Semicondutores Transistorbjt 150212171245 Conversion Gate02 PDF

Semicondutores: Transistor BJT
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 1

A Válvula Electrónica
 Desde o início do século XX, até á década de 50’s o reinado foi da válvula de vácuo, tendo a electrónica
evoluído de modo assombroso … como hoje!...
 Com o fim da Segunda Guerra Mundial, a grande super potência vencedora, os EUA, definiram que a
força aérea era um ramo militar demasiado importante, e que precisava de electrónica adequada para
as missões que se adivinhavam… Mas a electrónica da época estava desenhada, para navios de
guerra, tipo “forte e feio”, pesada, e de muito consumo de energia, nada compatível com o embarque
em aviões!...
 Assim, foram nomeados cientistas e investigadores,

afim de encontrarem um substituto para a válvula
electrónica…
http://www.stanford.edu/class/ee122/Handouts/

O Transistor de contacto
Em 1947… um grupo de cientistas, composto por William Shockley, John Bardeen e Walter
Brattain, nos laboratórios Bell. Resolveram "voltar no tempo", á época dos antigos rádios
a cristal. Ao contrário dos equipamentos a válvulas, os velhos rádios experimentais a
cristal eram capazes de detectar as altas frequências, descoberta de Ferdinand Braun, que
dizia que cristais podiam transmitir electricidade num único sentido. …Aí, poderia estar um
substituto para as válvulas...
…O efeito transistor é observado pela primeira vez por Bardeen, Shockley e Brattain nos
laboratórios da “Bell”… Devido a um acaso! … em contactos com cristais….
“Transient resistor”. Transistor

 Crystal Triode
Plástico
Mola
Plástico
Emissor Colector
Folha de ouro
P
Germânio
N
Base Base de Metal

 Crystal Triode
Ligação do Emissor
Emissor Colector
Ligação Colector
Germânio tipo -P
Germânio tipo -N Guia plástico das ligações
Base
Germanium
Base contacto
Shockley decidiu demonstrar que era o verdadeiro cérebro da operação, pelo que, ele
secretamente continuou o seu trabalho para construir um tipo diferente de transistor
baseado em junções em vez de contactos pontuais; ele esperava esse tipo de projecto
seria mais provável que fosse comercialmente viável. O transistor de contacto, seria frágil,
difícil de fabricar, e de fraco desempenho. Shockley também estava insatisfeito com
algumas partes da explicação de como o transistor de contacto trabalhou, e concebeu a
possibilidade de injecção de portadores minoritários…
O Transistor de junção
Por: William B. Shockley
Em 1948. John N. Shive, construiu um transistor de contacto, com os contactos em bronze
na parte da frente e por detrás da cunha fina de germânio, provando que os buracos
(lacunas) se podiam difundir através germânio grosso, e não apenas ao longo da superfície,
como se pensava anteriormente. A invenção do Shive despoletou a invenção do transistor de
junção de Shockley .
Poucos meses depois, e depois de muito estudo, ele inventou um transistor inteiramente
novo, muito mais robusto, com uma estrutura de camadas ou "sanduíche". Esta estrutura
passou a ser utilizado para a grande maioria de todos os transistores na década de 1960, e
evoluiu para o transistor de junção bipolar. O transistor bipolar de junção tinha sido
inventado. Emissor
Tipo-P Base
Germânio tipo-N Tipo-N
Tipo-P
Colector
Deposição de Índio Deposição (recombinação)
a 550ºC
 BJT Transistor de Junção: Laboratórios Bell
Os Laboratórios Bell licenciaram a tecnologia do transistor de junção a várias
companhias…
O 1º transistor de junção
1948
O 1º Transistor Comercial, foi o Raytheon CK703
1953
 O 1º Transistor com sucesso Comercial, foi o Raytheon

CK722

 Duas junções P-N
- - - -
+
-
+
-
+
+
+
+
+
- - - - - -
+
+
-
+
- - -
+ +
-
+ +
-
+
+
+
- - - - - -
+
+
-
+
- - - - -
+
+
-
+
-
+
+
P N N + - P
Concentração
de lacunas
O transistor exibe duas junções:

Por isso, um transistor é como dois diodos  - Junção emissora – (entre o Emissor e a Base).
reflectidos entre si.  - Junção colectora – (entre o Colector e a Base).

P N N N P
Se a zona central é muito ampla, o comportamento é o de dois diodos em série: o

funcionamento da primeira união não afecta o da segunda.

 Efeito Transistor
P Emissor N Base P Colector

Isso consegue-se com níveis diferentes de dopagem, sendo o Emissor mais dopado que o
Colector.
Com a diminuição da zona central, o comportamento é diferente: o funcionamento do
transistor...
A difusão dos electrões livres através da junção produz duas camadas de depleção. Para cada uma
dessas camadas de depleção, o potencial da barreira é aproximadamente igual a 0,7v (Si) e 0,3v
(Ge).Pelo facto das três regiões terem diferentes níveis de dopagem, as camadas de depleção não
possuem a mesma largura.
 Efeito Transistor
VBE VCB
Base
Emissor Colector
P N P
As regiões n e p são diferentes tanto geometricamente quanto em termos de
concentração de dopagem.
Por exemplo, a concentração de dopagem no colector, base e emissor devem ser 1015, 1017
e 1019, respectivamente…
O terminal central (Base) controla uma fracção da corrente que circula entre os outros
dois terminais (Emissor e Colector)
O Transistor Bipolar
Fluxos de corrente num transistor NPN operando na Zona Activa

Electrões
A junção Emissor/Base é directamente polarizada.
Lacunas
IE
A junção Base/Colector é inversamente polarizada. IC
A espessura da região da Base é tipicamente 150 IB
- VBE + -VCB +
vezes inferior à espessura do dispositivo.
A polarização directa da junção Base/Emissor causa um fluxo de portadores maioritários
(electrões) da região n para a região p.
..e de portadores minoritários, lacunas(buracos) da Base para o Emissor….
A soma destes dois fluxos conduz à corrente de emissor IE. IC
VCB
IB
A maior mobilidade apresentada pelos electrões, faz com
que as características do transistor NPN sejam melhores VCE
que as de um PNP de forma e tamanho equivalente. Os
NPN usam-se em maior número de aplicações… VBE I
E

Fluxos de corrente num transistor npn operando na Zona Activa

N P N
Colector
Emissor
P Base
VBE VCB
O transistor é construído de tal forma que praticamente toda a corrente é constituída pelo
fluxo de electrões do Emissor para o Colector. A região do Emissor é muito mais fortemente
dopada do que a região da Base e do Colector.
 A região da base é muito fina comparada com a espessura das regiões do emissor e do
colector. Os electrões que fluem do Emissor para a Base, atravessam esta região e são
atraídos para o Colector, antes de haver tempo para a recombinação com as lacunas na
base. A corrente no Colector é da mesma ordem de grandeza da corrente no Emissor.
Transistor NPN: Perfil da densidade de Portadores
Perfis das concentrações de portadores minoritários na Base e no Emissor de um transistor
npn operando no modo activo: VBE > 0 e VCB ³ 0.
VCB
Emissor (N+) V
Deplexão BE Base (P) Deplexão Colector (N)
JEB JBC
n(x) n p ( 0)
Concentração de
Electrões np ideal
Concentração de Lacunas
I p(x) np com
recombinação O Campo eléctrico
pn 0 W remove os electrões
p n ( 0) Largura efectiva livres
da Base
ncoletor = 0  JBC directamente
polarizada
n p (0)  n p 0e vBE / VT
A densidade de electrões livres decresce na Base. No Colector os electrões livres são removidos pelo
campo eléctrico.
Como a Base tem um comprimento bastante inferior ao comprimento de difusão o decréscimo é linear.
A Base (tipo-p) é bastante menos dopada que o emissor (tipo-n) logo a concentração de lacunas é
bastante inferior à concentração de electrões livres.
Transistor NPN: Corrente maioritária
Emissor (n) VBE VCB
Colector (n)
n p ( 0)
A tensão VBE aumenta com a
Base (p) concentração de electrões livres
p(x) no Emissor.
E
I
vBE
d n p ( x) ni2
 I C   I n   AE q Dn   n p (0)  n p 0 e vT
np0 
dx NA
n p (0)
 AE q Dn AE q Dn ni2 vBE / vT
W IC  e
NA W
O Emissor (tipo-n) é muito mais dopado que a Base (tipo-p) donde resulta que a corrente é
maioritariamente formada por electrões livres, que se deslocam directamente do Emissor
para o Colector!

Transistor NPN: A corrente de Colector IC
Corrente de difusão de electrões In :
 dn p ( x)   n p(0) 
I n  AE q Dn 
 dx    AE q Dn 
 W  
   
IS: factor de escala de corrente
 A corrente de Colector IC = In
n p 0 (0) ni2
IC  I S e v B E / VT
I S  AE q Dn  AE q Dn
W W NA
 Observe que a magnitude de IC independe de vCB (contanto que seja  0).
O Transistor na zona activa comporta-se como um diodo polarizado directamente com
uma corrente de saturação dada por “Is”, mas em que corrente flui num terceiro terminal
denominado de Colector!

Transistor NPN: A corrente de Base IB
Tem duas componentes:
 - iB1 Corrente minoritária devido às lacunas que se deslocam da Base para o Emissor.
Equação equivalente à corrente de lacunas de uma junção p-n.
AE q D p ni2 vBE / VT Dp: Difusidade das lacunas no Emissor;
iB1  e Lp: Comprimento de difusão de lacunas no Emissor;
N D LP ND: Concentração de dopantes no Emissor.
Qn tB:Tempo médio que um electrão demora até se
iB1 
B
recombinar com uma lacuna.
Qn: carga do portador minoritário (electrão) na Base.
1
Qn  AE q  n p (0) W
2
 -iB2 = Corrente de reposição dos electrões que se recombinam com as lacunas ao
atravessarem a Base. Qn 1 AE q W ni2 vBE /VT
iB 2   e
b 2 bNA

Transistor NPN: A corrente de Base IB (Cont.)
I C  I S  vBE /VT
 I B  iB1  iB 2     e
 
: ganho de corrente com Emissor Comum (usualmente, 100 <  < 200).
 D p N A W 1 W 2  Constante para um transistor em

   1    particular (no caso ideal).

 Dn N D LP 2 Dn  b 
 Para obter um elevado valor de  (desejável), a Base deve ser fina (W

pequeno) e levemente dopada e o Emissor fortemente dopado (NA / ND
pequeno).


Transistor NPN: Ganho de corrente do Transistor ()
Combinando as equações anteriores: 1

Dp N A W 1 W 2
 
Dn N D LP 2 Dn B
Temos ainda a relação de Einstein:Dn B  L2n
Deve-se notar que:
– Beta () aumenta com a diminuição da largura da Base
– Beta aumenta com a concentração de impurezas no Emissor e diminui com a
concentração de impurezas na Base.
Beta é normalmente considerado aproximadamente constante para um dado

transistor apesar de variar com vários factores…

Transistor NPN: A corrente de Emissor IE
  1   1
 I E  I C  I B    I C    I S evBE /VT
     
   I S  vBE / VT
 IC   IE ,  ,  IE    e
 1 1  
  : constante para um transistor em particular (idealmente), < 1 (se, por ex.,  = 100 
  0,99).
 Pequenas variações em a correspondem a grandes variações em .
 : ganho de corrente em Base Comum.

Relações corrente-tensão do BJT no modo Activo de operação

Transistor NPN:

 
 IC  IS e v B E / VT  
1  1
IC  IS  vBE /VT kT
I
B   
 
 e  VT  Tensão térmica 
 q
  25 mV á temperatura ambiente
 I S  vB E / VT
IC
 IE   e
  
 Para o transistor PNP, substituir VBE por VEB.
I B  1    I E 
IE
IC   I E
 1
IC   I B I E    1 I B
Fluxos de corrente num transistor PNP operando na Zona Activa

O transistor PNP opera de forma semelhante ao
Lacunas
descrito para o transistor NPN.
Electrões
IE
A tensão VEB polariza directamente a junção EB. A IC
tensão VBC polariza inversamente a junção CB. IB
+ VEB - +VBC-
No transistor PNP as correntes são sobretudo devidas a correntes de lacunas ou buracos…
As correntes de difusão de electrões livres da Base para o Emissor são muito pequenas em
comparação com as correntes de lacunas em sentido contrário. PNP
VCB IC
A região do Emissor, tal como no transistor NPN, é muito mais
fortemente dopada do que a região da Base. A espessura da
Base é muita pequena em comparação com as dimensões do IB VCE
dispositivo.
VBE
IE


O transistor PNP opera de forma semelhante ao
Lacunas
descrito para o transistor NPN.
Electrões
IE
A tensão VEB polariza directamente a junção EB. A IC
tensão VBC polariza inversamente a junção CB. IB
+ VEB - +VBC-
As correntes de difusão de electrões livres da Base para o Emissor são muito pequenas em
comparação com as correntes de lacunas em sentido contrário. PNP
VCB IC
A região do Emissor, tal como no transistor NPN, é muito mais
fortemente dopada do que a região da Base. A espessura da
Base é muita pequena em comparação com as dimensões do IB VCE
dispositivo.
VBE
IE

P N P
Emissor Colector
Base
VBE VCB
O terminal central (Base) controla uma fracção da corrente que circula entre os outros
dois terminais (Emissor e Colector).

Alguma semelhança com as válvulas é pura coincidência(?)!....
Emissor P N P
Colector
Base
- --
e -
- I
Emissor Colector
N P N
Base
Base pouco dopada Emissor mais dopado que o Colector.

Funcionamento do Transistor Bipolar

Equivalente hidráulico do transistor
Colector
Base 3
1 2
1. Base
2. Emissor
3. Colector
Emissor


Equivalente hidráulico do transistor
h2 Caudal Abertura
h1 - h2
h1

http://www.learnabout-electronics.org/Downloads/Fig316dl_bjt_operation.swf
Forma real dos transistores Bipolares

Transistor PNP
N- Transistor NPN planar de difusão
dupla
B E
SiO2
E C
P+
N+ P-
P
N
B N+
C
Forma real dos transistores Bipolares TO-220

Encapsulado TO-126
TO-92 TO-18
BC548 (NPN)
BC558 (PNP)
MJE13008 (NPN)
TO-3 TO-5 IRF840 (MOSFET, N)
2N3055 (NPN) BD135 (NPN) BDX53C (Darlington)
BU326 (NPN) BD136 (PNP)

Transistores
Tipo de Transistores
NPN
BIPOLARES
PNP
TRANSISTORES CANAL N (JFET-N)

UNIÃO
CANAL P (JFET-P)
EFEITO DE
CAMPO
METAL-ÓXIDO- CANAL N (MOSFET-N)
SEMICONDUTOR
CANAL P (MOSFET-P)
* FET : Field Effect Transistor

 O transistor bipolar consiste de junções pn, construídas de uma maneira especial e ligadas
em anti série. A corrente é produzida, quer por electrões, quer por lacunas, e daí a
designação de bipolar.
Bipolar: dois tipos de cargas, electrões e lacunas

(buracos), envolvidos nos fluxos de corrente…
Junções: duas junções pn. Junção Base/Emissor e

junção Base/Colector….
Tipos: – NPN e PNP.
Terminais:– Base, Emissor e Colector…

NPN
Símbolos:Colector PNP
Emissor
Base Base
Emissor Colector
Convenções
 Os sentidos de referência adoptados para tensões e correntes aos terminais do transistor
são escolhidos de tal modo que, para o funcionamento na zona activa directa, as
correntes são positivas.
NPN PNP
IC VBC IC
V CB
IB
IB VEC
V CE
VEB
V BE I IE
E
 O funcionamento dos dois tipos de transistores é muito semelhante; quando sem passa de
um para outro, todos os resultados se mantêm se se trocarem os sentidos das tensões e
das correntes
Modos de operação: Transistor NPN

RC
 Corte RB
IC
VBE 0,7 / IB= 0 / IC= 0 VCE
IC
VCB  IC 0, IE 0 e IB 0 VBB IB VBE IE VCC
IB
VCE Zona Activa

VBE 0,7 / VCE  0,3 / IC  0 / IB  0
VBE IE  VCB > 0  -IC ·(-IE )  IC ·IB
 Saturação
VCE  0,3 / IC= Icmáx
VCB < 0 (VCE  0)
 IC VCC/RC

Modos de operação: Transistor NPN

 Curvas características da Montagem Emissor Comum (EC)
IB = 80 µA
   Região de saturação

IC ( mA)
IB = 60 µA  Região activa
IB = 40 µA  Região de corte
„ Ruptura
IB = 20 µA
RC
RB
 IB = 0 µA VCC
VBB VBE VCE
VCE (V)
 Na Região Activa: junção EB com polarização directa, BC com polarização inversa.
Aplicação: - Amplificação.
 Na Região de corte: As duas junções estão polarizadas inversamente: circuito aberto.
 Na Região de saturação: As duas junções estão polarizadas directamente: curto-circuito.
Modos de operação
Junção Junção
Modos Aplicação
EB CB
Corte Inversa Inversa Aplicações de

comutação em
Saturação Directa Directa circuitos digitais
Activo Directa Inversa Amplificador
Inversa Degradação do
Inversa Directa
Activo desempenho

O BJT como amplificador
Características básicas
 Muito mais útil do que dois dispositivos terminais (tais como diodos).
 A tensão entre os dois terminais pode controlar a corrente que flui no terceiro terminal.
Pode-se dizer que a corrente do colector pode ser controlada pela tensão através da
junção EB.
 A aplicação mais usual é como amplificador.
Representação Gráfica das Características do transistor

 As Curvas características referem-se a uma determinada configuração.
 As Curva de entrada são muito semelhantes ás do diodo, apenas as curvas de saída
serão sempre mostradas aqui.
 As Três regiões são mostrados nas curvas de saída.
 O Efeito de Early é mostrado nas curvas de saída na configuração EC.

O Transistor Bipolar NPN

O BJT como amplificador iC
Configuração de Emissor Comum (EC): Curvas características +
 Zona Activa VCE
+ _
VBE _
ENTRADA Saída
iC=iB
Diodo polarizado directamente
Ib=60uA
Ib=20uA

Configuração de Emissor Comum (EC): Efeito de Early
No Modo activo de operação  BJTs mostram uma certa dependência da corrente de
Colector com a tensão de Colector.
NPN
IC
Região Saturação
IC
+ VBE…
+ VCE Região Activa
V_
BE _ VBE…
VBE…
VBE…
-VA VCE
 As suas características IC – VCE não são linhas rectas horizontais.
 Quase horizontal, mas com ligeira inclinação positiva (efeito de Early).
Região Saturação
IC VBE > 0.
Região Activa VCE pequeno (VC < VB)  JCB:
VBE… polarização directa  região de
saturação.
VBE…
 VCE  VCB < 0  JCB: pol. inversa
VBE…   espessura da região de
deplexão na JCB   WEFETIVA DA BASE
  IS   IC : Efeito Early.
VBE…
-VA VCE
 Relação linear de IC com VCE : assumindo que IS permanece constante a corrente de
Colector é modificada pelo termo :
 VCE 
IC  I S e VBE / VT
 1  
 VA 
 Inclinação não-nula das linhas rectas IC – VCE : a impedância de saída do Colector não é
infinita.
Região Saturação
A Inclinação não-nula das linhas rectas IC – VCE  que IC
a impedância de saída do colector é finita e definida Região Activa
por: VBE…
1
 Δi  VBE…
ro   C 
 ΔvCE VBE…
v BE  constante 

VBE…
-VA VCE
Da equação anterior deduz-se que: ro  VA / IC
 IC : o nível da corrente correspondendo ao valor constante de VBE próximo à fronteira
da região activa.
Esta dependência de iC com vCE no projecto e análise do circuito de polarização

normalmente não é considerada; no entanto, a resistência de saída finita ro pode ter um
efeito significativo no ganho de amplificadores a transistores.
IC
IB
-VA VCE
Verde = IC Ideal .
Encarnado = IC Actual (IC’).
VCE
IC ’ = I C +1
VA
Early Effect Example
Given: The common-emitter circuit below with IB = 25A, VCC =
15V,  = 100 and VA = 80.
Find: a) The ideal collector current
b) The actual collector current
Circuit Diagram
VCE
IC  = 100 = IC/IB
a)
IC = 100 * IB = 100 * (25x10-6 A)
+ IC = 2.5 mA
VCC _ IB
b) IC’ = IC VCE + 1 = 2.5x10-3 15 + 1 = 2.96 mA

VA 80
IC’ = 2.96 mA
Kristin Ackerson, Virginia Tech EE

Spring 2002
Circuit Diagram
VCE
IC
+
VCC _ IB

 Curvas na região activa são mais inclinadas do que aqueles na configuração BC

 Tensão de Early.
 Largura efectiva da Base com modulação.
(Menor largura de Base, menor valor da tensão de Early, forte efeito de
modulação por largura de base, forte dependência linear de iC em vCE.
Modelo de Circuito Equivalente DC C

iC (a)
 Modelo de circuito equivalente do BJT npn para grandes
sinais a operar no modo activo. I S evBE /VT
iB
B
DE
vBE (ISE =IS/F)
 O modelo da figura (a), representa o BJT como uma fonte de
corrente controlada por tensão, sendo vBE a tensão de iE
controlo. E

Configuração de Emissor Comum (EC): Modelo de Circuito Equivalente DC
C
iC (b)
 Em b) o BJT é representado por uma fonte de corrente
controlada por corrente (amplificador de corrente).
 F iE
Análise DC iB
B
 Usando o modelo simples de queda de tensão constante, DE
assume-se que vBE0,7V , independentemente do valor vBE iE (ISE =IS/F)
exacto das correntes.
 Supondo que o dispositivo opera na região activa, pode-se aplicar a
relação entre IB, IC, IE, para determinar a tensão VCE ou VCB. E
 Verificar o valor de VCE ou VCB, se:
i. VC>VB (ou VCE>0.2V), a suposição está correcta.
ii. VC<VB (ou VCE<0.2V), a suposição está incorrecta. Significa que o BJT está
operando na região da saturação. Assim, vamos supor que VCE=VCE(sat) para obter
IC. Aqui, o ganho de corrente de emissor comum, é definido como forçado=IC/IB,
vamos encontrar forçado< .
Configuração de Emissor Comum (EC): Análise DC
 Circuito Conceptual
• (a) circuito conceptual para ilustrar o funcionamento do

transistor como um amplificador.
• (b) O circuito de (a) com o vbe, fonte de sinal, eliminado para

análise DC (polarização).
• Com as fontes de corrente contínua
(VBE e VCC) eliminados (curto-
circuito), portanto, apenas os
componentes de sinal estão
presentes.
Note-se que esta é uma representação do
funcionamento do BJT com sinais, e não
um circuito amplificador real.

Configuração de Emissor Comum (EC): Modelos de pequenos sinais
• Transcondutância iC
• Resistência de Entrada na Base
Declive =gm iC
• Resistência de Entrada no Emissor
• Modelos  - Híbrido e Modelo T I Q
t
C
Transcondutância
VBE
I CQ
• Expressão: g m  VT
vbe vBE
• Significado físico:
gm é a inclinação da curva iC-vBE para a polarização
no ponto Q .
• À temperatura ambiente, g m  40ms t

Configuração de Emissor Comum (EC): Modelos de pequenos sinais – Modelo -Híbrido
(a)
i i
b c
B C O circuito equivalente em (a) representa o BJT como
+ uma fonte de corrente controlada por tensão (um
v r amplificador de transcondutância).
be
_ gm.vbe gm= IC/VT
r= / gm
i (b)
e
i i
b c
E B C
+
v r .ib
O circuito equivalente em (b) representa o BJT como uma be
fonte de corrente controlada por corrente (um amplificador _
de corrente).
i
e
E
Configuração de Emissor Comum (EC): Modelos de pequenos sinais – Modelo T
C C
(a) ic (b) ic
gm.vbe gm= IC/VT  .ie

ib re= VT/IE=  /gm ib
B B
vbe vbe
ie re
re
ie
E E
Estes modelos apresentam explicitamente a resistência Emissor re ao invés do r

resistência de Base, em destaque no modelo -híbrido.

Configuração de Emissor Comum (EC): Modelos de pequenos sinais
(a)  Resistência de entrada pela Base:
i i
c
B
b
C vbe V 
r   T 
+ ib I BQ gm
v r
be
_ gm.vbe
C
(b) ic
i
e gm.vbe
E  Resistência do Emissor: ib
B
vbe V 
re   T  vbe
ie I EQ gm re
 Relação entre as duas resistências:
ie
r  (1   )re E
Configuração de Emissor Comum (EC): Modelos de pequenos sinais- Ainda o Modelo - Híbrido
(a) (b)
i
B C b
B C
+
v r gm.v ro r .ib ro

_
E E
 Expressão para a resistência de saída.
1
 i  VA
ro   C  
 v v B E  const. 
IC
'
 CE 
 Resistência de saída representa o efeito de Early (ou modulação de largura da Base).

Configuração de Emissor Comum (EC): Modelos de pequenos sinais- Modelo para PNPs
 Os Modelos derivados do transistor tipo npn, aplicam-se igualmente aos

transistores pnp sem alterações de polaridades. Como o sinal pequeno não
pode alterar as condições de polarização, os modelos de pequenos sinais são
independentes das polaridades.
 Não importa qual a configuração, o modelo é único. Qual a ser seleccionado, é

determinado apenas pela análise mais simples.

Configuração de Emissor Comum (EC): Análise gráfica
Corrente de Base: IB Declive =
1
iB RB
Q
IB
VBE VBB vBE
 Construção gráfica para a determinação da corrente DC da Base no circuito.
 Recta de carga cruza-se com a curva característica de entrada no ponto Q.

Corrente de Base: IB
RC
RB
IC
IC
VBB IB VCE
VCC VBE VCC
IB4
RC
IB3
IB2
IB1
VCC VCE

Corrente de Base IB iC
Apesar de ser pouco prático para a análise e projecto de circuitos com
transistores, a análise gráfica é, no entanto, útil para compreender o
funcionamento de um circuito amplificador. Façamos por isso a análise
gráfica do funcionamento do circuito da figura seguinte. iB vCE
O circuito da base impõe que: vBE
ou seja:
O que representa, para um dado valor de vi , uma relação linear entre vBE e iB.
iB - 1/RB
Esta relação pode ser representada por uma recta de
inclinação - 1/RB, como mostra a figura seguinte, para vi=0.
A corrente de polarização da Base, IB e a tensão de IB
polarização, VBE, correspondentes a vi=0, são dadas pelas
coordenadas do ponto de intersecção dessa recta com a
curva característica iB - vBE como mostra a figura. VBE VBB vBE
 Ponto de funcionamento: RC RC
RB
IC
VBB IB VCE
VBE VCC
IC
VCC IB4
RC1
IB3
VCC
RC 2
VCC
IB2
RC 3
IB1
VCC VCE

 Ponto de funcionamento: VCC
RC
RB
IC
IC VBB IB VCE VCC
VCC 3 VBE
RC IB4
VCC 2 IB3
RC
VCC 1
RC
IB2
IB1
VCC1 VCC2 VCC3 VCE

 Recta de Carga e ponto de funcionamento
RC
IC
RB
IC
VCC VBB IB
VBE VCE
RC IB4 VCC
IB3
Q
VCE = -IC RC+ VCC
IB2
VCC  VCE
IB1 IC 
RC
O VCC VCE
VCE IC RC
 Recta de Carga
IC
VCC Q RC =1 kW
RC
IB4 RB=16 kW
IC
IB3 VBB = 2 V
Q IB VCE
VBE VCC=10 V
= 100
IB2
V BB (V) V CE (V) I c (mA) I B (  A)

0,7 10 0 0 Corte
IB1 0,8 9,375 0,625 6,25
Q 0,9 8,75 1,25 12,5
Região Activa
1 8,125 1,875 18,75
VCC = 10 V VCE 1,2
1,4
6,875
5,625
3,125
4,375
31,25
43,75
VBE  0,7 V VBE = -IB RB+ VBB 1,6

1,8
4,375
3,125
5,625
6,875
56,25
68,75
 I B  VBB  VBE  2  0,7  81,25 A

2 1,875 8,125 81,25
2,2 0,625 9,375 93,75
RB 16000 2,3 0 10 100 Saturação
Ic = bIB = 8,125 mA
VCE = VCC - IC RC = 10 - 8,125 = 1,875 V
 Recta de Carga
V BE 0,7 V VCE (V) Ic (mA)

8,33 V 18
RC 0 16,33 8,333 7,824
Ic (mA)
980W 16 0,00
RB C 16
170kW
14
 100 VCC
B 12
VBB
E
16 V 10
7,90 mA
14 V 78,24 µA 7,82 mA 8
78,235 IB 78,24 µA 54,7647 PEB 54,76 µW 2

7,824 Ic 7,82 mA 65,193 PCE 65,19 mW
7,902 IE 7,90 mA PT 65,25 mW 0
8,333 VCE 8,33 V 0 5 10 15 20
7,633 VCB 7,63 V Vcc (V)

Corrente de Colector
1
iC Declive =
RC
iB = ….
iB =iB2
IC Q IB
iB =iB1 ….
iB = ….
iB = ….
VCE vCE
 Construção gráfica para determinar a corrente de Colector de IC e a tensão Colector-

Emissor VCE, do circuito.

O Transistor Bipolar iC
Corrente de Colector IC
O circuito de Colector impõe que: vCE=VCC - iC.RC iB vCE
V v
ou seja: iC  CC  CE vBE
 O que representa, uma relação linear entre vCE e iC. RC RC
Esta relação pode ser representada por uma recta, como se mostra na figura. Como RC pode ser
considerada a carga do amplificador, a recta de inclinação -1/RC chama-se de recta de carga.
iC
- 1/RC iB = ….
O ponto de polarização DC, ponto quiescente Q, é o
ponto de intersecção da recta de carga com a curva iC iB = ….
vCE, que correspondente á corrente de Base IB. As
Q i B = IB
coordenadas do ponto Q, são as componentes IC
contínuas da corrente de Colector IC e da tensão iB = ….
Colector-Emissor VCE. iB = ….
0 VCE VCC vCE
Note-se que, para que o transistor funcione como amplificador, o ponto Q deve estar na região activa
e, além disso, deve estar localizado de modo a permitir uma excursão razoável do sinal de saída,
quando se aplica um sinal de entrada vi.
O Transistor Bipolar iB
Linhas instantâneas de Carga
O BJT como amplificador - 1/RB
Pequenos sinais
Segmento quase linear
Como exemplo, a figura seguinte mostra a situação
i
quando se aplica um sinal vi á entrada com uma B1
I Q t
forma de onda triangular, sobreposto a uma tensão B
iB2
contínua VBB.
iB
Para cada valor instantâneo de VBB + vi(t), pode
desenhar-se uma recta de inclinação -1/RB. Esta “recta 0 vBE
de carga instantânea” intersecta a curva iB - vBE num VBE
VBB
ponto cujas coordenadas nos dão os valores
vbe vi
instantâneos de iB e de vBE correspondentes ao valor t t
particular de VBB + vi(t).
A figura mostra as rectas correspondentes a vi=0 e vi nos seus valores de pico positivo e
negativo.
Se a amplitude de vi, for suficientemente pequena para que o ponto de funcionamento instantâneo
esteja limitado a um segmento quase linear da curva iB-vBE, então os sinais resultantes ib e vbe serão
triangulares, como mostra a figura. Assim, a construção gráfica da figura pode ser usada para
determinar o valor instantâneo de iB correspondente a cada valor de vi.
iC
Pequenos sinais - 1/RC iB = ….
ic
A figura mostra que o ponto de i iB =iB2
C2
funcionamento se deslocará ao longo da Q IB t
recta de carga de inclinação -1/RC á medida IC
que iB for assumindo os valores instantâneos iC1 iB =iB1 ….
determinados pela figura da página anterior. iB = ….
0 VCE VCC vCE
vce
t
Por exemplo, quando vi está no seu pico positivo, IB = iB2, o ponto de operação instantâneo
no plano iC-vCE estará na intersecção da recta de carga com a curva correspondente a iB =
iB2.
Deste modo, podemos determinar as formas de onda de iC e de vCE e, portanto, das

componentes do sinal ic e vce, conforme mostrado na figura.

Ponto de funcionamento e excursão do sinal
A recta de carga em QA com um VCE

correspondente, que está muito perto do
iC VCC e, portanto, limita o balanço positivo
Recta de Carga
iB = …. da vCE.
iB =iB2
QB QA IB
No outro extremo, a recta de carga em
iB =iB1 …. QB, resulta num ponto de operação
iB = …. muito perto da região de saturação,
0 VCE VCC vCE
VCE limitando assim o balanço negativo da
QB QA
vCE.

Configuração de Emissor Comum (EC): Polarização
 Polarização com Voltagem

 Polarização Clássica com elementos discretos
 Fonte de alimentação única
 Duas fontes de alimentação
 Com resistência de feedback
 Polarização com fonte de corrente

Configuração de Emissor Comum (EC): Polarização com elementos discretos e fonte única
Fixando VBE Fixando IB

Ambos resultam em grandes variações em IC e, portanto, em VCE e, portanto, são
considerados como “maus“, logo não são recomendados.

Circuito com o divisor de tensão alimentando a Base, substituído com o seu equivalente
Thevenin.
A estabilidade da corrente DC do Emissor é obtida considerando a acção de feedback
negativo fornecido pela RE.

 Duas restrições:
VBB  VBE
RB
RE 
1 
 Regras de ouro:
VBB  13 VCC
I C RC  13 VCC
VCB  31 VCC
I R1  I RB2  (0.1IE , I E )
Configuração de Emissor Comum (EC): Polarização com duas fontes de alimentação
Resistência RB pode ser eliminada na configuração Base

Comum.
A resistência RB é apenas necessária se o sinal é para ser

acoplado capacitivamente à Base.
As duas restrições devem aplicar-se.

Configuração de Emissor Comum (EC): Polarização com resistência de feedback
Resistência RB fornece feedback negativo.

IE é independente de  e é fornecida por:RC  RB (1  ）
O valor de RB determina a excursão do sinal permitida no Colector.

Configuração de Emissor Comum (EC): Polarização com fonte de Corrente
Q1 e Q2 devem de ser muito idênticos e terem  elevado.

Curto entre os terminais de Colector e Base de Q1.
A Fonte de corrente não é ideal, devido à resistência de saída finita de Q2.

Aplicação do Modelo e pequenos sinais
a. Determinar o ponto de funcionamento DC (Q) do BJT e, em particular, a

corrente de Colector DC - IC (ICQ).
b. Calcular os valores dos parâmetros do modelo de pequeno sinal, tal como
gm=IC/VT, r=/gm=VT/IB, re=/gm=VT/IE.
c. Desenhe percurso do circuito AC.
d. Substitua o BJT com um de seus modelos de pequeno sinal. O modelo
seleccionado deve ser o mais conveniente do que os outros, na análise do
circuito.
e. Determinar os valores necessários.

O BJT como amplificador NPN
Condições DC
IC
Rc
As condições de polarização DC obtêm-se considerando vbe=0 VCC
IC=IS exp(vBE/VT) VCE

IB
IB=IC /
VBE
IE=IC / IE
VCE= VCC - RCIC

Condições DC; vbe=0
Sobreposição de um sinal AC à tensão DC.
Se for aplicada uma tensão AC de valor vbe, a tensão vBE, valor total
instantâneo, é:
vBE=VBE+vbe Rc IC
VCC
VCE
vbe IB
 Da mesma forma tem- se para a corrente iC: VBE IE
iC=IS exp(vBE/VT)=IS exp[ (VBE+vbe)/VT ] Condições AC; vbe0

Amplificadores Básicos de um único andar
• Características dos parâmetros

• Estrutura básica
• Configuração
 Amplificador configuração Emissor comum (EC).
 Emissor directamente ligado à massa.
 Emissor liga à massa através da resistência Re.
 Amplificador configuração Base Comum (BC).
 Amplificador configuração Colector Comum (CC) ou Seguidor
de Emissor (SE).

Características dos parâmetros do amplificador
Este é o circuito de um amplificador de duas portas.

Fonte de sinal de tensão.
O sinal de saída é obtido a partir da resistência de carga RL.

Características dos parâmetros do amplificador: Definições
vi
Resistência de entrada sem carga: Ri 
ii RL  
vi
Resistência de entrada: Rin 
ii
vo
Ganho de tensão com circuito aberto: Avo 
vi RL  
Ganho de tensão:
vo
Av 
vi

io
Ganho de corrente em curto-circuito: Ais 
ii RL  0
io
Ganho de corrente: Ai 
ii
io
Transcondutância em curto-circuito: Gm 
vi RL  0
v0
Ganho de tensão global em circuito aberto: Gvo 
vsig
RL 
v0
Ganho geral de tensão: Gv 
vsig
Resistência de saída própria do amplificador: Resistência de saída:
vx vx
Ro  Rout 
ix vi  0 ix v sig  0

Amplificador de tensão
Amplificador de tensão
Amplificador de Transcondutância

Características dos parâmetros do amplificador: Relações
Coeficiente divisor de tensão
vi Rin

vsig Rin  Rsig
RL Rin RL RL
Av  Avo Gv  Avo G  G
RL  Rout
v vo
RL  Ro Rin  Rsig RL  Ro
Ri
Avo  Gm Ro Gvo  Avo
Ri  Rsig

Configuração de Emissor Comum (EC): Estrutura Básica
 Circuito com estrutura básica, utilizado para realizar configurações de um andar

amplificador com BJTs, usando elementos discretos.

Configuração de Emissor Comum (EC): Amplificador
 Circuito a nível de pequenos sinais.

Configuração Emissor Comum (EC)
 Circuito Equivalente Modelo -
RSig ii B C
+ io
vi +
+
vsig - - RB v r g mv r0 RC RL vo
  R0ut
Rin
-
E
 O sinal de saída vo é dado por : vo = - (gm.v )(RC //ro //Ro )

 O Ganho de tensão entre a Base e o Colector é :
Combinando as duas equações, temos que o Ganho de tensão do circuito Av, é :

RSig ii B C
io
+ +
+
vsig - vi g mv r0 RC RL
-
RB v r R0ut
vo
Rin -
E
Resistência de entrada Rin: Rin  r
Resistência de saída ROut: Rout  RC
Ganho de Corrente em curto-circuito Ais: Ais   


 Resumo das Características
Elevado ganho em Tensão,

Amplificador inversor,
Elevado ganho de corrente.
Resistência de entrada relativamente baixa.
Resistência de saída relativamente alta
A resposta de frequência é bastante pobre.

Configuração de Emissor Comum (EC): Com resistência de Emissor Re

C
io
ic +
ii
 .ie RC
R0ut
RL vo
RSig B
-
+ + ie
+
vsig - vi v
RB 
- - re
Rin vi
E ie=
Re+ re
Rib Re

C
io
Configuração de Emissor Comum (EC): Com resistência de Emissor Re +
ic
ii
 .ie RC
R0ut
RL vo
RSig B
Ganho de Tensão Av: -
+ + ie
RC // RL vsig +- vi v
RB 
Av   - - re
re  Re Rin vi
E ie=
Re+ re
Ganho Total Gv:
 ( RC // RL ) Rib Re
Gv  
Rsig  (1   )( re  Re )
Resistência de entrada Rin: Rin  RB //(1   )( re  Re )

Resistência de Saída ROut: Rout  RC
Ganho de Corrente em curto-circuito Ais: Ais   
A Resistência de entrada Rin é aumentada de um factor de (1+gmRe),
O Ganho de Tensão da Base para o Colector, é reduzido de um factor de (1+gmRe),
Para a mesma distorção não linear, o sinal vi , pode ser aumentado de um factor de
(1+gmRe),
O Ganho global é menos dependente de .
 A redução do Ganho, é compensada pelas melhorias na performance.
Resistência RE, introduz um feedback negativo no circuito.

A resposta a altas frequências é significativamente melhorada.

Configuração de Base Comum (BC) : Curvas de saída
iC
Região de Região Activa
Saturação
IE1 IE=IE1 vCB iC
i C
IE2 IE=IE2
iE
iE =0
0 vCB
0.4- 0.5V
Escala expandida VCB BVCBO

Configuração de Base Comum (BC) : Curvas de saída
 Região Activa
 A junção BE está polarizada directamente e a junção BC está polarizada
inversamente
 Igual distância entre curvas de saída vizinhas;
 Quase horizontal, mas com ligeira inclinação positiva.
 Região de Saturação
 A junção BE não está somente directamente polarizada, mas também ligada
“ON”;
 A Corrente de Colector é corrente de difusão não de deriva.
 A voltagem de ligação da junção BCT, é menor do que a da junção BE.
 Região de Rotura
 A junção BE está polarizada directamente e a junção BC está polarizada
inversamente.
 Grande valor de tensão dá origem á ruptura da junção BC;
 Corrente de Colector aumenta dramaticamente.
Configuração de Base Comum (BC):

 Circuito Equivalente Modelo - io
C
+
 .ie RC RL vo
R0ut
B
-
ie
RSig ii E re
vsig +- +
vi
-
Rin

O Transistor Bipolar C io
O BJT como amplificador +
 .ie RC RL vo
 Circuito Equivalente Modelo - B
R0ut
-
ie
Resistência de entrada Rin:
RSig ii E re
Rin  re
vsig +- +
vi
-
Ganho de Tensão Av:
Av  g m ( RC // RL ) Rin
 ( RC // RL )
Ganho Total Gv: Gv 
Rsig  re
Resistência de Saída ROut: Rout  RC

Ganho de Corrente em curto-circuito Ais: Ais  
Configurações de amplificadores com BJTs
Configuração Base Comum (BC)

A Resistência de entrada Rin muito baixa.

A Resistência de saída Rout elevada.
Ganho de Corrente em curto-circuito  1 ().
“Buffer” de corrente.
O Ganho de Tensão elevado.
Amplificador não inversor.
A resposta a altas frequências é excelente.

Configuração de Colector Comum (CC) ou Seguidor de Emissor (SE):

C
i =(1-)i e = ie  .ie
RSig b  +1 B
ro
+ ie
vsig + RB vb
- re
E
-
+
RL vo
Rin
-
R0ut
C
Resistência de entrada Rin:
Rib  (1   )( re  ro // RL ) i =(1-)i e =ie  .ie
RSig b  +1 B
ro
Ganho de Tensão Av: + ie
(1   )( ro // RL ) vsig +- RB vb re
Av  E
(1   )( re  ro // RL )
- +
Rin
RB // Rib (1   )( ro // RL ) RL vo
Ganho Total Gv: Gv 
RB // Rib  Rsig (1   )( re  ro // RL ) -
RB // Rsig R0ut
Resistência de Saída ROut: R  re 
1 
out
Ganho de Corrente em curto-circuito Ais: Ais  (1   )

A Resistência de entrada Rin alta.

A Resistência de saída Rout baixa.
Ganho de Tensão  1 .
Ganho de Corrente elevado.
O último ou andar de saída, de amplificadores em cascata.
A resposta em frequência é excelente.

Montagens Básicas: Sinais ENTRADA SAÍDA

COLECTOR
*
BASE
VBE VCE
EMISSOR EMISSOR
*
EMISSOR COLECTOR
VEB VCB
BASE BASE
EMISSOR
*
BASE VBC VEC
COLECTOR COLECTOR

Montagens Básicas
Ganho de tensão elevado.

Ganho de corrente menor que 1.
Base Comum Ganho de potência intermediário.
Impedância de entrada baixa.
Impedância de saída alta.
Ganho de tensão menor que 1.
Ganho de corrente elevado.
Colector Comum Ganho de potência intermediário.
Impedância de entrada alta.
Impedância de saída baixa.
Ganho de tensão elevado.
Ganho de corrente elevado.
Emissor Comum Ganho de potência elevado.
Impedância de entrada baixa.
Impedância de saída alta.

Montagens Básicas: Sinais
Tabela de Resumo das configurações amplificadoras

EMISSOR
EMISSOR BASE SEGUIDOR DE
COMUM COM
COMUM COMUM EMISSOR
RE
Ri RB r r  RB r 1  gm Re   re  
RB 1    re  RE ro RL 
RC ro RC  R R 
Ro  RC RC RE  re  S B 
 1  
AV= Vo /Vs 

 RC RL ro  R R
 C L
R R
 C L 
1     RL
r  RS re  Re re  RS 1     RL  r  RS

 RC RL ro   RC RL  R RL  RE RL
Ai= io / iS    C
 1   
RL RL RL RL

Montagens Básicas: Sinais

Tabela de Resumo das configurações amplificadoras : Valores Típicos
EMISSOR
EMISSOR BASE SEGUIDOR DE
COMUM COM
COMUM COMUM EMISSOR
RE=170 W
Ri (KW) 2.6 16.7 0.03 83
Ro (KW) 9.2 9.7 10 0.118
AV=Vo/Vs -36.2 -15.6 0.5 0.89
Ai=io/iS -46.7 -41.7 0.5 8.3

 Resumo e Comparações
A configuração Emissor Comum (EC) é o mais adequada para a realização do
ganho do amplificador.
Incluindo Re traz melhorias no desempenho à custa de redução de ganho.
A configuração Base Comum (BC) tem uma aplicação típica no amplificador.

 Resposta de alta frequência muito superior.
A configuração de Seguidor de Emissor (SE) ou Colector Comum (CC) pode ser

utilizada como um “Buffer” de tensão no último andar de amplificadores em
cascata.

Outros modelos de pequenos sinais
Modelos equivalentes – Modelo Híbrido (h) – Emissor Comum
Modelo equivalente da entrada/saída do transistor.
B
ib ic
C
hie
+ +
vbe hre vce + hoe vce
_ h fe ib
_ _
E E
 O modelo equivalente de pequeno sinal é matematicamente válido apenas para sinais de

pequena amplitude.
1) hie: Impedância de entrada (Vin / Iin), quando Vout = 0 (em curto).
2) hre: Relação entre a tensão de entrada e a tensão de saída (Vin / Vout), forçando Iin a
zero (circuito aberto).
3) hfe: Ganho de corrente (Iout / Iin) com Vout = 0 (em curto).
4) hoe: Condutância de saída (Iout / Vout) com Iin = 0 (circuito aberto).
Observação: correntes e tensões AC. Modelo linear  variações pequenas em torno do ponto de
operação.
Os parâmetros h são fornecidos pelo fabricante do dispositivo. Estes parâmetros podem mudar
substancialmente dependo do fabricante.
Modelos equivalentes – Modelo Híbrido (h) – Emissor Comum
B
ib ic
C
hie
+ +
vbe hre vce + hoe vce
_ h fe ib
_ _
E E
vbe
hie: Impedância de entrada, quando Vout = 0 (em curto). hie 
ib vc e  0
hre: Relação entre a tensão de entrada e a tensão de saída (Vin / Vout), vbe
hre 
forçando Iin a zero (circuito aberto). vce ib  0
hfe: Ganho de corrente (Iout / Iin) com Vout = 0 (em curto). h fe 

ic
ib vc e  0
hoe: Condutância de saída (Iout / Vout) com Iin = 0 (circuito aberto). ic

hoe 
vce ib  0
Os parâmetros “h” são fornecidos pelo fabricante do dispositivo. Estes parâmetros podem mudar
substancialmente dependo do fabricante.
Modelos equivalentes – Modelo Híbrido (h)
i Emissor Comum ic
B b
C
+
hie
+ hie=re
vbe hre.vce +
_ hfe .ib hoe vce hfe= 
_ _ hoe=1/r0’
E E
i Base Comum ic
E e
C
hib
+ +
vbe +
_ hfb .ib hob vcb hib =re
hfb= -
_ _
B B

Modelos equivalentes – Modelo  - Híbrido
O modelo de pequenos sinais -híbrido, é a representação intrínseca de baixa frequência
do BJT.
i i
B b c C
Transcondutância:
+ +
v I
g m  C ,V T  KT
r gm.vbe ro v
be ce
_ _ V q
E E T
Resistência de Saída: Ro Resistência de entrada: Ri

VA  VCE  V 
 r  o T  o
ro
I I gm
C C
Onde, VA é a voltagem de Early (VA=100V para npn)
 Os parâmetros de pequenos sinais, são controladas pelo ponto Q e são independentes da

geometria do BJT.
Três modelos equivalentes – Configuração Emissor Comum (EC)
B ib ic
C
Nomes alternativos:
hie
e ac=0=
+ +
vbe hre vce + hoe vce hf =
_ hfe ib
_ _
E E
Modelo Híbrido (h)
hie 1
re   (Ω )
ib h fe g m 1 vbe
hie 
ic
B
C o  hfe ro =
hoe
(KW)
+
+ + ib
Vbe r V gmV ro Vce  vc e  0
_ _
r = hie = go (KW) hre =0
_ m
vbe
hre 
E
Modelo -Híbrido
E
vce i  0
b
ic

26 mV (Nota: usar valores DC de I )
B
ib ic re= IB B h fe
C
ib v 0
+
+ o = hfe ce
Vbe  re .ib ro Vce
ic
_
_ o.re = hie hoe 
ro = h1
E
E
Modelo re hre = 0 hoe = 0, ou use vce ib  0
oe

Transistor como comutador
C
Se VBB , IB = , IE IC = VCC/RC B
zona de saturação
curto-circuito CE VCE = 0
IC E
Se VBB = 0 o < 0,7 V, IB = 0,

IE IC  0, VCE = VCC
Zona de corte
circuito aberto VCE = VCC
VCC VCE
Transistor como comutador: Inversor simples
+VCC VBB (V) VCE (V) I c (mA) I B (A)

0,7 10 0 0
0,8 9,375 0,625 6,25
RC 0,9 8,75 1,25 12,5
1 8,125 1,875 18,75
1,2 6,875 3,125 31,25
RB 1,4
1,6
5,625
4,375
4,375
5,625
43,75
56,25
Vsaída 1,8 3,125 6,875 68,75
2 1,875 8,125 81,25
2,2 0,625 9,375 93,75
Ventrada 2,3 0 10 100
INVERSOR
Y = not A
A Y A
Ventrada Vsaída


12 V
12 V 36 W
3A
36 W I
3A 12 V
12 V
 = 100
I
40 mA
 Substituímos o interruptor principal por um IC

transistor.
 A corrente de base deve ser suficiente para 4A IB = 40 mA
assegurar a zona de saturação. PF (ON) 3 A ON
Vantagens: OFF
 Sem desgaste, sem chispas, - rapidez,
permite controlo através de sistema lógico. VCE
12 V
 Aplicações: Electrónica de Potência e Electrónica digital PF (OFF)

12 V 40 mA  = 100
36 W I 3A
3A 12 V
12 V
12 V
I
36 W
IC
Igual que antes, substituímos o interruptor IB = 40 mA

4A
principal por um transistor.
PF (ON) 3 A ON
OFF
A corrente de base (agora circula em sentido
12 V VCE
contrário) deve ser suficiente para assegurar a zona
de saturação. PF (OFF)

Fototransistores e fotoacopladores
 Um fototransistor é um transistor em que a incidência de luz sobre a zona

da Base, influencia em muito a corrente de Colector. A luz joga um papel
semelhante ao da corrente de Base.
IC
Símbolo R2
R2 IC
Optoacoplador
+ ILED F.T.
N V2
V2
P
N LED
IC/ILED » 1-0,2
Fotodetector
Amplificador Diferencial: Entrada modo diferencial

Amplificador Diferencial: Entrada modo Comum
http://www.williamson-labs.com/480_xtor.htm#animations

Transistores
História Picturial do Transistor
http://www.bellsystemmemorial.com/belllabs_transistor.html
Dúvidas?



Bibliografias
Transistor de Junção Bipolar, Paulo Lopes, ISCTE 2003

http://www.williamson-labs.com/480_xtor.htm
http://www.learnabout-electronics.org/Downloads/Fig316dl_bjt_operation.swf
http://docentes.fam.ulusiada.pt/~d1095/Cap3_Elec_0607.pdf
http://eelab.sjtu.edu.cn/analog/%E5%91%A8%E8%80%81%E5%B8%88%E8%AF%BE%E4%BB%B6/chapter3_BJT(for IT class).ppt.

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 D p N A W 1 W 2  Constante para um transistor em

 Para obter um elevado valor de  (desejável), a Base deve ser fina (W

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Beta é normalmente considerado aproximadamente constante para um dado

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Terminais:– Base, Emissor e Colector…

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VCE Zona Activa

12/02/2015 Por : Luís Timóteo 34

Modos de operação: Transistor NPN

Corte Inversa Inversa Aplicações de

Activo Directa Inversa Amplificador

12/02/2015 Por : Luís Timóteo 36

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