ENGENHARIA DE CONTROLE E AUTOMAÇÃO

Disciplina: ​Eletrônica Básica Experimental Turma: ​ECA

Professor: ​Tiago Dequigiovani Período: ​2019/1

Alunos: ​Gabriel Ferronatto, Ian Ruviaro, Mateus Tognon & Thiago Tavares

POLARIZAÇÃO CC DE TRANSISTORES FET

1. INTRODUÇÃO

A sigla FET vem do inglês ​field effect transistor ​ou transistor de efeito de campo,
assim como os transistores BJT este tipo de transistor serve para amplificar uma certa
corrente. De acordo com BOYLESTAD (pg. 318, 2013), o efeito de campo é estabelecido por
um campo elétrico que controla a condução do circuito sem necessidade de contato direto
entre o sinal de entrada e o sinal de saída.
Diferentemente dos dispositivos BJT que operam de acordo com uma corrente
aplicada, os dispositivos FET utilizam um sinal de tensão para operar. A impedância de
entrada dos dispositivos FET é extremamente elevada, o que faz com que o transistor
dependa apenas da tensão de entrada, pois no mesmo não haverá corrente entre dreno (​drain)
e fonte (​source​).
Os transistores FET são mais estáveis que os transistores BJT, estes também
esquentam menos e normalmente são menores. Porém os ganhos de tensão CA nos
dispositivos FET são geralmente menores que nos transistores BJT.
Existem três tipos básicos de transistores FET, os transistores JFET, os transistores
MOSFET tipo depleção e os MOSFET intensificação.
 1.1. Transistores JFET

Os transistores de efeito de campo de junção (JFET) controlam uma corrente de

acordo com uma tensão aplicada.
Para tal, liga-se o terminal de ​gate em duas partes semicondutoras de tipo p, já os
terminais de ​drain ​e ​source ​são conectados a um material de tipo n que está entre os
semicondutores de tipo p. Ao aplicar uma tensão no terminal de ​gate gera-se uma diferença
de potencial entre ​gate ​e ​source,​ conhecida como tensão ​gate-source (V​gs)​ , está tensão faz
com que a corrente que está passando entre os terminais de ​drain ​e ​source ​varie. A figura 1.0
mostra a representação de um dispositivo JFET.

Figura 1.0- Transistor JFET

Fonte:( [1], pág. 319)

A corrente no terminal de ​gate ​é sempre zero, assim sendo este depende somente da
tensão aplicada, esta tensão é negativa e é possível notar isto observando a curva de entrada
de um JFET. A figura 1.1 mostra um exemplo de curva característica de entrada.
Figura 1.1- curva de tensão de entrada (​gate-​ ​source​) do transistor BF245C
 Fonte:( [2], pág, 5)

É possível observar na figura 1.1 que a curva de tensão V​gs possui um limite inferior
e um limite superior, o limite inferior possui corrente de dreno (Id) igual à zero e uma tensão
V​gs igual a um certo valor que recebe a sigla de Vp. Já no limite inferior, a tensão V​gs ​vale
zero e a corrente de dreno Id é igual a uma certa corrente que recebe a sigla de Idss. Estes
limites determinam o quanto a tensão V​gs pode variar em cada transistor. Ao observar a
figura 1.1 ainda é possível notar que quanto mais próximo de zero for o valor de V​gs maior
será a corrente de dreno.
Aplicando uma tensão V​gs de entrada, é possível obter uma corrente de dreno (Id),
bem como a tensão de ​drain-source ​(V​ds)​ . Estes três parâmetros definem o ponto de
operação do transistor JFET. A figura 1.2 mostra o gráfico de operação do transistor JFET.
Figura 1.2- curvas de operação do transistor BF245C

Fonte:( [2], pág. 6)

Tipicamente o gráfico de operação do transistor JFET fica como o da figura 1.3.
 Figura 1.3- gráfico de operação característico do transistor JFET

Fonte:( [1], pág 324)

1.2 Transistor MOSFET tipo depleção

O termo MOSFET significa transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor,

neste transistor existe uma fina camada de dióxido de silício (SiO2) isto faz com que não haja
conexão elétrica entre o ​gate ​e o canal do transistor. Esta camada também é responsável pela
alta impedância do transistor que é muitas vezes maior que a de um JFET.
O seu funcionamento é parecido com o do JFET a única diferença é que o valor de
tensão de ​gate-source (V​gs​) pode ultrapassar o valor máximo de Id, e assim podendo assumir
valores positivos de tensão. Esta zona excedente é conhecida como região de intensificação.
A figura 1.4 mostra a curva característica do MOSFET tipo depleção.

Figura 1.4- Gráfico de operação do MOSFET tipo depleção

Fonte: ([1], pág. 333)

1.3. Transistor MOSFET tipo intensificação
 Funciona semelhante aos anteriores porém neste tipo de transistor, só há corrente de
dreno quando uma tensão positiva for aplicada em V​gs​. A figura 1.5 mostra o gráfico tipico
de operação para o tipo intensificação.

Figura 1.5- gráfico de operação do MOSFET tipo intensificação

Fonte: ([1], pág. 339)

1.4 Tipos de polarização para transistores FET

Para os três tipos de transistores, podemos adotar os seguintes modelos de

polarização.

1.4.1 Polarização fixa JFET

É o arranjo mais simples e mais comum para ligação do transistor JFET, a

vantagem dessa ligação é que ela utiliza apenas dois resistores, porém a desvantagem
é que precisa de uma fonte auxiliar para alimentar o ​gate​.
 Figura 1.6- Modelo de polarização fixa do transistor JFET.

Fonte: Autores
1.4.2 Configuração autopolarização JFET

Na configuração de autopolarização, temos a vantagem de não utilizar mais a

fonte auxiliar, porém nessa, temos que utilizar mais um resistor no circuito.

Figura 1.7- Modelo de autopolarização do transistor JFET.

Fonte: Autores
1.4.3 Polarização JFET com divisor de tensão
 Essa é a polarização mais estável para ligação do transistor, a desvantagem
dessa ligação e que nela temos necessidade de um maior número de resistores para
montagem do circuito.

Figura 1.8- Modelo de divisor de tensão do transistor JFET.

1.4.4 Polarizações para MOSFET depleção

As polarizações do MOSFET de depleção, serão as mesmas do JFET, sendo

que desta forma, teremos as mesmas vantagens e desvantagens que anteriormente.

1.4.5 Polarização MOSFET intensificação com realimentação

É uma ligação bastante utilizada para ligação dos MOSFET de intensificação

devido a simplicidade da ligação.
 Figura 1.9- Modelo de realimentação do transistor MOSFET Intensificação.

Fonte: Autores
1.4.6 Polarização MOSFET intensificação com divisor de tensão

É também uma ligação bastante utilizada para ligação dos MOSFET de

intensificação devido gerar uma grande estabilidade a variações.

Figura 1.10- Modelo de divisor de tensão do transistor MOSFET Intensificação.

Fonte: Autores
 2. OBJETIVOS

● Verificar características de Transistores FET;

● Analisar circuitos de polarização do transistor JFET/MOSFET;
● Projetar circuitos de polarização.

3. MATERIAIS E MÉTODOS

3.1. Materiais

● Resistores;
● Transistores JFET - BF245C;
● MOSFET tipo intensificação - IRF840;
● Fonte de tensão contínua ajustável;
● Matriz de contatos;
● Multímetro;

3.2. Métodos

3.2.1. EXPERIMENTO

Primeiramente foi montado o circuito de polarização fixa para o transistor JFET, após
algumas dificuldades com erro de versões de ​datasheet foi possível montar o circuito e variar
a tensão de dreno para obter as grandezas requisitadas pelo roteiro.
Para o circuito de autopolarização foi necessário projetar o circuito, após dimensionar
os resistores para atender as necessidades do circuito, o mesmo foi montado em ​protoboard e
os dados pertinentes foram anotados.
Por último foi montado o circuito para polarização do MOSFET tipo intensificação, e
variando a tensão de ​gate f​ oi possível mensurar os valores pertinentes ao experimento.
 3.2.2. CÁLCULO

Para a execução dos cálculos, as equações utilizadas podem ser divididas em geral e
por tipo de polarização ao qual o transistor fora submetido, sendo cada uma dessas divididas
para cada tipo de transistor utilizado a seguir.

3.2.2.1. Transistor JFET

Como os transistores da família FET são manipulados por tensão, a primeira equação
mostra a relação pertinente entre a corrente do dreno e a tensão presente entre o ganho e a
fonte (​source)​ :

I D = I DSS · 1 −( V GS
VP )² (3.0)

onde:
I D - corrente de dreno;
I D - corrente máxima de dreno;
SS

V GS - tensão ganho-​source;​
V P - tensão de constrição.

Por fim, a última equação relacionada a esse tipo de transistor discorre sobre a tensão
de saturação proveniente entre o dreno e o ​source.

V DS SAT = V GS − V P (3.1)

V DS SAT - Tensão Dreno-​Source d​ e saturação

V GS - Tensão Ganho-​Source
V P - tensão de constrição.
 Quanto aos projetos realizados com o JFET, o primeiro passo executado é a
determinação do ponto quiescente, onde esse é determinado com os dados de corrente
máxima de dreno e tensão de constrição ambos divididos por dois.

ID
ID Q = 2
SS
(3.2)
VP
VPQ = 2
(3.3)

3.2.2.2. Transistor MOSFET tipo Intensificação

Como informado na seção anterior, os transistores da família FET são manipulados

por tensão, entretanto, a diferença entre os MOSFET de intensificação e o JFET anterior é a
existência de uma parâmetro K intrínseco a cada transistor MOSFET que influencia na
manipulação do equipamento sob as variáveis que agem no circuito. Sendo assim, a equação
a seguir descreve esse parâmetro:

I D(on)
K= (V GS(on) −V T )²
(3.4)

onde:
K - parâmetro do transistor;
I D (on) - corrente máxima de Dreno;

V GS (on) - tensão mínima entre ganho-​source​ para o funcionamento do transistor;

V T - tensão de constrição.

Ainda, a determinação da tensão de saturação proveniente entre dreno-​source se dá

por uma fórmula similar à (3.1) para o JFET, mas com os parâmetros do MOSFET de
Intensificação, sendo assim:

V DS SAT = V GS − V T (3.5)

V DS SAT - Tensão Dreno-​Source d​ e saturação

 V GS - Tensão Ganho-​Source
V T - tensão de constrição.

Por fim, a última equação que auxilia na manipulação deste tipo de transistor denota a
relação da corrente de dreno e às tensão entre dreno-​source​ e a tensão de constrição.

I D = K · (V GS − V T )² (3.6)

4. RESULTADOS E DISCUSSÕES

4.1. Cálculo

4.1.1. VERIFICAÇÃO DOS PARÂMETROS DO JFET

4.1.1.1. Corrente máxima do dreno

Para a determinação deste parâmetro, a topologia de polarização fixa fora aplicada ao

transistor JFET, aplicando uma tensão nula entre os terminais de ganho e ​source​:

V GS = 0V (4.0)

Ainda, a tensão dreno-​source e da fonte, no instante de saturação da corrente máxima

proveniente do dreno foram, respectivamente:

V DS = 4V (4.1)
V CC = 5.72V (4.2)

Com os valores apresentados em (4.0), (4.1) e (4.2) junto da montagem apresentada

na figura 1.6, um somatório de tensão na malha D-S é efetivado:

V cc − RD · I D SAT − V DS = 0 (4.3)
 5.72 − 100 · I D − 4 = 0 (4.4)
I D = 17.2 mA (4.5)

Ainda, como viés de confirmação, com auxílio da equação 3.0, a corrente de saturação
pode ser calculada:

0
I D = I D · (1 − 5.87 )² (4.6)
SS

ID = ID · 1 (4.7)
SS

I D = 17.2 mA (4.8)
SS

4.1.1.2. Tensão de constrição

Mantendo a polarização utilizada anteriormente com os mesmo valores dos

componentes e mantendo a tensão dreno-​source fixa em 15V. Analisando o gráfico
proveniente do transistor JFET da figura 1.3, nota-se que quando a tensão entre dreno-​source
equivale à tensão de contrição, a corrente que percorre o dreno torna-se nula enquanto a
tensão de constrição adquire o valor da tensão pertencente ao ganho-dreno.
Sendo assim, a tensão V GS foi manipulada até que a corrente de dreno se torna-se
zero. Tal evento se deu quando a tensão atingiu o seguinte valor:

V GS =− 5.87V (4.9)

Sendo assim, a tensão de constrição V p será mensurada como:

V P =− 5.87V (4.10)

4.1.1.3. Projeto do JFET na configuração de Autopolarização

Nessa seção, com os resultados obtidos em (4.1), (4.8) e (4.10) junto da aplicação de
uma fonte de 20V, tem-se as condições básicas para o projeto do JFET:
 V DS SAT = 4V (4.11)

I D SS = 17.2 mA (4.12)

V p =− 5.87V (4.13)
V CC = 20V (4.14)

Com esses valores, as equações (3.2) e (3.3) e o datasheet do transistor JFET, o ponto
quiescente pode ser estimado. Primeiramente, com os dados do transistor, pode-se determinar
a máxima tensão de dreno-​source​ como:

V DS = 30 V (4.15)
M AX

Agora, aplicando a equação (3.2), a corrente de dreno quiescente é determinada:

17,2
I D = 2
(4.16)
I D = 8.6 mA (4.17)

Em sequência, através da equação (3.3), a tensão dreno-​source quiescente é

mensurada:

30
V DS = 2
(4.18)
V DS = 15 V (4.19)

Antes de inserir o transistor JFET em algum tipo de polarização, a tensão

ganho-​source​ é calculada junto da equação (3.0)

8.6 = 17.2 · 1 − ( V GS
−5,87 )² (4.20)

V GS =− 1.743 V (4.21)

Sendo assim, efetuando uma análise entre as malhas do dreno e do ​source,​ a primeira
relação entre as resistências é determinada:
 20 = RD · 8.6 + 15 + RS · 8.6 (4.22)
RD + RS = 578.0341 (4.23)

Assumindo a corrente do ganho como sendo nula, a tensão entre ganho-​source é

totalmente aplicada sob o resistor presente no ​source do circuito, sendo assim, através da lei
de Ohm, a resistência do ​source​ pode ser mensurada:

1.743
RS = 17.2 m
(4.24)
RS = 201.5 Ω (4.25)

Portanto, retomando a equação (4.23), a resistência de dreno pode ser calculada:

RD + 201.5 = 578.0341 (4.26)

RD = 376.53 Ω (4.27)

Entretanto, como devem ser assumidos resistores comerciais para a aplicação, os

valores das resistências pertinentes ao circuito que mais se assemelham às calculadas são:

RS = 200 Ω (4.28)
RD = 360 Ω (4.29)

Por fim, para garantir uma corrente ínfima no ganho a ponto desta poder ser
considerada nula, o resistor pertinente a essa seção do circuito deve ser alto, sendo assumido
com o seguinte valor:

RG = 1 M Ω (4.30)
 4.1.2. VERIFICAÇÃO DOS PARÂMETROS DO MOSFET TIPO
INTENSIFICAÇÃO

4.1.2.1. Verificação do Parâmetro V T

Similar ao método utilizado no JFET, mas com o transistor MOSFET de

intensificação submetido a uma polarização de realimentação. Uma análise do gráfico
proveniente deste MOSFET apresentado na figura 1.5, nota-se que quando a tensão entre
dreno-​source equivale à tensão V T , a corrente que percorre o dreno torna-se nula enquanto a
tensão de constrição adquire o valor da tensão pertencente ao ganho-dreno.
Sendo assim, diferente da manipulação anterior do JFET, a tensão V GS foi
manipulada até que a corrente de dreno deixa-se de ser inexpressiva. Tal evento se deu
quando a tensão atingiu o seguinte valor:

V GS = 2V (4.31)

Sendo assim, a tensão V T será mensurada como:

V T = 2V (4.32)

4.1.2.2. Projeto do MOSFET tipo intensificação na configuração de

divisor de tensão

Para o projeto do deste transistor FET, o ponto quiescente não foi requisitado, mas
sim as condições iniciais para a manipulação dos cálculos, sendo essas:

I D = 0.5 A (4.33)
V cc
V DS = 2
(4.34)

Aplicando uma fonte com o seguinte valor:

 V cc = 30 V (4.35)

Através da equação (4.34) a tensão entre dreno-​source​ pode ser mensurada:

30
V DS = 2
(4.36)
V DS = 15 V (4.37)

Através de uma análise do ​datasheet ​do transistor IRF840 a tensão de ligação

proveniente a este transistor ( V GS(on) ) além da corrente de dreno de ligação é determinada:

V GS(on) = 4.12132V (4.38)

I D(on) = 1.5A (4.39)

Continuando o raciocínio, com auxílio da equação (3.4) o parâmetro K para o

transistor estudado é determinado:

1.5
K= 4.5
(4.40)
K = 0.333 (4.41)

Determinado o ganho K, com auxílio da equação (3.6) a tensão entre ganho-​source

pode ser determinada:

0.5 = 0.333 · (V GS − 3)² (4.42)

V GS = 4.222 V (4.43)

Seguindo a figura 1.10, analisando a malha dreno-​source e utilizando os valores de

(4.33), (4.35) e (4.36), considerando-se a corrente do ganho como nula:

30 − 0.5 · RD − 15 − 0.5 · RS = 0 (4.44)

0.5 · RD + 0.5 · RS = 15 (4.45)
 Assumindo o seguinte valor para a resistência de Dreno, de forma a não causar uma
resistência negativa no ​Source​, as resistências são mensuradas em:

RD = 10Ω (4.46)
RS = 20Ω (4.47)

Como a corrente de dreno fora considerada zero, a resistência R2 deve ser

extremamente alta em comparação com as outras para a garantia do primeiro parâmetro:

R 2 = 1M Ω (4.48)

Agora, para determinar a tensão no ganho, a seguinte equação pode ser deduzida com
o somatório de tensão da figura 4.10:

V G = V GS + RS · I D (4.49)
V G = 4.222 + 20 · 0.5 (4.50)
V G = 14.222 (4.51)

Sendo assim, a corrente que percorre as resistências da esquerda pode ser

determinada:

14.222
Ie = 1M
(4.52)
I e = 14.222 μA (4.53)

Determinada a corrente que percorre a malha esquerda, a resistência R1 pode ser

determinada:

V cc = R1 · I e + V G (4.54)
30 = R1 · 14.222 μ + 14.222 (4.55)
R1 = 1, 12 M Ω (4.56)
 Entretanto, o valor determinado para R1 não é comercial, sendo assim, para a
efetivação da medição o seguinte resistor foi adotado:

R 1 = 1, 1 M Ω (4.57)

4.2. Resultados experimentais.

4.2.1 VERIFICAÇÃO DOS PARÂMETROS DO JFET

Nas tabelas abaixo encontram-se os os resultados obtidos no ensaio para determinar

os parâmetros de corrente de dreno da saturação, tensão dreno-source de saturação e a tensão
Vp.
Para encontrar a corrente de dreno da saturação e a tensão dreno-source de saturação
foi utilizada a configuração de polarização fixa, aplicando 0V no terminal de ​gate ​e variando
a tensão dreno-source, foi possível encontrar o seguintes valores.
Tabela 4.1: Determinação do parâmetro I​DSS ​e​ ​V​DSSat​.

V​DS​(V) I​D​(mA)

2 12.7

3 15.75

4 17.25

5 17.81

6 18.09

7 18.22

8 18.25

10 18.12

12 18.00

14 17.72

16 17.37
Fonte: Autores.
 Para obter a tensão Vp foi variada a tensão gate-source, até o momento em que a
corrente I​D​ chegasse a 0A. O resultado encontrado foi de 5.87V

Tabela 4.2: Determinação do parâmetro Vp.

V​GS​(V) I​D​(mA)

0 18.00

-1 13.13

-2 9.27

-3 5.94

-4 2.97

-5 0.72

-6 0

-7 0

-8 0

-9 0

-10 0
Fonte: Autores.

4.2.2 PROJETO DO JFET NA CONFIGURAÇÃO DE

AUTOPOLARIZAÇÃO.

Para este circuito foi utilizada a configuração de autopolarização, a fim de determinar

a viabilidade dos valores projetados para os componentes do circuito, para que o transistor
opere na região de amplificação.
Tabela 4.3: Características do circuito de autopolarização projetado.

V​GS​ = 1.86V I​D​ = 10.09mA V​DS​ = 14.65V

Fonte: Autores.
 4.2.2 PROJETO DO MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO NO
CONFIGURAÇÃO DE DIVISOR DE TENSÃO.

Para este circuito foi utilizada a configuração de divisor de tensão, com o transistor
MOSFET tipo intensificação, a fim de determinar a viabilidade dos valores projetados para os
componentes do circuito, para que o transistor opere no ponto quiescente citado acima.
Tabela 4.4: Características do circuito divisor de tensão projetado.

V​GS V​G V​S I​D V​D R​1 R​2

4.06V 13.49V 10.01V 0.513A 14.43V 1.094MΩ 0.935MΩ
Fonte: Autores.

5. CONCLUSÃO

Na primeira etapa de experimento foram verificados os parâmetros I​DSS​, Vp e V​DSat do

transistor BF245C. Para isto foi utilizada a configuração de polarização fixa. Se comparados
os valores obtidos teoricamente e empiricamente, nota-se que eles se aproximam muito, tendo
uma leve variação, que pode ser derivada de leves variações nos componentes físicos do
circuito, pois raramente os valores nominais são exatamente iguais aos reais.
Para o circuito projetado para o JFET, observa-se também uma compatibilidade dos
resultados encontrados. Novamente com uma leve discrepância.
No MOSFET tipo intensificação o parâmetro verificado, V​T​, também apresenta uma
proximidade entre o calculado e o medido. Para o circuito projetado os valores de I​D e V​DS​,
além de outros parâmetros, se aproximam muito dos resultados teóricos.
REFERÊNCIAS

[1] BOYLESTAD, Robert. ​Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos.​ 11ª ed.

2013

[2] NXP. ​BF245A; BF245B; BF245C N-channel silicon field-effect transistors. ​1995.

BOYLESTAD, Robert L. ​Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos.​ 11. ed. São Paulo:
Pearson Education do Brasil, 2013.

NXP. ​BF245A; BF245B; BF245C N-channel silicon field-effect transistors. ​1995.

FAIRCHILD. ​IRF840. ​2002