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Semicondutores Transistorbjt 150212171245 Conversion Gate02 PDF
Semicondutores Transistorbjt 150212171245 Conversion Gate02 PDF
A Válvula Electrónica
Desde o início do século XX, até á década de 50’s o reinado foi da válvula de vácuo, tendo a electrónica
evoluído de modo assombroso … como hoje!...
Com o fim da Segunda Guerra Mundial, a grande super potência vencedora, os EUA, definiram que a
força aérea era um ramo militar demasiado importante, e que precisava de electrónica adequada para
as missões que se adivinhavam… Mas a electrónica da época estava desenhada, para navios de
guerra, tipo “forte e feio”, pesada, e de muito consumo de energia, nada compatível com o embarque
em aviões!...
O Transistor de contacto
Em 1947… um grupo de cientistas, composto por William Shockley, John Bardeen e Walter
Brattain, nos laboratórios Bell. Resolveram "voltar no tempo", á época dos antigos rádios
a cristal. Ao contrário dos equipamentos a válvulas, os velhos rádios experimentais a
cristal eram capazes de detectar as altas frequências, descoberta de Ferdinand Braun, que
dizia que cristais podiam transmitir electricidade num único sentido. …Aí, poderia estar um
substituto para as válvulas...
…O efeito transistor é observado pela primeira vez por Bardeen, Shockley e Brattain nos
laboratórios da “Bell”… Devido a um acaso! … em contactos com cristais….
O Transistor de contacto
Crystal Triode
Plástico
Mola
Plástico
Emissor Colector
Folha de ouro
P
Germânio
N
O Transistor de contacto
Crystal Triode
Ligação do Emissor
Emissor Colector
Ligação Colector
Germânio tipo -P
Germânio tipo -N Guia plástico das ligações
Base
Germanium
Base contacto
Shockley decidiu demonstrar que era o verdadeiro cérebro da operação, pelo que, ele
secretamente continuou o seu trabalho para construir um tipo diferente de transistor
baseado em junções em vez de contactos pontuais; ele esperava esse tipo de projecto
seria mais provável que fosse comercialmente viável. O transistor de contacto, seria frágil,
difícil de fabricar, e de fraco desempenho. Shockley também estava insatisfeito com
algumas partes da explicação de como o transistor de contacto trabalhou, e concebeu a
possibilidade de injecção de portadores minoritários…
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 5
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor de junção
Por: William B. Shockley
Em 1948. John N. Shive, construiu um transistor de contacto, com os contactos em bronze
na parte da frente e por detrás da cunha fina de germânio, provando que os buracos
(lacunas) se podiam difundir através germânio grosso, e não apenas ao longo da superfície,
como se pensava anteriormente. A invenção do Shive despoletou a invenção do transistor de
junção de Shockley .
Poucos meses depois, e depois de muito estudo, ele inventou um transistor inteiramente
novo, muito mais robusto, com uma estrutura de camadas ou "sanduíche". Esta estrutura
passou a ser utilizado para a grande maioria de todos os transistores na década de 1960, e
evoluiu para o transistor de junção bipolar. O transistor bipolar de junção tinha sido
inventado. Emissor
Tipo-P Base
Germânio tipo-N Tipo-N
Tipo-P
Colector
Deposição de Índio Deposição (recombinação)
a 550ºC
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 6
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor de junção
BJT Transistor de Junção: Laboratórios Bell
Os Laboratórios Bell licenciaram a tecnologia do transistor de junção a várias
companhias…
O 1º transistor de junção
1948
1953
O Transistor de junção
- - - -
+
-
+
-
+
+
+
+
+
- - - - - -
+
+
-
+
- - -
+ +
-
+ +
-
+
+
+
- - - - - -
+
+
-
+
- - - - -
+
+
-
+
-
+
+
P N N + - P
Concentração
de lacunas
O Transistor de junção
P N N N P
O Transistor de junção
Efeito Transistor
O Transistor de junção
Efeito Transistor
VBE VCB
Base
Emissor Colector
P N P
As regiões n e p são diferentes tanto geometricamente quanto em termos de
concentração de dopagem.
Por exemplo, a concentração de dopagem no colector, base e emissor devem ser 1015, 1017
e 1019, respectivamente…
O terminal central (Base) controla uma fracção da corrente que circula entre os outros
dois terminais (Emissor e Colector)
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 11
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
O Transistor Bipolar
Colector
Emissor
P Base
VBE VCB
O transistor é construído de tal forma que praticamente toda a corrente é constituída pelo
fluxo de electrões do Emissor para o Colector. A região do Emissor é muito mais fortemente
dopada do que a região da Base e do Colector.
A região da base é muito fina comparada com a espessura das regiões do emissor e do
colector. Os electrões que fluem do Emissor para a Base, atravessam esta região e são
atraídos para o Colector, antes de haver tempo para a recombinação com as lacunas na
base. A corrente no Colector é da mesma ordem de grandeza da corrente no Emissor.
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 13
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
Fluxos de corrente num transistor NPN operando na Zona Activa
Transistor NPN: Perfil da densidade de Portadores
Perfis das concentrações de portadores minoritários na Base e no Emissor de um transistor
npn operando no modo activo: VBE > 0 e VCB ³ 0.
VCB
Emissor (N+) V
Deplexão BE Base (P) Deplexão Colector (N)
JEB JBC
n(x) n p ( 0)
Concentração de
Electrões np ideal
Concentração de Lacunas
I p(x) np com
recombinação O Campo eléctrico
pn 0 W remove os electrões
p n ( 0) Largura efectiva livres
da Base
ncoletor = 0 JBC directamente
polarizada
n p (0) n p 0e vBE / VT
A densidade de electrões livres decresce na Base. No Colector os electrões livres são removidos pelo
campo eléctrico.
Como a Base tem um comprimento bastante inferior ao comprimento de difusão o decréscimo é linear.
A Base (tipo-p) é bastante menos dopada que o emissor (tipo-n) logo a concentração de lacunas é
bastante inferior à concentração de electrões livres.
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 14
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
Fluxos de corrente num transistor NPN operando na Zona Activa
Transistor NPN: Corrente maioritária
Emissor (n) VBE VCB
Colector (n)
n p ( 0)
A tensão VBE aumenta com a
Base (p) concentração de electrões livres
p(x) no Emissor.
E
I
vBE
d n p ( x) ni2
I C I n AE q Dn n p (0) n p 0 e vT
np0
dx NA
n p (0)
AE q Dn AE q Dn ni2 vBE / vT
W IC e
NA W
O Emissor (tipo-n) é muito mais dopado que a Base (tipo-p) donde resulta que a corrente é
maioritariamente formada por electrões livres, que se deslocam directamente do Emissor
para o Colector!
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 15
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
dn p ( x) n p(0)
I n AE q Dn
dx AE q Dn
W
IS: factor de escala de corrente
A corrente de Colector IC = In
n p 0 (0) ni2
IC I S e v B E / VT
I S AE q Dn AE q Dn
W W NA
Observe que a magnitude de IC independe de vCB (contanto que seja 0).
O Transistor na zona activa comporta-se como um diodo polarizado directamente com
uma corrente de saturação dada por “Is”, mas em que corrente flui num terceiro terminal
denominado de Colector!
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 16
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
O Transistor Bipolar
I C I S vBE /VT
I B iB1 iB 2 e
: ganho de corrente com Emissor Comum (usualmente, 100 < < 200).
O Transistor Bipolar
O Transistor Bipolar
O Transistor Bipolar
I B 1 I E
IE
IC I E
1
IC I B I E 1 I B
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 21
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
No transistor PNP as correntes são sobretudo devidas a correntes de lacunas ou buracos…
As correntes de difusão de electrões livres da Base para o Emissor são muito pequenas em
comparação com as correntes de lacunas em sentido contrário. PNP
VCB IC
A região do Emissor, tal como no transistor NPN, é muito mais
fortemente dopada do que a região da Base. A espessura da
Base é muita pequena em comparação com as dimensões do IB VCE
dispositivo.
VBE
IE
O Transistor Bipolar
No transistor PNP as correntes são sobretudo devidas a correntes de lacunas ou buracos…
As correntes de difusão de electrões livres da Base para o Emissor são muito pequenas em
comparação com as correntes de lacunas em sentido contrário. PNP
VCB IC
A região do Emissor, tal como no transistor NPN, é muito mais
fortemente dopada do que a região da Base. A espessura da
Base é muita pequena em comparação com as dimensões do IB VCE
dispositivo.
VBE
IE
O Transistor Bipolar
P N P
Emissor Colector
Base
VBE VCB
O terminal central (Base) controla uma fracção da corrente que circula entre os outros
dois terminais (Emissor e Colector).
No transistor PNP as correntes são sobretudo devidas a correntes de lacunas ou buracos…
O Transistor Bipolar
Emissor P N P
Colector
Base
- --
e -
- I
Emissor Colector
N P N
Base
O Transistor Bipolar
Colector
Base 3
1 2
1. Base
2. Emissor
3. Colector
Emissor
O Transistor Bipolar
h2 Caudal Abertura
h1 - h2
h1
O Transistor Bipolar
http://www.learnabout-electronics.org/Downloads/Fig316dl_bjt_operation.swf
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 28
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
B N+
C
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 29
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
BC548 (NPN)
BC558 (PNP)
MJE13008 (NPN)
TO-3 TO-5 IRF840 (MOSFET, N)
2N3055 (NPN) BD135 (NPN) BDX53C (Darlington)
BU326 (NPN) BD136 (PNP)
Transistores
Tipo de Transistores
NPN
BIPOLARES
PNP
EFEITO DE
CAMPO
METAL-ÓXIDO- CANAL N (MOSFET-N)
SEMICONDUTOR
CANAL P (MOSFET-P)
O Transistor Bipolar
O transistor bipolar consiste de junções pn, construídas de uma maneira especial e ligadas
em anti série. A corrente é produzida, quer por electrões, quer por lacunas, e daí a
designação de bipolar.
Base Base
Emissor Colector
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 32
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
Convenções
Os sentidos de referência adoptados para tensões e correntes aos terminais do transistor
são escolhidos de tal modo que, para o funcionamento na zona activa directa, as
correntes são positivas.
NPN PNP
IC VBC IC
V CB
IB
IB VEC
V CE
VEB
V BE I IE
E
O funcionamento dos dois tipos de transistores é muito semelhante; quando sem passa de
um para outro, todos os resultados se mantêm se se trocarem os sentidos das tensões e
das correntes
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 33
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
Saturação
VCE 0,3 / IC= Icmáx
VCB < 0 (VCE 0)
IC VCC/RC
O Transistor Bipolar
IB = 80 µA
Região de saturação
IC ( mA)
IB = 60 µA Região activa
IB = 40 µA Região de corte
„ Ruptura
IB = 20 µA
RC
RB
IB = 0 µA VCC
VBB VBE VCE
VCE (V)
Na Região Activa: junção EB com polarização directa, BC com polarização inversa.
Aplicação: - Amplificação.
Na Região de corte: As duas junções estão polarizadas inversamente: circuito aberto.
Na Região de saturação: As duas junções estão polarizadas directamente: curto-circuito.
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 35
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
Modos de operação
Junção Junção
Modos Aplicação
EB CB
Inversa Degradação do
Inversa Directa
Activo desempenho
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Características básicas
Muito mais útil do que dois dispositivos terminais (tais como diodos).
A tensão entre os dois terminais pode controlar a corrente que flui no terceiro terminal.
Pode-se dizer que a corrente do colector pode ser controlada pela tensão através da
junção EB.
A aplicação mais usual é como amplificador.
ENTRADA Saída
iC=iB
Diodo polarizado directamente
Ib=60uA
Ib=20uA
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Efeito de Early
No Modo activo de operação BJTs mostram uma certa dependência da corrente de
Colector com a tensão de Colector.
NPN
IC
Região Saturação
IC
+ VBE…
+ VCE Região Activa
V_
BE _ VBE…
VBE…
VBE…
-VA VCE
As suas características IC – VCE não são linhas rectas horizontais.
Quase horizontal, mas com ligeira inclinação positiva (efeito de Early).
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 39
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Efeito de Early
Região Saturação
IC VBE > 0.
Região Activa VCE pequeno (VC < VB) JCB:
VBE… polarização directa região de
saturação.
VBE…
VCE VCB < 0 JCB: pol. inversa
VBE… espessura da região de
deplexão na JCB WEFETIVA DA BASE
IS IC : Efeito Early.
VBE…
-VA VCE
Relação linear de IC com VCE : assumindo que IS permanece constante a corrente de
Colector é modificada pelo termo :
VCE
IC I S e VBE / VT
1
VA
Inclinação não-nula das linhas rectas IC – VCE : a impedância de saída do Colector não é
infinita.
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 40
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Efeito de Early
Região Saturação
A Inclinação não-nula das linhas rectas IC – VCE que IC
a impedância de saída do colector é finita e definida Região Activa
por: VBE…
1
Δi VBE…
ro C
ΔvCE VBE…
v BE constante
VBE…
-VA VCE
Da equação anterior deduz-se que: ro VA / IC
IC : o nível da corrente correspondendo ao valor constante de VBE próximo à fronteira
da região activa.
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Efeito de Early
IC
IB
-VA VCE
Verde = IC Ideal .
Encarnado = IC Actual (IC’).
VCE
IC ’ = I C +1
VA
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 42
Early Effect Example
Given: The common-emitter circuit below with IB = 25A, VCC =
15V, = 100 and VA = 80.
Find: a) The ideal collector current
b) The actual collector current
Circuit Diagram
VCE
IC = 100 = IC/IB
a)
IC = 100 * IB = 100 * (25x10-6 A)
+ IC = 2.5 mA
VCC _ IB
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Efeito de Early
Circuit Diagram
VCE
IC
+
VCC _ IB
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Efeito de Early
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Modelo de Circuito Equivalente DC
C
iC (b)
Em b) o BJT é representado por uma fonte de corrente
controlada por corrente (amplificador de corrente).
F iE
Análise DC iB
B
Usando o modelo simples de queda de tensão constante, DE
assume-se que vBE0,7V , independentemente do valor vBE iE (ISE =IS/F)
exacto das correntes.
Supondo que o dispositivo opera na região activa, pode-se aplicar a
relação entre IB, IC, IE, para determinar a tensão VCE ou VCB. E
Verificar o valor de VCE ou VCB, se:
i. VC>VB (ou VCE>0.2V), a suposição está correcta.
ii. VC<VB (ou VCE<0.2V), a suposição está incorrecta. Significa que o BJT está
operando na região da saturação. Assim, vamos supor que VCE=VCE(sat) para obter
IC. Aqui, o ganho de corrente de emissor comum, é definido como forçado=IC/IB,
vamos encontrar forçado< .
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 46
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Análise DC
Circuito Conceptual
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Modelos de pequenos sinais
• Transcondutância iC
• Resistência de Entrada na Base
Declive =gm iC
• Resistência de Entrada no Emissor
• Modelos - Híbrido e Modelo T I Q
t
C
Transcondutância
VBE
I CQ
• Expressão: g m VT
vbe vBE
• Significado físico:
gm é a inclinação da curva iC-vBE para a polarização
no ponto Q .
• À temperatura ambiente, g m 40ms t
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Modelos de pequenos sinais – Modelo -Híbrido
(a)
i i
b c
B C O circuito equivalente em (a) representa o BJT como
+ uma fonte de corrente controlada por tensão (um
v r amplificador de transcondutância).
be
_ gm.vbe gm= IC/VT
r= / gm
i (b)
e
i i
b c
E B C
+
v r .ib
O circuito equivalente em (b) representa o BJT como uma be
fonte de corrente controlada por corrente (um amplificador _
de corrente).
i
e
E
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 49
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Modelos de pequenos sinais – Modelo T
C C
(a) ic (b) ic
vbe vbe
ie re
re
ie
E E
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Modelos de pequenos sinais
(a) Resistência de entrada pela Base:
i i
c
B
b
C vbe V
r T
+ ib I BQ gm
v r
be
_ gm.vbe
C
(b) ic
i
e gm.vbe
E Resistência do Emissor: ib
B
vbe V
re T vbe
ie I EQ gm re
Relação entre as duas resistências:
ie
r (1 )re E
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 51
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Modelos de pequenos sinais- Ainda o Modelo - Híbrido
(a) (b)
i
B C b
B C
+
v r gm.v ro r .ib ro
_
E E
Expressão para a resistência de saída.
1
i VA
ro C
v v B E const.
IC
'
CE
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Modelos de pequenos sinais- Modelo para PNPs
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Análise gráfica
Corrente de Base: IB Declive =
1
iB RB
Q
IB
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Análise gráfica
Corrente de Base: IB
RC
RB
IC
IC
VBB IB VCE
VCC VBE VCC
IB4
RC
IB3
IB2
IB1
VCC VCE
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Análise gráfica
Corrente de Base IB iC
Apesar de ser pouco prático para a análise e projecto de circuitos com
transistores, a análise gráfica é, no entanto, útil para compreender o
funcionamento de um circuito amplificador. Façamos por isso a análise
gráfica do funcionamento do circuito da figura seguinte. iB vCE
O circuito da base impõe que: vBE
ou seja:
O que representa, para um dado valor de vi , uma relação linear entre vBE e iB.
iB - 1/RB
Esta relação pode ser representada por uma recta de
inclinação - 1/RB, como mostra a figura seguinte, para vi=0.
A corrente de polarização da Base, IB e a tensão de IB
polarização, VBE, correspondentes a vi=0, são dadas pelas
coordenadas do ponto de intersecção dessa recta com a
curva característica iB - vBE como mostra a figura. VBE VBB vBE
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 56
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Análise gráfica
Ponto de funcionamento: RC RC
RB
IC
VBB IB VCE
VBE VCC
IC
VCC IB4
RC1
IB3
VCC
RC 2
VCC
IB2
RC 3
IB1
VCC VCE
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Análise gráfica
Ponto de funcionamento: VCC
RC
RB
IC
IC VBB IB VCE VCC
VCC 3 VBE
RC IB4
VCC 2 IB3
RC
VCC 1
RC
IB2
IB1
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Análise gráfica
Recta de Carga e ponto de funcionamento
RC
IC
RB
IC
VCC VBB IB
VBE VCE
RC IB4 VCC
IB3
Q
VCE = -IC RC+ VCC
IB2
VCC VCE
IB1 IC
RC
O VCC VCE
VCE IC RC
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 59
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Análise gráfica
Recta de Carga
IC
VCC Q RC =1 kW
RC
IB4 RB=16 kW
IC
IB3 VBB = 2 V
Q IB VCE
VBE VCC=10 V
= 100
IB2
Região Activa
1 8,125 1,875 18,75
VCC = 10 V VCE 1,2
1,4
6,875
5,625
3,125
4,375
31,25
43,75
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Análise gráfica
Recta de Carga
Ic (mA)
980W 16 0,00
RB C 16
170kW
14
100 VCC
B 12
VBB
E
16 V 10
7,90 mA
14 V 78,24 µA 7,82 mA 8
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Análise gráfica
Corrente de Colector
1
iC Declive =
RC
iB = ….
iB =iB2
IC Q IB
iB =iB1 ….
iB = ….
iB = ….
VCE vCE
O Transistor Bipolar iC
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Análise gráfica
Corrente de Colector IC
O circuito de Colector impõe que: vCE=VCC - iC.RC iB vCE
V v
ou seja: iC CC CE vBE
O que representa, uma relação linear entre vCE e iC. RC RC
Esta relação pode ser representada por uma recta, como se mostra na figura. Como RC pode ser
considerada a carga do amplificador, a recta de inclinação -1/RC chama-se de recta de carga.
iC
- 1/RC iB = ….
O ponto de polarização DC, ponto quiescente Q, é o
ponto de intersecção da recta de carga com a curva iC iB = ….
vCE, que correspondente á corrente de Base IB. As
Q i B = IB
coordenadas do ponto Q, são as componentes IC
contínuas da corrente de Colector IC e da tensão iB = ….
Colector-Emissor VCE. iB = ….
0 VCE VCC vCE
Note-se que, para que o transistor funcione como amplificador, o ponto Q deve estar na região activa
e, além disso, deve estar localizado de modo a permitir uma excursão razoável do sinal de saída,
quando se aplica um sinal de entrada vi.
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 63
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar iB
Linhas instantâneas de Carga
O BJT como amplificador - 1/RB
Configuração de Emissor Comum (EC): Análise gráfica
Pequenos sinais
Segmento quase linear
Como exemplo, a figura seguinte mostra a situação
i
quando se aplica um sinal vi á entrada com uma B1
I Q t
forma de onda triangular, sobreposto a uma tensão B
iB2
contínua VBB.
iB
Para cada valor instantâneo de VBB + vi(t), pode
desenhar-se uma recta de inclinação -1/RB. Esta “recta 0 vBE
de carga instantânea” intersecta a curva iB - vBE num VBE
VBB
ponto cujas coordenadas nos dão os valores
vbe vi
instantâneos de iB e de vBE correspondentes ao valor t t
particular de VBB + vi(t).
A figura mostra as rectas correspondentes a vi=0 e vi nos seus valores de pico positivo e
negativo.
Se a amplitude de vi, for suficientemente pequena para que o ponto de funcionamento instantâneo
esteja limitado a um segmento quase linear da curva iB-vBE, então os sinais resultantes ib e vbe serão
triangulares, como mostra a figura. Assim, a construção gráfica da figura pode ser usada para
determinar o valor instantâneo de iB correspondente a cada valor de vi.
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 64
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Análise gráfica
iC
Pequenos sinais - 1/RC iB = ….
ic
A figura mostra que o ponto de i iB =iB2
C2
funcionamento se deslocará ao longo da Q IB t
recta de carga de inclinação -1/RC á medida IC
que iB for assumindo os valores instantâneos iC1 iB =iB1 ….
determinados pela figura da página anterior. iB = ….
0 VCE VCC vCE
vce
t
Por exemplo, quando vi está no seu pico positivo, IB = iB2, o ponto de operação instantâneo
no plano iC-vCE estará na intersecção da recta de carga com a curva correspondente a iB =
iB2.
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Análise gráfica
Ponto de funcionamento e excursão do sinal
iB =iB2
QB QA IB
No outro extremo, a recta de carga em
iB =iB1 …. QB, resulta num ponto de operação
iB = …. muito perto da região de saturação,
0 VCE VCC vCE
VCE limitando assim o balanço negativo da
QB QA
vCE.
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Polarização
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Polarização com elementos discretos e fonte única
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Polarização com elementos discretos e fonte única
Circuito com o divisor de tensão alimentando a Base, substituído com o seu equivalente
Thevenin.
A estabilidade da corrente DC do Emissor é obtida considerando a acção de feedback
negativo fornecido pela RE.
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Polarização com elementos discretos e fonte única
Duas restrições:
VBB VBE
RB
RE
1
Regras de ouro:
VBB 13 VCC
I C RC 13 VCC
VCB 31 VCC
I R1 I RB2 (0.1IE , I E )
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 70
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Polarização com duas fontes de alimentação
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Polarização com resistência de feedback
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Polarização com fonte de Corrente
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Aplicação do Modelo e pequenos sinais
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador NPN
Condições DC
IC
Rc
As condições de polarização DC obtêm-se considerando vbe=0 VCC
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Amplificadores Básicos de um único andar
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Amplificadores Básicos de um único andar
Características dos parâmetros do amplificador
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Amplificadores Básicos de um único andar
Características dos parâmetros do amplificador: Definições
vi
Resistência de entrada sem carga: Ri
ii RL
vi
Resistência de entrada: Rin
ii
vo
Ganho de tensão com circuito aberto: Avo
vi RL
Ganho de tensão:
vo
Av
vi
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Amplificadores Básicos de um único andar
Características dos parâmetros do amplificador: Definições
io
Ganho de corrente em curto-circuito: Ais
ii RL 0
io
Ganho de corrente: Ai
ii
io
Transcondutância em curto-circuito: Gm
vi RL 0
v0
Ganho de tensão global em circuito aberto: Gvo
vsig
RL
v0
Ganho geral de tensão: Gv
vsig
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 79
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Amplificadores Básicos de um único andar
Características dos parâmetros do amplificador: Definições
vx vx
Ro Rout
ix vi 0 ix v sig 0
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Amplificadores Básicos de um único andar
Características dos parâmetros do amplificador: Definições
Amplificador de tensão
Amplificador de tensão
Amplificador de Transcondutância
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Amplificadores Básicos de um único andar
Características dos parâmetros do amplificador: Relações
vi Rin
vsig Rin Rsig
RL Rin RL RL
Av Avo Gv Avo G G
RL Rout
v vo
RL Ro Rin Rsig RL Ro
Ri
Avo Gm Ro Gvo Avo
Ri Rsig
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Estrutura Básica
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Amplificador
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração Emissor Comum (EC)
Circuito Equivalente Modelo -
RSig ii B C
+ io
vi +
+
vsig - - RB v r g mv r0 RC RL vo
R0ut
Rin
-
E
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração Emissor Comum (EC)
Circuito Equivalente Modelo -
RSig ii B C
io
+ +
+
vsig - vi g mv r0 RC RL
-
RB v r R0ut
vo
Rin -
E
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração Emissor Comum (EC)
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração Emissor Comum (EC)
Resumo das Características
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Com resistência de Emissor Re
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Com resistência de Emissor Re
Circuito Equivalente Modelo -
C
io
ic +
ii
.ie RC
R0ut
RL vo
RSig B
-
+ + ie
+
vsig - vi v
RB
- - re
Rin vi
E ie=
Re+ re
Rib Re
O Transistor Bipolar
C
io
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Com resistência de Emissor Re +
ic
Circuito Equivalente Modelo -
ii
.ie RC
R0ut
RL vo
RSig B
Ganho de Tensão Av: -
+ + ie
RC // RL vsig +- vi v
RB
Av - - re
re Re Rin vi
E ie=
Re+ re
Ganho Total Gv:
( RC // RL ) Rib Re
Gv
Rsig (1 )( re Re )
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Emissor Comum (EC): Com resistência de Emissor Re
Resumo das Características
Para a mesma distorção não linear, o sinal vi , pode ser aumentado de um factor de
(1+gmRe),
O Ganho global é menos dependente de .
A redução do Ganho, é compensada pelas melhorias na performance.
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Base Comum (BC) : Curvas de saída
iC
Região de Região Activa
Saturação
IE1 IE=IE1 vCB iC
i C
IE2 IE=IE2
iE
iE =0
0 vCB
0.4- 0.5V
Escala expandida VCB BVCBO
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Base Comum (BC) : Curvas de saída
Região Activa
A junção BE está polarizada directamente e a junção BC está polarizada
inversamente
Igual distância entre curvas de saída vizinhas;
Quase horizontal, mas com ligeira inclinação positiva.
Região de Saturação
A junção BE não está somente directamente polarizada, mas também ligada
“ON”;
A Corrente de Colector é corrente de difusão não de deriva.
A voltagem de ligação da junção BCT, é menor do que a da junção BE.
Região de Rotura
A junção BE está polarizada directamente e a junção BC está polarizada
inversamente.
Grande valor de tensão dá origem á ruptura da junção BC;
Corrente de Colector aumenta dramaticamente.
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 94
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Base Comum (BC):
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Base Comum (BC):
Circuito Equivalente Modelo - io
C
+
.ie RC RL vo
R0ut
B
-
ie
RSig ii E re
vsig +- +
vi
-
Rin
O Transistor Bipolar C io
O BJT como amplificador +
Configuração de Base Comum (BC):
.ie RC RL vo
Circuito Equivalente Modelo - B
R0ut
-
ie
Resistência de entrada Rin:
RSig ii E re
Rin re
vsig +- +
vi
-
Ganho de Tensão Av:
Av g m ( RC // RL ) Rin
( RC // RL )
Ganho Total Gv: Gv
Rsig re
O Transistor Bipolar
Configurações de amplificadores com BJTs
Configuração Base Comum (BC)
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Base Comum (BC):
Resumo das Características
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Colector Comum (CC) ou Seguidor de Emissor (SE):
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Colector Comum (CC) ou Seguidor de Emissor (SE):
Circuito Equivalente Modelo -
C
i =(1-)i e = ie .ie
RSig b +1 B
ro
+ ie
vsig + RB vb
- re
E
-
+
RL vo
Rin
-
R0ut
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 101
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Colector Comum (CC) ou Seguidor de Emissor (SE):
C
Resistência de entrada Rin:
Rib (1 )( re ro // RL ) i =(1-)i e =ie .ie
RSig b +1 B
ro
Ganho de Tensão Av: + ie
(1 )( ro // RL ) vsig +- RB vb re
Av E
(1 )( re ro // RL )
- +
Rin
RB // Rib (1 )( ro // RL ) RL vo
Ganho Total Gv: Gv
RB // Rib Rsig (1 )( re ro // RL ) -
RB // Rsig R0ut
Resistência de Saída ROut: R re
1
out
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Configuração de Colector Comum (CC) ou Seguidor de Emissor (SE):
Resumo das Características
O Transistor Bipolar
VBE VCE
EMISSOR EMISSOR
*
EMISSOR COLECTOR
VEB VCB
BASE BASE
EMISSOR
*
BASE VBC VEC
COLECTOR COLECTOR
O Transistor Bipolar
Montagens Básicas
O Transistor Bipolar
Ri RB r r RB r 1 gm Re re
RB 1 re RE ro RL
RC ro RC R R
Ro RC RC RE re S B
1
AV= Vo /Vs
RC RL ro R R
C L
R R
C L
1 RL
r RS re Re re RS 1 RL r RS
RC RL ro RC RL R RL RE RL
Ai= io / iS C
1
RL RL RL RL
O Transistor Bipolar
EMISSOR
EMISSOR BASE SEGUIDOR DE
COMUM COM
COMUM COMUM EMISSOR
RE=170 W
O Transistor Bipolar
O BJT como amplificador
Resumo e Comparações
A configuração Emissor Comum (EC) é o mais adequada para a realização do
ganho do amplificador.
Incluindo Re traz melhorias no desempenho à custa de redução de ganho.
O Transistor Bipolar
Outros modelos de pequenos sinais
Modelos equivalentes – Modelo Híbrido (h) – Emissor Comum
Modelo equivalente da entrada/saída do transistor.
B
ib ic
C
hie
+ +
vbe hre vce + hoe vce
_ h fe ib
_ _
E E
O Transistor Bipolar
Outros modelos de pequenos sinais
Modelos equivalentes – Modelo Híbrido (h) – Emissor Comum
B
ib ic
C
hie
+ +
vbe hre vce + hoe vce
_ h fe ib
_ _
E E
vbe
hie: Impedância de entrada, quando Vout = 0 (em curto). hie
ib vc e 0
hre: Relação entre a tensão de entrada e a tensão de saída (Vin / Vout), vbe
hre
forçando Iin a zero (circuito aberto). vce ib 0
O Transistor Bipolar
Outros modelos de pequenos sinais
Modelos equivalentes – Modelo Híbrido (h)
i Emissor Comum ic
B b
C
+
hie
+ hie=re
vbe hre.vce +
_ hfe .ib hoe vce hfe=
_ _ hoe=1/r0’
E E
i Base Comum ic
E e
C
hib
+ +
vbe +
_ hfb .ib hob vcb hib =re
hfb= -
_ _
B B
O Transistor Bipolar
Outros modelos de pequenos sinais
Modelos equivalentes – Modelo - Híbrido
O modelo de pequenos sinais -híbrido, é a representação intrínseca de baixa frequência
do BJT.
i i
B b c C
Transcondutância:
+ +
v I
g m C ,V T KT
r gm.vbe ro v
be ce
_ _ V q
E E T
O Transistor Bipolar
Outros modelos de pequenos sinais
Três modelos equivalentes – Configuração Emissor Comum (EC)
B ib ic
C
Nomes alternativos:
hie
e ac=0=
+ +
vbe hre vce + hoe vce hf =
_ hfe ib
_ _
E E
Modelo Híbrido (h)
hie 1
re (Ω )
ib h fe g m 1 vbe
hie
ic
B
C o hfe ro =
hoe
(KW)
+
+ + ib
Vbe r V gmV ro Vce vc e 0
_ _
r = hie = go (KW) hre =0
_ m
vbe
hre
E
Modelo -Híbrido
E
vce i 0
b
ic
26 mV (Nota: usar valores DC de I )
B
ib ic re= IB B h fe
C
ib v 0
+
+ o = hfe ce
Vbe re .ib ro Vce
ic
_
_ o.re = hie hoe
ro = h1
E
E
Modelo re hre = 0 hoe = 0, ou use vce ib 0
oe
O Transistor Bipolar
Transistor como comutador
C
Se VBB , IB = , IE IC = VCC/RC B
zona de saturação
curto-circuito CE VCE = 0
IC E
O Transistor Bipolar
INVERSOR
Y = not A
A Y A
Ventrada Vsaída
O Transistor Bipolar
O Transistor Bipolar
12 V 40 mA = 100
36 W I 3A
3A 12 V
12 V
12 V
I
36 W
IC
OFF
A corrente de base (agora circula em sentido
12 V VCE
contrário) deve ser suficiente para assegurar a zona
de saturação. PF (OFF)
O Transistor Bipolar
Fototransistores e fotoacopladores
IC
Símbolo R2
R2 IC
Optoacoplador
+ ILED F.T.
N V2
V2
P
N LED
IC/ILED » 1-0,2
Fotodetector
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 118
Semicondutores: Transistor BJT
O Transistor Bipolar
O Transistor Bipolar
http://www.williamson-labs.com/480_xtor.htm#animations
Transistores
História Picturial do Transistor
http://www.bellsystemmemorial.com/belllabs_transistor.html
12/02/2015 Por : Luís Timóteo 121
Semicondutores: Transistor BJT
Dúvidas?
Bibliografias