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UNIVERSIDADE TECNOLGICA FEDERAL DO PARAN

DEPARTAMENTO ACADMICO DE ELETROTCNICA


CURSO DE ENGENHARIA INDUSTRIAL ELTRICA

Disciplina de Eletrnica de Potncia ET66B


Aula 20 Chaves Eletrnicas

Prof. Amauri Assef


amauriassef@utfpr.edu.br

UTFPR Campus Curitiba


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Prof. Amauri Assef
Eletrnica de Potncia DIAC

 DIAC
 O DIAC um tiristor bidirecional (capaz de bloquear ou conduzir uma
corrente nos dois sentidos) bastante utilizado na proteo de circuitos e
no disparo de TRIACs
 Conduz quando recebe uma tenso maior que sua tenso de trabalho VBO,
sendo ela positiva ou negativa
Curva caracterstica  Exemplo: DB3 (DO-35)
VBO = 28V a 36V

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Eletrnica de Potncia MOSFET de Potncia

 MOSFET de Potncia
 Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

 O MOSFET uma chave ativa com camadas semicondutoras N e P, cujo


controle de conduo feito por um terminal isolado chamado de gate
(porta)
 um semicondutor totalmente controlado, atravs de uma tenso
aplicada entre o gate e o source

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Eletrnica de Potncia MOSFET de Potncia

 Quando uma tenso VGS adequada aplicada, o MOSFET entra em


conduo e conduz correntes positivas (i > 0)
 Com a remoo da tenso VGS, o MOSFET bloqueia tenses positivas
(VDS) > 0

Smbolo (Canal N) Curva v x i (ideal) Curva v x i (real)

D (dreno)

G(gate)

S (source)

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Eletrnica de Potncia MOSFET de Potncia

 Possui um diodo intrnseco em anti-paralelo, tambm conduzindo


correntes negativas
 O diodo intrnseco possui tempo de comutao maiores do que o MOSFET
 A resistncia de conduo RDSon possui coeficiente de temperatura
positivo, facilitando a operao em paralelo

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Eletrnica de Potncia MOSFET de Potncia

 Diodo intrnseco em anti-paralelo


 A juno p-n- resulta em um diodo em anti-paralelo (body diode) com
sentido de conduo dreno-source
 Assim, uma tenso negativa dreno-source polariza diretamente este
diodo, com capacidade de conduzir a corrente nominal do MOSFET
 Mas, os tempos de
recuperao deste diodo so
normalmente significativos
 As elevadas correntes que
fluem durante a recuperao
reversa do diodo podem
causar danos ao
componente

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Eletrnica de Potncia MOSFET de Potncia

 Circuito de prevenir a conduo do diodo intrnseco

Uso de diodos externos


Caracterstica do MOSFET de potncia para prevenir a conduo
MOSFET de potncia e body diode do diodo intrnseco

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Eletrnica de Potncia MOSFET de Potncia

 Circuito equivalente do MOSFET

 Cgs: elevada e praticamente constante


 Cgd: pequena e altamente no linear
 Cds: mdia e altamente no linear
 Os tempo de comutao so
determinados pelo tempo necessrio
para carregar e descarregar estas
capacitncias

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Eletrnica de Potncia MOSFET de Potncia

 Caractersticas de MOSFETs de Potncia comerciais

 RDSon aumenta rapidamente com o valor de Vds suportvel


 Os MOSFETS normalmente so utilizados para aplicaes com Vds < 400V

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Eletrnica de Potncia MOSFET de Potncia

 Exemplo:

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Eletrnica de Potncia MOSFET de Potncia

 Concluses:
 A principal vantagem dos MOSFETs que so acionados por nvel de
tenso, ou seja, no h necessidade de grandes potncias no circuito de
disparo, resultando em circuitos para disparo mais simples
 Estes semicondutores esto disponveis em faixas de at mais de 1000V,
porm com baixas potncias, da ordem de 100W, e baixas tenses
 Os tempos de comutao so de 50n a 200 ns. Em tenses superiores a 400
e 500V, os dispositivos formados por portadores minoritrios (IGBT por
exemplo) possuem uma queda direta menor. A nica exceo em
aplicaes onde a velocidade de comutao mais importante do que o
custo do semicondutor para obter queda em conduo aceitvel.

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Eletrnica de Potncia GTO

 Tiristores Gate-turn-off (GTO)

 Os GTOs, basicamente, so SCRs com controle de desligamento, ou seja,


possuem mais um terminal de porta, que serve para parar sua conduo.
 A figura a seguir ilustra seu smbolo, bem como um circuito simplificado
tpico de supresso (snubber), obrigatrio neste caso, que reduz os picos
de tenso quando conectado a cargas indutivas.

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Eletrnica de Potncia GTO

 Necessitam circuito de disparo mais complexo, devido aos parmetros de


tempo de disparo e de desligamento, e elevada corrente de desligamento
(baixo ganho)
 Utilizado em circuitos de alta potncia, uma vez que pode trabalhar com
tenses acima de 4,5kV, altas correntes (kA) e a uma frequncia de
chaveamento de algumas centenas de Hertz a 10kHz

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Eletrnica de Potncia IGBT

 IGBT
 Insulated Gate Bipolar Transistor

 Os IGBTs (Transistores Bipolares com Gate Isolado) so semicondutores


que combinam as caractersticas dos BJT com as dos MOSFETs

Smbolo Circuito equivalente

C (coletor)

G (gate)

E (emissor)

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Eletrnica de Potncia IGBT

 Quando uma tenso Vge adequada aplicada, o IGBT entra em conduo,


conduzindo correntes positivas (i > 0)
 Quando uma tenso Vge removida, o
IGBT bloqueia, podendo suportar
tenses negativas
 Tempos de comutao maiores do
que os MOSFETs
 Aplicvel onde se desejam elevadas
tenses entre o coletor e emissor
 Dispositivo com caractersticas de
coeficiente de temperatura positivo,
facilitando o paralelismo (tambm
existem com coeficiente negativo)

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Eletrnica de Potncia IGBT

 Os IGBTs, como os BJTs, tm baixas tenses de acionamento/desligamento,


trabalhando com altas tenses (1000V, por exemplo)
 Tempos de chaveamento esto na ordem de 1s, em blocos com tenso e
corrente de 1700V e 1200A (> MOSFETs)
 Outra caracterstica aproveitada do MOSFET que o circuito de acionamento
precisa de baixas correntes de acionamento
 Atualmente as freqncias tpicas de conversores com IGBT so de 1 a 30 kHz
 O preo pago por reduzir a tenso direta do IGBT o aumento dos tempos de
comutao, especialmente os tempos de desligamentos
 O IGBT no desligamento apresenta uma corrente de calda current tailing.

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Eletrnica de Potncia IGBT

 Caractersticas dinmicas (corrente de calda)

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Eletrnica de Potncia IGBT

 Caractersticas de IGBT comerciais

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Eletrnica de Potncia IGBT

 Exemplo:

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Eletrnica de Potncia IGBT

 Concluses:

 Est se tornando o dispositivo de escolha para aplicaes entre 500 e


1700V, com nveis de potncia de 1 a 1000kW
 Coeficiente de temperatura positivo para alta corrente facilidade no
paralelismo e construo de mdulos
 Facilidade no drive similar ao MOSFET
 Queda de tenso direta: diodo em srie com a on-resistance: 2-4V tpico
 Mais lento que o MOSFET, porm mais rpido que o GTO, Darlington e
SCR
 Frequncia de chaveamento tpica entre 1 a 30 kHz
 A tecnologia do IGBT est avanando rapidamente com dispositivos para
maiores frequncias e tenses (> 2500V)

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