Drivers 001

Capítulo I.
Dispositivos de Eletrônica de Potência
Disciplina: ELETRÔNICA INDUSTRIAL – TH0125

Prof. Dr. René P. Torrico Bascopé
Capítulo I. Dispositivos de Eletrônica de Potência
DIODOS DE POTÊNCIA
Símbolo e curva característica.
Tipos de encapsulamentos.
DIODOS DE POTÊNCIA
Perdas de condução e comutação:
 Comutação - Bloqueio
Fenômeno de Recuperação Reversa:

tRR: tempo de recuperação reversa;
QRR: carga armazenada na recuperação reversa;
IRR: corrente de recuperação reversa.
0 - t0: o diodo está diretamente polarizado;

t0 - t3: comutação;
t3 -: o diodo está bloqueado.
DIODOS DE POTÊNCIA
 Comutação – Entrada em Condução
Esta comutação é extremamente rápida e se aproxima

do caso ideal.
0 - t0: o diodo está reversamente polarizado;

t0 - t2: comutação;
t2 - : o diodo está diretamente polarizado.
DIODOS DE POTÊNCIA
– Perdas em condução (Pcond)
Pcond  VTO  I Dmed  rT  I Def 2

– Perdas na comutação (Pcom)
Pcom  Pec  Pbloq
• Entrada em condução (Pec) Pec  0
• Bloqueio (Pbloq) Pbloq  VR  QRR  f

DIODOS DE POTÊNCIA
Tipos de diodos:
diodos lentos (standard recovery);

diodos rápidos (fast recovery);
diodos ultrarápidos (ultrafast recovery);
diodos Schottky.
DIODOS DE POTÊNCIA
80 kHz 200 kHz
80 kHz
TIRISTOR SCR E TRIAC

Símbolo Circ. Equivalente Estrutura Física
Os SCRs apresentam as seguintes

características:
* São dispositivos unidirecionais em corrente
e bidirecionais em tensão dentro de certos
limites de tensão;
* Operam em baixa frequência (< 1kHz);
* São controlados por corrente (Igt)
* São usados em: acionamento de motores,
aparelhos domésticos, chaves estáticas,
transmissão de corrente contínua, etc.
Fig. Curva característica IxV do tiristor.

(a) Entrada em condução (b) Bloqueio

TIRISTOR SCR E TRIAC Os TRIACs apresentam as seguintes

características:
* São bidirecionais em corrente e tensão;
* Operam em baixa frequência (<1kHz);
* São controlados por corrente.
(a) Símbolo; (b) Estrutura física Característica corrente - tensão

TIRISTOR SCR E TRIAC Controle de fase:

* Usando este método os ângulos de
disparo variam de 0 graus a 180 graus no
semi-ciclo positivo, e de 180 graus a 360
graus no semi-ciclo negativo.
* Este método proporciona elevado

conteúdo harmônico na corrente.
Comutação no cruzamento por zero:
* Neste método o ligamento do

TRIAC sempre é feito no
cruzamento por zero da tensão
alternada de entrada.
* A injeção de harmônicas de
corrente de entrada é reduzida.

* A entrada em condução do SCR
depende do valor de corrente aplicada
no terminal de porta, tal como mostra a
figura.
* Para ter sucesso na entrada em

condução deve ser aplicada a corrente
recomendada pelo fabricante do SCR ou
TRIAC. Esta corrente, normalmente, é
simbolizada no catálogo por IGT.
* A corrente de disparo depende da

temperatura do SCR (ver catálogo).
•A corrente de disparo pode ser um trem

Variação típica da corrente de porta
de pulsos com duração de 5 a 10s. mínima requerida para acionar.

Controle do SCR:
MOC3020
Usando um SCR podem ser usadas as técnicas de

controle de fase, como mostra a figura ao lado, ou o
controle de cruzamento por zero da tensão de entrada. A
escolha a técnica depende do tipo de aplicação.
Por exemplo, controle de fase usado em estabilizadores
de tensão e cruzamento por zero em chuveiro elétrico.
TIRISTOR SCR E TRIAC * Na atualidade já existem opto-drivers

dedicados que são capazes de detectar o
cruzamento por zero da tensão para a
entrada em condução, um deles é o driver
MOC3063.
Triac acionado no cruzamento por zero.

TIRISTOR SCR E TRIAC Ver mais detalhes no catálogo.

TIRISTOR SCR E TRIAC Dados Importantes de um SCR
70TPS12PbF Super TO-247

TIRISTOR SCR E TRIAC Drivers Dedicados para SCRs e TRIACs

Driver p/ controle de fase. Driver p/ cruzamento por zero.

Diagrama interno do TCA 785

Drivers Dedicados para SCRs e TRIACs





Exemplo: Retificador semi-controlado

Lf
Catodo Catodo
Driver Driver
Gate Gate
Disjuntor T1 T2
Anodo Anodo
a Fusivel
Cf
D1 D2
O circuito é usado para regular a tensão sobre o capacitor Cf. Normalmente, ele é usado como pré-regulador de um
conversor CC-CC isolado.
Drivers Dedicados para SCRs e TRIACs VCC=15V
TIRISTOR SCR E TRIAC VCC=15V

C8
10u/25V R9 D15
10/1W
D1N4750 R11
?
C9 R12
C2 C12 R10 D8 10n
100n C10 2.2k D1N4148 10k
10u/25V R18 R1 100n
1 16 4.7k 4.7k 555B 8
U1 C6
D3 2 VCC Q2
2 15 4 TRIGGER 3 680p BC337A
5 RESET OUTPUT
CONTROL R8
D1N4148 R19 6
D5 D6 10k 7 THRESHOLD R3
3 14 DISCHARGE ?
D1N4148 D1N4148 R6 GND 10k
D1
D4 D1N4148
10k D1N4148 1
4 13 D2 R2
D1N4148 6.8k
220V ac TCA 785 C4 C3
R1 2.2u 150p VCC=15V
a 5 12
C2 C1 C8
33k 1n 10n 10u/25V R9
9V ac R2 R17 10/1W D16
6 11 R5 D1N4750 R11
10k
60Hz 2.2k 100k
?
b Transformador de D8
7 10 R10 C9 R12
sincronismo C20 C11 2.2k D1N4148 10n 10k
C5 100n R1 100n
Q1 4.7k 555B 8
8 9 U1 C6
1n 0
R7 2 VCC Q2
Terminal para BC546A TRIGGER 3 680p
R3 4
RESET OUTPUT BC337A
Proteção 5 R8
56k 22k C1 6 CONTROL
R20 THRESHOLD
47n 7 R3 ?
10k DISCHARGE
GND 10k
R4 D1
D1N4148
100k 1
D2 R2
D1N4148 6.8k
C2 C1
1n 10n
O pulso de baixa frequência gerado pelo TCA 785 é transformado em alta frequência usando o oscilador 555 operando como astável.
O driver necessita somente uma fonte auxiliar (Vcc).

VCC=15V
VCC1=5V
C18 C19
10u/25V 100n
C2 C12
100n 10u/25V R18 C17
100p 8
1 16 4.7k 1
D3 R15 R16
2 15 2 7
D1N4148 1k HCPL 3120 ?
D6 T1
D5
3 14 3 6 C9 R12
D1N4148 D1N4148 R6 10n 10k
D4
10k D1N4148
4 13 4 5
TCA 785
C4 C3
a R1 2.2u 150p
5 12
33k VCC1=5V
220V ca R17
R2 6 11
60Hz R5 C18
10k C19
2.2k 100k 10u/25V 100n
b C17
7 10 100p
C20 1 8
C5 100n
Q1 9
8 R15 R16
1n 2 7
sinal de proteção R7 HCPL 3120 ?
BC546A R3 1k T2
22k C1 3 6
56k C9 R12
47n 10n 1k
R4 4 5
100k
Os pulsos de fase de baixa frequência gerados pelo TCA 785 são isolados usando opto-drivers. O circuito proposto necessita
duas fontes auxiliares isoladas (Vcc e Vcc1), uma com referência do controle e outras com referência dos catodos dos SCRs.
SEMICONDUTORES CONTROLADOS
SEMICONDUTORES CONTROLADOS
MOSFETs DE POTÊNCIA * Depleção (pouco usado em eletrônica de potência)

Tipos de MOSFETs: * Enriquecimento (bastante usado em eletrônica de potência)
Símbolo
(a) Estrutura física do MOSFET tipo enriquecimento canal n. Caract. Transferência

MOSFETs DE POTÊNCIA
Característica Corrente-Tensão
Região Ohmica
O MOSFET de potência opera como chave na

região linear ou ôhmica. Assim, a queda de
tensão entre os terminais dreno-fonte em estado
de condução é reduzida, e como consequência as
perdas de condução são pequenas.
Para polarizar adequadamente um MOSFET de

potência, a tensão porta-fonte deve apresentar
um valor entre 12V e 15V. Na prática
normalmente é adotada a tensão de 15V . Desta
maneira, garante-se que o transistor vai operar na
região linear ou ôhmica.
Detalhe de Comutação do MOSFET
Entrada em condução
Bloqueio
Curvas Relevantes do MOSFET
IGBTs DE POTÊNCIA
Tipos de IGBTS (Insulated Gate Bipolar Transistor)
* Tipo NPT (Non-Punch-Through) Bom p/ paralelismo
* Tipo PT (Punch-Through) Ruim p/ paralelismo
(b) Símbolo
(a) Estrutura física do IGBT (c) Circuito equivalente

IGBTs DE POTÊNCIA
Detalhe de Comutação do IGBT
(a) Comutação na entrada em condução (b) Comutação no bloqueio

IGBTs DE POTÊNCIA
Característica Dinâmica do IGBT
IGBTs DE POTÊNCIA
Corrente de Cauda para Diferentes Valores de Temperatura
IGBTs DE POTÊNCIA
TO-247
IGBTs DE POTÊNCIA
DRIVERs PARA MOSFETs E IGBTs A ) DRIVERS NÃO ISOLADOS
MC34152


a
DRIVERs PARA MOSFETs E IGBTs B) DRIVERS ISOLADOS COM OPTOACOPLADOR



DRIVERs PARA MOSFETs E IGBTs B) DRIVERS ISOLADOS MAGNETICAMENTE

SENSORES DE CORRENTE
Resistivos
Hall
TRANSFORMADORES DE ALTA FREQUÊNCIA
Transformadores de Alta Frequência

Núcleos de Ferrite
INDUTORES DE ALTA FREQUÊNCIA

CAPACITORES DE POTÊNCIA
Capacitores de Filme
Capacitores de Eletrolíticos

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Disciplina: ELETRÔNICA INDUSTRIAL – TH0125

Símbolo e curva característica.

Fenômeno de Recuperação Reversa:

0 - t0: o diodo está diretamente polarizado;

 Comutação – Entrada em Condução

Esta comutação é extremamente rápida e se aproxima

0 - t0: o diodo está reversamente polarizado;

Pcond  VTO  I Dmed  rT  I Def 2

Pcom  Pec  Pbloq

• Bloqueio (Pbloq) Pbloq  VR  QRR  f

diodos lentos (standard recovery);

80 kHz 200 kHz

TIRISTOR SCR E TRIAC

TIRISTOR SCR E TRIAC

Os SCRs apresentam as seguintes

Fig. Curva característica IxV do tiristor.

TIRISTOR SCR E TRIAC

(a) Entrada em condução (b) Bloqueio

TIRISTOR SCR E TRIAC Os TRIACs apresentam as seguintes

(a) Símbolo; (b) Estrutura física Característica corrente - tensão

TIRISTOR SCR E TRIAC Controle de fase:

* Este método proporciona elevado

Comutação no cruzamento por zero:

* Neste método o ligamento do

TIRISTOR SCR E TRIAC

* Para ter sucesso na entrada em

* A corrente de disparo depende da

•A corrente de disparo pode ser um trem

TIRISTOR SCR E TRIAC

Usando um SCR podem ser usadas as técnicas de

TIRISTOR SCR E TRIAC * Na atualidade já existem opto-drivers

Triac acionado no cruzamento por zero.

TIRISTOR SCR E TRIAC Ver mais detalhes no catálogo.

TIRISTOR SCR E TRIAC Dados Importantes de um SCR

70TPS12PbF Super TO-247

TIRISTOR SCR E TRIAC Drivers Dedicados para SCRs e TRIACs

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Diagrama interno do TCA 785

Drivers Dedicados para SCRs e TRIACs

TIRISTOR SCR E TRIAC Drivers Dedicados para SCRs e TRIACs

TIRISTOR SCR E TRIAC Drivers Dedicados para SCRs e TRIACs

TIRISTOR SCR E TRIAC Drivers Dedicados para SCRs e TRIACs

TIRISTOR SCR E TRIAC Drivers Dedicados para SCRs e TRIACs

TIRISTOR SCR E TRIAC Drivers Dedicados para SCRs e TRIACs

Exemplo: Retificador semi-controlado

Drivers Dedicados para SCRs e TRIACs VCC=15V

TIRISTOR SCR E TRIAC VCC=15V

TIRISTOR SCR E TRIAC Drivers Dedicados para SCRs e TRIACs

MOSFETs DE POTÊNCIA * Depleção (pouco usado em eletrônica de potência)

(a) Estrutura física do MOSFET tipo enriquecimento canal n. Caract. Transferência

O MOSFET de potência opera como chave na

Para polarizar adequadamente um MOSFET de

* Tipo NPT (Non-Punch-Through) Bom p/ paralelismo

* Tipo PT (Punch-Through) Ruim p/ paralelismo

(a) Estrutura física do IGBT (c) Circuito equivalente

(a) Comutação na entrada em condução (b) Comutação no bloqueio

DRIVERs PARA MOSFETs E IGBTs A ) DRIVERS NÃO ISOLADOS

DRIVERs PARA MOSFETs E IGBTs A ) DRIVERS NÃO ISOLADOS

DRIVERs PARA MOSFETs E IGBTs A ) DRIVERS NÃO ISOLADOS

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