3.junção PN e Aplicações - 2017 - 01

Diodos semicondutores,
estrutura e aplicações
Profa. Angélica dos Anjos Ayala

angelica.anjos@fatecsp.br
1º Semestre 2017
DS - Profa. Angélica dos Anjos Ayala
Objetivos
2
Estudo da estrutura do diodo (junção PN);
Estudo da polarização do diodo;
Curva característica do diodo;
Aplicações dos diodos;
Exercícios.
Motivação
3
Portadores dos Materiais Tipo N e Tipo P

4
Tipo N: íons fixos (doadores) resultam em sinal positivo após o quinto elétron deixar
o átomo de origem. O átomo adquire uma carga líquida positiva;
Tipo P: íons fixos (aceitadores) resultam em sinal negativo após a lacuna ou buraco
receber um elétron de um outro átomo, adquirindo uma carga líquida negativa.
Estrutura dos diodos semicondutores

Junção PN
6
Os materiais dos tipos P e N representam os blocos de construção básicos dos
dispositivos semicondutores;
Através de uma junção PN podemos construir diodos;
Algumas aplicações dos diodos: circuitos retificadores, LEDs, diodo zener;
Também podemos construir transistores e capacitores com as junções PN;
Iniciaremos com os diodos.
Junção PN: Diodo

7
A figura abaixo ilustra uma junção de dois materiais semicondutores, um do tipo
P e o outro do tipo N e o símbolo de um diodo;
O semicondutor tipo P está conectado no terminal chamado anodo e o
semicondutor tipo N no catodo;
Região de Depleção
8 Os elétrons livres da região N (majoritários) se repelem e se difundem por todo o
material, inclusive para a região P (minoritários);
Ao chegarem na região P, eles se recombinam (íons fixos negativos);
Cada par de íon positivo e negativo na junção é um dipolo;
A geração de um dipolo significa que um elétron e uma lacuna saíram de circulação;
Próximo da junção tem-se uma região sem portadores, com muitos dipolos é a
Região de Depleção.
Barreira de Potencial
9
Cada dipolo possui um campo elétrico entre o íon positivo e o íon negativo;
Quando um elétron livre entre na região de depleção, o campo elétrico o “empurra”
de volta para a região N;
Por um momento, podemos dizer que o campo elétrico interrompe a difusão do
elétron por meio da junção;
O campo elétrico entre os íons é equivalente a uma diferença de potencial chamado
de Barreira de Potencial ou Potencial de Contato (Vo, Vbi);
À temperatura de 25ºC, a barreira de potencial é aproximadamente 0,7 V para o
diodos de Si e 0,3 V para o Ge.
Diagrama de Energia da Junção PN

10
Os níveis de Fermi dos matérias se igualam;

Vo tem valores aproximadamente de 0,6 a 0,8V.
Diagrama de Energia da Junção PN Após o Contato
Energia do
elétron
∅𝐹𝑃
∅𝐹𝑁
Potencial
Polarização da Junção PN
12
Podemos polarizar a junção PN de três maneiras:
Sem polarização;
Polarização reversa;
Polarização direta.
13 Sem polarização: VD = 0V
 Sentido da corrente:
 cargas positivas
(lacunas)
 V+ → V-;
 Sentido dos elétrons:
 contrário ao da
corrente
 N → P.
Região de depleção: formada pelo esgotamento dos portadores livres na região,

após a formação dos dipolos.
14 Polarização reversa: VD < 0V
Região de depleção: maior

15 Polarização reversa: VD < 0V
O número de íons positivos na região de depleção do material tipo N aumentará,
devido ao grande número de elétrons livres arrastados para o potencial positivo da
tensão aplicada (sentido contrário ao desejado);
O número de íons negativos na região de depleção do material tipo P aumentará,
da mesma forma;
Isto leva a uma região de depleção maior;
Este aumento induz a uma barreira de potencial grande para os portadores
majoritários, o que levará o fluxo desses portadores a zero;
Só terá corrente reversa (ou de fuga) a corrente ID é desprezível;
Is é de aproximadamente alguns pA ou fA.
16 Polarização direta: VD > 0V
Região de depleção: menor

17 Polarização direta: VD > 0V
A polarização direta força os elétrons do material tipo N e as lacunas do
material tipo P a recombinarem-se com os íons próximos da fronteira;
Isto reduz a largura da região de depleção;
Os portadores majoritários vêem uma barreira reduzida na junção devido à
região de depleção reduzida;
À medida que a polarização aumenta (em amplitude), a região de depleção
diminui até que o fluxo de elétrons consiga atravessar a junção, resultando em
um aumento exponencial da corrente (não linear).
18
Curva Característica do Diodo de Silício (I-V)

19
Curva I-V dos Diodos de Si e Ge
20
Influência da Temperatura na Curva I-V do diodo

21
 Quanto maior a temperatura, maior

será a condutividade elétrica e menor
será a tensão de polarização do diodo.
Corrente do Diodo
22 K = 1,38x10-23 J/K;
T = 273 + temperatura em oC;
q = 1,6x10-19C;
VT ≈ 26 mV;
n: fator de idealidade (função das
condições de operação e construção
física);
Is = corrente dos minoritários;
Is tem valores muito pequenos (pA
ou fA);
ex faz com que a curva exponencial
aumente muito rapidamente para
valores crescentes de x.
Tensão Térmica
23

Mecanismos de Condução: após o contato

24

Mecanismos de Condução: após o contato

25 
Correntes de Difusão e Deriva

26 
IPdif, INdif: correntes de difusão de lacunas e
elétrons;
q: carga do elétron;
Dp, Dn: coeficiente de difusão de lacunas e
elétrons (Dp=12cm2/s e Dn=34cm2/s).
IPder, INder: correntes de deriva de lacunas e

elétrons;
p, n: concentração de lacunas e elétrons;
µp, µn : mobilidade de lacunas e elétrons
(µp=480cm2/Vs e µn=1350cm2/Vs).
Correntes de Difusão e Deriva

27 Deriva:
σ: Condutividade
ρ: Resistividade
Corrente total
Concentração de Cargas
28 Relação de Einstein:
Dp, Dn: coeficiente de difusão de lacunas e elétrons;

µp, µn : mobilidade de lacunas e elétrons.
Concentração Intrínseca
29 
B: Constante dependente do material (Bsi=5,4.1031);

T: Temperatura;
Eg: Energia mínima necessária para quebrar uma ligação
covalente (Si=1,12 eV);
K: Constante de Boltzmann (K=8,62.10-5 eV/Kelvin)
Região de Depleção: Largura, Densidade de

Cargas e Campo Elétrico
30
Largura da Região de Depleção

31
É comum fazer um lado da junção muito mais fortemente dopado que o outro;
A região de depleção existe quase totalmente em apenas um dos lados (o mais
levemente dopado).
Região de Depleção: Neutralidade e Largura
32 
εsi: Permissividade elétrica do Si: (11,7 . 8,85.10-14 = 1,04.10-12F/cm).

W está na faixa de 0,1 a 1µm.
Características Gerais
33
Barreira de potencial:
Diminui em polarização direta;
Aumenta em polarização reversa;
Campo elétrico:
Largura da depleção:
Características Gerais
34
Corrente de deriva:
Praticamente não varia com a polarização;
Corrente de difusão:
Aumenta em polarização direta;
Diminui em polarização reversa, tornando-se praticamente nula;
Corrente total:
Aumenta em polarização direta;
Praticamente constante em polarização reversa (muito pequena).
Ruptura por Polarização Reversa (Breakdown)

35
A ruptura ocorre quando um campo elétrico suficientemente alto é aplicado à junção
PN, levando-a a conduzir uma grande quantidade de corrente (tensão reversa);
Três mecanismos são responsáveis pela ruptura:
Instabilidade térmica;
Efeito avalanche;
Efeito zener (tunelamento).
Região Zener
Ruptura por Polarização Reversa (Breakdown)

36
Para junções com tensões de ruptura menores que 4V (Eg/q) o mecanismo mais
importante na ruptura é o zener;
Para tensões de ruptura superior a 6 V (Eg/q) o mecanismo mais importante é o
avalanche;
Para tensões de ruptura entre 4 e 6 V (Eg/q) ambos efeitos estão presentes;
Alguns livros utilizam valores de 5 e 7 V.
Instabilidade Térmica
37
Devido à elevada dissipação causada pela corrente reversa;
Com a alta polarização reversa, a temperatura da junção aumenta;
Esta elevação da temperatura provoca a elevação da corrente reversa;
Pela elevada dissipação em altas polarizações reversas, a curva característica
apresenta uma resistência diferencial negativa;
Este efeito é chamado de instabilidade térmica;
É mais relevante em temperatura ambiente, e menos importante em temperaturas
mais baixas.
Avalanche ou Ionização por Impacto

38
Este é o mecanismo mais importante na ruptura da junção;
Ele quem impõe um limite superior à polarização da maioria dos diodos;
Os portadores minoritários são fortemente acelerados e ganham energia cinética no
interior da região de depleção devido à elevação da tensão reversa,;
Ao atravessarem a região de depleção esses portadores minoritários adquirem
velocidade, chocam-se e liberam elétron de valência dos átomos, gerando os elétrons
livres;
Esses elétrons colidem com outros átomos;
Este fenômeno é chamado de ionização por impacto;
Os elétrons gerados por impacto e acelerados darão origem a outros pares elétron-
lacuna, e assim sucessivamente, o que é conhecido como avalanche.
Efeito Zener
39 O campo elétrico na camada de depleção aumenta até um ponto capaz de quebrar
uma ligação covalente de gerar um par elétron-lacuna, que também é acelerado
pelo campo elétrico;
Os elétrons gerados desta forma são acelerados para dentro do material N e as
lacunas para o material P;
Esses portadores acelerados constituem uma corrente inversa, que se soma.
Curva do Diodo: Reta de Carga e Ponto de Operação

40
Característica I x V
LKT
Reta de carga:
𝑉𝐷𝐷
Saturação: para VD = 0 𝐼𝐷 =
𝑅
Corte: para VD = VDD 𝐼𝐷 = 0
Ponto de operação Q:
A Intersecção da reta de carga e a curva do
diodo (ID, VD).
Diodo Ideal
41
Reversa Direta
Aplicações de Diodos
Aplicações de Junções PN
43 Diodo Zener:
Funciona polarizado diretamente ou inversamente;
Quando está polarizado diretamente, funciona como outro diodo qualquer;
Quando está polarizado inversamente opera na região de ruptura;
Utilizado em reguladores de tensão.
LED (Diodo Emissor de Luz):
44
É um diodo semicondutor (junção P-N) que quando é energizado
emite luz visível por isso LED (Diodo Emissor de Luz);
A luz não é monocromática (como em um laser), mas consiste de
uma banda espectral relativamente estreita e é produzida pelas
interações energéticas do elétron;
O processo de emissão de luz pela aplicação de uma fonte elétrica
de energia é chamado eletroluminescência.
45
Diodos retificadores:
Consiste na polarização de uma junção PN com tensão alternada ou contínua;
Existem dois tipos:
Retificadores de meia onda;
Retificadores de onda completa.
46 Retificador de meia onda:
47 Retificador de onda completa: derivação central
48 Retificador de onda completa: ponte de diodos

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Profa. Angélica dos Anjos Ayala

Portadores dos Materiais Tipo N e Tipo P

Estrutura dos diodos semicondutores

Junção PN: Diodo

Diagrama de Energia da Junção PN

Os níveis de Fermi dos matérias se igualam;

Diagrama de Energia da Junção PN Após o Contato

Região de depleção: formada pelo esgotamento dos portadores livres na região,

Região de depleção: maior

Região de depleção: menor

Curva Característica do Diodo de Silício (I-V)

Curva I-V dos Diodos de Si e Ge

Influência da Temperatura na Curva I-V do diodo

 Quanto maior a temperatura, maior

Mecanismos de Condução: após o contato

Mecanismos de Condução: após o contato

Correntes de Difusão e Deriva

IPder, INder: correntes de deriva de lacunas e

Correntes de Difusão e Deriva

Dp, Dn: coeficiente de difusão de lacunas e elétrons;

B: Constante dependente do material (Bsi=5,4.1031);

Região de Depleção: Largura, Densidade de

Largura da Região de Depleção

Região de Depleção: Neutralidade e Largura

εsi: Permissividade elétrica do Si: (11,7 . 8,85.10-14 = 1,04.10-12F/cm).

Ruptura por Polarização Reversa (Breakdown)

Ruptura por Polarização Reversa (Breakdown)

Avalanche ou Ionização por Impacto

Curva do Diodo: Reta de Carga e Ponto de Operação

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