Transistor de efeito

de campo
jean
 Transistor de Efeito de Campo

MOSFET de potência.
Nome do Transistor de Efeito de
componente Campo
Informações históricas
Inventado por Julius Edgar Lilienfeld
John Atalla
Uso
Símbolo
 JFET's tipos N-P.

MOSFET's tipos N-P.

Portal da Eletrônica

FET é o acrônimo em inglês de Field

Effect Transistor, Transistor de Efeito de
Campo, que, como o próprio nome diz,
funciona através do efeito de um campo
elétrico na junção. Este tipo de transistor
tem muitas aplicações na área de
amplificadores (operando na área linear),
em chaves (operando fora da área linear)
ou em controle de corrente sobre uma
carga. Os FETs têm como principal
característica uma elevada impedância
de entrada o que permite seu uso como
adaptador de impedâncias podendo
substituir transformadores em
determinadas situações,além disso são
usados para amplificar frequências altas
com ganho superior ao dos transistores
bipolares.

Composição
Corte em seção de um MOSFET tipo-n

Os FETs podem ser compostos por

germânio ou silício combinados à
pequenas quantidades de fósforo e boro,
que são substâncias "dopantes" (isto é,
que alteram as características elétricas).
Os transistores de silício são os mais
utilizados atualmente, sendo que
transistores de germânio são usados
somente para o controle de grandes
potências.

Polarização
Um FET para uso geral apresenta três
terminais: porta (gate), fonte (source) e
dreno (drain), que permitem seis formas
de polarização, sendo três as mais
usadas: fonte comum (fonte ligado à
entrada e saída simultaneamente), porta
comum (porta ligada à entrada e saida
simultaneamente) e dreno comum
(dreno ligado à entrada e saida
simultaneamente).

Categorias
FET de alta-potência canal-N

O FET pode ser dividido em duas

categorias: JFETS e MOSFETS. Por sua
vez, os MOSFETS se dividem em duas
categorias:

MOSFET tipo Intensificação;

MOSFET tipo Depleção.

Os termos depleção e intensificação

definem o seu modo básico de operação,
enquanto o nome MOSFET designa o
transistor Metal Óxido Semicondutor.
História
Os FETs foram inventados por Julius
Edgar Lilienfeld em 1926 e por Oskar Heil
em 1934.
Em 1960 John Atalla desenvolveu o
MOSFET baseado nas teorias de William
Shockley sobre o efeito de campo.[1]

Ligações externas
FET transistor datasheets
O IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistor)

Referências
 1. Patentes

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