UNIVERSIDADE DE UBERABA

MATIAS SANTOS PEREIRA

MATERIAIS SEMICONDUTORES

UBERABA - MG
2011
 MATIAS SANTOS PEREIRA

MATERIAIS SEMICONDUTORES

Trabalho apresentado à Universidade

Uberaba como parte das exigências à
conclusão do componente curricular
Materiais Elétricos do 4º período/2011 do
Curso de Engenharia Elétrica.

Orientador (a): Prof.(ª) Manoel Ferreira

UBERABA - MG
2011
Resumo

Os semicondutores são sólidos cristalinos de condutividade elétrica intermediária

entre condutores e isolantes. Os elementos semicondutores podem ser tratados
quimicamente para transmitir e controlar uma corrente elétrica.

Possuem em sua composição o silício e o germânico, além do gálio, do cádmio,

arsênio e telúrio, que formam ligações covalentes semelhantes a dos materiais
cerâmicos, podendo ser considerados como uma subclasse da cerâmica. Possuem
propiedades elétricas que são intermediarias entre aquelas apresentadas pelos
condutores elétricos e pelos isolantes.

É importante na fabricação de componentes eletrônicos tais como diodos,

transístores e outros de diversos graus de complexidade tecnológica,
microprocessadores, e nanocircuitos usados em nanotecnologia. Portanto
atualmente o elemento semicondutor é primordial na indústria eletrônica e confecção
de seus componentes.
Figuras

Figura 01 - Bandas de energia 10

Figura 02 - Impurezas no material tipo P 16

Figura 03 - Demonstração de íons negativos. 17

Figura 04 - A corrente de buracos 17

Figura 05 - A transferência de cargas 18

Figura 06 - Formação do elemento N 19

Figura 07 - Demonstração dos íons positivos 20

Figura 08 - Trajetória de elétron e aparente do íon. 21

Figura 09 - Movimento dos eletrons e das lacunas nos semicondutores 25

Figura 10 - Junção PN em aberto mostrando as duas

correntes (difusão e de deriva). 27

Figura 11 - Junção PN com polarização reversa 28

Figura 12 - Junção PN com polarização direta 29

Figura 13 - Curva tensão e corrente no diodo. 32

Figura 14 - Sentido de fluxo de corrente no diodo 33

Figura 15 - Curva de tensão e corrente no diodo 34

Abreviaturas

º K – Temperatura Kelvin

P-N – Junção Positivo e Negativo

Sb – antimônio

“holes” – buraco

Ge – Germânio

Si – Silício

Cis – Circuitos integrados

CC – Corrente Continua.
Sumário

1. Introdução 7

2. Objetivos 8

3. Justificativa 9

4. Caracterização dos principais materiais semicondutores 10

5. Silício 11

5.1 Principais características 11

5.2 Aplicações 12

6. Germânio 12

7. Semicondutor Extrínseco 13

8. Semicondutor Intrínseco 14.

9. Formação dos elementos tipo P e N 15

9.1 Formação do material tipo P 15

9.2 Formação do elemento tipo N 18

10. Conceito de lacuna ou vacância 21

11. Mecanismo de condução nos semicondutores 22

12. Mobilidade de carga em semicondutores 23

13. Portadores majoritários e portadores minoritários. 23

14. Movimento dos elétrons e das lacunas nos semicondutores dopados. 24

15. Difusão 25

16. Junção PN 26

16.1 Junção PN com Polarização Reversa 27

16.2 Junção PN com Polarização Direta 27

17. Aplicações dos Materiais Semicondutores 29

18. Dispositivo semicondutor 30

19. Diodos 31

19.1 Diodos retificadores 34

19.2 Diodos de sinais 35

19.3 Diodos de comutação 35

19.4 Diodos de alta freqüência 35

19.5 Diodos estabilizadores de tensão 36

20. Conclusão 37

21. Referências 38
 7

1. Introdução

Esse trabalho destaca os dispositivos semicondutores, que são componentes

muito importantes nos circuitos eletrônicos. Basicamente, controlam o fluxo da
corrente elétrica, podendo atuar como simples retificadores ou chaves interruptoras;
mas o fundamental desses dispositivos e a variação de fluxo de corrente
proporcionalmente a pequenos sinais de controle, fornecendo dessa maneira,
amplificação. Essa propriedade de controle de condução de corrente explica o
grande uso dos materiais semicondutores nos circuitos diversos na eletrônica.
 8

2. Objetivos

Através desse trabalho, buscam-se as principais características dos materiais

semicondutores. Mostrando a estrutura dos principais elementos silício e germânio,
bem como o processo de dopagem dos semicondutores.

O comportamento dos semicondutores eletricamente será mostrado de forma a

esclarecer ao leitor o que realmente é a junção PN e como se dão as polarizações
desses materiais.

Por fim apresenta-se – a alguns dispositivos semicondutores, e também

algumas aplicações desses dispositivos, na área da eletrônica.
 9

3. Justificativa

Este trabalho foi desenvolvido como parte de estudo das matérias

fundamentais na disciplina Materiais elétricos do 4º período do curso de engenharia
elétrica da Universidade de Uberaba.

No desenvolvimento observa-se que para conhecer a fundo as particularidades

dos dispositivos semicondutores, é necessário um estudo detalhado desde a
estrutura atômica desses materiais até os diversos processos que envolvem a
confecção dos mesmos.

Na busca de evidenciar a importância desses materiais, houve um ampla

pesquisa para demonstrar de forma objetiva uma síntese, que propicie uma
compreensão de como funcionam os materiais semicondutores.
 10

4. Caracterização dos principais materiais semicondutores

Em química sabe-se, que em condições normais, os átomos que possuem 4

elétrons na última camada de valência não são estáveis.

Os semicondutores se enquadram nesse grupo, mas por causa da forma com

que agrupam seus átomos (cada átomo fica equidistante e, relação a quatro outros
átomos, ou seja, uma estrutura cristalina) eles conseguem alcançar a estabilidade
fazendo quatro ligações químicas covalentes, conseguindo 8 elétrons na última
camada, e por consequência ficam estáveis quimicamente.

Mas qual são as características dos semicondutores que os tornam tão

importantes para a eletrônica?

Os semicondutores formam Bandas de Energia, com as seguintes

características:

Figura 01 – Bandas de energia

Fonte: Infoescola

São formadas bandas, separadas por Lacunas. A última banda é chamada de

Banda de Condução. Logo abaixo existe a Banda de Valência, e em baixo as outras
camadas. Na temperatura 0 K, a banda de condução vai estar totalmente vazia, e a
banda de valência totalmente preenchida (Na imagem acima a temperatura está
mais elevada).

Quando o material é aquecido, alguns elétrons saem da banda de valência e

passam para a banda de condução. Isso somente é possível devido ao ganho de
 11

energia no elétron, pois para passar à uma banda superior, deve ter energia o
suficiente (representado por ∆E).

Conclusão parcial: Sob temperatura 0 K os semicondutores possuem a camada de

valência totalmente preenchida e um ∆E relativamente baixo (entre o ∆E dos
condutores e dos isolantes), o que possibilita controlar a condutividade deles
variando a temperatura.

5. Silício

O silício (latim: silex, pedra dura, inglês: silicon) é um elemento químico de

símbolo Si de número atômico 14 (14 prótons e 14 elétrons) com massa atômica
igual a 28 u. À temperatura ambiente, o silício encontra-se no estado sólido. Foi
descoberto por Jöns Jacob Berzelius, em 1823. O silício é o segundo elemento mais
abundante da face da terra, perfazendo 25.7% do seu peso. Aparece na argila,
feldspato, granito, quartzo e areia, normalmente na forma de dióxido de silício (
também conhecido como sílica ) e silicatos ( compostos contendo silício, oxigênio e
metais). O silício é o principal componente do vidro, cimento, cerâmica, da maioria
dos componentes semicondutores e dos silicones, que são substâncias plásticas
muitas vezes confundidas com o silício. .
Pertence ao grupo 14 (4A) da Classificação Periódica dos Elementos.
Apresenta-se na forma amorfa e cristalina; o primeiro na forma de um pó pardo mais
reativo que a variante cristalina, que se apresenta na forma octaédrica de coloração
azul grisáceo e brilho metálico.

5.1 Principais características

Suas propriedades são intermediárias entre as do carbono e o germânio. Na

forma cristalina é muito duro e pouco solúvel, apresentando um brilho metálico e
uma coloração grisácea. É um elemento relativamente inerte e resistente à ação da
maioria dos ácidos; reage com os halogênios e álcalis. O silício transmite mais de
95% dos comprimentos de onda das radiações infravermelhas.
 12

5.2 Aplicações

É utilizado para a produção de ligas metálicas, na preparação de silicones, na

indústria cerâmica e, por ser um material semicondutor muito abundante, tem um
interesse muito especial na indústria eletrônica e microeletrônica, como material
básico para a produção de chips para transistores, pilhas solares e, em diversas
variedades de circuitos eletrônicos. .
O silício é um elemento vital em numerosas indústrias. O dióxido de silício, areia e
argila são importantes constituintes do concreto armado e azulejos (ladrilhos).
.
Outros importantes usos do silício são:

• Como material refratário, sendo usado em cerâmicas e esmaltado.

• Como elemento de liga em fundições.
• Fabricação de vidro e cristais para janelas e isolantes, entre outros usos.
• O carboneto de silício é um dos abrasivos mais importantes.
• Usa-se em lasers para a obtenção de luz com um comprimento de onda de
456 nm.
• O silicone se usa em medicina para implantes em seios e produção de lentes
de contato.
• O silicone é usado para fabricação de Chupetas.

6. Germânio

O germânio é um elemento químico de símbolo Ge , número atômico 32 (32

prótons e 32 elétrons ) com massa atômica 72,6 uma. À temperatura ambiente, o
germânio encontra-se no estado sólido. É um semi-metal pertencente ao grupo 14( 4
A) da Classificação Periódica dos Elementos.Foi descoberto em 1886 pelo alemão
Clemens Winkler. As aplicações do germânio estão limitadas ao seu alto custo e em
muitos casos estuda-se a sua substituição por materiais mais econômicos. Sua
aplicação principal é como semicondutor em eletrônica, produção de fibras ópticas e
equipamentos de visão noturna.
 13

6.1 Principais características

O germânio é um semi-metal sólido, duro, cristalino, de coloração branco

acinzentada, lustroso, quebradiço, que conserva o brilho em temperaturas
ordinárias. Apresenta a mesma estrutura cristalina do diamante e resiste à ação dos
ácidos e álcalis. Forma grande número de compostos organolépticos e é um
importante material semicondutor utilizado em transístores e fotodetetores.
Diferentemente da maioria dos semicondutores, o germânio tem uma pequena
banda proibida (band gap) respondendo de forma eficaz a radiação infravermelha e
pode ser usado em amplificadores de baixa intensidade.

6.2 Aplicações

As aplicações do germânio estão limitadas ao seu alto custo e em muitos casos

estuda-se a sua substituição por materiais mais econômicos. Os principais usos são:

• Fibra óptica.
• Eletrônica: Radares, amplificadores de guitarras elétricas, ligas metálicas de
SiGe em circuitos integrados de alta velocidade.
• Óptica de infravermelhos: espectroscópios, sistemas de visão noturna e
outros equipamentos.
• Lentes, com alto índice de refração, de ângulo amplo e para microscópios.
• Em jóias é usado uma liga metálica de Au com 12% de germânio.
• Como elemento endurecedor do alumínio, magnésio e estanho.
• Em quimioterapia.
• O tetracloreto de germânio é usado como catalisador na síntese de
polímeros.
• Foi usado enquanto germanato de bismuto no tipo de camera gama utilizada
nos anos 80, em medicina nuclear.

7. Semicondutor Extrínseco

Há diversas maneiras de se provocar o aparecimento de elétrons e lacunas

livres no interior de um cristal semicondutor. Uma delas é através da energia térmica
(ou calor), e a sua produção de pares, eletro-lacuna, recebe o nome de geração
térmica de portadores. Outra maneira consiste em fazer com que um feixe de luz
 14

incida sobre o material semicondutor, baseando-se este fenômeno no princípio de

funcionamento dos dispositivos fotossensíveis. Na prática, contudo, necessitamos
de um cristal semicondutor em que o número de elétrons livres seja bem superior ao
número de lacunas, ou de um cristal onde o número de lacunas seja bem superior
ao número de elétrons livres. Isto e conseguido tomando-se um cristal semicondutor
puro (intrínseco) e adicionando-se a ele, por meio de técnicas especiais, uma
determinada quantidade de outros tipos de átomos, aos quais chamamos de
impurezas. Tais impurezas, propositadamente adicionadas ao cristal, têm uma
concentração de cerca de um átomo par cada 1.000.000 átomos do material
semicondutor. Este processo tem o nome de dopagem, termo proveniente da
palavra inglesa "Doping", (substância estimulante, excitante, muito usada nos meios
desportivos).
Quando são adicionadas impurezas a um cristal puro, este passa a ser impuro,
sendo denominado, então, semicondutor extrínseco. Por extrínseco compreendemos
que as características elétricas do cristal se devem às impurezas a ele adicionadas,
e não aos caracteres do próprio material.

Por que, no início, o cristal é submetido a um rigoroso processo de purificação

se, logo em seguida, são adicionadas impurezas? A resposta é simples: As
impurezas eliminadas inicialmente eram indesejáveis, porque não sabíamos o tipo e
a quantidade das mesmas, não apresentando o cristal nenhuma aplicação útil.
Contudo, após o processo de purificação, as impurezas adicionadas são do tipo
conhecido e de quantidade bem detalhada, o que permite a fabricação de cristais
semicondutores com características, para as mais diversas aplicações.
As impurezas utilizadas na "dopagem" de um cristal semicondutor podem ser de
dois tipos: impurezas doadoras e impurezas aceitadoras.

8. Semicondutor Intrínseco. .
O termo cristais semicondutores puros e uma verdade teórica, na prática não se
conseguem purezas absolutas (100%). .
O Silício e o Germânio são encontrados na própria Natureza, O Germânio é
obtido de um pó branco, o Dióxido de Germânio, e o Silício são extraídos do Óxido
de Silício. Aquecendo-se o Dióxido de Germânio durante algumas horas, em uma
atmosfera de Hidrogênio, obtém-se o Germânio metálico, já bastante puro, sob o
 15

ponto de vista químico. .

Entretanto, para a fabricação de dispositivos semicondutores, exige-se um grau
de pureza extremamente elevado (da ordem de 99,99999999%), que equivale a um
grama de impurezas, no máximo, em cada 10.000 toneladas de material
semicondutor. Portanto, quando nos referimos a um material semicondutor, estamos
supondo que as impurezas contidas no cristal praticamente não interferem em seu
comportamento elétrico. A esse tipo de semicondutor, em que as impurezas nele
existentes são apenas as que não puderam ser eliminadas durante o processo de
purificação do cristal, damos o nome de semicondutor intrínseco. Este termo
significa que as características elétricas do cristal são devidas ao próprio material
semicondutor, e não às suas impurezas.

9. Formação dos elementos tipo P e N

Devido a tendência de transformar-se em uma estrutura simétrica, um material

semicondutor quase não possui elétrons livres. Para se utilizar efetivamente os
materiais semicondutores, são introduzidos elementos adicionais, nas estruturas
cristalinas denominadas “impurezas”, através de processos de injeção ou difusão.
Estas impurezas são elementos cujos átomos possuem três ou cinco elétrons na
camada de valência. Estas impurezas são introduzidas dentro do material
semicondutor em pequenas quantidades.

A tendência de formar uma estrutura simétrica faz com que os átomos de

“impurezas” se acomodem de tal maneira que produzam elétrons livres, portanto que
podem ser deslocados com facilidade (o quinto elétron de cada átomo da impureza).
Ou a falta de elétrons no caso da adição de elementos com três elétrons na última
camada.

9.1 Formação do material tipo P

Se a dopagem do cristal nós, ao invés de utilizar um elemento com 5 elétrons
na sua camada de valência, utilizar-se um elemento com 3 elétrons na sua camada
de valência, como o índio, boro ou gálio, irá formar um outro tipo de material
semicondutor.
Utilizando-se o índio como impureza, na mesma proporção que foi usada com o
antimônio (um para dez milhões de átomos de silício ou germânio), o índio vai
 16

formar ligações covalentes com os quatro átomos vizinhos do silício ou do germânio.

O átomo de índio vai aceitar os quatro elétrons dos átomos vizinhos, mas pode doar
apenas os três elétrons da sua camada de Valencia. Dessa forma, três pares de
elétrons são completados, formando ligações covalentes. A quarta ligação vai ficar
incompleta, apenas com um elétron, fornecido pelo silício ou o germânio. A falta
desse elétron nesta ligação é chamada de buracão ou lacuna. Atua como uma carga
elétrica positiva, atraindo qualquer elétron que esteja por perto, para completar a sua
ligação. Por esta razão, o índio é chamado de receptor. O cristal é do tipo P,
representando a carga elétrica provocada pelo buraco.

Índio como impureza

Figura 02: Impurezas no material tipo P
Fonte: Instituto Padre Reus

O elétron do silício que não forma ligação covalente com o índio por sua vez,
estará preso ao núcleo do silício apenas pela atração iônica, e pela agitação térmica
pode se liberar e sair da sua órbita, circulando por dentro da estrutura cristalina, e
preenchendo um buraco. Sempre que um elétron se liberta do seu átomo, deixa
outro buraco, e o resultado disso será um movimento desordenado de buracos
dentro do material. Dizemos, então, que um material do tipo P tem buracos livres,
assim como a matéria do tipo N tem elétrons livres.
Sempre que um elétron completa a quarta ligação do átomo de índio, ele se
torna um íon negativo. Pela agitação térmica, que ocorre já em temperaturas
normais, um cristal do tipo P possui buracos livres e íons negativos.
 17

Átomo de Índio (neutro) Íon de índio (negativo)

Figura 03: Demonstração de íons negativos.
Fonte: Instituto Padre Reus.

Aplicando-se um potencial elétrico num cristal do tipo P, haverá uma corrente

de buracos dentro da estrutura cristalina do material.Os elétrons de valência também
estão se movendo mas sempre que um elétron abandona a órbita do silício ou do
germânio, provoca outro buraco, e como existem mais buracos que elétrons,
chamamos aos buracos de portadores majoritários de corrente em um material do
tipo P. Os íons negativos não podem se mover porque pertencem à estrutura
cristalina.

Figura 04: Demonstração da corrente de buracos

Fonte: Instituto Padre Reus.

Durante a circulação da corrente, poderá ocorrer que um buraco venha a

neutralizar um íon negativo, enquanto que mais próximo do terminal positivo, um
átomo adquire um elétron, se tornando um íon negativo. A impressão que se tem é
que os íons estão se dirigindo para uma direção oposta ao fluxo de buracos, mas
 18

numa proporção muito menor, porque o número de átomos de silício ou germânio e

muito maior do que os átomos das impurezas. Dessa forma, a maioria dos buracos
atravessa o cristal sem anular um íon negativo. Tais íons são imóveis.

Figura 05: Demonstração transferência de cargas

Fonte: Instituto Padre Reus.

9.2 Formação do elemento tipo N

Um dos processos de dopagem do material consiste em usar elementos que
contenham cinco elétrons na sua camada de Valência, como o antimônio ou o
arsênio. São colocados na estrutura cristalina do silício ou do germânio na
proporção de um para cada dez milhões de átomos.
Usando-se como impureza o antimônio (Sb) durante o processo de fabricação
do semicondutor, o antimônio é forçado a participar das ligações covalentes do
silício ou germânio, doando quatro elétrons para os átomos que estão ao seu lado.
Os átomos vizinhos vão ficar completos com esses 4 átomos de antimônio e estes
elétrons estarão firmemente presos.O quinto elétron do antimônio, não pertencendo
à estrutura cristalina, é preso ao núcleo do antimônio apenas pela força iônica.Mas
mesmo à temperatura ambiental normal, a agitação térmica (que é o movimento
 19

desordenado do elétron provocado pelo calor) vai fornecer energia cinética a este
elétron suficiente para que se liberte do seu núcleo e fique vagando, completamente
sem destino, dentro da estrutura cristalina do material.Este elétron e chamado de
elétron livre.Este cristal é chamado do tipo N, representando a carga negativa do
elétron livre. O antimônio é chamado de elemento doador de impureza.

Figura 06: Demonstração formação do elemento N

Fonte: Instituto Padre Reus.

O átomo de antimônio possuindo mesmo número de prótons e elétrons é neutro

eletricamente. No momento em que o elétron que não esta participando das ligações
covalentes se liberta, pela agitação térmica, o antimônio fica com uma carga positiva
em excesso.

Dessa forma diz-se, então que o antimônio é um íon positivo. Ao cristal

contendo íons, dizemos que está ionizado. Então, dentro de um cristal do tipo N, nós
vamos ter íons positivos e elétrons livres.

Quando aplicamos uma tensão num cristal do tipo N, os elétrons livres

presentes na estrutura do cristal vão permitir o fluxo de uma corrente elétrica. Aos
elétrons livres chamamos de portadores majoritários da corrente elétrica, num cristal
do tipo N. Observe que os íons positivos não podem mover-se porque fazem parte
da estrutura cristalina do material.
 20

Figura 07: Demonstração dos íons positivos

Fonte: Instituto Padre Reus.

Durante o fluxo de elétrons dentro do material do tipo N, devido á tensão

elétrica aplicada, pode ocorrer que um dos elétrons venha a voltar para a sua
posição original dentro do átomo de antimônio, anulando o íon positivo representado
pelo antimônio desfalcado de um elétron. O efeito é de que os íons parecem estar se
deslocando dentro da estrutura cristalina no sentido oposto ao do fluxo de elétrons.
O deslocamento de íons, que na verdade não existe, é muito pequeno, porque o
cristal apresenta apenas um íon para cada dez milhões de átomos de silício ou
germânio, é por esta razão que a maioria dos elétrons passa pelo cristal sem
encontrar e anular os íons positivos. Os íons nesse caso não se movem. Eles
podem parecer se mover devido ao efeito de um elétron anular um íon, e ser criado
outro íon dentro da estrutura do material, parecendo deste modo fluir, em sentido
contrário aos dos elétrons.
 21

Figura 08: Trajetória de elétron e aparente do íon.

Fonte: Instituto Padre Reus.

10. Conceito de lacuna ou vacância

Lacunas referem-se a estados da banda de valência vazios, não preenchidos

por elétrons. Elas são também chamadas por buracos ou “holes” em Inglês. A
lacuna pode ser tratada como uma partícula de carga positiva, e que esta sua
característica deve-se ao comportamento estranho dos demais elétrons da banda de
valência onde se encontra a lacuna. Na realidade a lacuna não existe como partícula
ou como entidade isolada, mas ela é uma conseqüência do movimento de elétrons
num potencial periódico. Assim, a lacuna livre não existe. Não é possível criar um
canhão de lacunas como existe para elétrons. Lacunas resultam de um artifício
matemático. Quando um elétron adquire energia suficiente para passar da banda
de valência para a banda de condução, ele deixa atrás de si um estado vacante no
topo da banda de valência (novamente devemos lembrar que isto significa que um
elétron foi arrancado de uma ligação, e a falta desse elétron produz esse estado
vacante). Esta lacuna pode ser ocupada por um elétron de um estado próximo (ou
seja, o elétron de uma ligação vizinha), já que pouca energia é requerida para essa
transição. Dessa maneira, tudo se passa como se a lacuna se movesse dentro do
cristal na banda de valência do mesmo modo como o elétron na banda de condução.
Na verdade, muitos elétrons são envolvidos no movimento de uma única lacuna,
porém, ao invés de considerarmos o comportamento dos elétrons consideraremos o
da lacuna.
As lacunas comportam-se como as partículas com carga igual em magnitude a
do elétron, porém, de sinal oposto. Sob a ação de um campo elétrico, elas movem-
se na direção oposta àquela dos elétrons. O mecanismo qualitativo pelo qual a
 22

lacuna contribui para a condutividade é o seguinte: quando uma ligação é

incompleta (tal que existe uma lacuna) é relativamente fácil de ser preenchida por
um elétron de valência que deixa uma ligação covalente de um átomo vizinho, este
elétron ao sair da ligação covalente, deixa outra lacuna. Esta lacuna, nesta nova
posição, pode agora ser preenchida por um elétron oriundo de outra ligação
covalente, e a lacuna se moverá na direção oposta ao movimento do elétron. Assim,
efetivamente, a lacuna se move na direção oposta à direção do elétron. Temos
assim, um mecanismo de condução de eletricidade que não envolve elétrons livres.
transporte de carga positiva. Portanto, para o fluxo de portadores, a lacuna
comporta-se como uma carga positiva, igual em magnitude à da carga do elétron.
Podemos então considerar, que as lacunas são entidades físicas cujo movimento
constitui uma corrente elétrica.
As propriedades das lacunas podem ser resumidas:

a) Comportam-se como partículas de igual carga àquela do elétron, porém de sinal

oposto;
b) Sob a ação de um campo E, se movem a favor do campo elétrico (direção oposta
a dos elétrons);
c) Existem só no topo da banda de valência, enquanto que os elétrons se movem
em sentido contrário com energia no pé da banda de condução.
Entretanto, não devemos esquecer que, fisicamente, somente os elétrons se
movem na direção oposta ao campo. Um grupo deles, livres, e outro grupo, preso
pelas ligações químicas, saltando de lacuna em lacuna disponível. Temos assim,
dois processos de condução distintos, e como veremos isto resultará em mobilidade
diferente para cada um deles.

11. Mecanismo de condução nos semicondutores

Consideremos um semicondutor com certa população de elétrons na banda de

condução. Essa população depende, logicamente, da impureza existente no material
e da temperatura. Esses elétrons ocupam os níveis mais baixos da banda de
condução, sujeito às condições restritivas de que não mais de dois elétrons podem
ocupar o mesmo nível simultaneamente. Tal restrição na realidade não tem sentido
prático, como analisaremos a seguir. Suponhamos que essa população de elétrons
 23

seja de 10²² elétrons/m3. Eles se encontram nos estados permitidos de energia

localizados numa faixa de aproximadamente 0,04 eV (3/2 kT a 300 K) de energia a
partir do extremo inferior da banda. Porém, nessa faixa de energia, existem níveis
suficientes para acomodar 104 vezes esse número de elétrons. Deste modo, os
elétrons presentes na banda de condução têm um número muito grande de níveis
desocupados para os quais podem se transferir, quando suas energias forem
modificadas por um campo elétrico aplicado. Muito raramente a ação de um elétron
ficará limitada pela presença dos demais. O mesmo raciocínio é válido para a
população de lacunas na banda de valência do material. Entretanto, nesse caso a
faixa de energia ocupada é medida no sentido descendente, iniciando no topo da
banda de valência e terminando em torno de 0,04 eV abaixo desse topo.Podemos,
então, considerar esses elétrons e essas lacunas como praticamente livres no
material. São esses portadores os responsáveis pelo transporte de corrente no
semicondutor quando sujeito a um campo elétrico, e, portanto, que determinam a
condutividade do material a uma dada temperatura.

12. Mobilidade de carga em semicondutores

Um semicondutor tem transportadores de carga negativos e positivos. Os

elétrons que saltam para a banda de condução são transportadores do tipo negativo
e a condutividade, que eles produzem depende de sua mobilidade através da BC do
semicondutor. Os buracos (lacunas) eletrônicos que são formados na banda de
valência são transportadores do tipo positivo. A condutividade por eles produzida
depende da sua mobilidade através da BV do semicondutor.
A mobilidade de deslocamento sendo a relação entre a velocidade de
deslocamento por unidade de campo elétrico. Esta grandeza fornece uma medida da
maior ou menor facilidade com que o elétron pode deslocar-se através de um dado
material e depende da T e do tipo de impureza presente nesse material (depende da
natureza do processo de espalhamento).

13. Portadores majoritários e portadores minoritários. . .

Num cristal semicondutor puro (cristal intrínseco) à temperatura ambiente,
aparecerão elétrons e lacunas livres em igual número, devido à geração térmica de
portadores. Suponhamos que existam 100 pares de electrões-lacunas (100 elétrons
 24

e 100 lacunas livres), e que sejam adicionados átomos pentavalentes (1.000, por
exemplo). Como as impurezas doadoras (átomos pentavalentes) fazem aparecer
elétrons livres no interior do cristal, cada átomo de impureza doadora contribuindo
com um elétron, teremos então 1000 electrões livres, devido a tais impurezas. O
cristal N, assim formado terá 100 lacunas e 1.100 elétrons livres, na temperatura de
20ºC, como portadores de corrente elétrica. Notaremos, então, que teremos dois
tipos de portadores nesse cristal. Entretanto, devido ao fato de termos adicionado
impurezas doadoras, fizemos com que a maior parte dos portadores se
transformassem em elétrons. Desta forma, num cristal semicondutor tipo N, os
elétrons são portadores em maioria ou portadores majoritários de corrente elétrica.
As lacunas, por sua vez, são portadores em minoria ou portadores minoritários de
corrente elétrica. .
Se no cristal intrínseco forem adicionados átomos trivalentes (1.000, por
exemplo), cada um desses átomos (impureza aceitadora) contribuirá com uma
lacuna; teremos, então, 1.000 lacunas livres provocadas por tais impurezas. O cristal
tipo P, assim formado, terá 100 elétrons e 1.100 lacunas livres como portadores da
corrente elétrica, à temperatura de 20ºC. Assim sendo no cristal P os portadores
majoritários são lacunas, pois estão em rnaioria é os portadores minoritários são os
elétrons, que constituem a minoria.

Para finalizar, suponhamos que o cristal tipo N ou o tipo P sejam submetidos à

temperatura de zero grau absoluto (-273ºC). Quando os 100 elétrons e as 100
lacunas, gerados termicamente, irão desaparecer (fenômeno da recombinação),
ficando apenas os 1.000 electrões livres e as 1.000 lacunas produzidas pelas
impurezas. Isto permite concluir que, enquanto o cristal puro (intrínseco) é um
isolante perfeito, à temperatura de -273ºC, o cristal impuro (extrínseco) não
apresenta esse isolamento à mesma temperatura.

14. Movimento dos elétrons e das lacunas nos semicondutores dopados.

Vimos que no cristal puro, quando submetidos a uma diferença de potencial

(tensão elétrica), os elétrons e as lacunas livres se movimentam em sentido
contrário, e que, nesse cristal, o número de lacunas á igual ao numero de elétrons
livres. Nos cristais semicondutores dopados (tipos N e P), os elétrons e as lacunas
também se movimentam em sentido contrário.
 25

Num cristal tipo N, o fluxo de elétrons será muito mais intenso que o fluxo de
lacunas (figura “A” e “B”), porque o número de elétrons livres (portadores
majoritários) é muito maior que o número de lacunas livres (portadores minoritários).
Entretanto, num cristal tipo P, onde o número de lacunas (portadores majoritários) á
maior que o número de eletrons livres (portadores minoritários), o fluxo de lacunas
será muito mais intenso que o de electrões livres (figuras C e D).

Figura 09: Movimento dos eletrons e das lacunas nos semicondutores

Fonte: Alchemist Engenharia

Em ambos os casos, á evidente que a corrente elétrica 1, pelo circuito elétrico,

será formada apenas por electrões. Na realidade, um fluxo de lacunas da direita
para a esquerda equivale a um fluxo de electrões da esquerda para a direita, do
mesmo modo que um fluxo de lacunas da esquerda para a direita cor responde a um
fluxo de eletrons da direita para a esquerda. Desta forma, as correntes de lacunas e
eletrons somam-se no interior do cristal, produzindo a corrente externa 1.

15. Difusão

Imagine uma gota de tinta sendo colocada em um copo com água. O que
acontecerá? A tinta irá se difundir pela água em uma tentativa de uniformizar a
concentração. Esse fenômeno de difusão é usado para explicar a corrente em uma
 26

junção PN. Quando existir uma diferença de concentração de portadores entre dois
pontos de um condutor, esses portadores se deslocarão entre os dois pontos
fazendo aparecer uma corrente chamada de corrente de difusão.

16. Junção PN

É obtida conectando, de forma adequada, material P ao material N. Como

existe uma diferença de concentração de portadores de ambos os lados da junção,
inicialmente haverá uma difusão de elétrons livres do lado N indo para o lado P e
ao mesmo tempo lacunas se difundirão do lado P para o lado N. A conseqüência
disso é que do lado N aparecerão íons positivos não neutralizados e do lado P íons
negativos não neutralizados fazendo aparecer uma região que não tem cargas
livres, por isso é chamada de região de depleção.

Essa distribuição de cargas cria uma barreira a qual se oporá à difusão de mais
portadores majoritários lacunas no lado P e elétrons livres no lado N. Essa corrente
é representada por IDifusão. ..
Caso algum portador minoritário (aqueles gerados pela temperatura), elétron
livre do lado P ou lacuna do lado N, se aproxime desta região, serão acelerados
pelo campo ai existente e passará para a outra região. Esse fluxo é representado na
figura abaixo por IDeriva. Na figura a seguir, após o equilíbrio, a soma das correntes

através da junção é zero. Isto é, IDeriva= IDifusão .

 27

Figura 10: Junção PN em aberto mostrando as duas correntes (difusão e de deriva).

Fonte: Facstaff

16.1 Junção PN com Polarização Reversa

Quando for aplicada uma tensão com a polaridade indicada na figura 11, a
largura da região de depleção aumentará. Aumentado a altura da barreira de
potencial dificultando mais ainda a passagem dos portadores majoritários de um
lado da junção para o outro. A única corrente existente é a corrente devido aos
portadores minoritários os quais dependem unicamente da temperatura, desta
forma esta corrente também chamada de corrente reversa de saturação (Is) só
dependerá da temperatura sendo da ordem de nA (Si) ou uA (Ge). Observe que
essa corrente é ajudada pelo campo elétrico que se estabelece na região de carga
espacial.

Figura 11: Junção PN com polarização reversa

Fonte: Facstaff

16.2 Junção PN com Polarização Direta

Quando for aplicada uma tensão com a polaridade indicada na figura 12, a
largura da região de depleção diminuirá, diminuindo a altura da barreira de potencial
facilitando o deslocamento dos portadores majoritários de um lado da junção para o
outro. Inicialmente toda a tensão estará aplicada diretamente na região da junção,
 28

baixando a barreira de potencial, e a queda de tensão no material N e P é

desprezível. A corrente é controlada pela variação da altura da barreira.
A medida que a corrente aumenta, a tensão externa se distribui entre o
material e a barreira. A partir desse ponto a corrente passa a ser controlada pela
resistência direta do material (a corrente no diodo passa a ter um comportamento
aproximadamente linear com a tensão). Colocando adequadamente terminais de
contato em ambas as extremidades teremos um componente chamado de diodo de
junção. Para limitar a corrente no circuito é necessário colocar em serie com o diodo
uma resistência ôhmica, caso contrário a corrente pode aumentar em demasia
destruindo o componente por efeito Joule. .
A corrente só aumentará efetivamente quando a tensão aplicada entre os
terminais exceder aproximadamente de 0,6V a 0,7V (para diodo de Si), é quando a
barreira de potencial será vencida.

Figura 12: Junção PN com polarização direta

Fonte: Facstaff

Observe que a corrente total através da junção (I) será constituída de duas
componentes, a corrente de saturação mais a corrente de difusão, sendo que a de
difusão é muito maior que a de saturação. Desta forma:

I= ID - IS = ID

A equação da corrente através da junção é dada por:

 29

Onde Is é a corrente reversa de saturação, V é a tensão aplicada na junção, n vale

aproximadamente 1 para Ge e 2 para Si e VT é uma constante que depende da
temperatura valendo 26mV na temperatura ambiente (T=300 Kelvin).

Se V for positivo e muito maior que 26 mV, o diodo estará polarizado diretamente.

Se V for negativo e muito maior que 26 mV (em modulo) o diodo estará polarizado

17. Aplicações dos Materiais Semicondutores

O semicondutor é um material-chave na indústria eletrônica. Os dispositivos

que utilizam o semicondutor são hoje utilizados em todo tipo de circuitos.

Os dispositivos semicondutores mais comuns são o diodo, o transistor e os

dispositivos fotossensíveis, conforme discriminamos abaixo:
• Diodo semicondutor: é formado pela junção p e n e tem como utilidade básica
permitir o fluxo de corrente elétrica apenas em um sentido (o sentido de
polarização direta)
• Transistor: é formado pela inserção de um semicondutor tipo p entre dois
semicondutores tipo n ou vice-versa. O material do meio é chamado base e
os outros, emissor e coletor. O transistor funciona basicamente como um
amplificador de corrente se esta for alta (ligeiramente alta) ou como um
interruptor de corrente se esta for próxima de zero.
• Dispositivos fotossensíveis: dividem-se em Células fotocondutivas:
fotoresistores, fotodiodos e fototransistores; e Células fotovoltaicas.
As Células fotocondutivas funcionam da seguinte forma: Quando um fluxo
luminoso incide sobre o material semicondutor, os fótons podem fornecer aos
elétrons energia suficiente para produzir a ruptura de ligações covalentes. A ação
dos fótons ocasiona a produção de par elétron-lacuna, o que provoca um aumento
da condutividade do semicondutor. Esse fenômeno é conhecido como
fotocondutividade.
 30

Quanto às Células fotovoltaicas, conforme o nome indica, tais células produzem

uma tensão elétrica quando submetidas à ação de um fluxo luminoso. Sua utilidade
se estende na busca por energia alternativa.

Microeletrônica: O advento da Microeletrônica foi um dos mais notáveis

avanços tecnológicos no campo da eletrônica, sendo fundamentalmente oriunda das
necessidades inerentes ao programa espacial americano com relação a peso,
dimensões, potência consumida e confiabilidade. As restrições impostas nestes
casos eram impossíveis de serem satisfeitas com os circuitos convencionais, usando
componentes discretos.

Um dos setores da Microeletrônica é responsável pelos Circuitos Integrados

(CIs). Os circuitos integrados ou chips são uma fina pastilha de silício, onde estão
agrupados circuitos microscópicos que podem conter milhões de componentes
eletrônicos como resistores, capacitores, transistores, etc.

18. Dispositivo semicondutor

São componentes eletrônicos que exploram as propriedades eletrônicas de

materiais semicondutores, principalmente silício, germânio, e arseneto de gálio,
assim como semicondutores orgânicos. Dispositivos semicondutores tem substituído
dispisitivos termiônicos (tubos de vácuo) na maioria das aplicações. Eles usam
condução no estado sólido em oposição ao estado gasoso ou emissão termiônica no
alto vácuo.

Dispositivos semicondutores são manufaturados tanto em dispositivos únicos

disccretos como em circuitos integrados (CIs), os quais consistem de um número
variando de uns poucos (tão baixo quanto dois) a bilhões de dispositivos fabricados
e interconectados sobre um substrato semicondutor único.

A principal razão porque materiais semicondutores são tão úteis é que o

comportamento de um semicondutor pode ser facilmente manipulado pela adição de
impurezas, o que é conhecido como "dopagem (a adição de um "dopante"). A
 31

condutividade de semicondutores pode ser controlada pela introdução de um campo

elétrico, pela exposição à luz, e também pressão e calor; então, semicondutores
podem produzir excelentes sensores. A condução de corrente em um semicondutor
ocorre via elétrons móveis ou "livres" e buracos electrónicos, coletivamente
conhecidos como portadores de carga.

19. Diodos
Os diodos são diferentes e úteis componentes elétricos. Os diodos são usados em
muitas aplicações, como a seguir.
• Convertendo energia AC a partir da linha de 60Hz em energia CC para
rádios, televisores, máquinas de atendimento telefônico, computadores e muitos
outros aparelhos eletrônicos.
• A conversão de sinais de radiofreqüência em sinais sonoros em rádios.
Os Diodos têm as seguintes características.
• Os diodos são dois aparelhos de terminal, como resistores e capacitores.
Eles não têm muitos terminais como transistores ou circuitos integrados.
• Em diodos atuais está diretamente relacionada à tensão, como em um
resistor. Eles não são como condensadores onde a corrente está relacionada com o
tempo de derivados de tensão ou indutores onde a derivada da corrente está
relacionada com a tensão.
• Nos diodos a corrente não está linearmente relacionada à tensão, como em
um resistor.
• Diodos só consomem energia. Eles não produzem energia como uma
bateria. Eles são considerados dispositivos passivos.
• Os diodos são não-lineares, dois terminais, dispositivos elétricos passivos.
Em geral, os diodos tendem a permitir o fluxo de corrente em uma direção, mas
tendem a inibir o fluxo de corrente na direção oposta. O gráfico abaixo mostra como
o atual pode depender da tensão de um diodo.
 32

Figura 13: Curva tensão e corrente no diodo.

Fonte: Facstaff

Observe o seguinte.

Quando a tensão sobre o diodo é positivo, uma grande quantidade de corrente

pode fluir uma vez que a tensão se torna grande o suficiente.

• Quando a tensão sobre o diodo é negativo, praticamente nenhuma corrente

flui.

O símbolo de circuito de um diodo é projetado para lembrar que a corrente flui

facilmente através de um diodo em uma direção. O símbolo de circuito de um diodo
é mostrada abaixo, juntamente com as convenções comuns para a corrente através
do diodo e a tensão através do diodo.

Figura 14: Sentido de fluxo de corrente no diodo

Fonte: Facstaff
 33

Os diodos:

• Deixam uma grande quantidade de fluxo de corrente através deles,

• Às vezes, eles dificilmente permitem qualquer fluxo de corrente através

deles.

Esse comportamento nos dá uma maneira de pensar o que acontece nos

circuitos de diodos.

Nós vamos adotar um modelo simplificado para o diodo. Em vez da tensão de

corrente curva real para o diodo mostrado na mais leve, vermelho fino, linha curva
abaixo, vamos imaginar que o diodo tem a curva de tensão de corrente mostrado no
mais espesso, escuro linhas vermelhas abaixo.

Figura 15: Curva de tensão e corrente no diodo

Fonte: Facstaff

A tensão de corrente da curva aproximada nos dá uma maneira de analisar circuitos

que contêm diodos, e ter em conta o seu comportamento esquizofrênico.

• Quando a corrente está fluindo, este modelo prevê aproximado sem tensão
através do diodo. Nesta situação, dizemos que o diodo está ligado.
 34

• Quando a tensão sobre o diodo é negativa, este modelo aproximado prevê

nenhuma corrente flui através do diodo. Nesta situação, dizemos que o diodo é
OFF.

Agora, considera este tipo de modelo simplificado para o diodo.

• Quando o diodo é ligado, ele não tem voltagem, assim que age como um
curto-circuito! Quando o diodo é ligado, a corrente através do diodo é positivo, e a
tensão sobre o diodo é zero.

• Quando o diodo está desligado, a corrente é zero, portanto, ele age como
um circuito aberto. Quando o diodo está desligado, a tensão sobre o diodo é
negativa, a corrente através do diodo é zero.

Este modelo para o diodo é muitas vezes referido como o modelo de diodo ideal.

19.1 Diodos retificadores

A estrutura das cápsulas destes diodos depende, assim como a área de sua
junção, da potência que eles devem dissipar e da corrente que devem conduzir.
Para os de baixa e média potência (até o valor Máximo de 1 watt), usam-se cápsulas
de plástico.Os que tem potenciais superiores a esse valor exigem cápsulas
metálicas. No caso de potenciais muito elevadas, essas cápsulas devem ser
construídas de maneira a permitir a montagem do diodo em um dissipador de calor
com um sistema de fixação por parafuso ou por pressão.

Em alguns circuitos de alimentação usam-se como alternativa para a ponte os

circuitos de retificação de onda completa. Esses circuitos aproveitam os dois
semiciclos (positivo e negativo) da tensão alternada aplicada na entrada.

Os retificadores em ponte monofásicos são formados por quatro diodos ligados

entre si de modo que ficam com dois terminais de entrada para a tensão alternada e
com dois terminais de saída para a tensão retificada. Naturalmente, um dos dois
terminais é positivo e outro, negativo.
 35

Como a procura de retificadores em ponte tornou-se bastante grande, os

fabricantes resolveram oferecer aos consumidores esse tipo de montagem já pronto,
ligando os quatro diodos e envolvendo-os em uma cápsula, como se fossem um
único componente: a ponte retificadora.

Em razão disso, há no mercado vários tipos de pontes. Elas se diferenciam

pela intensidade máxima de corrente dos diodos que as compõem e,
conseqüentemente, pela menor ou maior potência dissipada, como ocorre com os
diodos isoladamente.

19.2 Diodos de sinais

Os diodos para sinais são utilizados para o tratamento dos sinais comuns num
circuito. Também podem ser empregados na elaboração de sinais digitais. Os
diodos para sinais são normalmente de baixa potência.

19.3 Diodos de comutação

Os diodos de comutação – diodos rápidos – distinguem-se pela capacidade de

trabalhar com sinais digitais utilizados em circuitos lógicos. O parâmetro que
caracteriza estes diodos é o tempo de comutação. Ele depende do atraso que um
junção P-N estabelece quando está conduzindo corrente.

São considerados rápidos os diodos com tempo de comutação inferior a 100

nanosegundos, nos modelos de media e alta potência. Nos de baixa potência, o
tempo de comutação deve ser da ordem de 1 nanossegundo. Para que eles sejam
considerados rápidos.

19.4 Diodos de alta freqüência

Os diodos de alta são usados nos circuitos que trabalham com freqüências
superiores a 1 megahertz . Estes diodos diferenciam-se dos demais por
apresentarem uma baixa capacitância de difusão ente às duas regiões
semicondutoras de uma junção P-N, quando estão polarizados no sentido de
condução.
 36

19.5 Diodos estabilizadores de tensão

Os diodos estabilizadores de tensão, também chamados diodos Zener, são

usados para se obter, entre seus terminais, uma tensão constante e relativamente
independente da corrente que os atravessa.
 37

20. Conclusão

Identificou-se nesse trabalho as principais propriedades dos elementos

semicondutores, bem como, as técnicas de dopagem para poder utilizar os
materiais. Os métodos de purificação e as suas principais aplicações.
Os semicondutores são elementos de suma importância para a eletrônica
digital bem como para a eletrotécnica, onde utilizamos em retificadores de corrente,
reguladores de tensões e muitas outras aplicações.
Contudo o foco de buscar o conhecimento sobre o comportamento de corrente
e tensão nos semicondutores, foi satisfatório. Esse esclarecimento define que os
materiais ou dispositivos semicondutores possuem características elétricas que
propiciam o controle de corrente e tensão, sendo que tais dissipam pequena
quantidade de calor, facilitando sua aplicação em larga escala.
 38

21. Referências

Disponível em:<http://www.foz.unioeste.br/~lamat/downmateriais/materiaiscap15.pdf
>.Acesso em: 04. jun. 2011.

Disponível em:<http://www.radioamadores.net/semicond.htm>.Acesso em: 04. jun.

2011.

Disponível em:
<http://www.facstaff.bucknell.edu/mastascu/elessonshtml/Diodes/Diode1.html
>.Acesso em: 04. jun. 2011.

Disponível em:< http://www.infoescola.com/fisica/semicondutores/ >.Acesso em: 04.

jun. 2011.

Disponível em:
<http://www.eletronica24h.com.br/cursoeletronica/cursoEN1/aulas/Aula002.htm
>.Acesso em: 5. jun. 2011.

Disponível em:<http://www.teleco.com.br/tutoriais/tutorialsemicon/pagina_5.asp
>.Acesso em: 05. jun. 2011.

Disponível em: <

http://www.mundofisico.joinville.udesc.br/index.php?idSecao=110&idSubSecao=&idT
exto=49 >. Acesso em: 05. jun. 2011.

Reus, Padre; Instituto de aprendizagem, curso Radiotécnico e TV (P&B) e a cores.

V. 04. 2006.