UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA E

ELETRÔNICA EEL7322 - DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

Relatório Laboratório 1

Rafael Machado Ramblas - 18250073

Sebastião Inácio de Matos Filho - 13205691
Carlos Henrique de Oliveira Pires - 12103496

Florianópolis, Outubro de 2020

1 - CARACTERÍSTICAS DO DIODO

Para extrair os parâmetros do diodo foi realizada uma simulação no LTSpice com o
seguinte esquemático:

1N4148

Figura 1. Circuito e ​Curva VDxId do diodo 1N4148 em escala linear

Corrente logarítmica

Figura 2. Circuito e ​Curva VDxId do diodo 1N4148 em escala semilogY

Ao realizar a simulação pelo software MATLAB, obtemos os seguintes gráficos:

 Figura 3 - Curva VDxId do diodo 1N4148 em escala linear

Figura 4 - Curva VDxId do diodo 1N4148 em escala semilogarítmica

 Restringido a curva logarítmica entre 0.2V e 0.4V obtemos:

Figura 5 - Curva VDxId do diodo 1N4148 em escala semilogarítmica restrito entre 0.2V e
0.4V

Para obter a corrente de saturação Is é necessário encontrar a equação da reta acima.

O eixo vertical está na escala logarítmica, logo seus pontos variam em fatores de log10, para
ser possível a linearização o novo vetor de pontos do eixo y teve seus valores aplicados em
log10, o que resultou na seguinte equação de reta:

I d(V D) = 9.6042V D − 8.6059

Pelas anotações de aula, é possível descobrir o valor de Is, pois seu valor é igual a 10​b​,
e b é o termo independente da equação da reta, logo:

I s = 10 −8.6059 ≈ 2.48nA

O valor de Is foi muito próximo Is do modelo do diodo 1N4148 presente no LTSpice,

este sendo de 2.52nA.
MUR460 - Corrente Linear

Figura 6. Circuito e ​Curva VDxId do diodo MUR460 em escala linear

Corrente Logarítmica

Figura 7. Circuito e ​Curva VDxId do diodo MUR460 em semilogY

 Figura 8 - Curva VDxId do diodo MUR460 em escala linear

Figura 9 - Curva VDxId do diodo MUR460 em escala semilogY

Figura 10 - Curva VDxId do diodo MUR460 em escala semilogarítmica restrito entre 0.2V e
0.4V

Para obter a corrente de saturação Is é necessário encontrar a equação da reta acima.

O eixo vertical está na escala logarítmica, logo seus pontos variam em fatores de log10, para
ser possível a linearização o novo vetor de pontos do eixo y teve seus valores aplicados em
log10, o que resultou em uma equação de reta, como visto no exemplo anterior:

Pelas anotações de aula, é possível descobrir o valor de Is, pois seu valor é igual a 10​b​,
e b= -5,013 é o termo independente da equação da reta, logo:

I s = 10 −5.013 ≈ 9.705uA

O valor de Is foi muito próximo Is do modelo do diodo MUR460 presente no

LTSpice, este sendo de 10 uA.
2.1 - Transistor BC547B

Para extrair a curva Ic x Vce e obter os valores para o cálculo da Tensão de Early no
transistor bipolar BC547B, foi realizada uma simulação no LTSpice com o seguinte circuito:

Figura 11 - Esquemático do circuito com o TBJ BC547B.

Realizando a primeira varredura obtivemos o seguinte gráfico para a curva Ic x Vce

dada variação do parâmetro Ib:

Figura 12 - Curva Ic x Vce simulada para a varredura em Ib.

 Podemos obtermos a equação de uma reta extrapolando a curva ajustando à região
ativa do transistor.
Utilizaremos a equação do coeficiente linear da reta onde à partir de 2 pontos de
cada curva poderemos obter a equação das retas e encontrarmos um terceiro ponto que
será a Tensão de Early ( V A ).
Utilizaremos I n0 para representar a corrente no cursor 1 de cada curva (à direita),
I n1 para a corrente no cursor 2 (à esquerda), V n0 a tensão no cursor 1 (à direita), V n1 a
tensão no cursor 2 (à esquerda) e V An a tensão de Early da curva analisada:

I n0 − (I C = 0) I n0 − I n1
T g (θ) = V n0 − V An
= V n0 − V n1
(V − V ) I
V An = V n0 − n0I − In1 n0
n0 n1

Pelos valores obtidos no gráfico na 13, para a primeira varredura teremos a seguinte
equação:

(9 − 1) 14.730978mA
V A1 = 9 − 14.730978mA − 13.041778mA
≈ − 60.76V

Figura 13 - Curva 1.

Segue nas próximas páginas os gráficos com os valores para as varreduras número
2, 3, 4 e 5 e também os cálculos para as tensões de Early.

(9 − 1) 27.348498mA
V A2 = 9 − 27.348498mA − 24.209648mA
≈ − 60.7V
 Figura 14 - Curva 2.

(9 − 1) 38.558789mA
V A3 = 9 − 38.558789mA − 34.130994mA
≈ − 60.66V

Figura 15 - Curva 3.

(9 − 1) 48.746604mA
V A4 = 9 − 48.746604mA − 43.146845mA
≈ − 60.64V
 Figura 16 - Curva 4.

(9 − 1) 58.148038mA
V A5 = 9 − 58.148038mA − 51.466368mA
≈ − 60.62V

Figura 17 - Curva 5.

Para concluir a estimativa do valor da tensão de Early para o transistor ​BC547B,

basta fazermos a média entre as tensões de Early encontradas para cada curva.

V A1 + V A2 + V A3 + V A4 + V A5
VA ≈ 5
−60.76 −60.7 −60.66 −60.64 −60.62
VA ≈ 5
≈ − 60, 67V
2.2 - Transistor BC847B

Para extrair a curva Ic x Vce e obter os valores para o cálculo da Tensão de Early no
transistor bipolar BC847B, realizamos uma simulação no LTSpice com o seguinte circuito:

Figura 18 - Esquemático do circuito com o TBJ BC847B.

Realizando a primeira varredura obtivemos o seguinte gráfico para a curva Ic x Vce

dada variação do parâmetro Ib:

Figura 19 - Curva Ic x Vce simulada para a varredura em Ib.

Utilizaremos a equação do coeficiente linear da reta como fizemos no exemplo

anterior para encontrar as tensões de Early ( V A ) para cada curva.

Pelos valores obtidos no gráfico na figura 20, para a primeira varredura teremos a
seguinte equação:

(9 − 1) 15.191326mA
V A1 = 9 − 15.191326mA − 13.79531mA
≈ − 78.05V
 Figura 20 - Curva 1.

Segue abaixo os gráficos com os valores para as varreduras número 2, 3, 4 e 5 e

também os cálculos para suas respectivas tensões de Early.

(9 − 1) 27.697315mA
V A2 = 9 − 27.697315mA − 25.149144mA
≈ − 77.95V

Figura 21 - Curva 2.

(9 − 1) 38.578324mA
V A3 = 9 − 38.578324mA − 35.026718mA
≈ − 77.89V
 Figura 22 - Curva 3.

(9 − 1) 48.338126mA
V A4 = 9 − 48.338126mA − 43.885894mA
≈ − 77.85V

Figura 23 - Curva 4.

(9 − 1) 57.263963mA
V A5 = 9 − 57.263963mA − 51.987663mA
≈ − 77.82V
 Figura 24 - Curva 5.

Para concluir a estimativa do valor da tensão de Early para o transistor ​BC847B,

basta fazermos a média entre as tensões de Early encontradas para cada curva.

−78.05 −77.95 −77.89−77.85 −77.82

VA ≈ 5
≈ − 77, 91V
4 - Extração dos Parâmetros Beta (β)

4.1 - Extração de Beta (β)​ ​Para O Transistor BC547B

Para extrair o parâmetro Beta (β) do transistor BC547B iremos simular o seguinte
circuito e analisar o beta do transistor através da razão β = Ic/Ib analisando as correntes de
coletor e de base.

Figura 25 - Esquemático do circuito com o TBJ BC547B para análise de β.

Aplicando uma tensão constante de 5V em Vcs e fazendo uma varredura em Vbe de

0V a 1V, com um paço de 5mV, obtivemos o seguinte gráfico para ​β x ln(Ic)
 Figura 26 - Gráfico para ​gráfico de ​β x ln(Ic) para o transistor BC547B.

Notamos que o β obteve um valor em torno de 326 para o transistor BC547B.

4.2 - Extração de Beta (β)​ ​Para O Transistor BC847B

Para extrair o parâmetro Beta (β) do transistor BC847B iremos simular o seguinte
circuito e analisar o beta do transistor através da razão β = Ic/Ib como no exemplo anterior.

Figura 27 - Esquemático do circuito com o TBJ BC847B para análise de β.

 Aplicando uma tensão constante de 5V em Vcs e fazendo uma varredura em Vbe de
0V a 1V, com um paço de 5mV, obtivemos o seguinte gráfico para ​β x ln(Ic)

Figura 28 - Gráfico para ​gráfico para ​β x ln(Ic) para o transistor BC847B.

Notamos que o β obteve um valor em torno de 326 para o transistor BC847B.