2 continuar conduzindo, e tambm durante o semiciclo
4 . Com o SCR2 conduzindo durante o semiciclo 4 , o potencial do ponto C no consegue
ultrapassar o potencial do ponto B, de maneira que SCR1 no conduzir neste semiciclo.
Supondo que durante o semiciclo 4 a bateria possa ter descarregado um pouco por R1 e R2 de
modo que VBAT tenha cado um pouco abaixo de V1, para o semiciclo 5, teremos navamente o
funcionamento explicado para o semiciclo 3.
Desta forma, teremos carregado a bateria colocada no circuito.
OBSERVAO:
Na realidade uma bateria no adquiri carga com apenas 4 ou 5 semiciclo da alimentao. Para
melhor compreeno a explicao foi feita como se tudo ocorresse em apenas 4 semiciclos.
1.2 - TRIAC
O TRIAC funciona com 2 SCRs em paralelo (figura 26 (b)) com sentidos de conduo
contrrios. Esta a principal diferena do TRIAC para o SCR.
A figura 27 ilustra a curva caracterstica de um TRIAC.
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Existem 4 maneiras distintas para disparar um TRIAC com pulsos aplicados ao Gate.
Normalmente o modo 4 menos usado. Isso porque apresenta menor sensibilidade de Gate
(precisa de sinal maior no Gate para disparar).
1.3 - DIAC
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1.4 - Exemplos de circuito
a) Controle de intensidade de luz
Vamos supor que inicialmente o DIAC e o TRIAC esto cortados e a tenso VAC est no
incio do semiciclo positivo; o capacitor C ir se carregar atravs de R1 e R2 at que seja
atingida a tenso de conduo do DIAC. Com a conduo do DIAC o TRIAC recebe um
pulso no Gate e comea a conduzir permitindo assim, que circule corrente de alimentao
pela carga. O DIAC corta logo depois, porque com o disparo do capacitor se descarrega e a
tenso do capacitor (VC) cai para prximo de zero.
Quando a tenso de alimentao passar por zero. O TRIAC corta e s conduzir novamente
quando o DIAC for disparado no semiciclo negativo.
O valor mximo de R dado por:
Rmax = VRmax / IRmax
O valor mnimo dado por:
Rmin = VRmin / IRmin
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OBSERVAO:
Podemos observar pelas formas de onda da figura 30, que haver um efeito de histerese no
valor de conduo mnimo de TRIAC entre os sentidos de diminuio e aumento da
intensidade da luz. Isto , o valor de R para o limite de mnima conduo do TRIAC quando
diminumos a luz, maior do que o valor de R para o ponto de incio de conduo do TRIAC
quando comeamos a aumentar a intensidade da luz, logo, possvel obtermos menor
intensidades de luz do que quando comeamos a aumentar a luz.
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No circuito da figura 29 estudamos o controle de luminosidade, mas com uma histerese entre
os valores para a conduo de TRIAC vamos agora verificar como esta histerese pode ser
diminuda .
Vejamos agora o funcionamento da figura 31. Vamos comear no semiciclo positivo. O
diodo D1 conduz enquanto D2 e D3 esto cortados fazendo com que o capacitor C se carregue
por R1 e R2 . No instante ta, a tenso de um capacitor atinge a tenso de disparo do DIAC, e a
tenso do capacitor (VC) faz com que D3 conduza . Desta forma, o capacitor C comea a se
descarregar por R3 . A tenso no capacitor atinge (zero) 0 no instante tb. Este tempo
corresponde ao limite mnimo de conduo do TRIAC para o sentido de diminuio de
luminosidade (figura 32).
Para o sentido de aumento da luminosidade, quando a tenso do capacitor VC fica maior do
que a da entrada, o diodo D3 comea a conduzir (semiciclo positivo) e o capacitor se
descarrega por R3 e R1 + R2 .
VC atinge (zero) 0 V no instante tc . Apesar do valor de VC ser maior agora do que no caso
anterior, tb est bem prximo de tc, pois o resistor que descarrega C muito pequeno . Assim,
quase no haver histerese.
(Para um semiciclo negativo tudo acontece da mesma maneira, apenas quem ir conduzir
sero os diodos D2 e D4 e o resistor que o descarrrega C ser R4 e R1 + R2 (que igual a R3 e
R1 + R2, pois R3 = R4).
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c) Controle de luz com fotoresistor
Funcionamento do circuito:
Vamos partir da condio de que a luz incidindo sobre o fotoresistor. Desta forma, a
resistncia do fotoresistor baixa e a tenso no ponto B maior que a do ponto A (nesta
condio, A igual a aproximadamente 5,1[V] ). Com esta polarizao entre base e emissor o
transistor Tr1 no conduzir. Fazendo com que Tr2 tambm esteja cortado . Como Tr2 est
cortado, a corrente I2 no circula e, portanto, no h corrente no Gate do TRIAC mantendo-o
cortado (luz apagada). Quando a luminosidade sobre o fotoresistor dimimui, sua resistncia
aumenta isso faz com que a tenso no ponto B tambm diminua. Quando a tenso em B for
aproximadamente 4,5 [V] , Tr1 ir conduzir fazendo com que Tr2 tambm conduza.
Consequentemente o TRIAC entra em conduo acendendo a lmpada, pois a corrente I2
pode agora circular.
Tr3 tambm conduz curto-circuitando a resistncia de 470 e fazendo com que a tenso no
ponto A suba de 5,1 [V] para 6,8 [V] mantendo assim a conduo de Tr1 conduzindo. Esta
condio de elevar o potencial para 6,8 [V] decorre da necessidade de eliminar a oscilao de
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Tr1, quando ocorrem oscilaes em torno de 4,5 no ponto B. Aumentando novamente a
luminosidade sobre o fotoresistor, sua resistncia diminura novamente. Quando a tenso no
ponto B for maior que 6,8 [V], Tr1 ir cortar o mesmo acontecendo com Tr2 e Tr3 . A corrente
I2 cai para zero e consequentemente no prximo semiciclo do sinal de entrada, o TRIAC no
ter mais corrente no Gate e ficar cortado (lmpada apagada). Desta forma, temos o circuito
automtico que liga uma lmpada quando no houver luz incidindo sobre o fotoresistor.
Funcionamento :
Para melhor compreendermos o circuito vamos verificar primeiramente alguns pontos:
- Circuito de pulso para gatilhamento do TRIAC
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No circuito da figura 35, para ser possvel variar a freqncia dos pulsos na sada de 0,3 a
8,33 ms (T = meio perodo de 60 hertz ) precisaramos de um valor de R3max = 27 . R3min para
o controle automtico, fica muito difcil obter uma variao de R3, portanto, vamos verificar
uma maneira de conseguirmos obter esta variao com modificaes no circuito.
Este circuito apresenta alto ganho, o que no permite um controle de freqncia dos pulsos na
sada. Uma pequena variao de R (no sentido de 0% a 100%), provoca um valor mximo na
sada, isto , freqncia mxima de pulso .
Portanto, este circuito ainda no permite obtermos um bom controle.
Neste circuito, a tenso sobre o capacitor sobe rapidamente at atingir V pedestal (V pedestal
menor que VP). Quando a tenso no capacitor V pedestal - 0,6 [V], o diodo D1 no conduz
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mais e o capacitor se carrega atravs de R1 (cujo tempo de carga (inclinao) depende do
valor de R1).
Desta forma podemos Ter o controle da variao da freqncia de pulso de 0,3 a 8,33 ms,
como desejado.
Depois que estudarmos um circuito para controle linear de freqncia de pulsos, vamos
passar agora para o estudo do circuito da figura 34.
Este circuito controla a alimentao sobre a carga, atravs do tempo de conduo do TRIAC .
O tempo de conduo do TRIAC depende da freqncia de pulsos aplicados ao Gate.
A freqncia de pulsos funo do resistor R1 e do termistor do circuito, rampa e pedestal
que est no circuito da figura 34.
Desta forma, supondo que a carga seja um aquecedor e que o termistor esteja dentro do
ambiente aquecido pela carga, o circuito ir controlar a alimentao sobre o aquecedor pela
variao do valor da resistncia do termistor.
Com isso, no exemplo, obtemos um controle automtico de temperatura.
OBSERVAO:
O resistor R1 no est ligado ao resistor de 4,7k (figura 34) , como foi mostrado no circuito
rampa e pedestal. Isso se deve ao fato de que esta ligao permite uma melhor linearidade no
controle da temperatura.
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112 Companhia Siderrgica de Tubaro
EXERCCIOS
3. O que barreira de potencial e qual o seu valor para os diodos de silcio e germnio?
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11. Identifique a condio das lmpadas (I, II ou III) no circuito abaixo:
Condies:
I - Lmpada acende
II - Lmpada no acende
VL = 6V
PL = 120m
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114 Companhia Siderrgica de Tubaro
13. Determine Eo na seguinte figura:
14. A figura abaixo mostra um transformador com relao de espiras N1/N2 = 55 e com
tenso no primrio de 110V(rms) ligado a um retificador de meia onda (diodo de germnio)
com uma carga de 40. Considerando o valor de V do diodo (modelo 2), determine:
a) As formas de onda das tenses na carga e no diodo com suas respectivas amplitudes;
d) As especificaes do diodo.
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a) As formas de onda das tenses na carga e nos diodos com suas respectivas amplitudes;
d) As especificaes do diodo.
16. Refaa o exerccio proposto 15, utilizando um retificador de onda completa em ponte.
Compare e analise os resultados.
17. Explique o efeito avalanche no diodo e justifique por que no diodo zener no ocorre a
ruptura da juno PN.
18. Dados o circuito abaixo e a curva caracterstica do diodo zener, trace a reta de carga,
determine o ponto quiescente e calcule a potncia dissipada pelo diodo zener.
20. Determine analiticamente o ponto quiescente e a potncia dissipada pelo diodo zener no
circuito a seguir.
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116 Companhia Siderrgica de Tubaro
21. Qual o problema apresentado pelo circuito abaixo e que soluo a mais adequada?
22. Determine os valores mximo e mnimo da resistncia limitadora de corrente para que o
diodo zener funcione corretamente.
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24. Determine os valores mximo e mnimo da tenso de entrada, do circuito abaixo para que
o diodo zener funcione corretamente.
Completar a tabela a seguir (com valores aproximados), para cada uma das situaes:
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118 Companhia Siderrgica de Tubaro
26. Polarize o transistor ( = 150) do circuito a seguir no ponto quiescente: V CEQ = 7V, I CQ
= 50mA e V BEQ = 0,7V.
b) Corrente de Saturao;
c) e do transistor .
29. Mostre na curva caracterstica de sada do exerccio anterior. O que acontece com o ponto
quiescente, quando o transistor impe as correntes de base de 400A e de 160A.
30. Polarize o transistor ( = 180) do circuito a seguir no ponto quiescente VCEQ = VCC/2,
ICQ= 40mA e VBEQ = 0,68V. Utilize os valores comerciais mais prximos para os resistores.
VRB = Vcc/10
31. Polarize o transistor PNP ( = 220) do circuito a seguir no ponto quiescente VECQ =
VCC/4, IEQ= 55mA e VEBQ = 0,7V. Utilize os valores comerciais mais prximos para os
resistores.
VRB = Vcc/10
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120 Companhia Siderrgica de Tubaro
32. Determine os resistores de polarizao do transistor ( = 120) do circuito a seguir no
ponto quiescente VCEQ = VCC/3, ICQ= 18mA e VBEQ = 0,7V. Utilize os valores comerciais
mais prximos para os resistores.
VRB = Vcc/10
IRB1 = 10* IB
34. Um transistor tem a curva caracterstica de sada mostrada a seguir. Deseja-se polariz-lo
com IBQ = 20A e VBEQ = 0,7V. Determine:
a) VCEQ, ICQ e IEQ;
b) e do transistor;
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35. Polarize um transitor num circuito com divisor de tenso na base, sendo: VCC = 12V,
VCEQ= VCC/2, ICQ = 150mA, VBEQ = 0,7V e = 200. Adote VRE = VCC/10.
37. Como feito e qual a importncia do casamento de impedncias entre uma fonte de sinal
AC e um amplificador?
38. A figura a seguir, representa um amplificador. Determine vL, i1, iL, Ap(dB) e Ai.
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122 Companhia Siderrgica de Tubaro
40. Calcular o ganho do A.O. realimentado:
42. No circuito a seguir, sabe-se que V1 = 0,5V e Vo = 10V e o A.O. ideal. Calcule o ganho
de dB.
43. No exerccio anterior se adotarmos R1 = 220, qual dever ser o valor de R2, sem que
alteremos o valor do ganho?
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44. No circuito a seguir, determine o valor de Vo em Volts.
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124 Companhia Siderrgica de Tubaro
47. No circuito esquematizado, qual o valor de Vo?
53. A freqncia da onda quadrada na figura 21-29b de 10kHz. O capacitor leva exatamente
uma constante de tempo para atingir a tenso de interrupo do diac. Se o MPT32 se
interromper em 32V, qual o valor ideal da corrente da porta no instante em que o diac se
interrompe ? Qual o valor da corrente de carga ideal?
54. O UJT da figura 21-30a tem um de 0,63. Permitindo uma tenso de 0,7V atravs do
diodo emissor, qual o valor de V necessrio apenas para ligar o UJT?
55.A corrente de vale do UJT da figura 21-30a de 2mA. Se o UJT for chaveado, temos que
reduzir V para obter o desligamento por baixa corrente. Fazendo 0,7V passar atravs do
diodo emissor, qual o valor de V necessrio apenas para abrir o UJT?