UNIVERSIDADE ESTADUAL DO MARANHÃO - UEMA

CENTRO DE CIÊNCIAS TECNOLÒGICAS - CCT

RESUMO: SISTEMAS DIGITAIS

ENGENHARIA DE COMPUTAÇÃO

Aluno: Nizar Mohsen Felix Mota nº2017149721

São Luís - MA
2020
 SUMÁRIO

1. Fundamentos de Memória Semicondutora

2. Memórias de Acesso Aleatório (RAMs)
3. Memórias Apenas de Leitura (ROMs)
4. Memórias Flash
1. Fundamentos de Memória Semicondutora

A memória é a parte de um sistema de armazenamento de uma grande quantidade de

dados em binário. As memórias semicondutoras consistem em arranjos de elementos
que geralmente são latches ou capacitores.

Unidades de Dados e Binário: Bits, Bytes, Nibbles e Words

Como regra, as memórias armazenam dados em unidades que tem de um a oito bits. A
menor unidade de dados binários, como sabemos, é o bit. Em muitas aplicações, os
dados são manipulados em unidades de 8 bits denominadas de byte ou em múltiplos de
unidades de 8 bits. Um byte pode ser dividido em duas unidades de 4 bits que são
denominadas de nibbles. Uma unidade completa de informação é denominada de word e
geralmente consiste de um ou mais bytes. Algumas memórias armazenam dados em
grupos de 9 bits; um grupo de 9 bits consiste de um byte mais um bit de paridade.

Arranjo Básico da Memória Semicondutora

Cada elemento de armazenamento numa memória pode reter um nível 1 ou um nível 0 é

denominado de célula.
Usando como exemplo 64 células. Cada bloco no arranjo da memória representa uma
célula de armazenamento e a sua posição pode ser identificada especificando a linha e a
coluna correspondente.
Endereço de Memória e Capacidade

A localização de uma unidade de dado num arranjo de memória é denominada

endereço. O endereço depende de como a memória está organizada em unidades de
dados. Os computadores pessoais têm memórias de acesso aleatório organizadas em
bytes. Isso significa que o menor grupo que pode ser endereçado é de oito bits.

A capacidade de uma memória é o número total de unidades de dados que podem ser
armazenadas. A capacidade é 64 bits. As memórias dos computadores têm tipicamente
256 MB (MB é megabyte) ou mais de memória interna.

Operações Básicas com Memórias

Como uma memória armazena dados binários, os dados têm que ser inseridos numa
memória e copiados delas quando necessário. A operação de escrita insere dados num
endereço específico da memória e a operação de leitura copia dados de um endereço
específico na memória. A operação de endereçamento, que é parte das operações de
leitura e escrita, seleciona o endereço de memória especificado.

1 - A Operação de Escrita

Uma operação de escrita simplificada é ilustrada na. Para armazenar um byte de dados
numa memória, um código existente no registrador de endereço é colocado no
barramento de endereço. Uma vez que o código do endereço esteja no barramento, o de-
codificador de endereço decodifica o endereço e seleciona na memória a posição
especificada. A memória então recebe um comando de escrita e o byte de dados
armazenado no registrador de dados é colocado no barramento de dados e armazenado
no endereço de memória selecionado, completando assim a operação de escrita. Quando
um novo byte de dados é escrito num endereço de memória, o byte de dados atual
armazenado nesse endereço é sobrescrito (substituído pelo novo byte de dados).
2 - A Operação de Leitura

Novamente, um código existente no registrador de endereço é colocado no barramento

de endereço. Uma vez que o código do endereço esteja no barramento, o decodificador
de endereço decodifica o endereço e seleciona a posição especificada na memória. A
memória então recebe um comando de leitura e uma “cópia” do byte de dados que está
armazenado no endereço de memória selecionado é colocado no barramento de dados e
carregado no registrador de dados, completando assim a operação de leitura. Quando
um byte de dados é lido a partir de um endereço de memória, ele também permanece
armazenado no endereço. Essa operação é denominada leitura não destrutiva.
RAMs e ROMs

As duas principais categorias das memórias semicondutoras são a RAM e a ROM. A

RAM (random-access memory – memória de acesso aleatório), é um tipo de memória
na qual todos os endereços são acessados em tempos iguais e podem ser selecionados
em qualquer ordem para uma operação de leitura ou escrita. Todas as RAMs apresentam
a capacidade de leitura e escrita. Devido as RAMs perderem os dados armazenados
quando a alimentação é desligada, elas são memórias voláteis. A ROM (read-only
memory – memória apenas de leitura) é um tipo de memória na qual os dados são
armazenados permanentemente ou semi-permanentemente. Dados podem ser lidos da
ROM, porém não existe operação de escrita como na RAM. A ROM, assim como a
RAM, é uma memória de acesso aleatório, mas o termo RAM tradicionalmente
significa uma memória de leitura/escrita de acesso aleatório. Vários tipos de RAMs e
ROMs são abordados nesse capítulo. Devido as ROMs manterem os dados armazenados
mesmo se a alimentação for desligada, elas são memórias não-voláteis.

MEMÓRIAS DE ACESSO ALEATÓRIO (RAMs)

As RAMs são memórias nas quais os dados podem ser escritos ou lidos a partir de
qualquer endereço selecionado em qualquer seqüência. Quando uma unidade de dados é
escrita num determinado endereço numa RAM, a unidade de dado armazenada
anteriormente nesse endereço é substituída pela nova unidade de dado. Quando uma
unidade de dado é lida a partir de um determinado endereço na RAM, a unidade de dado
permanece armazenada e não é apagada pela operação de leitura. Essa operação de
leitura não destrutiva pode ser vista como uma cópia do conteúdo de um endereço
enquanto deixa o conteúdo intacto. Uma RAM é usada tipicamente para armazenamento
de dados de curta duração porque ela não pode manter os dados quando a alimentação é
desligada.

Família de RAMs

As duas categorias de RAM são a RAM estática (SRAM) e a RAM dinâmica (DRAM).
As RAMs estáticas geralmente usam latches como elemento de armazenamento e,
portanto, podem armazenar dados indefinidamente enquanto a tensão de alimentação
estiver presente. As RAMs dinâmicas usam capacitores como elementos de
armazenamento e não podem reter os dados por muito tempo sem que o capacitor seja
recarregado por um processo denominado renovação (refresh).
Tanto as RAMs estáticas quanto as RAMs dinâmicas perdem os dados quando a
alimentação é removida e, portanto, são classificadas como memórias voláteis.
Os dados podem ser lidos tão rapidamente de uma SRAM quanto de uma DRAM.
Entretanto, as DRAMs podem armazenar mais dados que as SRAMs para um dado
tamanho físico e custo porque as células de DRAM são muito mais simples, e mais
células podem ser preenchidas numa determinada área do chip do que para uma SRAM.
Os tipos básicos de SRAM são as SRAMs assíncronas e as SRAMs síncronas com uma
característica de rajada. Os tipos básicos de DRAM são as DRAMs com Modo de
Página Rápida (FPMDRAM – Fast Page Mode DRAM), a DRAM com Saída de Dados
Estendida (DRAM EDO – Extended Data Out), a DRAM EDO em Rajada (DRAM
BEDO) e as DRAMs síncronas (SDRAM).

RAMs Estáticas (SRAMs)

Todas as RAMs estáticas são caracterizadas por células de memória latch.

Enquanto a tensão de alimentação estiver aplicada numa célula de memória estática, ela
retém indefinidamente o estado 0 ou 1. Se a alimentação for removida, o bit de dado
armazenado é perdido.
Organização Básica de uma SRAM Assíncrona

Uma SRAM assíncrona é aquela na qual a operação não está sincronizada

com um sistema de clock. Para ilustrar a organização geral de uma SRAM, é
usada uma memória de 32k × 8 bits.
No modo LEITURA, os oito bits de dados que são armazenados no endereço
selecionado aparecem nas linhas de saída de dados. No modo ESCRITA, os
oito bits de dados que são aplicados nas linhas de entradas de dados são
armazenados no endereço selecionado. As entradas e saídas de dados (I/O0 a
I/O7) compartilham as mesmas linhas. Durante a LEITURA, elas funcionam
como saídas (O0 a O7) e durante a ESCRITA elas funcionam como entradas
(I0 a I7).

Saídas e Barramentos Tristate

Fisicamente, um barramento é um conjunto de percursos condutores que

servem para interconectar dois ou mais componentes funcionais de um sistema
ou vários sistemas diversos. Eletricamente, um barramento é uma coleção de
níveis de tensão e/ou corrente específicos e sinais que permitem que os vários
dispositivos conectados ao barramento de dados se comuniquem e
funcionarem corretamente juntos.
RAM Síncrona Básica com Característica de Rajada

Diferentemente da SRAM assíncrona, a SRAM síncrona é sincronizada com o

sistema de clock. Por exemplo, num sistema de computador, a SRAM síncrona
opera com o mesmo sinal de clock que o microprocessador de forma que o
microprocessador e a memória estejam sincronizados para uma operação mais
rápida.

A SRAM síncrona é similar à SRAM assíncrona em termos do arranjo de

memória, do decodificador de endereço e das entradas de leitura/escrita e
habilitação. A diferença básica é que a SRAM síncrona usa registradores com
clock para sincronizar todas as entradas com o clock do sistema. O endereço,
a entrada de leitura/escrita, a habilitação do chip e os dados de entrada são
todos armazenados nos respectivos registradores com a borda ativa do pulso
de clock. Uma vez que essas informações são armazenadas, a operação da
memória está em sincronismo com o clock.
Memória Cache

Uma das principais aplicações de SRAMs é na memória cache dos

computadores. A memória cache é relativamente pequena, de alta velocidade e
que armazena as instruções ou dados mais recentes usados a partir da
memória principal que é maior, porém mais lenta. A memória cache também
pode usar RAM dinâmica (DRAM) que será abordada logo a seguir.
Tipicamente, uma SRAM é várias vezes mais rápida que uma DRAM. Em
geral, a memória cache consegue informações armazenadas para o
microprocessador de uma forma mais rápida que se fosse usada apenas a
DRAM de alta capacidade. A memória cache é basicamente um método de
custo efetivo de melhorar o desempenho de um sistema sem recorrer a opção
cara de ter toda a memória rápida.

O conceito de memória cache é baseado na idéia de que os programas de

computadores tendem a obter instruções ou dados a partir de uma área da
memória principal antes de se mover para uma outra área. Basicamente, o
controlador de cache “supõe” que área da memória dinâmica mais lenta a CPU
(unidade central de processamento) necessitará em seguida e a move para a
memória cache de forma que esses dados estarão pontos quando necessário.
Se o controlador de cache supor corretamente, os dados estarão
imediatamente disponíveis para o microprocessador. Caso o controlador de
cache faça uma dedução errada, a CPU terá que acessar a memória principal e
esperar muito mais tempo pelas instruções ou dados corretos. Felizmente, o
controlador de cache acerta na maioria das vezes.

Cachês L1 e L2

Um primeiro nível de cache (L1) geralmente é integrado ao chip do processa-

dor tendo uma capacidade de armazenamento muito limitada. A cache L1
também é conhecida com cache primária. Um segundo nível de cache (cache
L2) é um chip de memória separado ou um conjunto de chips externos ao
processador e geralmente tem uma capacidade maior que um cache L1. O
cache L2 também é conhecido como cache secundária. Alguns sistemas
podem ter cachês de níveis maiores (L3, L4, etc.), mas L1 e L2 são os mais
comuns. Além disso, alguns sistemas usam um cache de disco para melhorar o
desempenho do disco rígido porque a DRAM, embora muito mais lenta que a
SRAM, é muito mais rápida que um drive de disco rígido.
Organização Básica de uma DRAM

A principal aplicação das DRAMs é como memória principal de computadores.

A diferença entre DRAMs e SRAMs está no tipo da célula da memória.
Conforme vimos, a célula de uma memória DRAM consiste de um transistor e
um capacitor sendo muito mais simples que a célula de uma SRAM. Isso
permite uma densidade maior no chip de uma DRAM resultando em maiores
capacidades de bits para uma dada área no chip, embora com um tempo de
acesso bem menor.
Novamente, por causa da perda de carga armazenada pelo capacitor, a célula
de uma DRAM necessita de operações de refresh freqüentes para preservar o
bit de dado armazenado. Esse requisito implica num circuito com maior
complexidade que o de uma SRAM.

MEMÓRIAS APENAS DE LEITURA (ROMs)

Família de ROMs

A memória PROM, ou ROM programável, é o tipo no qual os dados são

armazenados eletricamente através do uso de um equipamento especializado.
As memórias ROM de máscara e PROM podem ser de tecnologia MOS ou
bipolar. A EPROM, ou PROM apagável, é estritamente um dispositivo MOSUV
EPROM é programável eletricamente pelo usuário, porém os dados
armazenados têm que ser apagados através da exposição da memória à luz
ultravioleta por um período de vários minutos. A PROM apagável eletricamente
(EEPROM ou E2 PROM) pode ser apagada em alguns milissegundos.
ROM de máscara

A ROM de máscara é geralmente chamada simplesmente de ROM. Ela é

programada permanentemente durante o processo de fabricação para prover
funções padronizadas usadas amplamente, como conversões populares ou
funções de uso especificado. Uma vez que a memória é programada, ela não
pode ser alterada. A maioria dos CIs do tipo ROM utiliza a presença ou
ausência de uma conexão a transistor numa junção linha/coluna para
representar um nível 1 ou 0.

Uma ROM Simples

Para ilustrar o conceito de ROM, a figura mostra um pequeno arranjo
simplificado de uma ROM. Os quadrados na cor laranja representam nível 1
armazenado e os quadrados cinza representam nível 0 armazenado. A
operação básica de leitura é a seguinte: quando um código de endereço binário
é aplicado às linhas de entrada de endereço, a linha correspondente vai para
nível ALTO. Esse nível ALTO é conectado à coluna através do transistor em
cada junção (célula) onde um nível 1 está armazenado. Em cada célula onde
um nível 0 está armazenado, a coluna permanece em nível BAIXO por causa
do resistor de terminação. A coluna forma a saída de dados. Os oito bits de
dados armazenados na linha selecionada aparecem na saída.

PROMs

Uma PROM usa um tipo de processo que faz uso de fusíveis para armazenar
bits, no qual uma conexão a fusível é “queimada” ou deixada intacta para
representar 0 ou 1. O processo de ruptura do fusível é irreversível; uma vez
programada a PROM, ela não pode ser alterada.

EPROMs

Uma EPROM usa um arranjo de MOSFET canal N com uma estrutura de porta
isolada. A porta isolada do transistor não tem conexão elétrica, podendo
armazenar uma carga elétrica por um período de tempo indefinido. Os bits de
dados nesse tipo de arranjo são representados pela presença ou ausência de
uma carga armazenada na porta. O apagamento de um bit de dado é um pro-
cesso que remove a carga da porta.
MEMÓRIAS FLASH

Uma memória ideal tem uma alta capacidade de armazenamento, é não-volátil,

tem capacidade de leitura e escrita no sistema, é compatível com operações
rápidas e tem um custo eficaz. As tecnologias tradicionais de memória como
ROM, PROM, EPROM, EEPROM, SRAM e DRAM exibem individualmente um
ou mais dessas características, porém nenhuma apresenta todas essas
características, exceto a memória flash.

Alta densidade significa que um grande número de células pode ser agrupado
numa determinada área na superfície de um chip; ou seja, quanto maior a
densidade, mais bits podem ser armazenados numa área de mesmo tamanho.
Essa alta densidade é conseguida nas memórias flash com o uso de uma
célula de armazenamento que consiste de um único transistor MOS de porta
flutuante. Um bit de dado é armazenado como uma carga ou a ausência dessa
carga na porta flutuante dependendo se for armazenado um nível 0 ou um nível
1.

Célula de Memória Flash

O transistor MOS de duas portas em questão consiste de uma porta de

controle e uma porta flutuante além do dreno e da fonte. A porta flutuante
armazena elétrons (carga) como resultado de uma tensão suficiente aplicada
na porta de controle. Um nível 0 é armazenado quando existe mais cargas e
um nível 1 é armazenado quando existe menos ou nenhuma carga. A
quantidade de carga presente na porta flutuante determina se o transistor
estará ligado e conduzindo corrente do dreno para a fonte quando uma tensão
de controle for aplicada durante uma operação de leitura.

Operação Básica da Memória Flash

Programação - Inicialmente, todas as células estão no estado 1 porque as

cargas foram removidas de cada célula numa operação prévia de apagamento.
A operação de programação acrescenta elétrons (carga) na porta flutuante
daquelas células que armazenarão um nível 0. Nenhuma carga é acrescentada
àquelas células que estão armazenando um nível 1.
A aplicação de uma tensão positiva na porta de controle em relação à fonte
durante a programação atrai elétrons para a porta flutuante. Uma vez
programada, a célula pode reter a carga por até 100 anos sem alimentação
externa.

Leitura – Durante uma operação de leitura, uma tensão positiva é aplicada na

porta de controle, a quantidade de carga presente na porta flutuante de uma
célula determina se a tensão aplicada na porta de controle ligará ou não o
transistor.Se um nível 0 estiver armazenado, o transistor não será ligado
porque a tensão na porta de controle não será suficiente para se sobrepor à
carga negativa armazenada na porta flutuante.

Apagamento - Durante uma operação de apagamento, a carga é removida de

todas as células de memória. Uma tensão positiva suficiente é aplicada na
fonte do transistor em relação à porta de controle. Esta tensão tem polaridade
oposta a que é usada na programação. Essa tensão atrai elétrons da porta
flutuante e a depleta de carga. Uma memória flash é sempre apagada antes de
ser reprogramada.