D VDS constante

+ ID
G+
VDS
–
VGS
– S
𝐼% VGS baixo
S D

𝑉"#
𝐼% ≈ 0
 D VDS constante
+ ID
G+
VDS
–
VGS
– S
𝐼% VGS ≤ Vt
S D

𝑉"#
𝐼% ≈ 0
Vt
 D
+ ID
G +
VDS
–
VGS
– S VGS > Vt
𝐼% VDS baixo
S D
𝑉"#

↑ VGS 𝐼% ≈ µ) 𝐶+,
𝑊
𝐿
𝑉"# − 𝑉0 𝑉%#
𝑉%#
 D
+ ID
G +
VDS
–
VGS
– S VGS > Vt
𝐼%
VDS alto
gm∙vGS
S D
↑ VGS
1 𝑊
𝐼% ≈ µ) 𝐶+, 𝑉 − 𝑉0 ²
𝑉%# 2 𝐿 "#
 D
+ ID
G +
VDS
–
VGS
– S VGS > Vt
𝐼%
VDS alto
gm∙vGS
S D

↑ VGS 𝑉"#

1 𝑊
𝐼% = µ) 𝐶+, 𝑉 − 𝑉0 ² 1 + λ𝑉%#
𝑉%# 2 𝐿 "#
 D VGS constante
+ ID
G +
VDS
–
VGS
– S

𝐼%
Saturação
do
Trio

𝑉%#
 D VGS constante
+ ID
G +
VDS
–
VGS
– S
VGS > Vt
𝐼%
Saturação VDS ≤ VGS - Vt
do
Trio

𝑊 1 ;
𝐼% = µ) 𝐶+, 𝑉"# − 𝑉0 𝑉%# − 𝑉%#
𝐿 2

𝑉"# − 𝑉𝑡 𝑉%#
 D
+ ID
G+
VDS

VGS
– VGS > Vt
S
–
VDS ≤ VGS - Vt
𝑊 1 ;
𝐼% = µ) 𝐶+, 𝑉"# − 𝑉0 𝑉%# − 𝑉%#
𝐿 2

VGS ≤ Vt VGS > Vt

𝐼% ≈ 0 VDS > VGS - Vt
1 𝑊
𝐼% = µ) 𝐶+, 𝑉"# − 𝑉0 ² 1 + λ𝑉%#
2 𝐿
 +
S
VSG + ID
– VSD
G
–

D
𝐼% 𝐼%
Saturação

do
Trio

|𝑉"# | − |𝑉𝑡|
Corte 𝑉#" 𝑉#%
−Vt
 +
S
VSG + ID
– VSD
G
– VSG > |Vt |
D
VSD ≤ VSG - |Vt |
𝑊 1 ;
𝐼% = µ= 𝐶+, |𝑉"# | − |𝑉0 | |𝑉%# | − 𝑉%#
𝐿 2

VSG ≤ |Vt | VSG > |Vt |

𝐼% ≈ 0 VSD > VSG - |Vt |
1 𝑊
𝐼% = µ= 𝐶+, |𝑉"# | − |𝑉0 | ² 1 + λ|𝑉%# |
2 𝐿
 𝑖%
1 𝑊
𝐼% = µ𝐶+, |𝑉"# | − |𝑉0 | ² 1 + λ|𝑉%# |
2 𝐿
𝐼%

𝑖%
𝑡
𝐼%

𝑡 𝑖%
𝑡
𝐼%

|𝑉%# |

G D
+ gm∙vgs
vgs
–
S
𝐼%

|𝑉%# |

G D
+ gm∙vgs ro
vgs
–
S
 G D
+ gm∙vgs ro
vgs
–
S

2𝐼% 𝑊 1
𝑔@ = = 2µ𝐶+, 𝐼% 𝑟+ =
|𝑉"# | − |𝑉0 | 𝐿 λ B 𝐼%
 Cgd
G D
+ gm∙vgs ro
vgs
Cgs Cds
–
S
G D
+ gm∙vgs

gmB∙vsb
ro
vgs
–
S +
vsb
B –
 C
NPN
IC

B
IB
IE
E
 E
PNP
IE

B
IB
IC
C

| |
 Bipolar
Ativo: Modelo equivalente para pequenos sinais em frequências médias
ib
B C
+ β·ib ro
vbe rbe =
gm∙vbe
–
E
 Bipolar
Ativo: Modelo equivalente para pequenos sinais em altas frequências
ib Cbc
B C
+ Cbe rbe β·ib ro
vbe = Cce
gm∙vbe
–
E
 RSig iin iout

vin vout
vSig +
− RL
 RSig

+ +
vSig +
vin vout RL
−
– Avo∙vin –

para qualquer valor de RL para qualquer valor de RSig

 RSig
Rout
+ +
vSig + vin vout
− Rin RL
– Avo∙vin –

depende de RL depende de RSig

Modelar um amplificador de tensão: encontrar os valores de AVo, Rin e Rout

RSig
Rout
+ +
vSig + vin vout
− Rin RL
– Avo∙vin –
Modelar um amplificador de tensão: encontrar os valores de AVo, Rin e Rout

RSig
+ +
vSig +
vin
− vout
– –

𝑣+G0
𝐴D+ = E
𝑣H) I
J →L

Avo: ganho de tensão em circuito aberto; ganho máximo de tensão

Modelar um amplificador de tensão: encontrar os valores de AVo, Rin e Rout

RSig
Rout
+ +
vSig + vin vout
− Rin RL
– Avo∙vin –
Modelar um amplificador de tensão: encontrar os valores de AVo, Rin e Rout

iIN RSig ix
+ + + +
vin vout RL vin vout
– – – –
Rout
Rin

𝑣H) 𝑣+G0
𝑅H) = 𝑅+G0 =
𝑖H) 𝑖,
 RSig iout
Gm∙vin
+
vSig + vin
− RL
–

para qualquer valor de RL para qualquer valor de RSig

 RSig iout
Gm∙vin
+
vSig + vin
− RL
– Rin Rout

depende de RL depende de RSig

Modelar um amplificador de transcondutância: encontrar os valores de Gm, Rin e Rout

RSig iout
Gm∙vin
+
vSig + vin
− RL
– Rin Rout
Modelar um amplificador de transcondutância: encontrar os valores de Gm, Rin e Rout

RSig iout
+
vSig +
vin
−
–

𝑖+G0
𝐺@ = E
𝑣H) I
J OP

Gm: ganho de transcondutância em curto circuito; ganho máximo de transcondutância

 iin iout
AiS∙iin

iSig
RSig RL

para qualquer valor de RL para qualquer valor de RSig

 iin iout
AiS∙iin

iSig
RSig Rin RL
Rout

𝑖+G0
𝐴H = 𝑖H)
𝑖H)
depende de RL depende de RSig

𝑅+G0 HQRST → ∞ 𝑅H) HQRST = 0

Modelar um amplificador de corrente: encontrar os valores de AiS, Rin e Rout

iin iout

iSig RSig

𝑖+G0
𝐴H# = E
𝑖H) I
J OP

AiS: ganho de corrente em curto circuito; ganho máximo de corrente

 iin

+
iSig vout
RSig RL
Rm∙iin
–

para qualquer valor de RL para qualquer valor de RSig

 iin
Rout
+
iSig vout
RSig RL
Rin Rm∙iin
–

depende de RL depende de RSig

Modelar um amplificador de transresistência: encontrar os valores de Rm, Rin e Rout

iin
+
iSig RSig vout
–

𝑣+G0
𝑅@ = E
𝑖H) I
J →L

Rm: ganho de transresistência em circuito aberto; ganho máximo de transresistência

 Rout iin iout

+ + AiS∙iin
vin vout
Rin AVo∙vin Rin
– – Rout

𝐴D+
𝑅@ = 𝐴D+ B 𝑅H) 𝐺@ = 𝐴H# = 𝐺@ B 𝑅H)
𝑅+G0
iIn iout

+ Gm∙vin
Rout +
vout vin
Rin Rm∙iin Rin Rout
– –
 vout

vin

comum
 +

vout
+
vin –
–
 iout
vout

RSig iin RL
vin
vSig +
−
 Modelo equivalente para pequenos sinais
RL
vout RSig G vin D vout
vin
RSig + gm∙vgs ro
vgs RL
vSig –
vSig
S
 Modelo equivalente para pequenos sinais
RL
vout RSig G vin D vout
vin
RSig + gm∙vgs
vgs ro
vSig –
vSig
S
 Modelo equivalente para pequenos sinais
RL
vout RSig G vin D vout
vin
RSig + gm∙vgs ro
vgs RL
vSig –
vSig
Rin S
 Modelo equivalente para pequenos sinais
RL
vout iin G vin D vout
vin
RSig + gm∙vgs ro
vgs RL
–
vSig
Rin S

𝑣H)
𝑅H) =
𝑖H)
 Modelo equivalente para pequenos sinais
RL
vout RSig G vin D vout
vin
RSig + gm∙vgs ro
vgs RL
vSig –
vSig
S Rout
 Modelo equivalente para pequenos sinais
RL ix
vout RSig G vin D vout
vin
RSig + gm∙vgs ro
vgs
–
vSig
S Rout

𝑣+G0
𝑅+G0 =
𝑖,
 Modelo equivalente para pequenos sinais
RL iout
vout RSig G vin D vout
vin
RSig + gm∙vgs ro
vgs RL
vSig –
vSig
S

𝑖+G0 𝐴D+
𝐺@ = E 𝐺@ =
𝑣H) I 𝑅+G0
J OP
 Modelo equivalente para pequenos sinais
RL
vout RSig G vin D vout
vin
RSig + gm∙vgs ro
vgs RL
vSig –
vSig
Rin S Rout
 Modelo equivalente para pequenos sinais
RL vout RSig G vin D vout
vin
RSig + gm∙vgs ro
vgs RL
vSig –
vSig
S
RS RS

Rout
Rin
 𝑣H)
𝑅H) =
𝑖H)

𝑣+G0
𝑅+G0 =
𝑖,
 Modelo equivalente para pequenos sinais
RL
vout
RSig G vin D vout
vin
RSig + gm∙vgs ro
vgs RL
vSig –
vSig
RS Rin S Rout
RS
 Modelo equivalente para pequenos sinais
vin
RSig
RSig G vin D
vout
vSig + gm∙vgs ro
vgs
RL vSig – vout

Rin S
Rout RL
 𝑖+G0
𝐺@ = E
𝑣H) I
J OP

𝑣+G0
𝑅+G0 =
𝑖,
 Modelo equivalente para pequenos sinais
vin
RSig
RSig G vin D
vout
vSig + gm∙vgs ro
vgs
RL vSig – vout

Rin S
Rout RL
 Modelo equivalente para pequenos sinais
G vout
RL + D
vout gm∙vgs ro
vgs RL
– vin

RSig
S Rout
vIn

Rin
RSig vSig

vSig
 𝑣H)
𝑅H) =
𝑖H)

𝑖+G0
𝐴H# = E
𝑖H) I
J OP

𝑖+G0
𝐺@ = E
𝑣H) I
𝑣+G0 J OP
𝑅+G0 =
𝑖,
 Modelo equivalente para pequenos sinais
G vout
RL + D
vout gm∙vgs ro
vgs RL
– vin

RSig
S Rout
vIn

Rin
RSig vSig

vSig
 Exemplo
São dados para o seguinte amplificador: Rsig = 50 Ω; RL = 6,35 kΩ;
µn·Cox = 400 µA/V2; WMOS = 5 µm; LMOS = 0,5 µm; Vt = 0,5 V; λ = 0,025 V-1.
Sabendo que vSig é uma fonte de pequenos sinais com valor médio nulo, calcular o
ganho de tensão de pequenos sinais 𝑣+G0 ⁄𝑣#HW .

vout
vin
RSig
RL
vSig
 vin
vout
RSig
RL
vSig

vin
RSig vout
RSig
RL
RL
vSig
 Exemplo
São dados para o seguinte amplificador: Rsig = 50 Ω; RL = 6,35 kΩ; VBias = 1,5 V;
VDD = 2 V; µn·Cox = 400 µA/V2; WMOS = 5 µm; LMOS = 0,5 µm; Vt = 0,5 V;
λ = 0,025 V-1. Sabendo que vSig é uma fonte de pequenos sinais com valor médio
nulo, calcular o ganho de tensão de pequenos sinais 𝑣+G0 ⁄𝑣#HW .

VBias VDD

vout
vin
RSig

RL
vSig
 VDD
VBias
RSig

RL

RSig G vin D vout

vout
vin + gm∙vgs ro
RSig vgs
vSig – RL
RL S
vSig
 Exemplo
São dados para o seguinte amplificador: Rsig = 50 Ω; RL = 6,35 kΩ; VBias = 1,5 V;
VDD = 2 V; µn·Cox = 400 µA/V2; WMOS = 5 µm; LMOS = 0,5 µm; Vt = 0,5 V;
λ = 0,025 V-1.Considerar que vSig é uma fonte de pequenos sinais com valor médio
nulo e que, na frequência de vSig, os capacitores comportam-se como curtos-
circuitos, e os indutores como circuitos abertos.
(a) Calcular o ganho de tensão 𝑣+G0 ⁄𝑣#HW . VDD

(b) Expressar o módulo do ganho em dB. VBias

(c) Traçar a tensão no dreno do transistor
e a corrente iD em função do tempo para vout
vin
vSig senoidal com 1 mV de amplitude e
frequência de 100 kHz. RSig

RL
vSig iD
 VDD

VBias
RSig

RL

RSig G vin D
+ vout
gm∙vgs ro
vout vgs
vin vSig – RL
RSig RL
S
vSig
 𝑣%
20 mV
VDD

10 µs
𝑡
𝑖+G0 3,15 µA
VDD
0 𝑡

vin
vout 𝑖% 3,15 µA
2,1 mA

RL
iD

10 µs
𝑡
 Exemplo
São dados para o seguinte amplificador: Rsig = 50 Ω; RL = 6,35 kΩ; VBias = 0,5 V;
VDD = 2 V; µp·Cox = 400 µA/V2; WMOS = 5 µm; LMOS = 0,5 µm; Vt = -0,5 V;
λ = 0,025 V-1. Considerar que vSig é uma fonte de pequenos sinais com valor
médio nulo e que, na frequência de vSig, os capacitores comportam-se como
curtos-circuitos, e os indutores como circuitos abertos.
(a) Calcular o ganho de VBias
tensão 𝑣+G0 ⁄𝑣#HW . VDD
(b) Expressar o módulo do
vin iD
ganho em dB.
(c) Traçar a tensão no RSig
dreno do transistor e a
vout
corrente iD em função do vSig
tempo para vSig senoidal
com 1 mV de amplitude e RL
frequência de 100 kHz.
 VDD
VBias
RSig

RL

RSig G vin D vout

+ gm∙vgs
vin ro
RSig vgs
vSig – RL
vout
vSig S
RL
 𝑣%
20 mV
0 10 µs
𝑡

𝑖+G0 3,15 µA
0 𝑡

VDD

iD
𝑖% 3,15 µA
2,1 mA
vout

RL
10 µs
𝑡