Universidade do Estado do Rio de

Janeiro

Laboratorio de Eletronica 2
Experiencia 1
Professor: Germano Penello

Documento Data Visto

Preparatorio
Funcionamento
Relatorio

Grupo Data Visto Data Visto

Arthur Carvalho
Matheus Vargas

Rio de Janeiro, 18 de abril de 2017

Conteudo
1 Introducao 1

2 Objetivo 1

3 Projeto 2

4 Medicoes a serem Realizadas 2

5 Simulacoes 3
5.1 ID vs VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
5.2 ID vs VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

6 Medicoes 4
6.1 ID vs VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
6.2 ID vs VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
6.3 Tensao de Early, VA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

7 Conclusoes 9

8 Referencias 10
1 Introducao
Para chegar a estrutura de um MOSFET, comecamos com uma geometria
simples que consiste em uma placa condutora, um isolante e uma porcao
de silcio dopado. Essa estrutura, ilustrada na Figura 1(a), funciona como
um capacitor, pois o silcio do tipo p e um pouco condutivo e cria uma
imagemde qualquer carga depositada na placa superior.
A medida que cargas positivas sao colocada na placa superior, atraem
cargas negativas, isto e, eletrons, da porcao de silcio. (Mesmo dopado com
aceitadores, o silcio do tipo p contem um pequeno numero de eletrons).
Portanto, observamos que um canalde eletrons livres pode ser criado na
interface entre o isolador e a porcao de silcio, podendo atuar como uma
boa rota condutora se a densidade de eletrons for suficientemente grande. A
densidade de eletrons varia com V1.
A dependencia entre a densidade de eletrons e V1 leva a uma propriedade
interessante: se, como ilustra a FIG(c), permitirmos que uma corrente flua da
esquerda para a direita na porcao do silcio, V1 podera controlar a corrente
ajustando a resistividade do canal.
OBS: Esta caracterstica de V1 controlar a resistividade e largamente
utilizada na construcao de chips. Um dos motivos de se utilizar um MOSFET
e que o resistor ocupa um espaco maior dentro do chip.

Figura 1: (a)Dispositivo semicondutor hipotetico, (b)funcionamento como um

capacitor, (c)fluxo de corrente em consequencia de diferencia de potencial

Em uma aplicacao para essa experiencia, o V1 e o VGS e o V2 e o VDS.

A corrente que flui pelos terminais do VGS e a corrente ID.

2 Objetivo
O Objetivo deste experimento e estudar as caractersticas de um transis-
tor NMOS bem como a influencia das tensoes VGS e VDS nas correntes IC
e ID , respectivamente. A partir destas informacoes, extrair informacoes de
construcao do MOSFET, como kn , Vth e n

1
3 Projeto
Nesta experiencia, nao ha calculos para o projeto. A Figura 1 mostra o
circuito que usaremos durante toda a experiencia.

Figura 2: Circuito proposto

4 Medicoes a serem Realizadas

Para realizarmos as medidas do circuito em laboratorio devemos adicio-
nar um resistor de baixo valor nas entradas dos terminais do MOSFET. O
objetivo destes resistores e limitar a corrente de entrada nos terminais e ter
condicoes de determinar as correntes sem a utilizacao de um ampermetro.
Como mostra a Figura 3:

Figura 3: Circuito que deve ser montado no laboratorio

2
5 Simulacoes
5.1 ID vs VGS
Abaixo esta representado o grafico de ID gerado pela variacao VGS :

Figura 4: Grafico ID vs VGS

Note que a corrente de ID aumenta quando o VGS tambem aumenta. Isso

ocorre porque a tensao no Gate aumenta a largura do canal que e formado,
aumentando a corrente que passa por ele.

5.2 ID vs VDS

Figura 5: Grafico ID vs VDS . Para VDS = 2.5V

3
 Figura 6: Grafico ID vs VDS . Para VDS = 3.0V

Figura 7: Grafico ID vs VDS . Para VDS = 3.5V

Notamos que quanto maior o VDS maior sera a corrente ID quando atin-
gimos a saturacao. Isso e esperado porque aumentamos a tensao no gate,
aumentando assim o canal onde a corrente de dreno passa.

6 Medicoes
Montando o circuito proposto na Figura 1, seguindo as instrucoes. Os
resultados estao explicitado abaixo.

4
6.1 ID vs VGS

VGS ID () VGS ID () VGS ID () VGS ID () VGS ID ()

0.1 0 1.1 0.4 2.1 318.3 3.1 1624 4.1 3749
0.2 2 1.2 1.2 2.2 415.7 3.2 1803 4.2 4066
0.3 1.7 1.3 3 2.3 489.4 3.3 2003 4.3 4343
0.4 1.3 1.4 5.9 2.4 646 3.4 2217 4.4 4522
0.5 1 1.5 15.5 2.5 737 3.5 2410 4.5 4755
0.6 0.9 1.6 33.1 2.6 895 3.6 2569 4.6 5004
0.7 0.8 1.7 80.8 2.7 1025 3.7 2778 4.7 5143
0.8 0.7 1.8 118.5 2.8 1130 3.8 3027 4.8 5239
0.9 0.5 1.9 162.8 2.9 1308 3.9 3266 4.9 5295
1 0.4 2 235.6 3 1452 4 3555 5 5339
Tabela 1: Valores Medidos ID e VGS

Com os valores medidos, foi tracado o grafico de ID vs VGS :

Figura 8: Grafico ID vs VGS com os valores medidos em laboratorio.

E possvel notar, tanto pelo grafico quanto pela tabela, que o valor em
que o ID aumenta significativamente quando o VGS e 1.2V. A menor tensao
em VGS em que ha passagem de corrente em ID , damos o nome de Tensao
de Threshold (Vth ). Logo,
Vth = 1.2V

5
6.2 ID vs VDS
Montando o circuito proposto na Figura 1, seguindo as instrucoes. Os
resultados estao explicitado abaixo.

VDS ID (mA) VDS ID (mA) VDS ID (mA)

0.1 -0.639 1.8 0.5407 3.5 0.668
0.2 -0.586 1.9 0.5961 3.6 0.668
0.3 -0.529 2 0.636 3.7 0.669
0.4 -0.455 2.1 0.651 3.8 0.669
0.5 -0.399 2.2 0.66 3.9 0.67
0.6 -0.334 2.3 0.662 4 0.671
0.7 -0.2 2.4 0.663 4.1 0.671
0.8 -0.15 2.5 0.664 4.2 0.671
0.9 -0.1195 2.6 0.665 4.3 0.672
1 -0.0386 2.7 0.665 4.4 0.672
1.1 0.0437 2.8 0.665 4.5 0.672
1.2 0.1227 2.9 0.665 4.6 0.672
1.3 0.1882 3 0.665 4.7 0.673
1.4 0.2636 3.1 0.666 4.8 0.673
1.5 0.3334 3.2 0.666 4.9 0.673
1.6 0.4058 3.3 0.667 5 0.673
1.7 0.4716 3.4 0.667
Tabela 2: Dados medidos para VGS = 2.5V

6
VDS ID (mA) VDS ID (mA) VDS ID (mA)
0.1 -1.26 1.8 0.82 3.5 1.52
0.2 -1.16 1.9 0.94 3.6 1.52
0.3 -1.07 2 1.11 3.7 1.52
0.4 -1 2.1 1.3 3.8 1.52
0.5 -0.9 2.2 1.41 3.9 1.53
0.6 -0.79 2.3 1.46 4 1.53
0.7 -0.7 2.4 1.49 4.1 1.53
0.8 -0.6 2.5 1.5 4.2 1.53
0.9 -0.46 2.6 1.51 4.3 1.53
1 -0.36 2.7 1.52 4.4 1.53
1.1 -0.25 2.8 1.52 4.5 1.53
1.2 0.01 2.9 1.52 4.6 1.53
1.3 0.12 3 1.52 4.7 1.53
1.4 0.24 3.1 1.52 4.8 1.53
1.5 0.35 3.2 1.52 4.9 1.53
1.6 0.47 3.3 1.52 5 1.54
1.7 0.67 3.4 1.52
Tabela 3: Dados medidos para VGS = 3.0V

VDS ID (mA) VDS ID (mA) VDS ID (mA)

0.1 -1.5 1.8 0.76 3.5 2.33
0.2 -1.39 1.9 0.99 3.6 2.33
0.3 -1.31 2 1.19 3.7 2.33
0.4 -1.23 2.1 1.4 3.8 2.34
0.5 -1.1 2.2 1.51 3.9 2.34
0.6 -1.02 2.3 1.66 4 2.34
0.7 -0.9 2.4 1.84 4.1 2.34
0.8 -0.79 2.5 1.98 4.2 2.34
0.9 -0.67 2.6 2.07 4.3 2.34
1 -0.5 2.7 2.2 4.4 2.34
1.1 -0.37 2.8 2.28 4.5 2.34
1.2 -0.21 2.9 2.31 4.6 2.34
1.3 -0.09 3 2.32 4.7 2.35
1.4 0.06 3.1 2.32 4.8 2.35
1.5 0.22 3.2 2.33 4.9 2.35
1.6 0.37 3.3 2.33 5 2.35
1.7 0.56 3.4 2.33
Tabela 4: Dados medidos para VGS = 3.5V

7
 Com os valores medidos, foi tracado o grafico de ID vs VDS :

Figura 9: Grafico ID vs VGS com os valores medidos em laboratorio.

Com as medicoes feitas, podemos extrair o valor de kn :

1
ID = kn (VGS Vth )2
2
1
0.00154 = kn (3 1.2)2
2
kn = 950.62
Com o valor de kn calculado, foi gerado no Octave um grafico de ID em
funcao de VGS .

8
Figura 10: Grafico ID vs VGS gerado a partir da formula do MOSFET para
saturacao.

Podemos notar que os valores estao proximos do que foi medido.

6.3 Tensao de Early, VA

A partir do grafico de ID vs VDS , podemos utilizar a equacao 5.20 do livro
Microeletronicado Sedra para retirar o valor de VA.
Para VGS = 2.5V , encontramos:
1
673 = 950, 621, 32 (1 + 5)
2
= 0, 03241
V A = 30, 85V
Para VGS = 3.0V , encontramos:
1
1, 54m = 950, 621, 82 (1 + 5)
2
= 0, 571
V A = 1.751M V

ERRADO!!!

9
 Para VGS = 3.5V , encontramos:
1
2, 35m = 950, 622, 32 (1 + 5)
2
= 0, 01304
V A = 76, 687V

7 Conclusoes
A primeira conclusao que pudemos notar e que os resistores propostos na
secao 4 e desnecessario. Nao passa corrente no terminal Gate e o resistor no
dreno nao tem a funcao de limitar a corrente que passa pelo terminal, uma
vez que o que vai determinar a corrente e a tensao de VGS e VDS .

A tensao de Early, idealmente, e igual para qualquer nvel de tensao de

VGS . Logo, quanto maior o VGS maior a inclinacao da reta quando estamos
na regiao de saturacao.

10
8 Referencias
[1] Razavi, B. Fundamentos de Microeletronica, 1st Edition;

[2] Sedra, Adel S. and Smith, Kenneth Carless Microelectronic Circuits,

4th Edition;

11