Amplificador Automotivo.

TENSÃO DE ALIMENTAÇÃO = 12VCC

CONSUMO DE CORRENTE = 4AMP

RMS DE SAÍDA = 3,8WATTS

QUANTIDADE DE CANAIS = 1CANAL ESTÉRIO

Esquema da fonte elevadora de tensão para alimentação dos mosfet.

Nos amplificadores com saída MOS-FET os mesmos operam como chaves, isto é, ou
estão totalmente cortados ou totalmente condutores.

A Figura 01 deste tópico mostra o circuito básico simplificado de um amplificador com saída MOS-FET.

Mosfet = FDS6910

Amplificador = TL072

São usados dois Mosfets complementares que operam como chaves.

Eles recebem a saída do amp. op. (chamaremos de Vc) , por sua vez, recebe um sinal
triangular (chamaremos de Ve) e o sinal de entrada (chamaremos Ent. Áudio).
 Na saída do comparador ocorre: Vc é negativo se Ent. Áudio > Ve e positivo se Ent.
Áudio < Ve. Se Vc é negativo, Q1 está conduzindo e Q2 cortado. Assim, Saída do Mosfet ≈ +
Fonte. E vice-versa.

Fig2.

O resultado é mostrado na Figura 02: Saída do Mosfet é uma série de pulsos, cujas
larguras têm relação com a intensidade do sinal de entrada. Uma espécie de modulação por
largura de pulsos (PWM).

O filtro passa-baixas formado por L e C passa o valor médio da onda quadrada para o
alto-falante, recompondo o sinal senoidal. R1 1Kohm e C1 100nF compensam a reatância
indutiva do alto-falante de forma que ele seja visto como uma carga resistiva.
Notar que, se a entrada é nula, Saída do Mosfet é um sinal quadrado simétrico e o valor médio
é nulo, ou seja, a saída também é nula.

É recomendável que, para uma boa aproximação, a freqüência do sinal triangular(Vê)

deve ser muito superior à do de entrada. Valores típicos estão na faixa de 100 kHz a 1 MHz,
dependendo da fidelidade desejada.

Acima um simples porém funcional gerador de sinal triangular para Ve.

A tensão na saída de AO sobe em rampa até chegar a um nível suficiente para comutar
o comparador, quando passa a descer em rampa e o processo se repete.
A tensão de pico de Ve é dada por Vep = R2 Vc / R3, onde Vc é a tensão de saída do
comparador.

A freqüência é calculada por ft = R3 / (4 R1 R2 C1).

Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted

Symbol Parameter Ratings Units

VDSS Drain-Source Voltage 30 V
VGSS Gate-Source Voltage ±20 V
ID Drain Current – Continuous (Note 1a) 7.5 A
– Pulsed 20
PD Power Dissipation for Single Operation (Note 1a) 1.6 W
(Note 1b) 1.0
(Note 1c) 0.9
TJ, TSTG Operating and Storage Junction Temperature Range –55 to +150 °C

Thermal Characteristics
Resistance, Junction-to-
RθJA Thermal (Note 1a) 78 °C/W
Ambient
RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 1) 40 °C/W

Package Marking and Ordering Information

Device Marking Device Reel Size Tape width Quantity
FDS6910 FDS6910 13’’ 12mm 2500 units