E.U.I.T.I.

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID

DPTO. ELECTRÓNICA, AUTOMÁTICA E INFORMÁTICA INDUSTRIAL

PRÁCTICAS

DE

INSTRUMENTACIÓN

PRÁCTICA III

“MEDIDAS CON SENSORES ÓPTICOS”

Instrumentación. Práctica III “Medidas con sensores ópticos”

PRÁCTICA III

“MEDIDAS CON SENSORES ÓPTICOS”

ÍNDICE

1 INTRODUCCIÓN 1

2 OBJETIVOS DE LA PRÁCTICA 1

3 SENSORES ÓPTICOS 1

3.1 SENSORES RESISTIVOS: FOTORRESISTENCIAS 1

3.2 SENSORES GENERADORES: SENSORES FOTOVOLTAICOS 2
3.3 SENSORES BASADOS EN UNIONES SEMICONDUCTORAS: FOTODIODOS Y
FOTOTRANSISTORES 3

4 REALIZACIÓN DE LA PRÁCTICA 3

4.1 INTERFERENCIAS 4
4.2 RESPUESTA DINÁMICA 4
4.3 ERRORES EN CONTINUA 6

1
Instrumentación. Práctica III “Medidas con sensores ópticos”

1 Introducción
Para desarrollar con éxito un sistema de medida es necesario prestar la debida atención a
todos los elementos de la cadena de medida, ya que el sistema en su conjunto es tan
bueno como lo sea el eslabón más débil –el elemento con peores prestaciones–.
De nada sirve un sensor con prestaciones excepcionales si luego el circuito de
acondicionamiento tiene una pobre resolución, derivas o es demasiado ruidoso.
Tampoco hay que descuidar el entorno donde se realizan las medidas, ya que un entorno
ruidoso va a limitar la precisión y la resolución del sistema de medida.
Por ello es necesario elegir, en primer lugar, componentes electrónicos con
características compatibles con la exactitud y fidelidad exigidas en las especificaciones
y, en segundo lugar, compensar en lo posible todas las derivas y errores que presenten.
En cuanto al ruido en el entorno de medida, se puede recurrir al apantallamiento o al
filtrado.
En la presente práctica se van a poner de manifiesto las limitaciones de los componentes
reales (respuesta dinámica, errores en continua, …) y la presencia de interferencias, que
pueden provenir de los lugares más insospechados.

2 Objetivos de la práctica
En esta práctica se van a utilizar los sensores ópticos como vehículo para el estudio de
algunos de los problemas a los que puede ser necesario enfrentarse en un sistema de
medida típico. Los objetivos que se pretenden alcanzar son los siguientes:
1. Equilibrado de un puente de Wheatstone.
2. Identificación de una fuente de interferencias en uno de los montajes propuestos.
3. Medida la respuesta dinámica de dos tipos de transductores ópticos.
4. Eliminación de los errores en continua introducidos por el circuito de
acondicionamiento de uno de los transductores.

3 Sensores ópticos
Los sensores de tipo óptico se usan en numerosas aplicaciones técnicas e industriales,
ya sea de forma independiente para la medida de la intensidad luminosa o como parte de
otros sistemas como encoders, sistemas de comunicación o telemando por IR y barreras
ópticas. Existen varios tipos de sensores, cada uno con sus propias características y
modos de funcionamiento. A continuación se hace una pequeña introducción a cada uno
de ellos.

3.1 Sensores resistivos: fotorresistencias

Las fotorresistencias se basan en la variación de la resistencia eléctrica de un
semiconductor al incidir sobre él una radiación óptica – radiación electromagnética con
una longitud de onda de entre 1 mm (IR) y 10 nm (UV) –.
La conductividad de un material depende del número de electrones presentes en la
banda de conducción, a la que llegan desde la banda de valencia gracias a un aporte
externo de energía. Esta energía puede ser de tipo térmico –de hecho, a una temperatura
dada, siempre existe un cierto número de electrones en la banda de conducción– o
provenir de cualquier otra fuente. En el caso de las fotorresistencias la energía la

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Instrumentación. Práctica III “Medidas con sensores ópticos”

aportan los fotones de la radiación óptica incidente sobre el material (efecto

fotoeléctrico).
Para que este efecto se produzca es necesario que los fotones posean una energía mayor
o igual a la necesaria para el salto y que sean absorbidos por el material, es decir, que
éste no los refleje o sea transparente para ellos. Por ello, las fotorresistencias son
sensibles sólo a una franja relativamente estrecha del espectro óptico y es necesario
elegir el material cuidadosamente para cada aplicación. Por ejemplo, para el espectro
visible el material empleado habitualmente es el CdS.
Los tiempos de respuesta ante un escalón de iluminación pueden variar entre los 2 μs y
los 100 ms.
Las fotorresistencias proporcionan un medio barato y robusto para la medida de
iluminaciones.

3.2 Sensores generadores: sensores fotovoltaicos

El efecto fotoeléctrico descrito en el apartado 3.1 permite la obtención de una tensión
que es función de la intensidad de la radiación incidente cuando se produce en una
unión semiconductora PN.
Al poner en contacto metalúrgico un semiconductor tipo P con uno tipo N, los
portadores mayoritarios de cada material (huecos en el tipo P y e- en el tipo N) se
difunden en el material de tipo contrario, donde son minoritarios, y se recombinan con
los portadores de carga de signo opuesto. Esto tiene como consecuencia la aparición de
una estrecha zona donde apenas existen portadores libres y se acumula carga eléctrica
(positiva en el lado del semiconductor tipo N, que ha perdido electrones, y negativa en
el lado del semiconductor tipo P, que los ha ganado). La extensión de la zona de carga
depende del equilibrio entre la difusión que trata de expandirla y el campo eléctrico
cada vez mayor que genera, que se opone a la expansión.
En condiciones normales, no aparece ninguna tensión entre los terminales de la unión
porque el potencial de la unión se cancela exactamente con el potencial de contacto
entre los terminales metálicos externos y el semiconductor. Sin embargo, si se irradia la
unión con fotones con energía suficiente como para crear nuevos pares hueco-e-, los
nuevos portadores son atraídos en direcciones opuestas por el campo eléctrico de la
unión. La llegada de nuevos electrones a la zona N y de nuevos huecos a la zona P
rompe el equilibrio de tensiones y hace que aparezca una tensión entre los terminales de
la unión. A la generación de un potencial cuando una radiación ioniza una zona donde
hay una barrera de potencial se la denomina efecto fotovoltaico.
Como en el caso de la fotorresistencias, y por las mismas razones, la elección de el/los
material/es que forman la unión determina la parte del espectro a la que es sensible el
sensor.
Estos sensores se pueden hacer trabajar de dos formas: en circuito abierto y en
cortocircuito. En circuito abierto la tensión aumenta con la irradiación hasta llegar a un
valor de saturación, a partir del cual permanece constante. En cortocircuito, se genera
una corriente que es proporcional a la irradiación para un amplio margen de valores de
ésta.
El tiempo de respuesta típico de estos sensores es de unos 100 μs.
Los detectores fotovoltaicos son más rápidos, más lineales y menos ruidosos que las
fotorresistencias pero, como contrapartida, siempre requieren amplificación.

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Instrumentación. Práctica III “Medidas con sensores ópticos”

3.3 Sensores basados en uniones semiconductoras: fotodiodos y

fototransistores
Su fundamento es el mismo que el de los sensores fotovoltaicos del apartado 3.2, pero a
este tipo de sensores, en vez de utilizar su capacidad generadora, se les aplica una
tensión de polarización externa. Esto permite, al contrario que en el caso de los
detectores fotovoltaicos, controlar la anchura de la zona de carga, que además es mayor.
Por otra parte, su diseño está optimizado para aumentar la velocidad de respuesta:
habitualmente se inserta una capa de semiconductor intrínseco (no dopado) entre la zona
P y la N. Esto tiene dos efectos: por una parte la recombinación es menor el
semiconductor intrínseco que en el extrínseco, lo que aumenta la sensibilidad; por otra,
la distancia entre las zonas con carga es mayor, lo que reduce la capacidad de la unión y
hace al dispositivo más rápido.
Normalmente se fabrican en Si o Ge y la respuesta espectral se ajusta por medio de
filtros de color o de la tensión de polarización.
Se les puede hacer funcionar de dos modos: sin polarización (modo fotovoltaico) o con
polarización inversa. En el modo fotovoltaico se puede medir la tensión en vacío o la
corriente de cortocircuito, como en el caso de los sensores fotovoltaicos del apartado
3.2. En este modo, el ruido del dispositivo es mínimo, pero –dado que la capacidad de la
unión es elevada–, la velocidad de respuesta resulta penalizada. Cuando se polariza el
fotodiodo se mide la corriente inversa. En este caso el ruido es mayor, pero la velocidad
de respuesta es muy superior.
Para aumentar la sensibilidad, al fotodiodo se le puede acoplar un transistor,
obteniéndose entonces un fototransistor. En instrumentación, el fototransistor no se
utiliza tanto como el fotodiodo debido a que su respuesta es mucho menos lineal y a que
la elevada capacidad B-E limita su ancho de banda.
El tiempo de respuesta típico de este tipo de dispositivos es del orden de ns.

4 Realización de la práctica
Para la realización de esta práctica es necesario el siguiente material:
• Fuente alimentación de laboratorio.
• Polímetro.
• Generador de funciones.
• Osciloscopio.
• LDR LDR09.
• LED verde.
• LED infrarrojo TSUS4300.
• Fototransistor BW84.
• Amplificador operacional μA741.
• 2 resistencias de 10 kΩ.
• 2 resistencias de 100 kΩ.
• Resistencia de 1,8 kΩ.
• Resistencia de 560 Ω.
• Resistencia ajustable de 10 kΩ.

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Instrumentación. Práctica III “Medidas con sensores ópticos”

4.1 Interferencias
Montar un puente de Wheatstone con una LDR en el lugar de R3.
+5V

R1 R2
4k7 4k7

+ -

R4 R3
10k LDR09

0
Procurando no arrojar sombra sobre la LDR, equilibrar el puente (tensión de salida =
0,00 V) midiendo con un voltímetro y actuando sobre R4.
Conectar la salida del puente al osciloscopio. Medir la amplitud y el periodo de la señal
que aparece en la pantalla.
¿De dónde puede provenir esa señal?
Amplitud Frecuencia Posible origen

4.2 Respuesta dinámica

Sustituir la LDR por el montaje en cajita que contiene un sensor de este tipo y un LED
verde (Ver figura siguiente). Este montaje evita las interferencias de la luz ambiente.
+5V
+12V

V2
R1 R2 R5 R6
4k7 4k7 1k8 560

+ -

D1 0
R4 R3
10k LDR09 LED
VERDE

0 0

Ajustar la tensión de una de las fuentes a 12 V.

4
Instrumentación. Práctica III “Medidas con sensores ópticos”

Desconectar temporalmente la línea que viene desde el generador de funciones y

conectarla a masa (no es suficiente con dejarla al aire).
Equilibrar el puente (tensión de salida = 0,0 V) midiendo con un voltímetro y actuando
sobre R4.
Ajustar el generador para dar un tren de pulsos de 100 Hz con un ciclo de trabajo del
50% y una amplitud de 12 V. Reconectar la línea cortocircuitada a masa a la salida
digital del generador de funciones.
Utilizar el primer canal del osciloscopio para visualizar la señal de salida del puente y el
otro conectarlo a la salida analógica del generador de señales, configurada para generar
una onda senoidal. Activar los dos canales del osciloscopio y sincronizar con el segundo
canal. Este uso del segundo canal permite un mayor control sobre la posición de los
flancos en la pantalla a través del mando de nivel de disparo, de modo que podamos
centrarlos en ella.
Medir el tiempo de subida de la LDR. Para ello, ajustar el origen del primer canal sobre
la marca de 0% del osciloscopio. A continuación, acoplar la señal de la LDR en
continua (si la base de la señal se desplaza del 0% actuar sobre R4 para devolverla a la
posición inicial) y ajustar la ganancia vertical del canal para que la señal llegue a
superar la marca de 100%. Por último, con el mando de ganancia variable, enrasarla con
dicha señal. El tiempo de subida es el tiempo que tarda la señal en el flanco de subida en
pasar de la marca de 10% hasta la marca de 90%.
Medir el tiempo de caída. Para ello, sin modificar la configuración del osciloscopio
medir en el flanco de bajada el tiempo que tarda la señal en pasar de la marca de 90%
hasta la marca de 10%.

Montar el circuito de la figura siguiente. El LED IR y el fototransistor Q1 se encuentran

encapsulados en otra cajita. En este caso no sería estrictamente necesario cubrir con la
cajita el conjunto, puesto el encapsulado del fototransistor lleva incorporado un filtro
que bloquea la luz visible y sólo deja pasar los infrarrojos. No obstante, el montaje
encapsulado facilita el montaje y evita cualquier otra interferencia.
+5V +12V

V2
R7 R5 R6
100k 1k8 560

Vs
D1 0
Q1 LED IR

0 0

Configurar el generador de señales y el osciloscopio igual que para las medidas con la
LDR. Medir los tiempos de subida y de caída. ¿Cuál de los sensores tiene el mayor
ancho de banda?

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Instrumentación. Práctica III “Medidas con sensores ópticos”

LDR Fototransistor
tr tf tr tf

El más rápido:

Una vez terminadas las medidas, devolver a su posición inicial los mandos de ganancia
variable, para que el osciloscopio quede calibrado de nuevo.

4.3 Errores en continua

Añadir al montaje del fototransistor un amplificador operacional para formar un
convertidor corriente-tensión como el que se muestra en la figura.
+12V
+12V
7
U1
V2 R6 R5 3 V+ 5
+ OS2
560 1k8 6
OUT Vs
0 2 1
- V- OS1

0 D1 LM741
Q1 4
LED
IR -12V

R7
-5V 100k
0
Sin excitar el LED, medir con el polímetro la tensión de salida del circuito.
Conectar en serie con la entrada no inversora una resistencia del mismo valor que la de
realimentación y medir nuevamente la tensión de salida.
+12V
7
U1
3 V+ 5
+ OS2
R8 6
OUT Vs
0 100k
2 V- OS1 1
-
LM741
Q1 4

-12V

R7
-5V 100k

¿Ha aumentado o ha disminuido la tensión de salida? ¿Por qué?

Vs sin R8 Vs con R8 Causa variación:

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Instrumentación. Práctica III “Medidas con sensores ópticos”

Conectar los terminales de la resistencia ajustable de 10 kΩ a los terminales de

anulación de la tensión de desequilibrio del A.O. y su cursor a la alimentación negativa.
Actuar sobre ella hasta anular la tensión de salida.
+12V
7 R4
U1
3 V+ 5 10k
+ OS2
R8 6
OUT Vs -12V
0 100k
2 V- OS1 1
-
LM741
Q1 4

-12V

R7
-5V 100k

¿De qué error/errores en continua hemos anulado el efecto?

Errores corregidos:

Excitar el LED a 100 Hz, visualizar y dibujar a escala la señal de salida.

Aumentar la frecuencia de excitación del LED hasta 1 kHz, visualizar y dibujar a escala
de nuevo la señal de salida.
Anotar los cambios más significativos y conjeturar cuál es la causa más probable de los
mismos.