UNIVERSIDAD NACIONAL FEDERICO VILLARREAL

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA E INFORMÁTICA

SÍLABO

ASIGNATURA: DISPOSITIVOS ELECTRONICOS CÓDIGO: IEE303

1. DATOS GENERALES

1.1. DEPARTAMENTO ACADÉMICO : Ing. Electrónica e Informática

1.2. ESCUELA PROFESIONAL : Ingeniería Electrónica
1.3. CICLO DE ESTUDIOS :
1.4. CRÉDITOS : 04
1.5. CONDICIÓN : Obligatorio
1.6. PRE-REQUISITOS :
1.7. HORAS DE CLASE SEMANAL : 05 (Teoría 03 - Práctica 02)
1.8. HORAS DE CLASE TOTAL : .
1.9. PROFESORES RESPONSABLES : Mg. Ing. Fernando Mendoza Apaza
1.10. AÑO LECTIVO ACADEMICO : 2017 – II
mmmmmmmmmmmmasasasdMMMe
ndozamendLópez A.
2. SUMILLA

La asignatura de Dispositivos Electrónicos, es de carácter teórico – práctico y

tiene como propósito desarrollar en el alumno los conocimientos básicos de
los componentes y dispositivos usados en Electrónica, estudiando la
estructura física de los mismos, la fabricación, así como su funcionamiento y
aplicaciones en circuitos electrónicos, analógicos y digitales. Los tópicos
generales de estudio son: Conducción en semiconductores, diodos
semiconductores, Transistores bipolares, Transistores unipolares, dispositivos
de potencia, circuitos Integrados.

3. COMPETENCIA GENERAL
Comprende los principios básicos de operación de los componentes y
dispositivos electrónicos, mediante el análisis lógico, la implementación de
circuitos con estos dispositivos y la resolución de problemas; trabajando en
equipo, con responsabilidad y respeto.

4. ORGANIZACIÓN DE LAS UNIDADES DE APRENDIZAJE

UNIDAD DENOMINACIÓN Nº DE HORAS
I Conducción en semiconductores
II Diodos semiconductores
III Transistores bypolares
IV Transistores unipolares
V Dispositivos de potencia
VI Circuitos integrados

Total Horas:

1
 UNIVERSIDAD NACIONAL FEDERICO VILLARREAL
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA E INFORMÁTICA

5. PROGRAMACIÓN DE LAS UNIDADES DE APRENDIZAJE

UNIDAD I: CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES

Competencia específica 1: Comprende la importancia del conocimiento

de La conducción en semiconductores.

Competencia específica 2: Aplica conocimiento de física electrónica,

conducción en cristales, ecuaciones
correspondientes de conductividad.
Contenidos:

CONCEPTUAL PROCEDIMENTAL ACTITUDINAL

Conceptúa las Resuelve ejercicios con Participa activamente,

propiedades de los materiales extrínsecos con responsabilidad y
materiales /intrínsecos, termistores, respeto.
semiconductores. LDR,.VDR

Conceptos de huecos y electrones en semiconductores

intrínsecos, semiconductores extrínsecos tipo P y tipo N.
ecuación de neutralidad, ley de acción de masas, nivel de Fermi,
difusión de portadoras, ecuación de continuidad, recombinación,
efecto Hall, resistencias termistores, LDR, VDR

UNIDAD II DIODOS SEMICONDUCTORES

Competencia específica 1: Comprende la aplicación de unión P-N de un

semiconductor.

Contenidos:

CONCEPTUAL PROCEDIMENTAL ACTITUDINAL

Conceptúa el diodo Resuelve ejercicios con los Participa activamente,

P-N, características diferentes tipos de diodos con responsabilidad y
circuitales , ecuación P-N, dependencia térmica.. respeto.
I-V

Teoría del diodo P-N, fabricación, deducción de la ecuación del diodo real,
dependencia térmica del diodo, resistencia estática y dinámica de un
diodo, capacidad de difusión, capacidad de transición, tiempo de
conmutación, polarización directa/inversa ,circuitos con diodos, diodos

2
 UNIVERSIDAD NACIONAL FEDERICO VILLARREAL
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA E INFORMÁTICA

especiales como Zener, Varactor ,Tunnel, LED, fotodiodo ,diodolaser.

diodo shokley.

UNIDAD III: TRANSISTORES BIPOLARES BJT

Competencia específica 1: Comprende la importancia del conocimiento,

de un transistor bipolar en DC y en AC.

Competencia específica 2:Reconocimiento de las zonas de trabajo de un

transistor bipolar.
.
Contenidos:

CONCEPTUAL PROCEDIMENTAL ACTITUDINAL

Conceptúa las Resuelve ejercicios Participa activamente, con

propiedades de un mediante el análisis de responsabilidad y respeto.
transistor bipolar. las propiedades de un
transistor bipolar . Uso
de curvas
características.

Tipos NPN y PNP. Técnicas de fabricación de un transistor bipolar.

Ecuaciones Ebers-Moll. Curvas i-v de configuraciones emisor común,
base común ,colector común. Zonas de un BJT activa, saturación y corte
.Polarización de un BJT .Estabilidad térmica . Conmutación de un BJT.

UNIDAD IV: TRANSISTORES UNIPOLARES

Competencia específica 1: Comprende la importancia del conocimiento

de un transistor unipolar.
Competencia específica 2: Reconocimiento de las zonas de trabajo de un
transistor unipolar.
Contenidos:
CONCEPTUAL PROCEDIMENTAL ACTITUDINAL

Conceptúa las Resuelve ejercicios mediante el Participa

propiedades de un análisis de las propiedades de activamente, con
transistor unipolar. un transistor unipolar. Uso de responsabilidad y
curvas características. respeto.

Tipos de unipolares JFET y MOSFET de canal N y canal P. Fabricación

del Jfet y del mosfet .Curvas de transferencia. Zonas de operación,
saturación, óhmica y de corte .Modelos para pequeña señal .Aplicaciones
de un Jfet y Mosfet.

3
 UNIVERSIDAD NACIONAL FEDERICO VILLARREAL
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA E INFORMÁTICA

UNIDAD V: DISPOSITIVOS DE POTENCIA

Competencia específica 1: Comprende la importancia del conocimiento y

análisis de dispositivos electrónicos de potencia..

Competencia específica 2: Aplica los conceptos anteriores, para

implementar tarjetas y circuitos de potencia.
Contenidos:

CONCEPTUAL PROCEDIMENTAL ACTITUDINAL

Conceptúa las Resuelve ejercicios Participa activamente,

propiedades de los mediante el análisis de los con responsabilidad y
diversos tipos de parámetros de dispositivos respeto.
dispositivos de de potencia.
potencia..

Tiristores, SCR, TRIAC,MOSFET DE POTENCIA,IGBT,

DISPOSITIVOS DE CONTROL COMO PUT,SUS,DIAC,UJT,
SBS,DARLISTOR.

Técnicas de fabricación, curvas características, polarización,

data sheet, funcionamiento y aplicaciones.

UNIDAD VI: CIRCUITOS INTEGRADOS IC

Competencia específica 1: Comprende la importancia del

conocimiento, de circuitos integrados.

Competencia específica 2 : Aplica los conceptos de fabricación de

los IC.
Contenidos:

CONCEPTUAL PROCEDIMENTAL ACTITUDINAL

Conceptúa las Reconocer tecnologías Participa activamente,

propiedades de los de fabricación de IC, con responsabilidad y
circuitos integrados. analógica y digital. respeto.

Características principales de un circuito integrado. Técnicas de

fabricación planar, epitaxial, fotolitográfica. Tecnologías como
TTL,DTL,ECL,RTL,CMOS. Integración de R,L,C, diodos y

4
 UNIVERSIDAD NACIONAL FEDERICO VILLARREAL
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA E INFORMÁTICA

transistores. Uso de películas delgadas. Tecnologia digital con

CMOS y TTL

6. ESTRATEGIAS METODOLÓGICAS

Para el logro de un aprendizaje significativo, dentro del enfoque

Constructivista, se aplicará:

6.1 Método de Cambio Conceptual y Verbal Significativo para la parte

teórica.

6.2 Método de Resolución de Problemas de casos prácticos, aplicados a

grupos de no más de tres alumnos

6.3 Simulación de diversos circuitos eléctricos, aplicando software

especializado (Proteus, Matlab) como parte de un trabajo del curso.

7. EVALUACIÓN

La evaluación es continua y apunta hacia el establecimiento de relaciones

significativas entre los distintos conceptos, así mismo toma en cuenta la
retroalimentación.

PROMEDIO FINAL se obtiene: PF = (PP + EP + EF ) / 3

(PP) promedio de prácticas: (4 prácticas calificadas)/4

(EP) Examen parcial
(EF) Examen final

8. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS.

-MILLMAN -HALKIAS ……………….. ^^ DISPOSITIVOS Y

CIRCUITOS ELECTRONICOS ^^

-GRAY-SEARLE ……………………………^^.PRINCIPIOS DE

ELECTRONICA,FISICA ,MODELOS Y CIRCUITOS

ELECTRONICOS^^

-DATA SHEETS DE LOS FABRICANTES (INTERNET )