familiarizar-se com os modelos re, h brido e h brido para o transistor TBJ.

Aprender a usar o modelo equivalente para determinar os par metros CA importantes para um amplificador.
Compreender os efeitos de uma resist ncia de fonte e um resistor de carga no ganho global e nas caracter sticas de um
amplificador.
Conhecer as caracter sticas CA gerais de uma variedade de importantes configurações com TBJ.
Começar a entender as vantagens associadas ao m todo de sistemas de duas portas para amplificadores de um e de m l-
tiplos estágios.
Desenvolver alguma habilidade para soluç o de problemas em circuitos amplificadores CA.

A construç o, o aspecto e as caracter sticas básicas
do transistor foram introdu idos no Cap tulo 3. A polari-
aç o CC do dispositivo foi examinada com detalhes no
Cap tulo 4. Agora, começaremos a examinar a resposta CA
do amplificador TBJ ao revermos os modelos usados com
mais frequ ncia para representar o transistor no dom nio
CA senoidal.
Uma de nossas primeiras preocupações na análise
CA senoidal dos circuitos a transistor a amplitude do
sinal de entrada. Isso determina se deve ser aplicada a
t cnica de pequenos sinais ou a de grandes sinais. N o há
nenhuma linha divis ria especificada entre as duas, mas
a aplicaç o — e a amplitude das variáveis de interesse
relativo às escalas das curvas caracter sticas do dispositivo
— normalmente deixa muito claro qual o m todo mais
apropriado. A t cnica de pequenos sinais apresentada
neste cap tulo, e as aplicações de grande sinal ser o exa-
minadas no Cap tulo 12.
Existem tr s modelos comumente usados na análise
CA para pequenos sinais: o modelo re, o modelo h brido
e o modelo h brido equivalente. Este cap tulo introdu
todos eles, embora enfati e o re.
No Cap tulo 3 foi demonstrado que o transistor
pode ser empregado como um dispositivo amplificador.
Isto , o sinal de sa da senoidal maior do que o sinal
de entrada senoidal, ou, em outras palavras, a pot ncia
CA de sa da maior do que a pot ncia CA de entrada.
Surge, ent o, a seguinte quest o: como a pot ncia CA de
sa da pode ser maior do que a pot ncia CA de entrada
A conservaç o de energia estabelece que em qualquer
instante a pot ncia total de sa da, Po, de um sistema n o
pode ser maior do que uma pot ncia de entrada, Pi, e que
o rendimento definido por η = Po/Pi n o pode ser maior
do que 1. O fator n o considerado na discuss o anterior
que permite que uma pot ncia CA de sa da seja maior do
que a pot ncia CA de entrada a pot ncia CC aplicada.
Ela contribui sobremaneira para a pot ncia total de sa da,
embora uma parte dela seja dissipada pelo circuito e por
elementos resistivos. Em outras palavras, há uma “tro-
ca” de pot ncia CC para o dom nio CA que permite o
estabelecimento de uma pot ncia CA de sa da maior. Na
verdade, o rendimento de conversão definido por η =
Po(CA)/Pi(CC), onde Po(CA) a pot ncia CA na carga e Pi(CC)
a pot ncia CC fornecida.
 Talve o papel da fonte CC possa ser mais bem des-
crito se avaliarmos primeiramente o circuito CC simples
da Figura 5.1. O sentido resultante do fluxo de corrente
indicado na figura com um gráfico da corrente i em funç o
do tempo. Agora inseriremos um mecanismo de controle,
como o que mostra a Figura 5.2. Esse mecanismo atua de
modo que a aplicaç o de um sinal relativamente pequeno
pode resultar em uma oscilaç o muito grande no circuito
de sa da.
Isto , nesse exemplo,
iCA(p-p) >> ic(p-p)
e a amplificaç o no dom nio CA foi estabelecida. O valor
de um pico a outro da corrente de sa da excede em muito
o da corrente de controle.
Para o sistema da Figura 5.2, o valor de pico da
oscilaç o na sa da controlado pelo valor CC aplicado.
Qualquer tentativa de exceder esse limite CC resultará em
um ‘grampeamento (achatamento) da regi o de pico nas
extremidades alta e baixa do sinal de sa da. De modo geral,
portanto, um projeto adequado de amplificador requer que
as componentes CC e CA sejam sens veis às limitações e
solicitações de ambas.
Corrente constante estabelecida por uma fonte CC.
Efeito de um elemento de controle no fluxo em estado estacionário do sistema el trico da Figura 5.1.
No entanto, extremamente til perceber que:
O teorema da superposição é aplicável à análise e
ao projeto das componentes CC e CA de um circuito
TBJ, permitindo a separação da análise das respostas
CC e CA do sistema.
Em outras palavras, podemos fa er uma análise CC
completa de um sistema antes de examinar a resposta CA.
Uma ve conclu da a análise CC, a resposta CA pode ser
determinada por meio de uma análise completamente CA.
Ocorre, por m, que uma das componentes que aparecem
na análise CA de circuitos TBJ será determinada pelas
condições de CC, o que implica que ainda há uma impor-
tante ligaç o entre os dois tipos de análise.
A base para a análise do transistor para pequenos
sinais a utili aç o de circuitos equivalentes (modelos),
que ser o introdu idos neste cap tulo.
Um modelo é a combinação de elementos de circuito,
apropriadamente selecionados, que se assemelham tanto
quanto possível ao funcionamento real de um dispositivo
semicondutor sob condições específicas de operação.
Uma ve que o circuito CA equivalente tenha sido
determinado, o s mbolo gráfico do dispositivo pode ser
substitu do por esse circuito, e os m todos básicos de aná-
lise CA de circuito podem ser aplicados para determinar
a resposta do circuito.
Na fase de desenvolvimento da análise de circuitos a
transistor, o circuito híbrido equivalente era mais comumente
usado. Folhas de dados inclu am os par metros em suas
listas, e a análise se restringia a inserir o circuito equivalente
com os valores listados. A desvantagem de usar esse circuito
equivalente, no entanto, que ele definido para um conjunto
de condições operacionais que podem não coincidir com as
condições reais de funcionamento. Na maioria dos casos, essa
n o uma falha grave, porque as condições reais de operaç o
s o relativamente similares àquelas selecionadas nas folhas
de dados. Al m disso, sempre há uma variaç o entre os va- e o capacitor de passagem C3 teriam uma reat ncia muito
lores efetivos de resist ncia e os valores de beta fornecidos pequena na frequ ncia de aplicaç o. Por isso, eles tamb m
dos transistores, de modo que se tratava de uma abordagem podem, para todos os fins práticos, ser substitu dos por
aproximada bastante confiável. Os fabricantes continuam a um caminho de baixa resist ncia ou um curto-circuito.
especificar os valores dos par metros h bridos para um ponto Note que isso acarretará um “curto-circuito” do resistor
operacional espec fico em suas folhas de dados. Na verdade, de polari aç o CC, RE. Lembramos que os capacitores as-
eles n o t m escolha. Querem dar aos usuários uma noç o do sumem um “circuito aberto” equivalente sob condições de
valor de cada par metro importante para que possam fa er estado estacionário CC, o que permite uma separaç o entre
comparações entre transistores, mas realmente n o t m como estágios para os valores CC e as condições quiescentes.
saber suas reais condições de operaç o. medida que voc evolui nas modificações do cir-
Com o passar do tempo, o uso do modelo re se tor- cuito para definir o equivalente CA, importante que os
nou a abordagem mais desejável porque um importante par metros de interesse como Zi, Zo, Ii e Io, definidos na
par metro do circuito equivalente era determinado pelas Figura 5.5, sejam condu idos de modo adequado. Embora
condições reais de funcionamento em ve de pela adoç o a apar ncia do circuito possa mudar, preciso ter certe a
de um valor especificado na folha de dados que, em alguns
casos, poderia ser bastante diferente. Infeli mente, ainda
preciso recorrer às folhas de dados para obter alguns
dos outros par metros do circuito equivalente. O modelo
re tamb m deixava de incluir um termo de realimentaç o
que, em alguns casos, pode ser importante, quando n o
simplesmente problemático.
O modelo re realmente uma vers o redu ida do
modelo h brido utili ado quase exclusivamente para
análise de alta frequ ncia. Esse modelo tamb m inclui
uma conex o entre a tens o de sa da e a de entrada para
incluir o efeito de realimentaç o da tens o de sa da e as
quantidades de entrada. O modelo h brido completo será
discutido no Cap tulo 9.
Ao longo do livro, o modelo re será o preferencial, a
menos que a discuss o focali e a descriç o de cada modelo
ou uma regi o de exame que determine previamente o modelo
a ser usado. Sempre que poss vel, por m, uma comparaç o
entre os modelos será discutida para mostrar como est o Circuito com transistor analisado nessa
fortemente relacionados. Tamb m importante que, uma ve discuss o introdut ria.
que alcançarmos a profici ncia na aplicaç o de um modelo,
ela nos leve a uma investigaç o utili ando outro modelo, de
modo que passar de um para outro n o se torne algo tem vel.
Visando demonstrar o efeito que o circuito CA equi-
valente terá na análise a seguir, observe o circuito da
Figura 5.3. Suponhamos por um instante que o circuito
CA equivalente para pequenos sinais do transistor já tenha
sido determinado. Visto que estamos interessados apenas
na resposta CA do circuito, todas as fontes CC podem ser
substitu das por um potencial nulo equivalente (curto-
-circuito), porque elas determinam somente a componente
CC (n vel quiescente) da tens o de sa da, e n o a amplitude
da oscilaç o CA da sa da. Isso claramente demonstrado
na Figura 5.4. Os valores CC foram importantes simples-
mente para determinar o ponto Q de operaç o apropriado.
Uma ve que ele tenha sido determinado, os valores CC
poder o ser ignorados na análise CA do circuito. Al m dis- O circuito da Figura 5.3 ap s remoç o da fonte
so, foi decidido que os capacitores de acoplamento C1 e C2 CC e inserç o do curto-circuito equivalente para os capacitores.
de que as quantidades verificadas no circuito redu ido
correspondem às definidas pelo circuito original. Em
ambos os circuitos, s o definidas a imped ncia de entrada
da base para o terra, a corrente de entrada como a corrente
de base do transistor, a tens o de sa da como a tens o do
coletor para o terra e a corrente de sa da como a corrente
atrav s da resist ncia de carga RC.
Os par metros da Figura 5.5 podem ser aplicados a
qualquer sistema, tenha ele um ou mil componentes. Para
todas as análises a seguir neste livro, os sentidos das cor-
rentes, as polaridades das tensões e o sentido de interesse
dos n veis de imped ncia ser o os indicados na Figura 5.5.
Em outras palavras, a corrente de entrada Ii e a corrente
de saída Io s o, por definiç o, designadas para entrar no
sistema. Se, em um exemplo espec fico, a corrente de
sa da deixa o sistema em ve de entrar nele como mostra
a Figura 5.5, um sinal negativo deve ser aplicado. As po-
laridades definidas para as tensões de entrada e de sa da
tamb m aparecem na Figura 5.5. Se Vo tem a polaridade
oposta, o sinal negativo deve ser aplicado. Note que Zi a
imped ncia “voltada para dentro” do sistema, enquanto Zo
a imped ncia “voltada para trás” no sistema a partir do
terminal de sa da. Ao escolher os sentidos definidos para
correntes e tensões tal como aparecem na Figura 5.5, tanto
a imped ncia de entrada quanto a imped ncia de sa da s o
Definiç o dos par metros importantes de
qualquer sistema.
Circuito da Figura 5.4 redesenhado para análise CA de pequenos sinais.
definidas com valores positivos. Por exemplo, na Figura
5.6, as imped ncias de entrada e de sa da para determina-
do sistema s o ambas resistivas. Para o sentido de Ii e Io,
a tens o resultante atrav s dos elementos resistivos terá
a mesma polaridade que Vi e Vo, respectivamente. Se Io
tivesse sido definido com o sentido oposto na Figura 5.5,
um sinal negativo teria de ser aplicado. Para cada caso,
Zi = Vi/Ii e Zo = Vo/Io com resultados positivos se todos tive-
rem os sentidos e a polaridade definidos na Figura 5.5. Se a
corrente de sa da de um sistema real tem um sentido oposto
ao da Figura 5.5, um sinal negativo deve ser aplicado ao
resultado, porque Vo deve ser definido como aparece nessa
figura. Devemos ter a Figura 5.5 em mente ao analisar os
circuitos TBJ deste cap tulo. uma importante introduç o
a “análise de sistemas”, que se torna t o relevante diante
da ampliaç o do uso de pacotes de sistemas de CI.
Se estabelecermos um ponto de terra comum (GND)
e reorgani armos os elementos da Figura 5.4, R1 e R2 fi-
car o em paralelo, enquanto RC aparecerá entre o coletor
e o emissor, como mostra a Figura 5.7. Visto que os com-
ponentes do circuito equivalente do transistor da Figura
5.7 empregam componentes conhecidos, como resistores
e fontes controladas independentes de tens o, t cnicas de
análise, como superposiç o, teorema de Th venin e outras,
podem ser aplicadas para determinar as variáveis desejadas.
Demonstraç o da ra o dos sentidos e das
polaridades definidos.
 Em seguida, examinaremos a Figura 5.7 e identifica-
remos as variáveis importantes a serem determinadas para o
sistema. Uma ve que sabemos que o transistor um dispo-
sitivo amplificador, esperamos ter alguma indicaç o de como
a tens o de sa da Vo está relacionada com a tens o de entrada
Vi — o ganho de tensão. Note que, na Figura 5.7 para essa
configuraç o, o ganho de corrente definido por Ai = Io/Ii.
Em resumo, o equivalente CA de um circuito a
transistor obtido:
1. Fixando-se todas as fontes de tensão CC em zero e
substituindo-as por um curto-circuito equivalente.
2. Substituindo-se todos os capacitores por um curto-
-circuito equivalente.
3. Removendo-se todos os elementos em paralelo
com os curtos-circuitos equivalentes introduzidos
nas etapas 1 e 2.
4. Redesenhando-se o circuito de um modo mais
conveniente e lógico.
Nas seções seguintes, um modelo equivalente de
transistor será introdu ido para completar a análise CA
do circuito da Figura 5.7.
O modelo re para as configurações EC, BC e CC de
transistor TBJ será apresentado a seguir com uma bre-
ve explicaç o sobre como cada um uma aproximaç o
adequada ao comportamento real de um transistor TBJ.
O circuito equivalente para a configuraç o emissor-
-comum será montado a partir da curva caracter stica do
dispositivo e de uma s rie de aproximações. Começando
com o terminal de entrada, verificamos que a tens o apli-
Definiç o da curva m dia para as curvas caracter sticas da Figura 5.9(a).
cada Vi igual à tens o Vbe, sendo a corrente de entrada a
corrente de base Ib, como mostra a Figura 5.8.
Lembramos, com base no Cap tulo 3, que, con-
siderando que a corrente atrav s da junç o polari ada
diretamente do transistor IE, as curvas caracter sticas
para o terminal de entrada aparecem como na Figura
5.9(a) para diversos valores de VBE. Tomar o valor m dio
das curvas da Figura 5.9(a) resultará na curva nica da
Figura 5.9(b), que simplesmente a curva de um diodo
polari ado diretamente.
Para o circuito equivalente, portanto, o terminal de
entrada simplesmente um nico diodo com uma corrente Ie,
como mostra a Figura 5.10. Entretanto, agora devemos acres-
centar um componente ao circuito que estabelecerá a corrente
Ie da Figura 5.10 utili ando as curvas caracter sticas de sa da.
Se redesenharmos as curvas caracter sticas do co-
letor para que ele tenha um β constante, como mostra a
Figura 5.11 (outra aproximaç o), todas as caracter sticas
na seç o de sa da podem ser substitu das por uma fonte
controlada cujo valor beta ve es a corrente de base, como
mostra a Figura 5.11. Visto que todos os par metros de
entrada e de sa da da configuraç o original agora est o
Determinaç o do circuito de entrada
equivalente para um transistor TBJ.
 Circuito equivalente para o terminal de
entrada de um transistor TBJ.
Curvas caracter sticas com β constante.
presentes, o circuito equivalente para a configuraç o
emissor-comum foi estabelecido na Figura 5.12.
O modelo equivalente da Figura 5.12 pode ser dif cil
de lidar por causa da conex o direta entre os circuitos de
entrada e de sa da. Ele pode ser melhorado primeiro pela
substituiç o do diodo por sua resist ncia equivalente,
determinada pelo valor de IE, como mostra a Figura 5.13.
Lembre-se de que vimos, na Seç o 1.8, que a resist ncia do
Circuito equivalente para o TBJ.
Definiç o do n vel de Zi.
diodo determinada por rD = 26 mV/ID. Usa-se o subscrito
e porque a corrente determinante a corrente do emissor,
resultando em re = 26 mV/IE.
Agora, para o terminal de entrada:
Solucionando:
(5.1)
O resultado que a imped ncia vista “entrando” na
base do circuito um resistor igual a beta ve es o valor
de re, como mostra a Figura 5.14. A corrente de sa da do
coletor ainda está conectada à corrente de entrada por beta,
como mostra a mesma figura.
Por conseguinte, o circuito equivalente foi definido
para as curvas caracter sticas ideais da Figura 5.11, mas
agora os circuitos de entrada e de sa da est o isolados e
conectados apenas pela fonte controlada — uma forma
muito mais fácil de trabalhar ao analisar circuitos.
Circuito equivalente melhorado para o TBJ.

Agora, temos uma representaç o apropriada para
o circuito de entrada, mas, al m da corrente de sa da do
coletor definida pelo n vel de beta e IB, n o temos uma
representaç o adequada para a imped ncia de sa da do
dispositivo. Na realidade, as curvas caracter sticas n o t m
a apar ncia ideal da Figura 5.11. Em ve disso, apresentam
uma inclinaç o, como mostra a Figura 5.15, que define a
imped ncia de sa da do dispositivo. Quanto mais ngreme
a inclinaç o, menor a imped ncia de sa da e menos ideal o
transistor. De modo geral, desejável ter imped ncias de
sa da elevadas para evitar sobrecarregar o pr ximo estágio
de um projeto. Se a inclinaç o das curvas se estende at
chegar ao eixo hori ontal, interessante notar na Figura
5.15 que todas elas se cru am em uma tens o chamada
tens o Early. Essa interseç o foi descoberta por James
M. Early em 1952. medida que a corrente de base
aumenta, a inclinaç o da reta aumenta, o que resulta em
um aumento da imped ncia de sa da com um aumento da
corrente de base e de coletor. Para determinada corrente de
base e de coletor, como mostra a Figura 5.15, a imped ncia
de sa da pode ser determinada pela seguinte equaç o:
(5.2)
Tipicamente, no entanto, a tens o Early suficiente-
mente grande se comparada com a tens o coletor-emissor
aplicada, permitindo a seguinte aproximaç o:
(5.3)
Definiç o da tens o Early e da imped ncia de sa da de um transistor.
Claramente, uma ve que VA uma tens o fixa, quan-
to maior a corrente de coletor, menor a imped ncia de sa da.
Para situações em que a tens o Early n o está
dispon vel, a imped ncia de sa da pode ser determinada a
partir das curvas caracter sticas em qualquer corrente de
base ou de coletor por meio da seguinte equaç o:
Inclinaç o
e (5.4)
Para a mesma variaç o de tens o na Figura 5.15, a
variaç o resultante na corrente ΔIC significativamente
menor para ro2 do que para ro1, o que resulta em um ro2
muito maior do que o ro1.
Nos casos em que as folhas de dados de um transistor
n o incluem a tens o Early ou as curvas caracter sticas de
sa da, a imped ncia de sa da pode ser determinada pelo
par metro h brido hoe, que costuma ser traçado em toda
folha de dados. Esse par metro será descrito em detalhes na
Seç o 5.19.
De qualquer maneira, agora pode ser definida uma
imped ncia de sa da que aparecerá como um resistor em
paralelo com a sa da, como mostra o circuito equivalente
da Figura 5.16.
Esse circuito equivalente será utili ado em toda a
análise a seguir para a configuraç o emissor-comum. Os
valores comuns de beta variam de 50 a 200, com os valores
de βre normalmente compreendidos entre algumas centenas
de ohms at um máximo de 6 k a 7 k . A resist ncia de
saída r costuma ocupar a faixa de 40 k a 50 k .

Modelo re para a configuraç o emissor-
-comum do transistor, incluindo os efeitos de ro.
O circuito equivalente base-comum será desenvol-
vido de modo muito semelhante ao aplicado à configuraç o
emissor-comum. As caracter sticas gerais do circuito de
entrada e de sa da gerar o um circuito equivalente que será
uma aproximaç o do comportamento real do dispositivo.
Lembre-se de que vimos na configuraç o emissor-comum
a utili aç o de um diodo para representar a conex o base-
-emissor. Para a configuraç o base-comum da Figura
5.17(a), o transistor npn empregado apresentará a mesma
possibilidade no circuito de entrada. O resultado a utili-
(a) Transistor TBJ base-comum; (b) circuito equivalente para a configuraç o de (a).
Circuito base-comum re equivalente.
aç o de um diodo no circuito equivalente, como mostra
a Figura 5.17(b). Para o circuito de sa da, se voltarmos
ao Cap tulo 3 e examinarmos a Figura 3.8, veremos que
a corrente de coletor está relacionada com a corrente do
emissor por alfa α. Nesse caso, por m, a fonte controlada
que define a corrente de coletor, conforme inserida na
Figura 5.17(b), tem sentido oposto ao da fonte controlada
da configuraç o emissor-comum. O sentido da corrente de
coletor no circuito de sa da agora oposto ao da corrente
de sa da definida.
Para a resposta CA, o diodo pode ser substitu do por
sua resist ncia CA equivalente determinada por re = 26
mV/IE, como mostra a Figura 5.18. Note que a corrente de
emissor continua a determinar a resist ncia equivalente.
Uma resist ncia de sa da adicional pode ser determinada
a partir das curvas caracter sticas da Figura 5.19 de modo
muito semelhante ao aplicado à configuraç o emissor-
-comum. As linhas quase hori ontais revelam claramente
que a resist ncia de sa da ro , tal qual vemos na Figura 5.18,
será bastante elevada e certamente muito maior do que
para a configuraç o emissor-comum mais usual.
O circuito da Figura 5.18 , portanto, um circui-
to equivalente excelente para a análise da maioria das
configurações base-comum. semelhante, em muitos
Definiç o de Zo.
aspectos, ao da configuraç o emissor-comum. De modo
geral, as configurações base-comum possuem imped ncia
de entrada muito baixa porque ela essencialmente re. Os
valores normais se estendem de alguns ohms at talve 50 .
A imped ncia de sa da ro normalmente se estende at a
faixa de megohm. Uma ve que a corrente de sa da
oposta ao sentido definido Io, veremos na análise a seguir
que n o há nenhum deslocamento de fase entre as tensões
de entrada e de sa da. Para a configuraç o emissor-comum,
há uma mudança de fase de 180°.

Para a configuraç o coletor-comum, costumamos

aplicar o modelo definido para a configuraç o emissor-
Configuraç o emissor-comum com
-comum da Figura 5.16 em ve de definir um modelo
polari aç o fixa.
espec fico. Nos pr ximos cap tulos, uma s rie de configu-
rações coletor-comum será examinada, e o efeito de usar
o mesmo modelo se tornará bastante evidente. corrente de sa da Io a corrente de coletor. A análise CA
para pequenos sinais começa com a remoç o dos efeitos
de VCC e a substituiç o dos capacitores CC de acoplamento
A análise CC de configurações npn e pnp bastante
C1 e C2 por curtos-circuitos equivalentes, o que resulta no
diferente porque as correntes ter o sentidos opostos e as
circuito da Figura 5.21.
tensões ter o polaridades opostas. Entretanto, para uma
Observe na Figura 5.21 que o terra comum (GND)
análise CA em que o sinal evoluirá entre valores positivos
da fonte CC e do terminal emissor do transistor permite o
e negativos, o circuito CA equivalente será o mesmo.
reposicionamento de RB e RC em paralelo com as seções
de entrada e sa da do dispositivo, respectivamente. Al m
disso, veja o posicionamento dos importantes par metros
de circuito Zi, Zo, Ii e Io no circuito redesenhado. A subs-
tituiç o do modelo re na configuraç o emissor-comum da
Os modelos de transistor que acabamos de apresen- Figura 5.21 resulta no circuito da Figura 5.22.
tar ser o usados agora em uma análise CA de pequenos O passo seguinte determinar β, re e ro. O valor de
sinais para uma s rie de configurações padr o de circuitos β normalmente obtido a partir de uma folha de dados ou
transistori ados. Os circuitos analisados representam a por mediç o direta, utili ando-se um traçador de curvas ou
maioria dos circuitos usados na prática. Modificações um instrumento de teste para transistor. O valor de re deve
nas configurações padr o ser o relativamente fáceis de ser determinado por meio de uma análise CC do sistema,
examinar uma ve que o conte do deste cap tulo seja e ro normalmente obtido das folhas de dados ou a partir
discutido e compreendido. Para cada configuraç o, o de curvas caracter sticas. Supondo que β, re e ro tenham
efeito de uma imped ncia de sa da analisado para com- sido determinados teremos como resultado as seguintes
plementar a análise. equações e caracter sticas importantes do sistema.
A seç o de análise computacional inclui uma breve
descriç o do modelo de transistor empregado nos pacotes
de software PSpice e Multisim, e isso demonstra a gama
e a profundidade dos sistemas dispon veis para esse tipo
de análise, bem como a relativa facilidade de entrar em
um circuito complexo e imprimir os resultados desejados.
A primeira configuraç o a ser analisada com detalhes o
circuito emissor-comum com polarização fixa da Figura
5.20. Observe que o sinal de entrada Vi aplicado na
base do transistor, enquanto a sa da Vo está dispon vel no
coletor. Al m disso, note que a corrente de entrada Ii n o
Circuito da Figura 5.20 ap s a remoç o dos
a corrente de base, mas a corrente da fonte, enquanto a
efeitos de VCC, C1 e C2.

Substituiç o do modelo re no circuito da
Figura 5.21.
A Figura 5.22 revela claramente que
(5.5)
Na maioria das situações, RB maior do que βre por
um fator de 10 (lembre-se de que vimos na análise de ele-
mentos paralelos que a resist ncia total de dois resistores
em paralelo sempre menor do que o menor deles e muito
pr xima do menor, se um for bem maior do que o outro),
e isso permite a seguinte aproximaç o:
(5.6)
Lembre-se de que a imped ncia de sa da de qualquer
circuito definida como a imped ncia Zo determinada
quando Vi = 0. De acordo com a Figura 5.22, quando Vi = 0,
Ii = Ib = 0, o que resulta em um circuito aberto equivalente
para a fonte de corrente. O resultado a configuraç o da
Figura 5.23. Temos:
(5.7)
Determinaç o de Zo para o
circuito da Figura 5.22. formas de onda de entrada e sa da.
Se ro 10R C , a aproximaç o R C ro RC
frequentemente aplicada e:
(5.8)
Os resistores ro e RC est o em paralelo e
Se ro 10RC, de modo que o efeito de ro possa ser
ignorado,
(5.10)
Observe a aus ncia expl cita de β nas equações 5.9
e 5.10, embora saibamos que β deve ser utili ado para
determinar re.
O sinal negativo na equaç o resul-
tante para Av revela que um deslocamento de fase de 180
ocorre entre os sinais de entrada e sa da, como mostra a
Figura 5.24. Isso resulta do fato de que β b estabelece uma
corrente atrav s de RC que resultará em uma tens o atrav s
RC, o oposto do definido por Vo.
Demonstraç o do deslocamento de fase 180 entre as
 Para o circuito da Figura 5.25:
a) Determine re.
b) Determine Zi (com ro = ).
c) Calcule Zo (com ro = ).
d) Determine Av (com ro = ).
e) Repita os itens (c) e (d) incluindo ro = 50 k em todos
os cálculos e compare os resultados.

a) Análise CC:

b) Configuraç o com polari aç o por divisor

de tens o.

c) Zo = RC = 3 k

d) Lembramos que o nome da configuraç o consequ ncia

da polari aç o por divisor de tens o no lado da entrada
para que seja determinado o valor CC de VB.
e)
A substituiç o do circuito re equivalente resulta no
circuito da Figura 5.27. Observe a aus ncia de RE em de-
corr ncia do efeito de curto-circuito provocado pela baixa
imped ncia do capacitor de desvio, CE. Isto , na frequ n-
cia (ou frequ ncias) de operaç o, a reat ncia do capacitor
t o pequena se comparada com RE que ela tratada
como um curto-circuito nos terminais de RE. Quando VCC
ajustado para ero, um terminal de R1 e RC conectado
ao terra, como mostra a Figura 5.27. Al m disso, observe
que R1 e R2 continuam sendo parte do circuito de entrada,
enquanto RC parte do circuito de sa da. A combinaç o
em paralelo de R1 e R2 definida por:

(5.11)

A partir da Figura 5.27,

Exemplo 5.1. (5.12)

Da Figura 5.27, com Vi ajustado para 0 V, resulta em

Ib = 0 μA e β b = 0 mA,

A pr xima configuraç o a ser analisada o circuito

(5.13)
com polari aç o por divisor de tensão da Figura 5.26.
 Substituiç o do circuito re equivalente no circuito CA equivalente da Figura 5.26.

Se ro 10RC,

(5.14)

Visto que RC e ro est o em paralelo,

e b) R’ = R1 R2 = (56 k ) (8,2 k ) = 7,15 k

Zi = R’ βre = 7,15 k (90)(18,44 )
portanto = 7,15 k 1,66 k
= 1,35 k
c) Zo = RC = 6,8 k
e (5.15) d)

e)
que, como podemos notar, exatamente igual à equaç o
obtida para a configuraç o com polari aç o fixa.
Para ro 10RC,

(5.16)

Houve uma diferença mensurável nos resultados para

O sinal negativo na Equaç o 5.15 Zo e Av porque a condiç o ro 10RC não foi satisfeita.
revela um deslocamento de fase de 180 entre Vo e Vi.

Para o circuito da Figura 5.28, determine:

a) re.
b) Zi.
c) Zo (ro = ).
d) Av (ro = ).
e) Os par metros dos itens (b) at (d) se ro = 50 k , e
compare os resultados.

a) CC: Testando βRE > 10R2,

(90)(1,5 k ) > 10(8,2 k )
135 k > 82 k (satisfeita)
Utili ando a abordagem aproximada, obtemos:
Exemplo 5.2.
 A aplicaç o da Lei das Tensões de Kirchhoff ao
circuito do lado da entrada da Figura 5.30 resulta em

Os circuitos examinados nesta seç o incluem um Vi = Ib βre + IeRE

resistor no emissor que pode ou n o ser curto-circuitado no ou Vi = Ib βre + (β + )IbRE
dom nio CA. Primeiro examinaremos a situaç o na qual o re-
sistor inclu do (sem desvio da corrente de emissor) e depois e a imped ncia de entrada voltada para dentro do circuito,
modificaremos as equações resultantes para a configuraç o à direita de RB, :
sem o resistor (com o desvio da corrente para o terra).

A mais importante das configurações sem desvio

aparece na Figura 5.29. O modelo re equivalente utili ado
na Figura 5.30, mas observe a aus ncia da resist ncia ro.
O efeito de ro torna a análise muito mais complicada e,
considerando que na maioria das situações seus efeitos
podem ser ignorados, ele n o será inclu do neste momento,
mas será discutido posteriormente nesta seç o.
O resultado, como mostra a Figura 5.31, revela que
a imped ncia de entrada de um transistor com um resistor
RE sem desvio determinada por:
(5.17)

Visto que β normalmente muito maior do que 1, a

equaç o aproximada

Zb βre + βRE

e (5.18)

Visto que RE frequentemente muito maior do que

re, a Equaç o 5.18 pode ainda ser redu ida para:

(5.19)

Retornando à Figura 5.30, temos:

(5.20)
Configuraç o EC com polari aç o do emissor.

Substituiç o do circuito re equivalente no circuito CA equivalente da Figura 5.29.

 de cada equaç o está al m das necessidades deste livro,
e assim ela deixada como um exerc cio para o leitor.
Cada equaç o pode ser obtida por meio de uma cuidadosa
aplicaç o das leis básicas de análise de circuito, como as
Leis das Tensões e das Correntes de Kirchhoff, conversões
de fonte, teorema de Th venin etc. Quando inclu dos os
efeitos de ro , as equações ficam “complicadas”, e por
isso n o foram dedu idas; entretanto, para que o leitor as
conheça, ser o apresentadas a seguir.

Definiç o da imped ncia de entrada de um

transistor com uma resist ncia de emissor desinibida.
(5.25)

Com Vi ajustado para ero, Ib = 0, e β b pode ser subs-

titu do por um circuito aberto equivalente. O resultado Uma ve que a ra o RC/ro sempre muito menor
do que (β + 1),
(5.21)

Para ro 10(RC + RE),

e
Zb βre + (β + 1)RE

que se compara diretamente com a Equaç o 5.17.

Em outras palavras, se ro 10(RC + RE), todas as
equações dedu idas anteriormente ser o válidas. Visto que
com (5.22) β + 1 β, a seguinte equaç o excelente para a maioria
das aplicações:
Substituindo Zb β(re + RE), temos
(5.26)

(5.23)

e, para a aproximaç o Zb βRE, (5.27)

(5.24) Entretanto, ro >> re e

Observe mais uma ve a aus ncia de β na equaç o de

Av, o que demonstra independ ncia com a variaç o de β.
O sinal negativo da Equaç o 5.22 mais
uma ve revela um deslocamento de fase de 180 entre Vo e Vi.
que pode ser escrita como
As equações que aparecem a seguir re-
velam claramente a complexidade adicional resultante da
inclus o de ro na análise. Observe em cada caso, por m,
que, quando certas condições s o atendidas, as equações
retornam à forma dedu ida anteriormente. A deduç o
 Normalmente, 1/β e re/RE s o menores do que 1, com
uma soma normalmente menor do que 1. O resultado um
fator multiplicativo para ro maior do que 1. Para β = 100,
re = 10 e RE = 1 k ,

e Zo = RC 51ro
que certamente apenas RC. Logo,

(5.28)

como obtido anteriormente.

Exemplo 5.3.

(5.29)

a) CC:

A ra o << 1 e

Para ro 10RC, e

b) Testando a condiç o ro 10(RC + RE), obtemos:

(5.30)
40 k 10(2,2 k + 0,56 k )
como obtido anteriormente. 40 k 10(2,76 k ) = 27,6 k (satisfeita)

Logo,
Se RE da Figura 5.29 curto-circuitado por um ca- Zb β(re + RE) = 120(5,99 + 560 )
pacitor CE entre emissor e terra, o modelo re equivalente = 67,92 k
completo pode ser introdu ido, resultando no mesmo e Zi = RB Zb = 470 k 67,92 k
circuito equivalente da Figura 5.22. As equações 5.5 a = 59,34 k
5.10 s o, portanto, aplicáveis.
c) Zo = RC = 2,2 k
d) ro 10RC satisfeita. Logo,
Para o circuito da Figura 5.32, sem CE (sem desvio),
determine:
a) re.
b) Zi.
c) Zo.
comparável a –3,93 usando a Equaç o 5.20: Av
d) Av.
–RC/RE.
 b) O circuito CA equivalente fornecido na Figura
Repita a análise do Exemplo 5.3 com CE no lugar indi- 5.34. A configuraç o resultante diferente da Figura
cado na Figura 5.32. 5.30 apenas pelo fato de que agora:

a) A análise CC a mesma e re = 5,99 . RB = R’ = R1 R2 = 9 k

b) RE “curto-circuitado” por CE para a análise CA. Logo,
Zi = RB Zb = RB βre = 470 k (120)(5,99 ) As condições de teste de ro 10(RC + RE) e ro 10RC
= 470 k 718,8 717,70 s o ambas satisfeitas. Utili ando as aproximações
adequadas, obtemos:
c) Zo = RC = 2,2 k
Zb βRE = 142,8 k
d) Zi = RB Zb = 9 k 142,8 k
= 8,47 k

c) Zo = RC = 2,2 k

d)
Para o circuito da Figura 5.33 (com CE n o conectado),
determine (usando as aproximações adequadas):
a) re.
b) Zi.
c) Zo.
d) Av.

a) Testando βRE > 10R2,

(210)(0,68 k ) > 10(10 k )
142,8 k > 100 k (satisfeita)
temos:

O circuito CA equivalente da Figura 5.33.

Repita o Exemplo 5.5 com CE no lugar indicado na

Figura 5.33.

a) A análise CC a mesma e re = 19,64 .

b) Zb = βre = (210)(19,64 ) 4,12 k
Zi = RB ZB = 9 k 4,12 k
= 2,83 k
c) Zo = RC = 2,2 k

d)

Na Figura 5.35, vemos outra variaç o da configu-

raç o com polari aç o do emissor. Para a análise CC, a
resist ncia do emissor RE1 + RE2, enquanto para a análise
CA o resistor RE nas equações anteriores simplesmente
Exemplo 5.5. RE1 com RE2 desviado (“curto-circuitado”) por CE.

Uma configuraç o com polari aç o do
emissor com uma parte da resist ncia de polari aç o do
emissor desviada no dom nio CA.
Quando a sa da tirada do terminal emissor do tran-
sistor, como mostra a Figura 5.36, o circuito chamado de
seguidor de emissor. A tens o de sa da sempre um pouco
menor do que o sinal de entrada, devido à queda de tens o
de base para emissor, mas a aproximaç o Av 1 costuma
ser adequada. Diferentemente da tens o do coletor, a ten-
s o do emissor está em fase com o sinal Vi. Isto , tanto Vo
quanto Vi atingem seus valores de pico positivo e negativo
ao mesmo tempo. O fato de Vo “seguir” a amplitude de Vi
com a mesma fase gera a terminologia seguidor de emissor.
Na Figura 5.36, vemos a configuraç o de seguidor
de emissor mais comum. Na verdade, devido ao fato de o
Configuraç o de seguidor de emissor.
coletor estar aterrado para a análise CA, temos, na verdade,
uma configuraç o coletor-comum. Outras variações da
Figura 5.36 que coletam o sinal de sa da no emissor com
Vo Vi ser o apresentadas posteriormente nesta seç o.
A configuraç o de seguidor de emissor frequente-
mente usada para fins de casamento de imped ncias. Ela
apresenta uma alta imped ncia na entrada e uma baixa
imped ncia na sa da, o que o oposto do comportamento
da configuraç o padr o com polari aç o fixa. O efeito resul-
tante quase o mesmo que o obtido com um transformador,
em que uma carga casada com a imped ncia da fonte para
máxima transfer ncia de pot ncia pelo sistema.
A substituiç o do circuito re equivalente no circuito
da Figura 5.36 resulta no circuito da Figura 5.37. O efeito
de ro será examinado logo mais nesta seç o.
A imped ncia de entrada determinada do mesmo
modo que descrevemos na seç o anterior:
(5.31)
com (5.32)
ou (5.33)
e (5.34)
A imped ncia de sa da mais bem descrita escreven-
do-se primeiro a equaç o para a corrente Ib,
e multiplicando-se, ent o, por (β + 1) para encontrar Ie.
Isto ,
Substituiç o do circuito re equivalente no
circuito CA equivalente da Figura 5.36.
 Substituindo por Zb, temos Como mostra a Equaç o 5.38 e por
discussões anteriores nesta seç o, Vo e Vi est o em fase
para a configuraç o de seguidor de emissor.

ou

mas (β + 1) β (5.40)
e

Se a condiç o ro 10RE for satisfeita,

de modo que (5.35) Zb = βre + (β + 1)RE

que está de acordo com os resultados anteriores, com

Se agora construirmos o circuito definido pela Equa-
ç o 5.35, o resultado será a configuraç o da Figura 5.38.
(5.41)
Para determinar Zo, Vi ajustado para ero e

(5.36)

(5.42)
Como RE costuma ser muito maior do que re, a se-
guinte aproximaç o aplicada frequentemente:
Utili ando β + 1 β, obtemos
(5.37)
Zo = ro RE re
A Figura 5.38 pode ser utili ada para determinarmos
o ganho de tens o por meio da aplicaç o da regra do di- e visto que ro >> re,
visor de tens o:
(5.43)

e (5.38)
(5.44)

Uma ve que RE geralmente muito maior do que

re, RE + re RE e Se a condiç o ro 10RE for satisfeita e utili armos
a aproximaç o β + 1 β, verificamos

(5.39)

Mas Zb β(re + RE)

de maneira que

e (5.45)
Definiç o da imped ncia de sa da para a
configuraç o de seguidor de emissor.
 e) Ao verificarmos a condiç o ro 10RE, temos
Para o circuito seguidor de emissor da Figura 5.39, 25 k 10(3,3 k ) = 33 k
determine:
a) re. que n o satisfeita. Portanto,
b) Zi.
c) Zo.
d) Av.
e) Repita os itens (b) at (d) com ro = 25 k e compare
os resultados.

a) = 1,261 k + 294,43 k
= 295,7 k
com Zi = RB Zb = 220 k 295,7 k
= 126,15 k vs. 132,72 k obtido anterior-
mente
Zo = RE re = 12,56 como obtido anteriormente

b) Zb = βre + (β + 1)RE
= (100)(12,61 ) + (101)(3,3 k )
= 1,261 k + 333,3 k
= 334,56 k βRE
Zi = RB Zb = 220 k 334,56 k
= 132,72 k
c) Zo = RE re = 3,3 k 12,61
de acordo com o resultado anterior.
= 12,56 re

d) De modo geral, portanto, apesar de a condiç o

ro 10RE n o ter sido satisfeita, os resultados obtidos
para Z o e Av s o os mesmos, sendo Z i ligeiramente
menor. Os resultados sugerem que, para grande parte
das aplicações, os resultados reais podem ser bem
aproximados ignorando-se os efeitos de ro para essa
configuraç o.
O circuito da Figura 5.40 uma variaç o do circuito
da Figura 5.36, o qual emprega uma seç o de entrada com
divisor de tens o para estabelecer as condições de polari-
aç o. As equações 5.31 a 5.34 s o diferentes apenas pela
substituiç o de RB por R = R1 R2.
O circuito da Figura 5.41 tamb m possui as carac-
ter sticas de entrada/sa da de um seguidor de emissor,
por m inclui um resistor no coletor RC. Nesse caso, RB
novamente substitu do pela combinaç o em paralelo de
R1 e R2. A imped ncia de entrada Zi e a imped ncia de
saída Zo n o s o afetadas por RC, pois ele n o refletido
para os circuitos equivalentes da base ou do emissor. Na
verdade, o nico efeito de RC será na determinaç o do
Exemplo 5.7. ponto Q de operaç o.

Configuraç o de seguidor de emissor com
um arranjo de polari aç o por divisor de tens o.
Configuraç o de seguidor de emissor com
um resistor RC no coletor.
A imped ncia de entrada relativamente baixa, a
imped ncia de sa da alta e o ganho de corrente menor
do que 1 caracteri am a configuraç o base-comum. No
entanto, o ganho de tens o pode ser bem grande. A confi-
guraç o padr o aparece na Figura 5.42 com o modelo re
Configuraç o base-comum.
equivalente para base-comum substitu do na Figura 5.43.
A imped ncia de sa da do transistor ro n o inclu da na
configuraç o base-comum, porque seu valor normalmente
está na faixa de megaohm e ela pode ser ignorada quando
comparada ao resistor RC em paralelo.
(5.46)
(5.47)
Vo = –IoRC = –(–IC)RC = α eRC
com
de modo que
e (5.48)
Supondo que RE >> re, temos
Ie = Ii
e Io = –α e = –α i
com (5.49)
O fato de Av ser um n mero posi-
tivo revela que Vo e Vi est o em fase para a configuraç o
base-comum.
Para a configuraç o base-comum, ro = 1/
hob fica normalmente na faixa de megaohm e suficien-
temente maior que a resist ncia paralela RC para permitir
a aproximaç o ro RC > RC.
Substituiç o do circuito re equivalente no
circuito CA equivalente da Figura 5.44.
 e redesenhando o circuito, obtemos a configuraç o da
Para o circuito da Figura 5.44, determine: Figura 5.46. Os efeitos da resist ncia de sa da de um
a) re. transistor ser o discutidos mais adiante.
b) Zi.
c) Zo. Io = I’ + β b
d) Av.
e) Ai. e

a) mas Vo = –IoRC = – (I’ + β b)RC

com Vi = Ib βre

de modo que

b) Zi = RE re = 1 k 20
= 19,61 re que pode, ent o, ser rearranjado como segue
c) Zo = RC = 5 k

d)
e, finalmente,

e) Ai = –0,98 –1

Exemplo 5.8.

O circuito com realimentaç o do coletor da Figura

Configuraç o com realimentaç o do coletor.
5.45 emprega um caminho de realimentaç o do coletor
para a base com o prop sito de aumentar a estabilidade do
sistema, como foi discutido na Seç o 4.6. No entanto, o
simples ato de conectar um resistor da base para o coletor,
em ve de conectá-lo entre a base e a fonte CC, tem um
impacto significativo no n vel de dificuldade encontrada
quando se analisa o circuito.
Algumas das etapas a serem seguidas s o resultado
da experi ncia de trabalho com tais configurações. N o
esperado que um estudante iniciante escolha a sequ ncia
de etapas descrita a seguir sem cometer alguns erros em Substituiç o do circuito re equivalente no
uma etapa ou outra. Substituindo o circuito equivalente circuito CA equivalente da Figura 5.45.
 Ent o:
Agora :

ou

Substituir Vi por Zi na equaç o anterior resulta em: Para RC >> re,

ou
Visto que RC >> re

e (5.52)

ou (5.50) Para RF >> RC,

(5.53)

Se fixarmos Vi em ero, conforme necessário para

definir Zo, o circuito terá o aspecto da Figura 5.47. O efeito O sinal negativo da Equaç o 5.52
de re removido, RF aparece em paralelo com RC e revela um deslocamento de fase de 180 entre Vo e Vi.

(5.51)
Uma análise completa, sem aproximações, resulta em:

(5.54)

ou
Aplicando a condiç o ro 10RC, obtemos

Definiç o de Zo para a configuraç o com Aplicando RC >> re e ,

realimentaç o do coletor.
 Para o circuito da Figura 5.48, determine:
a) re.
b) Zi.
c) Zo.
d) Av.
e) Repita os itens (b) a (d) com ro = 20 k e compare
os resultados.

mas, visto que

RF normalmente >> RC, RF + RC RF e a)

(5.55)

como obtido anteriormente.

b)
Incluir ro em paralelo com RC na Figura 5.47 resulta em

(5.56)

Para ro 10RC,

(5.57)
c) Zo = RC RF = 2,7 k 180 k = 2,66 k
como obtido anteriormente. Para a condiç o usual RF >>
RC,
d)

(5.58)

(5.59)

Para ro 10RC,

(5.60)

e para RF >> RC

(5.61) Exemplo 5.9.

como obtido anteriormente.

 e) Zi: A condiç o ro 10RC n o satisfeita. Logo,

Zo = ro RC RF = 20 k 2,7 k 180 k
= 2,35 k vs. 2,66 k acima

= – 0,987 212,3
= –209,54

Para a configuraç o da Figura 5.49, as equações 5.61

a 5.63 determinam as variáveis de interesse. As demons-
trações foram transformadas em um exerc cio que pode (5.63)
ser encontrado no final do cap tulo.

(5.64)

O circuito da Figura 5.50 tem um resistor de reali-

mentaç o CC para aumentar a estabilidade. No entanto, o
capacitor C3 desviará parte da resist ncia de realimentaç o
para as seções de entrada e sa da do circuito no dom nio

Configuraç o com realimentaç o no coletor

com um resistor RE no emissor.

(5.62)
Configuraç o com realimentaç o CC do coletor.
CA. A porç o de RF desviada para o lado da entrada ou O sinal negativo na Equaç o 5.68
da sa da será determinada pelos valores desejados das revela um deslocamento de fase de 180 entre as tensões
resist ncias CA de entrada e sa da. de entrada e sa da.
Na frequ ncia ou nas frequ ncias de operaç o, o
capacitor se comportará como um curto-circuito para
o terra, por causa de seu baixo valor de imped ncia se Para o circuito da Figura 5.52, determine:
comparado aos outros elementos do circuito. O circuito a) re.
CA equivalente para pequenos sinais terá, ent o, o aspecto b) Zi.
do circuito da Figura 5.51. c) Zo.
d) Av.
e) Vo se Vi = 2 mV.
(5.65)
a) CC:
(5.66)

Para ro 10RC,

(5.67)

R = ro RF2 RC

e Vo = –β bR

mas

de modo que (5.68)

Para ro 10RC,

(5.69)
Exemplo 5.10.

Substituiç o do circuito re equivalente no circuito CA equivalente da Figura 5.50.

b) βre = (140)(9,92 ) = 1,39 k
O circuito CA equivalente aparece na Figura 5.53.
Zi = RF1 βre = 120 k 1,39 k Todos os par metros determinados nas seções anterio-
> 1,37 k res foram para um amplificador sem carga e com a tens o de
c) Ao testar a condiç o ro 10RC, obtemos entrada conectada diretamente a um terminal do transistor.
Nesta seç o, ser o investigados o efeito da aplicaç o de uma
30 k 10(3 k ) = 30 k carga ao terminal de sa da e o efeito do uso de uma fonte
com uma resist ncia interna. O circuito da Figura 5.54(a)
que satisfeita pelo sinal de igualdade na condiç o.
caracter stico daqueles examinados na seç o anterior. Uma
Logo,
ve que n o havia uma carga resistiva ligada ao terminal de
Zo > R C R F 2 = 3 k 68 k sa da, o ganho comumente chamado de ganho de tens o
= 2,87 k sem carga (no-load) e recebe a seguinte notaç o:

d)
(5.70)

Na Figura 5.54(b), uma carga foi adicionada sob

a forma de um resistor RL, o que altera o ganho total do
sistema. Esse ganho com carga normalmente recebe a
seguinte notaç o:

e)
(5.71)

Substituiç o do circuito re equivalente no circuito CA equivalente da Figura 5.52.

Configurações de amplificador: (a) sem carga; (b) com carga; (c) com carga e com uma resist ncia de fonte.
 Na Figura 5.54(c), tanto uma carga quanto uma
resist ncia de fonte foram introdu idas, o que provocará
um efeito adicional sobre o ganho do sistema. O ganho
resultante costuma receber a seguinte notaç o:
(5.72)
A análise a seguir demonstra que:
O ganho de tensão com carga de um amplificador
é sempre menor do que o ganho de tensão sem carga.
Em outras palavras, a adiç o de uma resist ncia de
carga RL à configuraç o da Figura 5.54(a) sempre terá o
efeito de redu ir o ganho abaixo do valor sem carga.
Al m disso:
O ganho obtido com a adição de uma resistência
de fonte será sempre menor do que aquele obtido sob
condições com ou sem carga devido à queda de tensão
resultante através da resistência da fonte.
No total, portanto, o maior ganho obtido sob condi-
ções sem carga, e o menor ganho, com a inclus o de uma
imped ncia de fonte e de carga. Isto :
Para a mesma configuração, A NL > A L > A S.
interessante tamb m verificar que:
Para um projeto específico, quanto maior o valor
de RL, maior o valor do ganho CA.
Em outras palavras, quanto maior a resist ncia de
carga, mais pr xima ela será da aproximaç o de um cir-
cuito aberto, o que resultaria no maior ganho sem carga.
Al m disso:
Para um amplificador específico, quanto menor a
resistência interna de uma fonte de sinal, maior o ganho
global do sistema.
Circuito CA equivalente para o circuito da Figura 5.54(c).
Em outras palavras, quanto mais pr xima a resis-
t ncia de fonte estiver de uma aproximaç o de curto-
-circuito, maior será o ganho, porque o efeito de Rs será
essencialmente eliminado.
Para qualquer circuito, como os mostrados na Fi-
gura 5.54, que têm capacitores de acoplamento, a fonte
e a resistência de carga não afetam os valores de po-
larização CC.
Todas as conclusões citadas s o muito importantes
no processo de projeto de um amplificador. Quando adqui-
rimos um amplificador pronto, o ganho informado e todos
os outros par metros consideram a situação sem carga. O
ganho resultante da aplicaç o de uma carga ou resist ncia
de fonte pode exercer um efeito drástico sobre todos os
par metros do amplificador, como será demonstrado nos
exemplos a seguir.
De modo geral, há duas abordagens que podemos
adotar na análise de circuitos com uma carga aplicada e/ou
resist ncia de fonte. Uma delas simplesmente inserir o
circuito equivalente, tal como demonstrado na Seç o 5.11,
e utili ar m todos de análise para determinar as variáveis
de interesse. A segunda definir um modelo equivalente
de duas portas e usar os par metros determinados para a
situaç o sem carga. A primeira abordagem será aplicada na
análise a seguir; a segunda será apresentada na Seç o 5.14.
Para o amplificador transistori ado com polari aç o
fixa da Figura 5.54(c), a substituiç o do transistor pelo
circuito re equivalente e a remoç o dos par metros CC
resultam na configuraç o da Figura 5.55.
particularmente interessante observar que a Figura
5.55 tem exatamente o mesmo aspecto da Figura 5.22,
exceto pelo fato de que agora existe uma resist ncia de
carga em paralelo com RC e uma resist ncia de fonte foi
introdu ida em s rie com uma fonte Vs.
A combinaç o paralela de
R L = ro RC RL RC RL
e Vo = –β bR L = –β b(RC RL)
 a) AvL.
com b) Avs.
c) Zi.
resulta em d) Zo.

a) Equaç o 5.73:

de modo que (5.73)

A nica diferença na equaç o de ganho que usa Vi

como tens o de entrada o fato do RC da Equaç o 5.10
ter sido substitu do pela combinaç o paralela de RC e
que significativamente menor do que o ganho sem
RL. Isso fa sentido porque a tens o de sa da da Figura
carga de –280,11.
5.55 agora tomada sobre a combinaç o paralela dos
b) Equaç o 5.76:
dois resistores.
A imped ncia de entrada

(5.74)
Com Zi = 1,07 k do Exemplo 5.1, temos
como anteriormente, e a imped ncia de sa da

(5.75)
que novamente significativamente menor do que
como anteriormente tamb m. AvNL ou AvL.
Se o ganho global da fonte de sinal Vs para a sa da c) Zi = 1,07 k tal como obtido para a situaç o sem carga.
de tens o Vo for desejado, basta aplicar a regra de divisor d) Zo = RC = 3 k tal como obtido para a situaç o sem
de tens o, como segue: carga.
O exemplo demonstra claramente que AvNL > AvL > Avs.

Para a configuraç o com divisor de tens o da Figura

5.56, com carga aplicada e resistor de fonte em s rie, o cir-
e
cuito CA equivalente como o que mostra a Figura 5.57.
Primeiro, observe as fortes semelhanças com a Fi-
ou gura 5.55, sendo a nica diferença a conex o paralela de
R1 e R2 em ve de apenas RB. Tudo o mais exatamente

de modo que (5.76)

Visto que o fator Zi/(Zi + Rs) deve ser sempre menor

do que um, a Equaç o 5.76 claramente sustenta o fato de
que o ganho de sinal AvS sempre menor do que o ganho
com carga AvL.

Utili ando os valores de par metro para a configu-

raç o de polari aç o fixa do Exemplo 5.1 com uma
carga aplicada de 4,7 k e uma resist ncia de fonte de
0,3 k , determine os itens a seguir e compare os resul-
Configuraç o com polari aç o por divisor
tados com os valores sem carga:
de tens o com Rs e RL.
 Substituiç o do circuito re equivalente no circuito CA equivalente da Figura 5.56.

igual. Temos as seguintes equações para os par metros

(5.81)
importantes da configuraç o:

(5.82)
(5.77)
(5.83)

(5.78)

(5.79)

Para a configuraç o de seguidor de emissor da Figura

5.58, o circuito CA equivalente para pequenos sinais seria
como o que mostra a Figura 5.59. A nica diferença entre
essa figura e a configuraç o sem carga da Figura 5.37 a
combinaç o em paralelo de RE e RL e a adiç o do resistor
de fonte Rs. As equações para as variáveis de interesse
podem, portanto, ser determinadas mediante a simples
substituiç o de RE por RE RL sempre que RE aparecer. Se
RE n o aparecer em uma equaç o, o resistor de carga RL
n o afetará o par metro. Isto ,

(5.80)
Configuraç o de seguidor de emissor com
R s e RL .

Substituiç o do circuito re equivalente no circuito CA equivalente da Figura 5.58.

 O efeito de uma resist ncia de carga e uma impe- A substituiç o na Equaç o 5.84, ent o, resulta em
d ncia de fonte nas configurações TBJ restantes n o será
examinado em detalhes aqui. No entanto, a Tabela 5.1 na
Seç o 5.14 examina os resultados para cada configuraç o.

e na seguinte equaç o importante:

Podemos notar, nas seções anteriores, que o ganho
de corrente n o foi determinado para cada configuraç o.
Edições anteriores deste livro continham os detalhes para (5.85)
determinar esse ganho, mas, na realidade, o ganho de
tens o costuma ser o de maior import ncia. A aus ncia das
deduções n o deve causar preocupaç o, porque: O valor de RL definido pela locali aç o de Vo e Io.
Para cada configuração de transistor, o ganho de Para demonstrar a validade da Equaç o 5.85, ana-
lisaremos a configuraç o de polari aç o por divisor de
corrente pode ser determinado diretamente a partir do
tens o da Figura 5.28.
ganho de tensão, da carga definida e da impedância
Usando os resultados do Exemplo 5.2, encontramos
de entrada.

A deduç o da equaç o que relaciona os ganhos de

tens o e de corrente pode ser reali ada a partir da confi-
guraç o de duas portas da Figura 5.60.
de modo que
O ganho de corrente definido por:

(5.84)

A aplicaç o da lei de Ohm nos circuitos de entrada

e de sa da resulta em:

Usando a Equaç o 5.85:

O sinal negativo associado à equaç o de sa da existe

simplesmente para indicar que a polaridade da tens o de
sa da determinada por uma corrente de sa da que tem o
sentido oposto ao indicado. Por definiç o, as correntes de
entrada e de sa da seguem o sentido de entrada na confi-
guraç o de duas portas.
que tem o mesmo formato da equaç o resultante anterior
e o mesmo resultado.
A soluç o para o ganho de corrente em termos dos
par metros de circuito será mais complicada para algumas
configurações se a soluç o desejada for dada em funç o
dos par metros de circuito. No entanto, se uma soluç o
num rica tudo que se deseja, basta substituir o valor dos
tr s par metros a partir de uma análise do ganho de tens o.
Como um segundo exemplo, analisemos a configura-
ç o com polari aç o de base comum da Seç o 5.9. Nesse
caso, o ganho de tens o

Determinaç o do ganho de corrente por

meio do ganho de tens o.
Amplificadores transistori ados com TBJ sem carga.
e a imped ncia de entrada

Zi RE re re

com RL definida como sendo RC devido à locali aç o de Io.

O resultado o seguinte:

Sistema de duas portas.

que está de acordo com a soluç o da seç o porque Ic

Ie. Note, nesse caso, que a corrente de sa da tem o sentido
oposto ao que aparece nos circuitos dessa seç o por causa
do sinal negativo.
As ltimas seções inclu ram uma s rie de derivações
para configurações TBJ sem carga e com carga. O material
t o extenso que nos pareceu apropriado analisar a maioria
das conclusões para as várias configurações nas tabelas-re-
sumo para fins de comparaç o rápida. Embora as equações
que usam par metros h bridos n o tenham sido discutidas
em detalhe at agora, elas foram inclu das para completar
as tabelas. O uso de par metros h bridos será examinado
em uma seç o posterior deste cap tulo. Em cada caso, as
formas de onda inclu das demonstram a relaç o de fase
entre as tensões de entrada e sa da. Elas tamb m revelam o
valor relativo das tensões nos terminais de entrada e sa da.
A Tabela 5.1 se refere a uma situaç o sem carga,
enquanto a Tabela 5.2 inclui o efeito de Rs e RL.
Isso deve ficar bastante bvio, porque a carga n o
foi aplicada e tamb m n o fa parte do pacote.
Para o sistema de duas portas da Figura 5.61, a po-
laridade das tensões e o sentido das correntes s o como
definidos. Se as correntes tiverem um sentido diferente ou
as tensões tiverem uma polaridade diferente em relaç o à
Figura 5.61, um sinal negativo deverá ser aplicado. Note
novamente o uso da notaç o AvNL para indicar que o ganho
de tens o fornecido será o valor sem carga.
Para os amplificadores, os par metros relevantes
foram esboçados dentro dos limites do sistema de duas
portas, como mostra a Figura 5.62. As resist ncias de en-
trada e sa da de um amplificador empacotado costumam
ser fornecidas com o ganho sem carga. Elas podem ser
inseridas, ent o, como mostra a Figura 5.62 para repre-
sentar o pacote.
Para a situaç o sem carga, a tens o de sa da
(5.86)

devido ao fato de que I = 0A, o que resulta em IoRo = 0V.

A resist ncia de sa da definida por Vi = 0V. Sob
tais condições, a quantidade AvNLVi tamb m igual a ero
No processo de projeto, muitas ve es necessá-
volt e pode ser substitu da por um equivalente de curto-
rio trabalhar com as caracter sticas de terminal de um
-circuito. O resultado :
dispositivo em ve de com os componentes individuais
do sistema. Em outras palavras, o projetista recebe um
pacote do produto com uma lista de dados referentes a (5.87)
suas caracter sticas, mas ele n o tem acesso à estrutura
interna. Esta seç o relacionará os par metros importantes
determinados para uma s rie de configurações das seções
anteriores com os par metros importantes desse sistema
empacotado (“lacrado”). O resultado será a compreens o
de como cada par metro desse sistema se relaciona com o
amplificador ou com o circuito reais. O sistema da Figura
5.61 denominado sistema de duas portas porque existem
dois conjuntos de terminais — um na entrada e outro na sa da.
Neste ponto, especialmente importante observar que
os dados em torno de um sistema empacotado são os
Substituiç o dos elementos internos no
dados sem carga. sistema de duas portas da Figura 5.61.
Amplificadores transistori ados com TBJ incluindo o efeito de Rs e RL.
 Amplificadores transistori ados com incluindo o efeito de Rs e RL (continuaç o).
Por fim, a imped ncia de entrada Zi simplesmente re-
laciona a tens o aplicada à corrente de entrada resultante e:
(5.88)
Para a situaç o sem carga, o ganho de corrente
indefinido porque a corrente de carga igual a ero. Há,
no entanto, um ganho de tens o sem carga igual a AvNL.
O efeito da aplicaç o de uma carga a um sistema
de duas portas resultará na configuraç o da Figura 5.63.
Idealmente, nenhum dos par metros do modelo afetado
pela alteraç o de cargas e valores de resist ncia de fonte.
Entretanto, para algumas configurações a transistor, a car-
ga aplicada pode afetar a resist ncia de entrada, enquanto,
para outras, a resist ncia de sa da pode ser afetada pela re-
sist ncia de fonte. Em todos os casos, por m, por definiç o
simples, o ganho sem carga n o afetado pela aplicaç o
de uma carga. De qualquer forma, uma ve que AvNL, Ri
e Ro estejam definidos para determinada configuraç o,
as equações a serem dedu idas podem ser empregadas.
A aplicaç o da regra do divisor de tens o no circuito
de sa da resulta em
e (5.89)

Aplicaç o de uma carga no sistema de duas
portas da Figura 5.62.
Visto que a ra o RL/(RL + Ro) sempre menor do
que 1, temos evid ncia adicional de que o ganho de tens o
com carga de um amplificador sempre menor do que o
valor sem carga.
O ganho de corrente , ent o, determinado por
e (5.90)
tal como obtido anteriormente. De modo geral, portanto,
o ganho de corrente pode ser obtido a partir do ganho de
tens o e dos par metros de imped ncia Zi e RL. O pr ximo
exemplo demonstrará a utilidade e a validade das equações
5.89 e 5.90.
Agora voltamos nossa atenç o para o lado de entrada
do sistema de duas portas e para o efeito de uma resist ncia
de fonte interna sobre o ganho de um amplificador. Na
Figura 5.64, uma fonte com uma resist ncia interna foi
aplicada ao sistema básico de duas portas. As definições
de Zi e AvNL s o tais que:
Os parâmetros Z i e AvNL de um sistema de duas
portas não são afetados pela resistência interna da
fonte aplicada.
Inclus o dos efeitos da resist ncia de fonte Rs.
No entanto:
A impedância de saída pode ser afetada pelo valor de Rs .
A fraç o do sinal aplicado que chega aos terminais
de entrada do amplificador da Figura 5.64 determinada
pela regra do divisor de tens o. Isto ,
(5.91)
A equaç o 5.91 mostra claramente que quanto maior
o valor de Rs, menor a tens o nos terminais de entrada do
amplificador. De modo geral, portanto, como mencionado
anteriormente, para um amplificador espec fico, quanto
maior a resist ncia interna de uma fonte de sinal, menor
o ganho global do sistema.
Para o sistema de duas portas da Figura 5.64,
de modo que
e (5.92)
Os efeitos de Rs e RL foram demonstrados indi-
vidualmente. A pr xima quest o como a presença de
ambos os fatores no mesmo circuito afetará o ganho total.
Na Figura 5.65, uma fonte com resist ncia interna Rs e uma
carga RL foram aplicadas a um sistema de duas portas para
o qual os par metros Zi, AvNL e Zo foram especificados. Por
enquanto, vamos supor que Zi e Zo n o s o afetados por
RL e Rs, respectivamente.
No lado de entrada, encontramos
Equaç o 5.91:
 Consideraç o dos efeitos de Rs e RL sobre o ganho de um amplificador.

qualquer procedimento de projeto. N o basta assegurar

ou (5.93) que Rs relativamente pequeno se o efeito do valor de RL
for ignorado. Por exemplo, na Equaç o 5.96, se o primeiro
fator 0,9 e o segundo 0,2, o produto dos dois resulta em
e, no lado de sa da, um fator de reduç o global igual a (0,9)(0,2) = 0,18, que
pr ximo do fator mais baixo. O efeito do excelente valor
0,9 foi completamente di imado pelo segundo multiplica-
dor significativamente menor. Se ambos fossem fatores de
valor 0,9, o resultado l quido seria (0,9)(0,9) = 0,81, que
ou (5.94) ainda bastante elevado. Mesmo que o primeiro fosse 0,9
e o segundo fosse 0,7, o resultado l quido de 0,63 ainda
seria respeitável. De modo geral, portanto, para um ganho
Para o ganho total Avs = Vo/Vs, as seguintes operações
total ra oável, os efeitos de Rs e RL devem ser avaliados
matemáticas podem ser reali adas:
individualmente e como um produto.

(5.95)
Determine AvL e Avs para o circuito do Exemplo 5.11 e
compare as soluções. O Exemplo 5.1 mostrou que AvNL
e substituindo as equações 5.93 e 5.94 temos: = –280, Zi = 1,07 k e Zo = 3 k . No Exemplo 5.11,
RL = 4,7 k e Rs = 0,3 k .

(5.96)
a) Equaç o 5.89:

Visto que Ii = Vi /Ri, como anteriormente,

(5.97)

ou, usando Is = Vs /(Rs + Ri),

tal como no Exemplo 5.11.
b) Equaç o 5.96:
(5.98)

No entanto, Ii = Is, de modo que as equações 5.97

e 5.98 geram o mesmo resultado. A Equaç o 5.96 revela
claramente que tanto a resist ncia de fonte quanto a re-
sist ncia de carga redu ir o o ganho global do sistema.
Os dois fatores de reduç o da Equaç o 5.96 formam
tal como no Exemplo 5.11.
um produto que deve ser cuidadosamente avaliado em

Dado o amplificador empacotado (sem os par metros
internos) da Figura 5.66:
a) Determine o ganho AVL com RL = 1,2 k e compare-o
ao valor sem carga.
b) Repita o item (a) com RL = 5,6 k e compare as
soluções.
c) Determine Avs com RL = 1,2 k .
d) Determine o ganho de corrente
com RL = 5,6 k .
que bastante pr ximo do ganho com carga Av ,
porque a imped ncia de entrada consideravelmente
maior do que a resist ncia de fonte. Em outras pala-
vras, a resist ncia de fonte relativamente pequena
quando comparada com a imped ncia de entrada do
amplificador.
d)

a) Equaç o 5.89:
importante compreender que, quando utili amos
as equações de duas portas em algumas configurações,
a imped ncia de entrada sens vel à carga aplicada (tal
como o seguidor de emissor e a realimentaç o de coletor),
e em outras a imped ncia de sa da sens vel à resist ncia
de fonte aplicada (tal como o seguidor de emissor). Nes-
ses casos, os par metros sem carga para Zi e Zo devem
que representa uma queda drástica em relaç o ao ser calculados antes da substituiç o nas equações de
valor sem carga. duas portas. Para a maioria dos sistemas empacotados,
b) Equaç o 5.89: como o amp-ops, essa sensibilidade dos par metros de
entrada e sa da à carga aplicada ou à resist ncia de fonte
minimi ada para eliminar a necessidade de preocupaç o
com alterações nos valores sem carga ao utili armos
equações de duas portas.

que revela claramente que quanto maior o resistor A abordagem de sistema de duas portas parti-
de carga, melhor o ganho. cularmente til no caso de sistemas em cascata, como
c) Equaç o 5.96: o que aparece na Figura 5.67, onde Av1, Av2, Av3 e assim
por diante s o os ganhos de tens o de cada estágio sob
condições com carga. Isto , Av1 determinado enquan-
to a impedância de entrada Av2 atua como carga para
Av1. Para Av2, Av1 determinará a intensidade do sinal e a
imped ncia da fonte na entrada de Av2. O ganho total do
sistema , ent o, determinado pelo produto dos ganhos
individuais, como segue:

(5.99)

e o ganho de corrente total dado por:

(5.100)

Por mais perfeito que seja o projeto, a aplicaç o de

Amplificador para o Exemplo 5.13. um estágio ou uma carga subsequente a um sistema de
 Sistema em cascata.

duas portas afeta o ganho de tens o. Portanto, n o existe

a possibilidade de uma situaç o em que Av1, Av2 e assim
por diante, como vemos na Figura 5.67, sejam simples-
mente valores para a situaç o sem carga. Os par metros
sem carga podem ser usados para determinar os ganhos
com carga de cada estágio, mas a Equaç o 5.99 requer os
e
valores com carga. A carga no estágio 1 Zi2, no estágio
2, Zi3, no estágio 3, Zin etc.
Para a configuraç o base comum,

O sistema de dois estágios da Figura 5.68 utili a tran-

sistor em uma configuraç o seguidor de emissor antes
de uma configuraç o base-comum para assegurar que
o máximo porcentual do sinal aplicado apareça nos
terminais de entrada do amplificador base-comum. Na e
Figura 5.68, os valores sem carga s o fornecidos para
cada sistema, com exceç o de Zi e Zo para o seguidor
de emissor, os quais s o valores com carga. Para a b) Equaç o 5.99: AvT = Av1Av2
configuraç o da Figura 5.68, determine: = (0,684)(147,97)
a) O ganho com carga para cada estágio. = 101,20
b) O ganho total para o sistema, Av e Avs. Equaç o 5.92:
c) O ganho de corrente total para o sistema.
d) O ganho total para o sistema se a configuraç o de
seguidor de emissor for removida.

a) Para a configuraç o de seguidor de emissor, o ganho c) Equaç o 5.100:

com carga (pela Equaç o 5.94):

Exemplo 5.14.
 d) Equaç o 5.91: b) Calcule o ganho global e a tens o de sa da se uma carga
de 4,7 k aplicada ao segundo estágio e compare os
resultados com aqueles obtidos no item (a).
c) Calcule a imped ncia de entrada do primeiro estágio
e a imped ncia de sa da do segundo.
e com de cima
a) A análise de polari aç o CC resulta, para cada tran-
sistor, no que vemos a seguir:
e
VB = 4,7 V, VE = 4,0 V, VC = 11 V, IE = 4,0 mA

No ponto de polari aç o,
No total, portanto, o ganho cerca de 25 ve es maior
quando a configuraç o seguidor de emissor usada
para repassar o sinal para os estágios amplificado-
res. Observe, entretanto, que tamb m importante
que a imped ncia de sa da do primeiro estágio seja A carga do segundo estágio
relativamente pr xima à imped ncia de entrada do Zi2 = R1 R2 βre
segundo estágio, ou o sinal teria sido “perdido”
que resulta no seguinte ganho para o primeiro estágio:
novamente pela aç o do divisor de tens o.

Uma conex o comum de estágios amplificadores o

acoplamento RC mostrado na Figura 5.69 no pr ximo exem-
plo. O nome deriva do capacitor de acoplamento CC e do fato
de que a carga no primeiro estágio uma combinaç o RC. O
capacitor de acoplamento isola os dois estágios do ponto de
vista CC, mas atua como um equivalente de curto-circuito para
a resposta CA. A imped ncia de entrada do segundo estágio Para o segundo estágio sem carga, o ganho
atua como uma carga no primeiro, o que permite a mesma
abordagem de análise que a descrita nas duas ltimas seções.

o que resulta em um ganho global de

a) Calcule o ganho de tens o sem carga e a tens o de
AvT(NL) = AvLAv2(NL) = (–102,3)(–338,46)
sa da dos amplificadores transistori ados com aco-
34,6 103
plamento RC da Figura 5.69.

Amplificador TBJ com acoplamento RC para o Exemplo 5.15.

 A tens o de sa da , portanto,

Vo = AvT(NL)Vi = (34,6 103)(25 µV) 865 mV

b) O ganho global com carga aplicada de 10 k

que consideravelmente menor do que o ganho sem

carga, porque RL está relativamente pr ximo de RC.

Vo = AvTVi
= (23,6 103)(25 µV)
= 590 mV

c) A imped ncia de entrada do primeiro estágio

Circuito cascode prático para o Exemplo 5.16.
Zi1 = R1 R2 βre = 4,7 k 15 k (200)(6,5 )
= 953,6

enquanto a imped ncia de sa da para o segundo primeiro estágio de modo a assegurar que a capacit ncia
estágio Miller de entrada (a ser discutida na Seç o 9.9) seja m ni-
ma, enquanto o estágio BC seguinte oferece uma excelente
Zo2 = RC = 2,2 k resposta de alta frequ ncia.

A configuraç o cascode possui uma de duas configu- Calcule o ganho de tens o sem carga para a configura-
rações poss veis. Em cada caso, o coletor do transistor que ç o cascode da Figura 5.71.
está à frente conectado ao emissor do transistor seguinte.
Um arranjo poss vel aparece na Figura 5.70; o segundo, A análise CC resulta em
na Figura 5.71 do exemplo a seguir.
Os arranjos fornecem uma imped ncia de entrada VB1 = 4,9 V, VB2 = 10,8 V, IC1 IC2 = 3,8 mA
relativamente alta com ganho de tens o baixo para o

Configuraç o cascode.
 visto que IE1 IE2, a resist ncia din mica de cada
transistor
A carga no transistor Q1 a imped ncia de entrada do
transistor Q2 na configuraç o BC, como mostrado por
re na Figura 5.72.
O resultado a substituiç o de RC na equaç o básica sem
carga para o ganho da configuraç o BC, com a impe-
d ncia de entrada de uma configuraç o BC como segue:
com o ganho de tens o para o segundo estágio (base-
-comum) de
O ganho global sem carga
AvT = Av1Av2 = (–1)(265) = –265
Como era previs vel, no Exemplo 5.16, o estágio de
EC fornece uma imped ncia de entrada maior do que
se poderia esperar do estágio BC. Com um ganho de
tens o de cerca de 1 no primeiro estágio, a capacit n-
cia Miller de entrada mantida bastante baixa para
sustentar uma resposta de alta frequ ncia adequada.
Um grande ganho de tens o de 265 foi fornecido pelo
estágio BC para dar ao projeto geral um bom n vel de
imped ncia de entrada com n veis de ganho desejáveis.
Definiç o da carga de Q1.
Uma conex o muito conhecida de dois transistores
bipolares de junç o que opera como um transistor “super-
beta” a conex o Darlington mostrada na Figura 5.73.
Sua principal caracter stica que o transistor composto
Combinaç o Darlington.
atua como uma unidade nica com um ganho de corrente
que o produto dos ganhos de corrente dos transistores
individuais. Se a conex o feita a partir de dois transis-
tores separados com ganhos de corrente β1 e β2, a conex o
Darlington fornece um ganho de corrente de:
(5.101)
A configuraç o foi introdu ida pela primeira ve
pelo Dr. Sidney Darlington em 1953. A Figura 5.74 apre-
senta uma breve biografia.
Um amplificador Darlington utili ado em uma con-
figuraç o de seguidor de emissor aparece na Figura 5.75.
O impacto primário de usar a configuraç o Darlington
uma imped ncia de entrada muito maior do que aquela
obtida com um circuito de transistor nico. O ganho de
corrente tamb m maior, mas o ganho de tens o para um
transistor nico ou uma configuraç o Darlington perma-
nece ligeiramente menor do que um.
A situaç o em quest o resolvida a
partir de uma vers o modificada da Equaç o 4.44. Existem
duas quedas de tens o base-emissor a serem inclu das, e o
beta de um nico transistor substitu do pela combinaç o
Darlington da Equaç o 5.101.
(5.102)
A corrente do emissor de Q1 igual à corrente de
base de Q2, de modo que
IE2 = β2IB2 = β2IE1 = β2(β1IE1) = β1β2IB1
resultando em
(5.103)
 Configuraç o de seguidor de emissor com
um amplificador Darlington.
Sidney Darlington (cortesia de AT T
Archives and History Center).
A tens o de coletor de ambos os transistores
Norte-americano (Pittsburgh, PA; Exeter, NH) (1906-1997)
(5.104)
Chefe de departamento da Bell Laboratories. Professor,
Departamento de Engenharia El trica e da Computaç o, da a tens o do emissor de Q2
Universidade de New Hampshire.
(5.105)
O Dr. Sidney Darlington obteve o bacharelado em física
por Harvard e em Comunicaç o El trica pelo MIT, e seu
Ph.D. pela Universidade de Columbia. Em 1929, ingressou a tens o de base de Q1:
na Bell Laboratories, onde foi chefe do Departamento de
(5.106)
Circuitos e Controle. Nesse per odo, fe ami ade com
outros colaboradores importantes, como Edward Norton
e Hendrik Bode. Detentor de 24 patentes nos Estados a tens o de coletor-emissor de Q:
Unidos, foi premiado com a Presidential Medal of Free-
dom, a mais alta honraria civil no pa s, em 1945, por suas (5.107)
contribuições ao projeto de circuitos durante a Segunda
Guerra Mundial. Membro eleito da National Academy of
Engineering, ele tamb m recebeu a IEEE Edison Medal
em 1975 e a IEEE Medal of Honor em 1981. Sua patente Calcule as tensões de polari aç o CC e as correntes para
norte-americana 2 663 806 e entitulada “Semiconductor a configuraç o Darlington da Figura 5.76.
Signal Translating Device” foi emitida em 22 de de embro
de 1953, e descrevia como dois transistores podem ser
constru dos na configuraç o Darlington sobre o mesmo
substrato — , com frequ ncia, considerada a origem da
construç o do CI composto. O Dr. Darlington tamb m foi
responsável pela introduç o e pelo desenvolvimento da
t cnica de Chirp, usada em todo o mundo na transmiss o
por guia de onda e sistemas de radar. Ele foi o principal
colaborador do Bell Laboratories Command Guidance
System, que guia a maioria dos foguetes usados atualmen-
te para colocar sat lites em rbita. Esse sistema utili a
uma combinaç o de rastreamento por radar no solo com
controle inercial do pr prio foguete. O Dr. Darlington foi
um ávido praticante de esportes ao ar livre, escalando tri- IC2 > IE2 = βDIB1 = (5000)(3,16 mA) = 15,80 mA
lhas, e membro da Appalachian Mountain Club. Uma das VC1 = VC2 = 18 V
reali ações que mais o orgulhou foi a escalada do Monte VE2 = IE2RE = (15,80 mA)(390 ) = 6,16 V
Washington aos 80 anos de idade. VB1 = VE2 + VBE1 + VBE2 = 6,16 V + 0,7 V + 0,7 V
= 7,56 V
VCE2 = VCC – VE2 = 18 V – 6,16 V = 11,84 V
 Zi = RB βDRE
= 3,3 M (5000)(390 ) = 3,3 M 1,95 M
= 1,38 M
Note, na análise anterior, que os valores de re n o
foram comparados, mas ca ram em relaç o a valores muito
maiores. Em uma configuraç o Darlington, os valores de re
ser o diferentes porque a corrente do emissor atrav s de cada
transistor será diferente. Al m disso, devemos ter em mente
que provavelmente os valores de beta para cada transistor
ser o diferentes porque lidam com valores diferentes de
corrente. O fato , no entanto, que o produto dos dois valores
de beta será igual a βD, conforme indicado na folha de dados.
O ganho de corrente pode
ser determinado pelo circuito equivalente da Figura 5.78.
A imped ncia de sa da de cada transistor ignorada, e os
Circuito para o Exemplo 5.17. par metros de cada transistor s o empregados.
Calculando a corrente de sa da:
Io = Ib2 + β2Ib2 = (β2 + 1)Ib2
com Ib2 = β1Ib1 + Ib1 = (β1 + 1)Ib1
A imped ncia de
Ent o, Io = (β2 + 1)(β1 + 1)Ib1
entrada CA pode ser determinada pelo circuito CA equi-
Usando a regra do divisor de corrente no circuito
valente da Figura 5.77.
de entrada, temos:
Como definido na Figura 5.77:
Zi2 = β2(re2 + RE)
Zi1 = β1(re1 + Zi2)
de modo que Zi1 = β1(re1 + β2(re2 + RE)) e
Supondo RE >> re2
e Zi1 = β1(re1 + β2RE) ent o
Desde que β2RE >> re1
Zi 1 β1β2RE Usando β1, β2 >> 1
e desde que Zi = RB Zi

(5.108) (5.109)

Para o circuito da Figura 5.76:

ou (5.110)

Determinaç o de Zi. Determinaç o de Ai para o circuito da Figura 5.75.

 Para a Figura 5.76:

O ganho de tens o pode ser

determinado pela Figura 5.77 e pela seguinte deduç o:
Circuito redesenhado da Figura 5.79.

Substituindo Ib2 = (β1 + 1)Ib1

Vo = –Ib1β1re1 – (β1 + 1)Ib1β2re2
= –Ib1 β1re1 + (β1 + 1)β2re2
e
e

com

e (5.111)

de modo que
um resultado esperado para a configuraç o de seguidor
de emissor.
Retomando
A imped ncia de sa da
será determinada pela retomada da Figura 5.78 e definindo
Vi em ero volt, como mostra a Figura 5.79. O resistor RB
está “em curto”, o que resulta na configuraç o da Figura
5.80. Observe, nas figuras 5.79 e 5.80, que a corrente de
sa da foi redefinida para corresponder à nomenclatura ou
padr o e Zo adequadamente definida.
No ponto a, a Lei das Correntes de Kirchhoff resul-
tará em Io + (β2 + 1)Ib2 = Ie: Visto que β1, β2 >> 1

Io = Ie – (β2 + 1)Ib2
Aplicando a Lei das Tensões de Kirchhoff ao longo
da malha externa de sa da, temos
–Ib1β1re1 – Ib2β2re2 – Vo = 0
e Vo = Ib1β1re1 + Ib2β2re2

Determinaç o de Zo.
que define o circuito de resist ncias em paralelo da Figura 5.81.
De modo geral,

,
de maneira que a imped ncia de sa da definida por

(5.112)

Usando os resultados CC, o valor de re2 e re1 pode

ser determinado como segue:

Configuraç o de amplificador usando um

par Darlington.
e

de cada transistor fornecido juntamente com a tens o

de modo que resultante da base para o emissor.
A análise CC pode ser feita como segue:
A imped ncia de sa da do circuito da Figura 5.78
, portanto:

De modo geral, a imped ncia de sa da para a con-

figuraç o da Figura 5.78 muito baixa — da ordem de
alguns ohms, no máximo.
Usando os resultados anteriores, os valores de re2 e
re1 podem ser determinados:

Circuito resultante definido por Zo.

Agora investigaremos o efeito da
configuraç o Darlington em uma configuraç o básica de
amplificador, como mostra a Figura 5.82. Note que agora
há um resistor de coletor RC e que o terminal emissor do
circuito Darlington está conectado ao terra para as con-
dições de CA. Como observado na Figura 5.82, o beta
O equivalente CA
da Figura 5.82 aparece na Figura 5.83. Os resistores R1 e
R2 est o em paralelo com a imped ncia de entrada do par
Darlington, assumindo que o segundo transistor atue como
uma carga RE sobre o primeiro, como mostra a Figura 5.83.
Isto , i = β1re1 + β1(β2re2)
e (5.113)
 mas

de modo que (5.115)

Para a Figura 5.82:

Definindo Zi e Zi.

Para o circuito da Figura 5.82:

Note a significativa queda no ganho de corrente
i = 110 273,7 + (110)(2,49 )
= 110 273,7 + 273,9 devido a R1 e R2.
= 110 547,6 A tens o de entrada a mesma
= 60,24 k atrav s de R1 e R2 e na base do primeiro transistor, como
e Zi = R1 R2 i mostra a Figura 5.84.
= 470 k 220 k 60,24 k O resultado
= 149,86 k 60,24 k
= 42,97 k
O equivalente CA completo
da Figura 5.82 aparece na Figura 5.84.
A corrente de sa da Io = β1Ib1 + β2Ib2 e (5.116)
com Ib2 = (β1 + 1)Ib1
de modo que Io = β1Ib1 + β2(β1 + 1)Ib1
e com Ib1 = i Para o circuito da Figura 5.82,
temos Io = β1 i + β2(β1 + 1) i

Visto que a imped ncia de

saída em RC está em paralelo com os terminais de coletor-
-emissor do transistor, podemos rever situações semelhan-
tes e verificar que a imped ncia de sa da definida por
e, finalmente, (5.114)
(5.117)

Para a estrutura original:

onde ro2 a resist ncia de sa da do transistor Q2.

Circuito CA equivalente para a Figura 5.82.


Uma ve que a conex o Darlington muito conheci-
da, vários fabricantes fornecem unidades montadas, como
mostra a Figura 5.85. Normalmente, os dois TBJs s o
constru dos sobre um nico chip em ve de serem utili a-
das unidades separadas. Observe que somente um conjunto
de terminais de coletor, base e emissor fornecido para
cada configuraç o. S o, claro, a base do transistor Q1, o
coletor de Q1 e Q2 e o emissor de Q2.
Na Figura 5.86, s o fornecidas algumas especifi-
cações para um amplificador Darlington MPSA 28 da
Fairchild Semiconductor. Em particular, note que a tens o
de coletor-emissor máxima de 80 V tamb m a tens o
de ruptura. O mesmo se aplica às tensões coletor-base e
emissor-base, embora devamos perceber qu o redu idos
s o os limites máximos para a junç o base-emissor. Por
causa da configuraç o Darlington, a especificaç o da
Amplificadores Darlington encapsulados: (a)
encapsulamento TO-92; (b) encapsulamento Super SOT™-3.
Especificações para o amplificador
Darlington MPSA 28 da Fairchild Semiconductor.
corrente máxima para a corrente do coletor saltou para
800 mA — n vel muito superior aos encontrados para os
circuitos de um nico transistor. O ganho de corrente CC
especificado no elevado valor de 10.000, e o potencial base-
-emissor no estado “ligado” 2 V, que certamente excede o
1,4 V que usamos para os transistores individuais. Por fim,
interessante notar que o valor de ICEO em 500 nA muito
superior ao de uma unidade comum de transistor nico.
No formato encapsulado, o circuito da Figura 5.75
se pareceria com o da Figura 5.87. Usando βD e o valor
fornecido de VBE (= VBE1 + VBE2), todas as equações que
aparecem nesta seç o podem ser aplicadas.
Circuito seguidor de emissor Darlington.
A conex o par realimentado (veja a Figura 5.88)
um circuito com dois transistores que opera como o
circuito Darlington. Observe que o par realimentado
usa um transistor pnp acionando um transistor npn, e os
dois dispositivos atuam efetivamente como um transistor
pnp. Como acontece com uma conex o Darlington, o
par realimentado apresenta um ganho de corrente muito
Conex o par realimentado.
elevado (o produto dos ganhos de corrente do transistor), de modo que a corrente atrav s de RC :
uma imped ncia de entrada alta, uma imped ncia de
sa da baixa e um ganho de tens o ligeiramente menor (5.119)
do que um. Inicialmente, pode parecer que o ganho de
tens o seria elevado porque a sa da retirada do coletor, As tensões (5.120)
o qual conectado à fonte por um resistor RC. No en-
e (5.121)
tanto, a combinaç o pnp-npn resulta em caracter sticas
de terminal muito semelhantes às da configuraç o de
com (5.122)
seguidor de emissor. Uma aplicaç o comum (veja o
Cap tulo 12) usa uma conex o Darlington e uma cone-
x o par realimentado para proporcionar uma operaç o
de transistor complementar. Um circuito prático que Calcule as correntes e tensões de polari aç o CC para
emprega um par realimentado fornecido na Figura o circuito da Figura 5.89 para que Vo seja a metade da
5.89 para investigaç o. tens o de alimentaç o (9 V).
Os cálculos de polari aç o CC a
seguir usam simplificações práticas sempre que poss vel
para fornecer resultados mais simples. Da malha base-
-emissor de Q1, obtemos:
VCC – ICRC – VEB1 – IB1RB = 0
VCC – (β1β2IB1)RC – VEB1 – IB1RB = 0
A corrente na base de Q2 , portanto,
A corrente de base , portanto,
IB2 = IC1 = β1IB1 = 140(4,45 µA) = 0,623 mA

o que resulta em uma corrente de coletor Q2 de

(5.118)
IC2 = β2IB2 = 180(0,623 mA) = 112,1 mA

A corrente de coletor de Q1 e a corrente atrav s de RC , ent o:

IC1 = β1IB1 = IB2 Equaç o 5.119
que tamb m a corrente de base de Q2. A corrente de IC = IE1 + IC2 = 0,623 mA + 112,1 mA IC2
coletor do transistor Q2 = 112,1 mA
VC2 = VE1 = 18 V – (112,1 mA)(75 )
IC2 = β2IB2 IE2 = 18 V – 8,41 V
= 9,59 V
VB1 = IB1RB = (4,45 µA)(2 M )
= 8,9 V
VBC1 = VB1 – 0,7 V = 8,9 V – 0,7 V
= 8,2 V

O equivalente CA para o circuito da Figura 5.89 está

esboçado na Figura 5.90.
A imped ncia de entrada
CA vista da base do transistor Q1 determinada como segue:

Aplicando a Lei das Correntes de Kirchhoff para o

n a e definindo Ic = Io:

Operaç o de um par realimentado. Ib1 + β1Ib1 – β2Ib2 + Io = 0

 e i = β1re1 + β1β2RC
= (140)(41,73 ) + (140)(180)(75 )
= 5842,2 + 1,89 M
= 1,895 M
onde a Equaç o 5.125 resulta em i β1β2RC = (140)(180)
(75 ) = 1,89 M , validando as aproximações anteriores.

A definiç o de Ib1 = i , como mostra a Figura 5.90,

permitirá determinar o ganho de corrente i = Io/ i.
Equivalente CA para o circuito da Figura 5.89.
Revendo a derivaç o de Zi, encontramos
Io = –β1β2Ib1 = –β1β2I i
com Ib2 = –β1Ib1 como observado na Figura 5.90.
O resultado Ib1 + β1Ib1 – β2(–β1Ib1) + Io = 0
o que resulta em (5.127)
e Io = –Ib1 – β1Ib1 – β1β2Ib1
ou Io = –Ib1(1 + β1) – β1β2Ib1
mas β1 >> 1 O ganho de corrente Ai = Io/Ii pode ser determinado usando
e Io = –β1Ib1 – β1β2Ib1 = –Ib1(β1 + β1β2) o fato de que
= –Ib1β1(1 + β2)

o que resulta em: (5.123)

Para o lado de entrada:

Agora, da Figura 5.90

e Vo = –IoRC = –(–β1β2Ib1)RC = β1β2Ib1RC

Substituindo:
de modo que

Rearranjando: Ib1β1re1 = Vi – β1β2Ib1RC

e Ib1(β1re1 + β1β2RC) = Vi
de modo que (5.128)
de modo que

O sinal negativo aparece porque tanto Ii quanto Io

e
s o definidos como se entrassem no circuito.
Para o circuito da Figura 5.89:

de modo que (5.124)

De modo geral, β1β2RC >> β1re1

e (5.125)

com (5.126)

Para o circuito da Figura 5.89:

 mas
O ganho de tens o pode ser determinado rapidamen-
te pelo uso dos resultados que acabamos de obter.
Isto ,
e

de modo que (5.130)

(5.129) com (5.131)

que simplesmente o seguinte, se aplicarmos a aproxi- Entretanto,

maç o: β2RC >> re1

restando (5.132)

Para o circuito da Figura 5.89: que será um valor muito baixo.

Para o circuito da Figura 5.89:

Essa análise demonstra que a conex o par realimen-

A imped ncia de sa da o definida na Figura 5.91
tomando Vi em ero volt.
Usando o fato de que Io = –β1β2Ib1, do cálculo ante-
rior, temos que
tado da Figura 5.89 apresenta uma operaç o com ganho
de tens o bem pr ximo de 1 (assim como um seguidor
de emissor Darlington), um ganho de corrente bastante
elevado, uma imped ncia de sa da muito baixa e uma
imped ncia de entrada alta.
O modelo h brido equivalente foi mencionado nas
seções anteriores deste cap tulo como aquele que foi
usado no passado antes da popularidade do modelo re.
Atualmente, há uma combinaç o de usos, dependendo da
profundidade e do objetivo da análise.
O modelo re tem a vantagem de que os parâmetros
são definidos pelas condições reais de operação,

enquanto
os parâmetros do circuito híbrido equivalente são de-
finidos em termos gerais para quaisquer condições de
operação.

Em outras palavras, os par metros h bridos podem

n o refletir as condições reais de operaç o, mas simples-
Determinaç o de o e Z o.
mente fornecer uma indicaç o do n vel de cada par metro
que pode ser esperado para uso geral. O modelo re sofre,
pois par metros como a imped ncia de sa da e os elemen-
tos de realimentaç o n o est o dispon veis, ao passo que
os par metros h bridos fornecem o conjunto completo na
folha de dados. Na maioria dos casos, se o modelo re for
empregado, o investigador apenas analisará a folha de
dados para ter alguma ideia de quais seriam os elementos
adicionais. Esta seç o mostrará como se pode passar de
um modelo a outro e como os par metros est o relacio- Sistema de duas portas.
nados. Uma ve que todas as folhas de dados fornecem os
par metros h bridos e o modelo continua a ser usado ex-
tensivamente, importante conhecer ambos os modelos. Os par metros que relacionam as quatro variáveis
Os par metros h bridos, mostrados na Figura 5.92, foram s o chamados de parâmetros h, da palavra “h brido”. Este
tirados da folha de dados do transistor 2N4400 descrito no termo foi escolhido em decorr ncia da mistura de variá-
Cap tulo 3. Os valores s o fornecidos para uma corrente veis (V e ) em cada equaç o, resultando em um conjunto
de coletor de 1 mA e uma tens o coletor-emissor de 10 V. “h brido” de unidades de medida para os par metros h.
Al m disso, fornecida uma faixa de valores para cada poss vel obter uma clara compreens o do que os par me-
par metro, que serve de guia para o projeto inicial ou para tros h representam e de como determinar suas amplitudes
a análise do sistema. Uma vantagem bvia das folhas de isolando cada um deles e examinando as relações obtidas.
dados o conhecimento imediato de valores usuais para Se estabelecermos arbitrariamente que Vo = 0 (curto-
os par metros do dispositivo quando comparado com -circuito nos terminais de sa da) e resolvermos h11 na
outros transistores. Equaç o 5.133, teremos:
A descriç o do modelo h brido equivalente se iniciará
com o sistema geral de duas portas da Figura 5.93. O con-
junto de equações 5.133 e 5.134 a seguir apenas um dos (5.135)
vários modos de relacionar as quatro variáveis da Figura
5.93; por ser o mais usado em análise de circuitos de tran-
A relaç o indica que o par metro h11 um par metro
sistor, será, portanto, discutido em detalhes neste cap tulo.
de imped ncia com a unidade ohms. Por ser a ra o da
tens o de entrada pela corrente de entrada com os ter-
(5.133)
minais de sa da “curto-circuitados”, ele chamado de
parâmetro de impedância de entrada de curto-circuito.
(5.134)
O subscrito 11 de h11 se deve ao fato de que o par metro
determinado pela relaç o de quantidades medidas nos
terminais de entrada.
Se Ii for igual a ero, abrindo-se os terminais de
M n. Máx.
entrada, o resultado será o seguinte para h12:
Imped ncia de entrada
(IC = 1 mA CC, VCE = 10 V hie 0,5 7,5 k
CC, ƒ = 1 kH )
(5.136)
Ra o de realimentaç o
de tens o
hre 0,1 8,0 10–4
(IC = 1 mA CC, VCE = 10 V
CC, ƒ = 1 kH ) O par metro h12, portanto, a relaç o da tens o de
Ganho de corrente para
entrada pela tens o de sa da com a corrente de entrada
pequenos sinais igual a ero. N o há nenhuma unidade, pois ele uma
hƒe 20 250
(IC = 1 mA CC, VCE = 10 V ra o entre valores de tens o e chamado de parâmetro
CC, ƒ = 1 kH ) de relação de transferência reversa de tensão de circuito
Admit ncia de sa da aberto. O subscrito 12 de h12 revela que o par metro uma
(IC = 1 mA CC, VCE = 10 V hoe 1,0 30 1 µS quantidade de transfer ncia determinada pela ra o de
CC, ƒ = 1 kH )
medidas da entrada (1) para a sa da (2). O primeiro inteiro
Par metros h bridos para o transistor do subscrito define a quantidade medida que aparece no
2N4400. numerador; o segundo inteiro define a quantidade que apa-
rece no denominador. O termo reversa inclu do porque a
ra o compreende uma tens o de entrada sobre uma tens o
de sa da, em ve da relaç o inversa normalmente usada.
Se na Equaç o 5.134 Vo definida como igual a ero
novamente pelo estabelecimento de um curto-circuito nos
terminais de sa da, o resultado o seguinte para h21:
(5.137)
Observe que agora temos a relaç o de uma quantida-
de de sa da por uma quantidade de entrada. O termo direta
agora será usado em ve do reversa, como foi indicado
para h12. O par metro h21 a relaç o da corrente de sa da
pela corrente de entrada com os terminais de sa da em
curto. Esse par metro, assim como h12, n o tem unidade,
uma ve que uma ra o entre valores de corrente. Ele
formalmente chamado de parâmetro de razão de trans-
ferência direta de corrente de curto-circuito. O subscrito
21 novamente indica que um par metro de transfer ncia
com a quantidade de sa da (2) no numerador e a quantidade
de entrada (1) no denominador.
O ltimo par metro, h22, pode ser determinado abrin-
do-se novamente os terminais de entrada para fa er Ii = 0
e resolvendo h22 na Equaç o 5.134:
(5.138)
Por ser a ra o da corrente de sa da pela tens o de
sa da, esse par metro a condut ncia de sa da e medido
em siemens (S). Ele chamado de parâmetro de admitân-
cia de saída de circuito aberto. O subscrito 22 revela que
ele determinado por uma relaç o de valores de sa da.
Visto que a unidade de cada termo da Equaç o 5.133
o Volt, aplicaremos a Lei das Tensões de Kirchhoff “ao
contrário” para determinar um circuito que “correspon-
da” à equaç o. A reali aç o dessa operaç o resultará no
circuito da Figura 5.94. Uma ve que o par metro h11 tem
Circuito h brido equivalente de entrada.
a unidade ohm, ele representado por um resistor nessa
figura. A quantidade h12 adimensional e, portanto, sim-
plesmente aparece como um fator multiplicativo do termo
de “realimentaç o” no circuito de entrada.
Visto que cada termo da Equaç o 5.134 tem unidade
de corrente, aplicaremos a Lei das Correntes de Kirchhoff
“ao contrário” para obtermos o circuito da Figura 5.95.
Como h22 tem unidade de admit ncia, que para o modelo
do transistor representa condut ncia, ele representado
pelo s mbolo de resistor. Tenha em mente, por m, que a
resist ncia em ohms desse resistor igual ao rec proco da
condut ncia (1/h22).
O circuito “CA” equivalente completo para o dis-
positivo linear básico de tr s terminais está indicado na
Figura 5.96 com um novo conjunto de subscritos para os
par metros h. A notaç o dessa figura de nature a mais
prática, pois relaciona os par metro h com as relações
apresentadas obtidas nos ltimos parágrafos. A escolha
das letras utili adas justificada pelo seguinte:
h11 → resist ncia de entrada → hi
h12 → ra o de transfer ncia reversa de tens o → hr
h21 → ra o de transfer ncia direta de corrente → hƒ
h22 → condut ncia de sa da → ho
O circuito da Figura 5.96 aplicável a qualquer
dispositivo eletr nico linear de tr s terminais ou sistema
sem fontes internas independentes. Para o transistor,
por m, embora ele possua tr s configurações básicas,
todas elas são configurações de três terminais, de ma-
neira que o circuito equivalente resultante terá o mesmo
formato que aquele mostrado na Figura 5.96. Em cada
caso, a parte de baixo das seções de entrada e de sa da do
circuito da Figura 5.96 pode ser conectada como mostra
Circuito h brido equivalente de sa da.
Circuito h brido equivalente completo.
a Figura 5.97, porque o valor do potencial o mesmo.
Basicamente, portanto, o modelo do transistor um sis-
tema de tr s terminais com duas portas. Entretanto, os
par metros h mudar o de acordo com a configuraç o.
Para que saibamos qual par metro foi usado ou qual está
dispon vel, um segundo par metro foi adicionado à no-
taç o do par metro h. Para a configuraç o base-comum,
a letra min scula b foi adicionada, enquanto para as
configurações emissor-comum e coletor-comum foram
adicionadas as letras e e c, respectivamente. O circuito
h brido equivalente para a configuraç o emissor-comum
aparece com a notaç o padr o na Figura 5.97. Observe
que Ii = Ib, Io = Ic e, pela aplicaç o da Lei das Correntes
de Kirchhoff, Ie = Ib + Ic. A tens o de entrada agora
Vbe com a tens o de sa da Vce. Para a configuraç o base-
-comum da Figura 5.98, Ii = Ie e Io = Ic com Veb = Vi e Vcb
= Vo. Os circuitos das figuras 5.97 e 5.98 s o aplicáveis
para transistores pnp e npn.
O fato de tanto o circuito de Th venin quanto o
de Norton aparecerem no circuito da Figura 5.96 fa
com que o circuito resultante seja chamado de circuito
equivalente híbrido. Dois circuitos adicionais equiva-
lentes, que n o ser o discutidos neste livro, chamados
de circuitos equivalentes com par metro e par metro
Configuraç o emissor-comum: (a) s mbolo gráfico; (b) circuito h brido equivalente.
Configuraç o base-comum: (a) s mbolo gráfico; (b) circuito h brido equivalente.
y, utili am a fonte de tens o ou a fonte de corrente, mas
n o ambas no mesmo circuito equivalente. No Ap ndice
A, os valores dos vários par metros ser o determinados
pelas caracter sticas do transistor na regi o de operaç o,
resultando no desejado circuito equivalente para peque-
nos sinais do transistor.
Nas configurações emissor-comum e base-comum,
a amplitude de hr e ho tal que os resultados obtidos para
importantes par metros, como Zi, Zo, Av e Ai , s o pouco
afetados caso hr e ho n o sejam inclu dos no modelo.
Visto que, de modo geral, hr uma quantidade
relativamente pequena, sua remoç o aproximada por
hr 0 e hrVo = 0, o que resulta no equivalente a um curto-
-circuito para o elemento de realimentaç o, como mostra
a Figura 5.99. Em geral, a resist ncia determinada por
1/ho costuma ser grande o suficiente para ser ignorada
em comparaç o com uma carga paralela, o que permite
sua substituiç o pelo circuito equivalente a um circuito
aberto para os modelos EC e BC, como podemos ver na
Figura 5.99.
O circuito equivalente resultante da Figura 5.100
muito similar à estrutura geral dos circuitos equivalentes
base-comum e emissor-comum obtida com o modelo re.
Na verdade, o modelo h brido equivalente e o modelo re
 e (5.140)

A partir da Figura 5.101(b),

(5.141)

e (5.142)
Efeito da remoç o de hre e hoe no circuito
h brido equivalente.
Note, em particular, que o sinal negativo na Equaç o
5.142 leva em conta o fato de que a fonte de corrente do
circuito h brido equivalente padr o aponta para baixo em
ve de estar no sentido real, como mostra o modelo re da
Figura 5.101(b).

Dados IE = 2,5 mA, hƒe = 140, hoe = 20 μS (µmho) e

hob = 0,5 μS, determine:
a) O circuito h brido equivalente emissor-comum.
Modelo do circuito h brido equivalente
b) O modelo re base-comum.
aproximado.

para cada configuraç o foram repetidos na Figura 5.101 a)

para fins de comparaç o. Deve ficar claro, a partir da
Figura 5.101(a), que

(5.139)
Observe a Figura 5.102.

Modelo híbrido versus modelo re: (a) configuraç o emissor-comum; (b) configuraç o base-comum.
 Circuito h brido equivalente emissor-comum para os par metros do Exemplo 5.19.

b) experimental, a análise CC associada com o uso do modelo

re n o parte integrante do uso dos par metros h bridos.
Em outras palavras, quando o problema apresentado,
par metros como hie, hfe, hib e assim por diante s o especifi-
Observe a Figura 5.103. cados. Entretanto, preciso ter em mente que os par metros
h bridos e os componentes do modelo re est o relacionados
Há uma s rie de equações relativas aos par metros pelas seguintes equações, como já discutimos neste cap tulo:
de cada configuraç o para o circuito h brido equivalente hie = βre, hƒe = β, hoe = 1/ro, hƒb = – α e hib = re.
no Ap ndice B. Na Seç o 5.23, demonstra-se que o par -
metro h brido hƒe (βCA) o menos sens vel dos par metros
h bridos a uma mudança na corrente do coletor. Pressu-
por, ent o, que hƒe = β uma constante para a faixa de
interesse uma aproximaç o ra oável. O par metro hie =
βre aquele que varia significativamente com IC e deve
ser determinado em funç o dos n veis de operaç o, uma
ve que pode exercer um efeito real sobre os valores de
ganho de um amplificador com transistor.
Circuito h brido equivalente aproximado
para emissor-comum.

A análise feita a partir do circuito h brido equivalente

aproximado da Figura 5.104, para a configuraç o emissor-
-comum, e da Figura 5.105, para a configuraç o base-comum,
bastante similar àquela que acabamos de fa er utili ando o mo-
delo re. Uma breve apresentaç o de algumas das configurações
mais importantes será inclu da nesta seç o para demonstrar as
semelhanças na abordagem e nas equações resultantes.
Uma ve que os vários par metros do modelo h brido Circuito h brido equivalente aproximado
s o especificados por uma folha de dados ou uma análise para base-comum.

Modelo re base-comum para os par metros do Exemplo 5.19.

 Supondo que RB >> hie e 1/hoe 10RC, verificamos
Para a configuraç o com polari aç o fixa da Figura que Ib > Ii e Io = Ic = hƒeIb = hƒeIi e, portanto,
5.106, o circuito CA equivalente para pequenos sinais será como
mostra a Figura 5.107, utili ando o modelo h brido equivalente
(5.146)
aproximado de emissor-comum. Compare as semelhanças com
a Figura 5.22 e a análise do modelo re. As semelhanças suge-
rem que a análise será muito similar e que os resultados de um
podem ser relacionados diretamente com o outro. Para o circuito da Figura 5.108, determine:
A partir da Figura 5.107, a) Zi.
b) Zo.
(5.143) c) Av.
d) Ai.
A partir da Figura 5.107,
a) Zi = RB hie = 330 k 1,175 k
(5.144) hie = 1,171 k

Utili ando R = 1/hoe RC, obtemos b)

Vo = –Io R = –ICR
= –hƒe Ib R

c)
com

de modo que (5.145) d) Ai hƒe = 120

Configuraç o com polari aç o fixa. Exemplo 5.20.

Substituiç o do circuito h brido equivalente aproximado no circuito CA equivalente da Figura 5.106.

 Para a configuraç o com polari aç o por divisor de
tens o da Figura 5.109, o circuito CA equivalente para
pequenos sinais resultante terá o mesmo aspecto da Figura
5.107, com RB substitu do por R = R1 R2.
A partir da Figura 5.107, com RB = R ,

(5.147)

A partir da Figura 5.107,

(5.148)

Configuraç o EC com polari aç o de

emissor sem desvio.

(5.149)

(5.153)
(5.150)

e (5.154)

(5.155)

ou (5.156)

Configuraç o com polari aç o por divisor

de tens o.

Para o seguidor de emissor da Figura 5.36, o modelo

CA para pequenos sinais semelhante ao da Figura 5.111
com βre = hie e β = hƒe. As equações resultantes ser o,
Para a configuraç o EC com polari aç o de emissor portanto, bastante similares.
sem desvio (sem o capacitor em paralelo com RE) da Figura
5.110, o modelo CA para pequenos sinais será o mesmo
da Figura 5.30, com βre substitu do por hie e β b por hfeIb. (5.157)
A análise será feita da mesma maneira.
(5.158)

(5.151) Para Zo, o circuito de sa da definido pelas equações

resultantes aparecerá como mostra a Figura 5.112. Reveja
e (5.152) o desenvolvimento das equações na Seç o 5.8 e
 mas, como 1 + hƒe hƒe,

(5.160)

(5.161)

ou (5.162)
Configuraç o de seguidor de emissor.

A ltima configuraç o a ser examinada com o cir-

cuito h brido equivalente aproximado será o amplificador
base-comum da Figura 5.113. A substituiç o do modelo
h brido equivalente aproximado para base-comum resulta
no circuito da Figura 5.114, que muito semelhante ao
da Figura 5.43.
Temos os seguintes resultados a partir da Figura 5.114,

Definiç o de Zo para a configuraç o de

seguidor de emissor. (5.163)

(5.164)

ou, visto que 1 + hƒe hƒe,

Vo = –IoRC = –(hƒbIe)RC
(5.159)
com e

Para o ganho de tens o, a regra do divisor de tens o

pode ser aplicada à Figura 5.112 como segue:
de maneira que (5.165)

Configuraç o base-comum.
 Substituiç o do circuito h brido equivalente aproximado no circuito CA equivalente da Figura 5.113.

e h brido equivalente aproximado, removendo por esse

meio qualquer dificuldade real com a análise dos circuitos
(5.166) restantes das seções anteriores.

Para o circuito da Figura 5.115, determine:

a) Zi. A análise da Seç o 5.20 estava limitada ao circuito
b) Zo. h brido equivalente aproximado com alguma discuss o
c) Av. sobre a imped ncia de sa da. Nesta seç o, empregamos o
d) Ai. circuito equivalente completo para mostrar o impacto de
hr e definir em termos mais espec ficos o impacto de ho.
a) Zi = RE hib = 2,2 k 14,3 = 14,21 hib importante compreender que, visto que o modelo h brido
b) equivalente tem a mesma apar ncia nas configurações
base-comum, emissor-comum e coletor-comum, as equa-
ções desenvolvidas nesta seç o podem ser aplicadas a cada
uma dessas configurações. Basta inserir os par metros
definidos para cada uma delas. Isto , para uma configura-
ç o base-comum s o utili ados hƒb, hib etc., enquanto para
uma configuraç o emissor-comum s o utili ados hfe, hie
etc. Lembramos que o Ap ndice A permite uma convers o
c)
de um conjunto em outro, caso um deles seja fornecido e
o outro seja necessário.
d) Ai hƒb = –1 Analise a configuraç o geral da Figura 5.116 com
os par metros de especial interesse para sistemas de
As configurações restantes que n o foram anali- duas portas. O modelo h brido equivalente completo
sadas nesta seç o foram transformadas em exerc cios , ent o, substitu do na Figura 5.117 utili ando par -
que podem ser encontrados na seç o “Problemas” deste metros que n o especificam o tipo de configuraç o.
cap tulo. Supomos que a análise anterior revele claramente Em outras palavras, as soluções ser o em termos de
as semelhanças na abordagem, utili ando os modelos re h i, h r, h f e ho. Diferentemente das análises feitas em

Exemplo 5.21.
 Sistema de duas portas.

Substituiç o do circuito h brido equivalente completo no sistema de duas portas da Figura 5.116.

seções anteriores deste cap tulo, o ganho de corrente

Ai será determinado primeiro, uma ve que as equações A aplicaç o da Lei das Tensões de Kirchhoff ao
desenvolvidas nesta análise se mostrar o teis na de- circuito de entrada resulta em
terminaç o dos outros par metros.
Vi = Iihi + hrVo

A substituiç o de Ii = (1 + hoRL)Io/hƒ, da Equaç o

A aplicaç o da Lei das Correntes de Kirchhoff ao
5.167, e Io = –Vo/RL, do resultado anterior, gera
circuito de sa da resulta em

Resolvendo a relaç o Vo/Vi, temos

Substituindo Vo = –IoRL, temos

Io = hƒIi – hoRLIo (5.168)

Reescrevendo a equaç o anterior, obtemos

Nesse caso, a forma usual de Av = –hƒRL/hi retornará
Io + hoRLIo = hƒIi se o fator (hiho – hf hr)RL for pequeno o suficiente quando
e Io(1 + hoRL) = hƒIi comparado a hi.

de modo que (5.167)

Para o circuito de entrada, Vi = hiIi + hrVo
Substituindo Vo = –IoRL
temos Vi = hiIi – hrRLIo
Observe que o ganho de corrente será redu ido ao
resultado usual de Ai = hƒ se o fator hoRL for pequeno o
Visto que
suficiente quando comparado a 1.
Io = AiIi
de modo que a equaç o anterior se transforma em

Vi = hiIi – hrRLAiIi

Resolvendo a relaç o Vi/Ii, obtemos

e (5.170)

Nesse caso, a imped ncia de sa da redu ida à forma

e substituindo
usual Zo = 1/ho para o transistor quando o segundo fator no
denominador suficientemente menor do que o primeiro.

obtemos: Para o circuito da Figura 5.118, determine os seguintes

par metros utili ando o modelo h brido equivalente
completo e compare com os resultados obtidos utili-
(5.169)
ando o modelo aproximado.
a) Zi e i.
A forma usual de Zi = hi será obtida se o segundo b) Av.
fator no denominador (hoRL) for suficientemente menor c) Ai=Io/Ii.
do que 1. d) o (com RC) e Zo (incluindo RC).

Agora que as equações básicas para cada variável

A imped ncia de sa da de um amplificador defi-
nida pela ra o da tens o de sa da pela corrente de sa da
com o sinal Vs fixado em ero. Para o circuito de entrada,
com Vs = 0,
Substituindo essa relaç o na equaç o a seguir, obtida
do circuito de sa da, temos
foram dedu idas, a ordem em que s o calculadas arbi-
trária. No entanto, a imped ncia de entrada costuma ser
um valor que til conhecer e, portanto, ela será calcu-
lada primeiro. O circuito h brido equivalente completo
para emissor-comum foi substitu do e o circuito foi
redesenhado, como mostra a Figura 5.119. O circuito
equivalente de Th venin para a seç o de entrada da
Figura 5.119 resulta na entrada equivalente da Figura
5.120, uma ve que ETh > VS e RTh > RS = 1 k (como

Exemplo 5.22.
 Substituiç o do circuito h brido equivalente completo no circuito CA equivalente da Figura 5.118.

Substituiç o da seç o de entrada da Figura 5.119 por um circuito Th venin equivalente.

resultado de RB = 470 k ser muito maior que RS = 1 b) Equaç o 5.168:

k ). Nesse exemplo, RL = RC, e Io definido como a
corrente atrav s de RC, como em exemplos anteriores
deste cap tulo. A imped ncia de sa da Zo, como defini-
da pela Equaç o 5.170, serve somente para os terminais
de sa da do transistor e n o inclui os efeitos de RC. Zo
simplesmente a combinaç o em paralelo de Zo e RL. A
configuraç o resultante da Figura 5.120 , ent o, uma
c pia exata do circuito da Figura 5.117, e as equações
dedu idas anteriormente podem ser aplicadas.
a) Equaç o 5.169:
versus –323,125, usando-se AV > –hfeRL/hie.
c) Equaç o 5.167:

versus 1,6 k , usando-se simplesmente hie; e versus 110, usando-se simplesmente hfe. Visto que
470 k >> Zi , i > Ii e Ai > 100,55 tamb m.
d) Equaç o 5.170:
 delo h brido equivalente completo, e compare com os
resultados obtidos utili ando o modelo aproximado.
a) Zi
b) Ai
c) Av
d) Zo

Os par metros h bridos para base-comum s o dedu i-

dos dos par metros para emissor-comum pelo uso das
que maior do que o valor determinado de 1/hoe, 50 k ; e equações aproximadas do Ap ndice B:

versus 4,7 k , usando-se somente RC.

Observe como esse valor está pr ximo do valor deter-
Observe, dos resultados anteriores, que as soluções minado por:
aproximadas para Av e Zi foram muito pr ximas das cal-
culadas com o modelo equivalente completo. Na verdade,
at Ai teve uma diferença de menos de 10%. O valor maior
de o somente contribuiu para nossa conclus o anterior
de que o normalmente t o alto que pode ser ignorado Tamb m,
quando comparado com a carga aplicada. Entretanto, saiba
que, quando há necessidade de determinarmos os efeitos
de hre e hoe, o modelo h brido equivalente completo deve
ser usado como descrito anteriormente.
A folha de dados de um transistor normalmente for-
nece os par metros para a configuraç o emissor-comum,
como pode ser visto na Figura 5.92. O pr ximo exemplo
empregará os mesmos par metros do transistor que apare-
ce na Figura 5.118 em uma configuraç o pnp base-comum
com o intuito de introdu ir os procedimentos de convers o Substituir o circuito h brido equivalente para base
de par metros e enfati ar o fato de que o modelo h brido comum no circuito da Figura 5.121 resulta no circuito
equivalente mant m o mesmo formato. equivalente para pequenos sinais da Figura 5.122.
O circuito de Th venin para o circuito de entrada
resulta em RTh = 3 k 1 k = 0,75 k para Rs na
Para o amplificador base-comum da Figura 5.121, equaç o de Zo.
determine os seguintes par metros, utili ando o mo-

Exemplo 5.23.
 Equivalente de pequenos sinais para o circuito da Figura 5.121.

a) Equaç o 5.169: versus 151,3, utili ando-se AV > –hfbRL/hib.

d) Equaç o 5.170:

versus 14,41 , utili ando-se Zi > hib; e versus 5,56 M , utili ando-se Zo > 1/hob. Para Zo,
como define a Figura 5.122,

b) Equaç o 5.167: versus 2,2 k , utili ando-se Zo > RC.

O ltimo modelo de transistor a ser apresentado

o h brido da Figura 5.123, que inclui par metros que
n o aparecem nos outros dois modelos, principalmente
para fornecer um modelo mais preciso para efeitos de
Visto que 3 k >> Zi , i > Ii e Ai = Io/Ii > –1.
alta frequ ncia.
c) Equaç o 5.168:

Os resistores r , ro, rb e ru s o as resist ncias entre

os terminais indicados do dispositivo quando ele está na
regi o ativa. A resist ncia r (que usa o s mbolo para

Circuito Giacoletto (ou h brido) equivalente CA do transistor para pequenos sinais em altas frequ ncias.
estar em conformidade com a terminologia h brido)
simplesmente βre tal como introdu ido para o modelo re
emissor-comum.
Isto ,
(5.171)
A resist ncia de sa da ro aquela que normalmente
aparece atrav s da carga aplicada. Seu valor, que costu-
ma oscilar entre 5 k e 40 k , determinado a partir
do par metro h brido hoe, da tens o Early ou das curvas
caracter sticas de sa da.
A resist ncia rb inclui o contato de base, o substrato
de base e os valores de resist ncia de espalhamento da
base. O primeiro se deve à conex o real com a base. O
segundo inclui a resist ncia a partir do terminal externo
para a regi o ativa do transistor, e o ltimo a resist ncia
efetiva dentro da regi o da base ativa. Seu valor usual
de alguns ohms a de enas de ohms.
A resist ncia ru (o subscrito u se refere à união que ela
proporciona entre os terminais de coletor e base) muito
grande, e fornece um caminho de realimentaç o da sa da
para os circuitos de entrada no modelo equivalente. Costuma
ser maior do que βro, o que a coloca na faixa de megohms.
Todos os capacitores que aparecem na Figura 5.123
s o capacit ncias parasitas de dispers o entre as várias
junções do dispositivo. S o todas efeitos capacitivos que
realmente entram em aç o apenas em altas frequ ncias.
Para frequ ncias de baixas a m dias, sua reat ncia muito
elevada, e elas podem ser consideradas circuitos abertos.
O capacitor C , atrav s dos terminais de entrada, pode
variar de alguns pF a de enas de pF. O capacitor Cu da
base para o coletor geralmente se limita a alguns pF, mas
amplificado na entrada e na sa da por um efeito chamado
efeito Miller, que será abordado no Cap tulo 9.
importante notar, na Figura 5.123, que a fonte
controlada pode ser uma fonte de corrente controlada por
tens o (VCCS) ou uma fonte de corrente controlada por
corrente (CCCS), dependendo dos par metros empregados.
Observe as seguintes equival ncias de par metros
na Figura 5.123:
(5.172)
e (5.173)
com (5.174)
Devemos prestar uma atenç o especial ao fato de
que as fontes equivalentes β b e gmV s o ambas fontes de
corrente controlada. Uma controlada por uma corrente
em outro ponto no circuito, e a outra, por uma tens o no
lado de entrada do circuito. A equival ncia entre elas
definida por:
Para a ampla gama de análise de frequ ncias baixas a
m dias, o resultado dos efeitos das capacit ncias de disper-
s o pode ser ignorado em funç o dos valores de reat ncia
muito elevados associados a cada uma. A resist ncia rb
costuma ser pequena o suficiente em relaç o aos outros
elementos em s rie podendo ser despre ada, enquanto a
resist ncia ru é geralmente suficientemente grande em
comparaç o com os elementos em paralelo podendo ser
despre ada. O resultado um circuito equivalente seme-
lhante ao modelo re apresentado e aplicado neste cap tulo.
No Cap tulo 9, quando tratarmos dos efeitos de alta
frequ ncia, o modelo h brido será o escolhido.
Existem diversas curvas que podem ser desenhadas
para mostrar as variações dos par metros do transistor com
a temperatura, a frequ ncia, a tens o e a corrente. Neste
estágio de desenvolvimento, as mais interessantes e teis
s o as variações com a temperatura da junç o e com a
tens o e a corrente do coletor.
A Figura 5.124 mostra o efeito da corrente do coletor
no modelo re e no modelo h brido equivalente. Devemos
atentar para a escala logar tmica nos eixos vertical e
hori ontal. As escalas logar tmicas ser o examinadas em
detalhe no Cap tulo 9. Os par metros foram todos nor-
mali ados (um processo descrito em detalhes na Seç o
9.5) para a unidade, de modo que as variações relativas
em amplitude, devido à corrente de coletor, podem ser
determinadas facilmente. Em cada conjunto de curvas,
como nas figuras 5.124 a 5.126, o ponto de operaç o no
qual os par metros foram determinados sempre indi-
cado. Para essa situaç o em especial, o ponto quiescente
está nos valores ra oavelmente usuais de VCE = 5,0 V e
IC = 1,0 mA. Uma ve que a frequ ncia e a temperatura de
operaç o tamb m afetam os par metros, essas quantidades
tamb m s o indicadas nas curvas. A Figura 5.124 mostra
 Variações dos par metros h bridos com a corrente do coletor.
a variaç o dos par metros com a corrente do coletor.
Note que, em IC = 1 mA, o valor de todos os par metros
foi normali ado a 1 no eixo vertical. O resultado que o
valor de cada par metro se compara com aqueles no ponto
de operaç o definido. Visto que os fabricantes costumam
usar os par metros h bridos para gráficos desse tipo, eles
s o as curvas escolhidas na Figura 5.124. No entanto, para
ampliar a utili aç o das curvas, os par metros re e os par -
metros h bridos equivalentes tamb m foram adicionados.
primeira vista, particularmente interessante
notar que:
O parâmetro hfe(β aria menos do que todos os pa-
râmetros de um circuito equivalente de transistor quando
traçado em relação a variações na corrente de coletor.
A Figura 5.124 revela claramente que, para toda a
faixa da corrente do coletor, o par metro hfe(β) varia de
metade de seu valor no ponto Q at um pico cerca de 1,5
ve este valor em uma corrente em torno de 6 mA. Logo,
para um transistor com um β de 100, ele varia aproxima-
damente de 50 a 150. Isso parece muito, mas observe hoe,
que salta para quase 40 ve es seu valor no ponto Q em
uma corrente de coletor de 50 mA.
A Figura 5.124 tamb m mostra que hoe(1/ro) e hie(βre)
variam mais na faixa de corrente escolhida. O par metro
hie varia de cerca de 10 ve es o seu valor no ponto Q at
cerca de um d cimo do valor no ponto Q em 50 mA. Essa
variaç o, por m, esperada porque sabemos que o valor de
re está diretamente relacionado com a corrente do emissor
por re = 26 mV/IE. medida que IE (> IC) aumenta, o valor
de re e, portanto, βre diminui, como mostra a Figura 5.124.
Tenha em mente, ao examinar a curva de hoe em
relaç o à corrente, que a resist ncia de sa da real ro 1/hoe.
Portanto, à medida que a curva aumenta com a corrente,
o valor de ro se torna cada ve menor. Visto que ro um
par metro que normalmente aparece em paralelo com a
carga aplicada, valores decrescentes de ro podem causar
um problema cr tico. O fato de ro cair a quase 1/40 de seu
valor no ponto Q pode significar uma reduç o real no
ganho em 50 mA.
O par metro hre varia bastante, mas, uma ve que
seu valor no ponto Q costuma ser pequeno o suficiente
para permitir que seu efeito seja ignorado, um par metro
que preocupa apenas no caso de correntes de coletor que
sejam muito inferiores, ou ra oavelmente superiores, ao
n vel no ponto Q.
Isso pode parecer uma descriç o extensa de um con-
junto de curvas caracter sticas. No entanto, a experi ncia
tem revelado que gráficos dessa nature a s o muitas ve es
examinados sem a preocupaç o de apreciar plenamente o
impacto geral daquilo que fornecem. Esses gráficos reve-
lam uma grande quantidade de informações que poderiam
ser extremamente teis no processo de projeto.
A Figura 5.125 mostra a variaç o no valor dos pa-
r metros em decorr ncia de alterações na tens o coletor
emissor. Esse conjunto de curvas normali ado no mesmo
ponto de operaç o que as curvas da Figura 5.124 para
permitir comparações entre os dois. Nesse caso, contudo, a
 Variações dos par metros h bridos com o potencial coletor-emissor.

escala vertical indica a porcentagem, em ve de apresentar
n meros inteiros. O n vel de 200% define um conjunto de
par metros duas ve es maior que o de 100%. Um n vel
de 1000% refletiria uma alteraç o de 10:1. Note que hfe e
hie t m valores relativamente estáveis em magnitude para
variações na tens o coletor emissor, enquanto a variaç o
muito mais significativa para alterações na corrente do
coletor. Em outras palavras, quando se deseja que um
par metro como hie(βre) permaneça relativamente estável,
devemos manter a variaç o de IC a um m nimo e nos preo-
cupar menos com as variações na tens o coletor-emissor.
A variaç o de hoe e hie continua a ser significativa para a
faixa indicada de tens o coletor-emissor.
Na Figura 5.126, a variaç o nos par metros foi
desenhada para variações de temperatura de junç o.
O valor normali ado o da temperatura ambiente:
T = 25 C. A escala hori ontal uma escala linear, em
ve de logar tmica, utili ada nas duas figuras anteriores.
De modo geral,
todos os parâmetros de um circuito equivalente híbrido
de transistor aumentam de valor com a temperatura.
No entanto, devemos ter em mente, mais uma ve ,
que a resist ncia de sa da real ro está inversamente rela-
cionada a hoe e, portanto, seu valor cai com o aumento de
hoe. A maior variaç o ocorre em hie, embora seja poss vel

Variações dos par metros h bridos com a temperatura.

notar que a faixa da escala vertical consideravelmente
menor do que nos outros gráficos. A uma temperatura
de 200 °C, o valor de hie quase o triplo de seu valor no
ponto Q, mas, na Figura 5.124, os par metros saltaram
para quase 40 ve es seu valor nesse ponto.
Dos tr s par metros, por conseguinte, a variaç o da
corrente de coletor exerce, de longe, o maior efeito sobre
os par metros de um circuito equivalente de transistor. A
temperatura sempre um fator relevante, mas o efeito da
corrente de coletor pode ser significativo.
Apesar de a terminologia análise de defeitos sugerir
que os procedimentos a serem descritos existem apenas
para isolar um mau funcionamento, importante com-
preender que poss vel aplicar as mesmas t cnicas para
assegurar que um sistema funcione apropriadamente. De
qualquer modo, os procedimentos de teste, verificaç o
ou isolaç o requerem um entendimento do que se esperar
em diversos pontos do circuito em ambos os dom nios,
CC e CA. Na maioria dos casos, um circuito que opera
corretamente no modo CC tamb m funcionará de maneira
apropriada no dom nio CA.
De modo geral, portanto, se um sistema não fun-
ciona corretamente, primeiro desligue a fonte CA e
verifique os níveis de polarização CC.
Na Figura 5.127, temos quatro configurações a tran-
sistor com valores espec ficos de tens o que foram obtidos
ao serem medidos por um mult metro digital em modo CC.
O primeiro teste de qualquer circuito a transistor consiste
simplesmente em medir a tens o base-emissor do transis-
tor. O fato de ela ser apenas 0,3 V nesse caso sugere que
o transistor n o esteja “ligado” e, talve , em sua regi o
Verificaç o dos n veis CC para determinar se um circuito está polari ado adequadamente.
de corte. Se o projeto de chaveamento, ent o trata-se de
um resultado esperado, mas, no modo de amplificador,
existe uma conex o aberta que impede que a tens o de
base atinja um n vel operacional.
Na Figura 5.127(b), o fato de que a tens o no coletor
igual à tens o de alimentaç o revela que n o há nenhuma
queda atrav s do resistor RC, e que a corrente de coletor
equivale a ero. O resistor RC está conectado correta-
mente porque fe a conex o entre a fonte CC e o coletor.
Entretanto, qualquer um dos outros elementos pode n o
ter sido ligado devidamente, e isso resulta na aus ncia de
uma corrente de base ou coletor. Na Figura 5.127(c), a
queda de tens o entre coletor e emissor muito pequena
quando comparada com a tens o CC aplicada. Normal-
mente, a tens o VCE está na faixa m dia de, talve , 6 V a
14 V. Uma leitura de 18 V causaria a mesma preocupaç o
do que outra de 3 V. O mero fato de existirem n veis de
tens o sugere que todos os elementos est o conectados,
mas que o valor de um ou mais elementos resistivos pode
estar errado. Na Figura 5.127(d), verificamos que a tens o
na base exatamente a metade da tens o de alimentaç o.
Vimos, neste cap tulo, que a resist ncia RE será refletida
à base por um fator beta e aparecerá em paralelo com R2.
O resultado seria uma tens o de base inferior à metade da
tens o de alimentaç o. A mediç o sugere que o terminal
base n o está ligado ao divisor de tens o, o que causa uma
divis o equ nime dos 20 V da fonte.
Em um ambiente t pico de laborat rio, a resposta CA
em vários pontos no circuito verificada com um oscilos-
c pio, como mostra a Figura 5.128. Observe que a ponta
de prova preta (GND) do oscilosc pio está conectada di-
retamente ao terra, e a ponta de prova vermelha movida
de ponto em ponto no circuito, fornecendo os padrões
que aparecem na Figura 5.128. Os canais verticais s o
fixados no modo CA para remover qualquer componente
 Utili aç o do oscilosc pio para medir e mostrar várias tensões de um amplificador TBJ.
CC associado à tens o em um ponto espec fico. O pequeno
sinal CA aplicado à base amplificado para o valor que
aparece do coletor para o terra. Observe a diferença nas
escalas verticais para as duas tensões. N o há nenhuma
resposta CA no terminal emissor devido ao curto-circuito
provocado pelo capacitor na frequ ncia aplicada. O fato
de que vo medido em volts e vi em milivolts sugere um
ganho considerável para o amplificador. No geral, o cir-
cuito parece operar corretamente. Caso queira, o modo
CC do mult metro pode ser usado para conferir VBE e os
valores de VB, VCE e VE para conferir se eles est o na faixa
esperada. Naturalmente, o oscilosc pio pode ser utili ado
tamb m para comparar valores CC simplesmente pela
mudança para o modo CC em cada canal.
Uma resposta CA incorreta pode ocorrer por diver-
sos motivos. Na verdade, pode existir mais de um tipo de
problema em um mesmo sistema. Feli mente, por m, com
tempo e experi ncia, a probabilidade de mau funciona-
mento em algumas áreas pode ser prevista, e uma pessoa
experiente pode rapidamente isolar áreas com problemas.
De modo geral, n o há nada de misterioso no processo
de análise de defeitos. Quando se decide seguir a resposta
CA, um bom procedimento começar com o sinal aplicado e
prosseguir atrav s do circuito em direç o à carga, conferindo
pontos cr ticos ao longo do caminho. Uma resposta inespe-
rada em um ponto sugere que o circuito está com problemas
nessa área, e isso define a regi o que deve ser investigada.
A forma de onda obtida no oscilosc pio certamente ajudará
a definir os poss veis problemas com o circuito.
Se a resposta para o circuito da Figura 5.128 como
a mostra a Figura 5.129, o circuito apresenta um mau fun-
cionamento que se concentra provavelmente na regi o do
emissor. Uma resposta CA atrav s do emissor n o espe-
rada, e o ganho do sistema como revelado por vo muito
mais baixo. Lembre-se de que, para essa configuraç o, o
ganho muito maior se RE estiver desviado. A resposta
obtida sugere que RE n o está desviado pelo capacitor e
que as conexões do terminal do capacitor e o capacitor
em si devem ser conferidos. Nesse caso, uma verificaç o
dos valores CC provavelmente n o isolará a área do pro-
blema, uma ve que o capacitor se comporta como um
“circuito aberto” equivalente para CC. Normalmente, um
conhecimento pr vio do que esperar, uma familiaridade
com a instrumentaç o e, principalmente, a experi ncia s o
fatores que contribuem para o desenvolvimento de uma
abordagem efetiva na arte da análise de defeitos.
Quando dois ou mais sinais devem ser combinados
em uma nica sa da de áudio, empregam-se misturadores
como o mostrado na Figura 5.130. Os potenci metros na
entrada s o os controladores de volume para cada canal,
com R3 inclu do para oferecer equil brio adicional entre
os dois sinais. Os resistores R4 e R5 est o lá para garantir
que um canal n o afetará o outro, isto , para garantir que
um sinal n o surgirá como uma carga para o outro, n o
 Formas de onda resultantes de um mau funcionamento na regi o do emissor.
retirará energia e n o afetará o equil brio desejado no
sinal misturado.
O efeito dos resistores R4 e R5 importante e deve
ser discutido com mais detalhes. Uma análise CC da
configuraç o do transistor resulta em re = 11,71 , que
estabelecerá uma imped ncia de entrada para o transistor
de aproximadamente 1,4 k . A combinaç o paralela de
R6 Zi tamb m de cerca de 1,4 k . Colocar os dois
controles de volume em seu valor máximo e o controle
de equil brio R3 em seu ponto m dio resultará no circuito
equivalente da Figura 5.131(a). Supomos que o sinal
em v1 seja um microfone de baixa imped ncia com uma
Misturador de áudio.
resist ncia interna de 1 k , e que o sinal em v2 seja o de
um amplificador de guitarra com uma imped ncia interna
mais alta, de 10 k . Visto que os resistores de 470 k e
500 k est o em paralelo para as condições anteriores, eles
podem ser associados e substitu dos por um nico resistor
de cerca de 242 k . Cada fonte terá, ent o, um circuito
equivalente, como o que mostrado na Figura 5.131(b)
para o microfone. A aplicaç o do teorema de Th venin
revela que uma excelente aproximaç o simplesmente
eliminar o resistor de 242 k e supor que o circuito equi-
valente seja como o mostrado para cada canal. O resultado
o circuito equivalente da Figura 5.131(c) para a seç o
 (a) Circuito equivalente com R3 ajustado para seu ponto m dio e os controles de volume para o ponto máximo;
(b) determinaç o do equivalente Th venin para o canal 1; (c) substituiç o dos circuitos equivalentes Th venin na Figura 5.131(a).

de entrada do misturador. A aplicaç o do teorema da su- Figura 5.132, e a equaç o a seguir para vb obtida com a
perposiç o resulta na seguinte equaç o para a tens o CA utili aç o do teorema da superposiç o:
na base do transistor:

Utili ando o mesmo ganho de antes, obtemos a

Com re = 11,71 , o ganho do amplificador de tens o de sa da
–RC/re = 3,3 k /11,71 = –281,8, e a tens o de sa da

que indica que o som do microfone estará bem alto e claro

o que oferece um bom equil brio entre os dois sinais,
apesar de ambos terem uma taxa de 10:1 na imped ncia
interna. Em geral, o sistema responde bem. No entanto,
quando se removem os resistores de 33 k do diagrama
da Figura 5.131(c), o resultado o circuito equivalente da
e que a entrada da guitarra será praticamente perdida.
Portanto, a import ncia dos resistores de 33 k está
definida e fa com que cada sinal aplicado tenha valores
parecidos de imped ncia, de maneira que haja equil brio
na sa da. Algu m pode sugerir que um resistor maior

Novo desenho do circuito da Figura
5.131(c) com os resistores de 33 k removidos.
melhora o equil brio. Entretanto, embora o equil brio na
base do transistor melhore, a intensidade do sinal na base
será menor, e, consequentemente, o n vel de sa da será
redu ido. Em outras palavras, a escolha dos resistores R4
e R5 uma situaç o onde se negocia o valor de entrada
na base do transistor com o equil brio do sinal de sa da.
Para demonstrar que os capacitores s o realmente
equivalentes a um curto-circuito na faixa de áudio, deve-
mos substituir uma frequ ncia bem baixa de 100 H na
equaç o de reat ncia de um capacitor de 56 μF:
Um valor de 28,42 comparado ao de quaisquer im-
ped ncias nessa área certamente pequeno o suficiente para
ser ignorado. Frequ ncias maiores ter o efeito ainda menor.
No pr ximo cap tulo, abordaremos um misturador si-
milar constru do com JFET (Transistor de Efeito de Campo
de Junç o). A principal diferença será o fato que a imped n-
cia de entrada do JFET pode ser aproximada por um circuito
aberto, ao contrário da configuraç o de imped ncia de baixo
valor para um TBJ. O resultado um n vel de sinal mais
alto na entrada do amplificador JFET. No entanto, o ganho
do FET muito menor do que o do transistor TBJ, o que
resulta em n veis de sa da bastante similares.
A funç o básica de um pr -amplificador , como
o pr prio nome di : um amplificador utili ado para
captar o sinal de sua fonte primária e operar nele para
preparar sua passagem à seç o amplificadora. Um
pr -amplificador geralmente tem a funç o de amplificar o
sinal, controlar seu volume, modificar as caracter sticas de
imped ncia de entrada e, caso necessário, determinar seu
caminho nos estágios seguintes — no geral, um estágio
de qualquer sistema com funções diversas.
Um pr -amplificador como o mostrado na Figura
5.133 costuma ser utili ado com microfones din micos
para elevar os n veis a padrões adequados para maior
amplificaç o ou para amplificadores de pot ncia. Micro-
fones din micos t m, em geral, baixa imped ncia, pois sua
resist ncia interna determinada basicamente pelo enro-
lamento da bobina de vo . A estrutura básica consiste em
uma bobina de vo ligada a um pequeno diafragma livre
para se mover dentro de um m permanente. Quando se
fala ao microfone, o diafragma se move e fa com que a
bobina tamb m se movimente dentro do campo magn tico.
Pela lei de Faraday, será indu ida uma tens o atrav s da
bobina, a qual levará o sinal de áudio.
Por ser um microfone de baixa imped ncia, a im-
ped ncia de entrada do amplificador transistori ado n o
precisa ser t o alta para captar a maior parte do sinal. Uma
ve que a imped ncia interna de um microfone din mico
pode ser de 20 a 100 , a maior parte do sinal pode ser
captada por um amplificador com imped ncia de entrada
t o baixa quanto 1 a 2 k . o caso do pr -amplificador
da Figura 5.133. Para as condições de polari aç o CC, a
configuraç o do coletor de realimentaç o CC foi escolhida
devido a suas caracter sticas de alta estabilidade.
Na operaç o CA, o capacitor de 10 μF entra em es-
tado de curto-circuito (em valor aproximado), colocando
o resistor de 82 k na imped ncia de entrada do transistor
e o de 47 k na sa da do transistor. Uma análise CC da
configuraç o do transistor resulta em re = 9,64 , tendo
um ganho CA determinado por
que excelente para essa aplicaç o. Obviamente, o ga-
nho desse estágio de captaç o do projeto cai quando ele
conectado à entrada da seç o amplificadora. Isto , a
resist ncia de entrada do estágio seguinte fica em paralelo
com os resistores de 47 k e 3,3 k , e o ganho cai abaixo
do valor sem carga de 319,7.
Pr -amplificador para microfone din mico.
 A imped ncia de entrada do pr -amplificador
determinada por
que tamb m adequada para a maioria dos microfones
din micos de baixa imped ncia. Na verdade, para um
microfone com imped ncia interna de 50 , o sinal na base
estaria acima dos 98% do sinal dispon vel. Essa discuss o
importante, porque, se a imped ncia do microfone for
muito maior (1 k , por exemplo), o pr -amplificador terá
que ter um projeto diferente para garantir que a imped ncia
de entrada seja ao menos de 10 k ou maior do que isso.
Normalmente, necessário um gerador de ru do
aleat rio para testar a resposta de um alto-falante, de um
microfone, de um filtro ou de qualquer sistema que traba-
lhe com uma larga faixa de frequ ncias. Um gerador de
ru do aleat rio, como o pr prio nome indica, gera sinais
de amplitude e frequ ncia aleat rias. O fato de esses
sinais serem normalmente incompreens veis e imprevis -
veis o motivo pelo qual eles s o simplesmente chamados
de ruídos. Ru do t rmico aquele gerado por efeitos
t rmicos resultantes de uma interaç o entre el trons livres
e ons vibrantes de um material em conduç o. O resultado
um grande fluxo de el trons que passa atrav s do meio, o
que resulta em um potencial variável atrav s do meio. Na
maioria dos casos, esses sinais aleat rios est o na faixa do
microvolt, mas, com amplificaç o suficiente, eles podem
danificar a resposta em um sistema. Esse ru do t rmico
chamado tamb m de ru do de Johnson (devido ao nome
do pesquisador original), ou ru do branco (porque, em
ptica, a lu branca cont m todas as frequ ncias). Esse tipo
de ru do possui uma resposta em frequ ncia relativamente
plana, mostrada na Figura 5.134(a), isto , um gráfico de
sua pot ncia versus frequ ncia desde o ponto de valor mais
baixo ao mais alto relativamente uniforme. Um segundo
Espectros usuais de frequ ncia de ru dos: (a) branco, ou Johnson; (b) rosa, t rmico e shot.
tipo de ru do chamado de ru do shot (qu ntico), pois soa
como um tiro de chumbo disparado sobre uma superf cie
s lida ou como chuva forte em uma janela. Sua origem
prov m dos portadores que passam atrav s de um meio
em taxas desiguais. Um terceiro o ru do rosa, flicker
(cintilaç o), ou ru do 1/f, devido à variaç o no tempo
de tr nsito de portadores que cru am diversas junções de
dispositivos semicondutores. chamado de 1/f porque sua
magnitude cai com o aumento da frequ ncia. Seu impacto
normalmente o mais drástico em frequ ncias abaixo
de 1 kH , como mostra a Figura 5.134(b).
O circuito da Figura 5.135 projetado para gerar
tanto um ru do branco quanto um rosa. Em ve de uma
fonte separada para cada um, primeiro desenvolvido o
ru do branco (com valores ao longo de todo o espectro de
frequ ncias) e, ent o, aplicado um filtro para remover os
componentes de alta e m dia frequ ncias, restando apenas
a resposta de ru dos de baixa frequ ncia. O filtro ainda
concebido para modificar a resposta plana do ru do branco
na regi o de baixa frequ ncia (para criar uma queda de 1/f)
por meio de seções do filtro que proporcionam “atenuaç o”
à medida que aumenta a frequ ncia. O ru do branco criado
pela abertura do terminal coletor do transistor Q1 e pela
polari aç o reversa da junç o base emissor. Em suma, o
transistor Q1 utili ado como um diodo polari ado na
regi o de avalanche Zener. A polari aç o de um transistor
nessa regi o cria uma situaç o bastante instável e que pode
condu ir ao surgimento de ru do branco aleat rio. A combi-
naç o da regi o de avalanche, com suas rápidas variações
nos valores de carga, com a sensibilidade do valor de cor-
rente à temperatura e com a mudança brusca dos valores de
imped ncia, contribui para o n vel de tens o e de corrente
de ru do gerados pelo transistor. S o frequentemente utili-
ados transistores de germ nio, pois a regi o de avalanche
menos definida e menos estável do que nos transistores de
sil cio. Al m disso, há diodos e transistores especialmente
desenvolvidos para a geraç o de ru do aleat rio.
A fonte do ru do n o um gerador especialmente
projetado. Essa fonte se deve simplesmente ao fato de
 Gerador de ru do branco e rosa.
que o fluxo de corrente n o um fen meno ideal, mas
sim um fen meno que varia com o tempo em um n vel
que gera variações indesejadas na tens o terminal atrav s
dos componentes. Na verdade, essa variaç o de fluxo
t o ampla que pode gerar frequ ncias que abrangem um
amplo espectro — um fen meno bastante interessante.
A corrente de ru do gerada de Q1 será, ent o, a cor-
rente de base para Q2, que será amplificada para gerar um
ru do branco de talve 100 mV, o que sugere, nesse caso,
uma tens o de ru do de entrada de cerca de 170 μV. O capa-
citor C1 tem baixa imped ncia em toda a faixa de frequ n-
cia de interesse para proporcionar um “efeito de curto” em
qualquer sinal esp rio no ar e que poderia contribuir para
o sinal na base de Q1. O capacitor C3 existe para isolar a
tens o de polari aç o CC do gerador de ru do branco dos
valores CC do circuito de filtro a seguir. O resistor de
39 k e a imped ncia de entrada do estágio seguinte criam
o circuito divisor de tens o simples da Figura 5.136. Se
o resistor de 39 k n o estivesse presente, a combinaç o
paralela de R2 e Zi faria cair a carga do primeiro estágio e
redu iria consideravelmente o ganho de Q1. Na equaç o
de ganho, R2 e Zi apareceriam em paralelo (assunto que
será discutido no Cap tulo 9).
Circuito de entrada para o segundo estágio.
O circuito de filtro , na verdade, parte da malha
de realimentaç o do coletor para a base que aparece no
circuito de realimentaç o do coletor da Seç o 5.10. Para
descrever esse comportamento, consideremos primeiro os
extremos da faixa de frequ ncia. Para frequ ncias muito
baixas, todos os capacitores podem ser aproximados por
um circuito aberto, e a nica resist ncia do coletor para
base está no resistor de 1 M . Utili ando um beta de 100,
vemos que o ganho da seç o de cerca de 280 e que a
imped ncia de entrada de cerca de 1,28 k . Em uma
frequ ncia suficientemente alta, todos os capacitores pode-
riam ser substitu dos por curtos-circuitos, e a combinaç o
de resist ncia total entre o coletor e a base redu ida para
cerca de 14,5 k , o que resultaria em um ganho sem carga
bastante alto (por volta de 731), mais do que o dobro do
obtido com RF = 1 M . Visto que o filtro 1/f deve redu ir
o ganho em altas frequ ncias, parece haver inicialmente
um erro de projeto. No entanto, a imped ncia de entrada
caiu para cerca de 19,33 , o que uma queda de 66 ve-
es em relaç o ao n vel obtido com RF = 1 M . Isso teria
um impacto significativo sobre a tens o de entrada do
segundo estágio se considerássemos a aç o do divisor de
tens o da Figura 5.136. Na verdade, quando comparado
com o resistor s rie de 39 k , o sinal no segundo estágio
pode ser considerado sem import ncia ou em um n vel
que, mesmo com um ganho que exceda 700, n o chega
a causar maiores consequ ncias. No geral, portanto, o
efeito de dobrar o ganho totalmente perdido devido à
imensa queda em Zi, e a sa da em frequ ncias altas pode
ser totalmente ignorada.
Para a faixa de frequ ncias entre a muito baixa e a
muito alta, os tr s capacitores do filtro causam a queda de
ganho, com o aumento da frequ ncia. Primeiro, o capaci-
tor C4 entra em curto e causa uma reduç o de ganho (por
volta dos 100 H ). Ent o, o capacitor C5 entra em curto
e posiciona os tr s ramos em paralelo (aproximadamente
em 500 H ). Por fim, o capacitor C6 entra em curto, resul-
tando em quatro ramos paralelos e em uma resist ncia de
realimentaç o m nima (por volta dos 6 kH ).
O resultado um circuito com um excelente sinal de
ru do aleat rio para a faixa total de frequ ncia (branco) e
para a faixa de baixa frequ ncia (rosa).
A intensidade luminosa da l mpada de 12 V da Figura
5.137 varia de acordo com a frequ ncia e a intensidade do
sinal aplicado. Essa pode ser a sa da de um amplificador
ac stico, de um instrumento musical ou mesmo de um
microfone. De particular interesse aqui o fato de a tens o
aplicada ser de 12 V CA em ve de uma fonte de polari-
aç o CC. A quest o imediata, na aus ncia de uma fonte
CC, como os valores de polari aç o CC para o transistor
ser o estabelecidos. Na verdade, o valor CC obtido com
o uso do diodo D1, que retifica o sinal CA e o capacitor C2,
que atua como um filtro da fonte de alimentaç o para gerar
uma tens o CC no ramo de sa da do transistor. O valor de
pico de uma fonte de 12 V rms de cerca de 17 V, o que
resulta em um valor CC ap s o filtro capacitivo de cerca
de 16 V. Se o potenci metro for ajustado para que R1 seja
por volta de 320 , a tens o de base para emissor será de
cerca de 0,5 V, e o transistor estará “desligado”. Nesse caso,
as correntes de coletor e de emissor s o de essencialmente
0 mA, e a tens o no resistor R3 de aproximadamente 0 V.
A tens o na junç o do terminal coletor e do diodo , por-
tanto, 0 V, e isso resulta no “desligamento” de D2 e na ocor-
r ncia de 0 V no terminal da porta do retificador controlado
de sil cio (SCR). O SCR (veja a Seç o 17.3) basicamente
um diodo cujo estado controlado por uma tens o aplicada
no terminal da porta. A aus ncia de uma tens o na porta
significa que o SCR e a l mpada est o desligados.
Fonte de lu modulada por som. SCR, retificador controlado de sil cio.
Se um sinal aplicado ao terminal da porta, a com-
binaç o do n vel de polari aç o estabelecido e do sinal
aplicado pode estabelecer o valor necessário de 0,7 V de
tens o para que o transistor seja ligado, e ele se manterá
assim, funcionando por per odos de tempo que depen-
dem do sinal aplicado. Quando o transistor ligado, ele
estabelece uma corrente de coletor emissor atrav s do
resistor R3 e estabelece tamb m uma tens o do emissor
para o terra. Se a tens o for maior do que o valor de 0,7 V
necessários para o diodo D2 condu ir, uma tens o surgirá
na porta do SCR que pode ser suficiente para ligá-lo e
estabelecer conduç o da corrente de anodo para catodo
do SCR. No entanto, devemos examinar um dos aspectos
mais interessantes do projeto. Como a tens o aplicada no
SCR CA, que varia em magnitude com o tempo, como
mostra a Figura 5.138, a capacidade de conduç o do SCR
tamb m varia com o tempo. Como mostra a figura, se o
SCR for ligado quando a tens o senoidal estiver em seu
valor máximo, a corrente resultante atrav s do SCR será
tamb m a máxima e a l mpada terá luminosidade máxi-
ma. Se o SCR for ligado quando a tens o senoidal estiver
pr xima do seu m nimo, a l mpada poderá at acender,
mas a corrente mais baixa resultará em uma iluminaç o
consideravelmente menor. O resultado que a l mpada
acende em sincronismo quando o sinal de entrada está
no valor de pico, mas sua intensidade determinada pela
amplitude em que está o sinal aplicado de 12 V. Podemos
imaginar, ent o, a variedade de respostas poss veis para tal
sistema. Toda ve que o mesmo sinal de áudio aplicado,
obtemos uma resposta com caracter sticas diferentes.
No exemplo anterior, o potenci metro estava ajus-
tado para operar abaixo da tens o que liga o transistor.
Tamb m poss vel ajustar o potenci metro quando o
transistor está no limiar de conduç o, o que resulta em
uma corrente de base de baixo valor. O resultado uma
corrente de coletor de baixo valor e uma tens o insufi-
ciente para polari ar diretamente o diodo D2 e ligar o SCR

Demonstraç o do efeito de uma tens o CA
na operaç o do SCR da Figura 5.137.
atrav s de sua porta. No entanto, ajustando-se o sistema
dessa maneira, a sa da de lu resultante será mais sens vel
a componentes de baixa amplitude do sinal aplicado. No
primeiro caso, o sistema atuou como um detector de pico,
e, no segundo, ele sens vel a mais componentes do sinal.
O diodo D2 foi inclu do para garantir que haja tens o
suficiente para ligar tanto o diodo quanto o SCR ou, em
outras palavras, para eliminar a possibilidade de ru do
ou de alguma outra tens o de baixo valor inesperada na
linha que liga o SCR. O capacitor C3 pode ser inserido
para redu ir a velocidade de resposta, fa endo com que a
carga do capacitor antes da porta atinja um valor de tens o
suficiente para ligar o SCR.
1. A amplificaç o no dom nio CA n o pode ser obtida
sem a aplicaç o de um n vel de polari aç o CC.
2. O amplificador TBJ pode ser considerado linear para
a maior parte das aplicações, permitindo o uso do
teorema da superposiç o para separar as análises
de projeto CC e CA.
3. Ao introdu irmos um modelo CA para um TBJ:
a. Todas as fontes CC s o eradas e substitu das
por conexões de curto-circuito com o terra.
b. Todos os capacitores s o substitu dos pelo
equivalente a um curto-circuito.
c. Todos os elementos em paralelo com um
curto-circuito equivalente introdu ido devem
ser removidos do circuito.
d. O circuito deve ser redesenhado sempre que
poss vel.
4. A imped ncia de entrada de um circuito CA n o
pode ser medida com um ohm metro.
5. A imped ncia de sa da de um amplificador me-
dida com o sinal aplicado em ero. N o pode ser
medida com um ohm metro.
6. Uma imped ncia de sa da para o modelo re poderá
ser inclu da somente se for obtida de uma planilha
ou de uma mediç o gráfica das curvas caracter sticas.
7. Elementos que foram isolados por capacitores para a
análise CC aparecer o na análise CA devido ao curto-
-circuito equivalente para os elementos capacitivos.
8. O fator de amplificaç o (β ou hfe) o menos sens -
vel a variações na corrente do coletor, enquanto o
par metro de imped ncia de sa da o mais sens vel.
A imped ncia de sa da tamb m bastante sens vel a
variações em VCE, enquanto o fator de amplificaç o o
menos sens vel. No entanto, a imped ncia de sa da
menos sens vel a variações na temperatura, enquanto
o fator de amplificaç o relativamente sens vel.
9. O modelo re de um TBJ no dom nio CA sens vel
às condições reais de operaç o CC do circuito. Tal
par metro normalmente n o fornecido em folhas
de dados, embora o hie dos par metros h bridos
fornecidos seja igual a βre, mas, sim, somente sob
condições espec ficas de operaç o.
10. A maioria das folhas de dados dos TBJs inclui uma
lista de par metros h bridos para estabelecer um
modelo CA para o transistor. Tenha em mente, no
entanto, que elas valem para um conjunto espec fico
de condições de operaç o CC.
11. A configuraç o com polari aç o fixa EC pode
ter um ganho de tens o significativo, embora sua
imped ncia de entrada possa ser relativamente
baixa. O ganho de corrente aproximado dado
simplesmente por beta, e a imped ncia de sa da
normalmente RC.
12. A configuraç o com polari aç o por divisor de
tens o possui maior estabilidade do que a confi-
guraç o com polari aç o fixa, mas apresenta aproxi-
madamente o mesmo ganho de tens o, de corrente
e imped ncia de sa da. Devido aos resistores pola-
ri adores, sua imped ncia de entrada pode ser mais
baixa do que a da configuraç o com polari aç o fixa.
13. A configuraç o EC com polari aç o de emissor
com um resistor de emissor sem desvio possui uma
resist ncia de entrada maior do que a configuraç o
com desvio, mas terá ganho de tens o muito menor
do que a da configuraç o com desvio. Para a situaç o
com desvio ou sem desvio, supomos normalmente
que a imped ncia de sa da seja simplesmente RC.
14. A configuraç o seguidor de emissor terá sempre
uma tens o de sa da um pouco menor que o sinal de
entrada. No entanto, a imped ncia de entrada pode
ser bastante alta, o que til em situações em que
necessário um primeiro estágio com alta imped ncia
de entrada para “captar” o máximo poss vel do sinal Par metros h bridos:
aplicado. Sua imped ncia de sa da extremamente
baixa, tornando-a uma excelente fonte de sinal para
o segundo estágio de um amplificador multiestágio.
15. A configuraç o de base-comum possui uma im-
ped ncia de entrada bastante baixa, mas pode Polari aç o EC fixa:
ter um ganho de tens o significativo. O ganho de
corrente apenas menor do que 1 e a imped ncia
de sa da simplesmente RC.
16. A configuraç o com realimentaç o do coletor
possui uma imped ncia de entrada sens vel a
beta que pode ser bastante baixa, dependendo dos
par metros da configuraç o. No entanto, o ganho de
tens o pode ser significativo e o ganho de corrente Polari aç o por divisor de tens o:
pode ter certa magnitude se os par metros forem
escolhidos adequadamente. A imped ncia de sa da
geralmente uma simples resist ncia de coletor RC.
17. A configuraç o com realimentaç o cc do coletor
utili a a realimentaç o para aumentar sua estabili-
dade e usa a mudança de estado de um capacitor de
CC para CA para estabelecer um maior ganho de
tens o do que o obtido com uma conex o direta de EC com polari aç o de emissor:
realimentaç o. A imped ncia de sa da está normal-
mente pr xima a RC, e a imped ncia de entrada
relativamente pr xima daquela obtida com a confi-
guraç o emissor-comum básica.
18. O circuito equivalente h brido aproximado
bastante similar em composiç o ao utili ado com o
modelo re. Na verdade, os mesmos m todos de aná-
lise podem ser aplicados a ambos os modelos. Para Seguidor de emissor:
o modelo h brido, os resultados estar o em termos
de par metros de circuitos e par metros h bridos,
enquanto para o modelo re estar o em termos de
par metros do circuito e de β, re e ro.
19. O modelo h brido para o emissor-comum, para o
base-comum e para as configurações de coletor-
-comum o mesmo. A nica diferença a amplitude
dos par metros do circuito equivalente. Base-comum:
20. O ganho total de um sistema em cascata determi-
nado pelo produto dos ganhos de cada estágio.
Entretanto, o ganho de cada estágio deve ser deter-
minado sob condições de carga.
21. Visto que o ganho total o produto dos ganhos indi-
viduais de um sistema em cascata, o elo mais fraco
pode exercer um grande efeito sobre o ganho total.
Realimentaç o do coletor:
Realimentaç o CC do coletor:
Efeito da imped ncia de carga:
Efeito da imped ncia de fonte:
Efeito combinado de imped ncia de carga e de fonte:
Conex o cascode:
Conex o Darlington (com RE):
Conex o Darlington (sem RE):
onde
Par realimentado:
Os ltimos
cap tulos se limitaram à análise CC de circuitos eletr ni-
cos utili ando PSpice e Multisim. Esta seç o analisará a
aplicaç o de uma fonte CA a um circuitoTBJ e descreverá
como os resultados s o obtidos e interpretados.
A maior parte da construç o da Figura 5.139 pode
ser reali ada utili ando-se os procedimentos discutidos nos
cap tulos anteriores. A fonte CA pode ser encontrada na
biblioteca SOURCE como VSIN. Voc pode rolar a lista
de opções ou simplesmente digitar VSIN no topo da lis-
tagem. Uma ve que ela selecionada e inserida, surgir o
várias legendas que definem os par metros da fonte. Dar
um duplo clique no s mbolo de fonte ou usar a sequ ncia
Edit-Properties resultará na caixa de diálogo Property
Editor, que lista todos os par metros que aparecem na tela
e muito mais. Desli ando a barra de rolagem totalmente
para a esquerda, será encontrada uma listagem para CA.
Selecione o ret ngulo em branco sob o t tulo e digite o
valor 1 mV. Esteja ciente de que as entradas podem usar
prefixos como m (mili) e k (quilo). Ao mover para a direita,
o t tulo FREQ aparecerá, no qual poss vel digitar 10
kH . Ao mover novamente para PHASE, verifique que
o valor padr o 0 e, portanto, pode ser despre ado. Ele
representa o ngulo de fase inicial para o sinal senoidal.
Em seguida, voc encontrará VAMPL, que está fixado
em 1 mV, seguido tamb m por VOFF em 0 V. Agora que
cada uma das propriedades foi definida, temos que decidir
o que exibir na tela para definir a fonte. Na Figura 5.139,
as nicas legendas s o Vs e 1 mV, de modo que vários

Utili aç o do PSpice para Windows na
análise do circuito da Figura 5.28 (Exemplo 5.2).
itens devem ser eliminados e o nome da fonte, modifi-
cado. Para cada quantidade, simplesmente volte para o
t tulo e o selecione para modificaç o. Se optar por CA,
selecione Display para obter a caixa de diálogo Display
Properties. Selecione Value Only, porque preferimos
que a legenda CA n o apareça. Deixe todas as outras op-
ções em branco. Com um OK, voc pode passar para os
demais par metros dentro da caixa de diálogo Property
Editor. N o queremos que as legendas FREQ, PHASE,
VAMPL e VOFF apareçam com seus valores, por isso em
cada caso selecione Do Not Display. Para alterar V1 para
Vs, basta ir at Part Reference e, depois de selecioná-lo,
digitar Vs. Ent o, vá para Display e selecione Value Only.
Finalmente, para aplicar todas as alterações, selecione
Apply e saia da caixa de diálogo; a fonte aparecerá como
mostra a Figura 5.139.
A resposta CA para a tens o em um ponto do cir-
cuito obtida por meio da opç o VPRINT1 encontrada
na biblioteca SPECIAL. Se a biblioteca n o aparecer,
basta selecionar Add Library seguido por special.olb.
Quando selecionado, VPRINT1 aparecerá na tela como
uma impressora com tr s legendas: AC, MAG e PHASE.
Cada qual tem de ser definida com um status OK para
refletir o fato de que se deseja esse tipo de informaç o
sobre o n vel de tens o. Isso feito com um simples clique
no s mbolo da impressora para abrir a caixa de diálogo e
pela definiç o de cada um como OK. Para cada entrada,
selecione Display e escolha Name and Label. Finalmente,
selecione Apply e saia da caixa de diálogo. O resultado
aparece na Figura 5.139.
O transistor Q2N2222 pode ser encontrado sob a
biblioteca EVAL ao ser digitado sob o t tulo Part, ou
simplesmente pelo rolamento da barra de opções. Os n veis
de Is e β podem ser definidos primeiro pela seleç o do
transistor Q2N2222 para torná-lo vermelho e, em seguida,
pela aplicaç o da sequ ncia Edit-PSpice Model para abrir
a caixa de diálogo PSpice Model Editor Lite e alterar
Is para 2E-15A e Bf a 90. O n vel de Is o resultado de
diversas simulações do circuito para determinar o valor
que resultaria em VBE mais pr ximo de 0,7 V.
Agora que todos os componentes do circuito foram
definidos, hora de pedir ao computador para analisá-
-lo e fornecer alguns resultados. Se entradas indevidas
forem feitas, o computador responderá rapidamente com
uma listagem de erros. Primeiro, selecione o cone New
Simulation Profile para obter a caixa de diálogo New
Simulation. Ent o, depois de inserir o nome como
OrCAD 5-1, selecione Create, e a caixa de diálogo
Simulation Settings será exibida. Em Analysis type, se-
lecione AC Sweep/Noise e, em AC Sweep Type, escolha
Linear. A Start Frequency 10 kH , a End Frequency
10 kH e o Total Points 1. Com um OK, a simulaç o
pode ser iniciada pela seleç o do cone Run PSpice (seta
branca). Voc obterá um esquema com um gráfico que se
estende de 5 kH a 15 kH sem escala vertical. Por meio
da sequ ncia View-Output File, a lista da Figura 5.140
pode ser obtida. Ela começa com uma lista de todos os
elementos do circuito e suas configurações, seguidos por
todos os par metros do transistor. Em particular, observe o
n vel de IS e BF. Em seguida, os n veis CC s o fornecidos
sob SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION, que corres-
pondem aos que aparecem no esquema da Figura 5.139.
Os n veis CC aparecem na Figura 5.139 devido à seleç o
da opç o V. Note tamb m que VBE = 2,624 V – 1,924 V
= 0,7 V, como indicado anteriormente, em decorr ncia da
escolha de Is.
A pr xima listagem, OPERATING POINT
INFORMATION, revela que, apesar de beta da listagem
de BJT MODEL PARAMETERS ter sido fixado em 90,
as condições operacionais do circuito resultaram em um
beta CC de 48,3 e um beta CA de 55. Feli mente, por m,
a configuraç o de divisor de tens o menos sens vel a
alterações em beta no modo CC, e os resultados CC s o
excelentes. Entretanto, a queda em beta CA teve um efeito
sobre o valor resultante de Vo: 296,1 mV versus a soluç o
calculada à m o (com ro = 50 k ) de 324,3 mV — uma
diferença de 9%. Os resultados certamente s o pr ximos,
mas provavelmente n o tanto quanto gostar amos que
fossem. Um resultado mais pr ximo (dentro de 7%) pode-
ria ser obtido com a definiç o de todos os par metros do
dispositivo em ero, exceto Is e beta. No entanto, por ora,
o impacto dos demais par metros foi demonstrado, e os
resultados ser o aceitos como suficientemente pr ximos
dos valores manuscritos. Mais adiante neste cap tulo, um

Arquivo de sa da para o circuito da Figura 5.139.
modelo CA para o transistor será apresentado com resul-
tados que coincidir o exatamente com a soluç o calculada
à m o. O ngulo de fase –178 versus o ideal de –180 ,
uma correspond ncia bastante estreita.
Um gráfico da tens o no coletor do transistor pode ser
obtido com a criaç o de um novo processo de simulaç o
para calcular o valor da tens o desejada em diversos pon-
tos de dados. Quanto mais pontos, mais preciso o gráfico.
O processo iniciado com o retorno à caixa de diálogo
Simulation Settings e, em Analysis type, com a seleç o
de Time Domain(Transient). O dom nio do tempo es-
colhido porque o eixo hori ontal será um eixo temporal, o
que exige que a tens o de coletor seja determinada em um
intervalo de tempo especificado para permitir que o gráfico
seja feito. Uma ve que o per odo da forma de onda 1/10
kH = 0,1 ms = 100 μs, e seria conveniente exibir cinco
ciclos da forma de onda, fixamos o Run to time (TSTOP)
em 500 μs. O ponto Start saving data after deixado em
0 s e, em Transient option, o Maximum step si e fixado
em 1 μs para garantir 100 pontos de dados para cada ciclo
da forma de onda. Com um OK, uma janela SCHEMATIC
aparecerá contendo um eixo hori ontal dividido em unida-
des de tempo, mas sem eixo vertical definido. A forma de
onda desejada pode, ent o, ser adicionada, selecionando-se
primeiro Trace seguido de Add Trace para abrir a respec-
tiva caixa de diálogo. Na listagem fornecida, selecionamos
V(Q1:c) como a tens o no coletor do transistor. Assim que
selecionada, ela aparecerá como Trace Expression na
parte inferior da caixa de diálogo. Consultando a Figura
5.139, verificamos que, uma ve que o capacitor CE está
essencialmente no estado de curto-circuito em 10 kH , a
tens o do coletor para o terra será a mesma que atravessa os
terminais de sa da do transistor. Com um OK, a simulaç o
pode ser iniciada ao selecionarmos o cone Run PSpice.
O resultado será a forma de onda da Figura 5.141
com um valor m dio de cerca de 13,45 V, que corresponde
exatamente ao n vel de polari aç o da tens o de coletor
na Figura 5.139. A faixa do eixo vertical foi escolhida
automaticamente pelo computador. Cinco ciclos completos
da tens o de sa da s o exibidos com 100 pontos de dados
por ciclo. Os pontos de dados aparecem na Figura 5.139
porque a sequ ncia Tools-Options-Mark Data Points foi
aplicada. Eles aparecem como pequenos c rculos escuros
na curva do gráfico. Usando a escala do gráfico, vemos
que o valor de pico a pico da curva de aproximadamente
13,76 V – 13,16 V = 0,6 V = 600 mV, resultando em um
valor de pico de 300 mV. Visto que um sinal de 1 mV foi
aplicado, o ganho de 300, ou muito pr ximo da soluç o
de 296,1 dado pela calculadora.
Se for necessária uma comparaç o entre as tensões
de entrada e de sa da na mesma tela, podemos usar a opç o
Add Y-Axis em Plot. Depois de selecioná-la, clique no
cone Add Trace e escolha V(Vs:+) na lista fornecida. O
resultado que ambas as formas de onda aparecer o na
mesma tela, como mostra a Figura 5.142, cada uma com
sua pr pria escala vertical.
 Tens o vC para o circuito da Figura 5.139.
As tensões vC e vs para o circuito da Figura 5.139.
Se preferirmos dois gráficos separados, podemos
começar selecionando Plot e depois Add Plot to Win-
dow, ap s o gráfico da Figura 5.141 estar no lugar. O
resultado será um segundo conjunto de eixos à espera de
uma decis o sobre qual curva representar graficamente.
Usar Trace-Add Trace-V (Vs:+) resultará nos gráficos
da Figura 5.143. O SEL (de SELECT) que aparece
ao lado dos gráficos define o gráfico “ativo”.
A ltima operaç o a ser apresentada na presente
discuss o sobre exibições de gráficos a utili aç o da
opç o de cursor. O resultado da sequ ncia Trace-Cursor-
-Display uma linha no n vel CC do gráfico da Figura
5.144 que fa interseç o com uma linha vertical. Tanto o
n vel quanto o tempo aparecem na pequena caixa de diá-
logo no canto inferior direito da tela. O primeiro n mero
para Cursor 1 a intersecç o do tempo, e o segundo,
o n vel de tens o naquele instante. Um clique no bot o
esquerdo do mouse possibilitará o controle das linhas
de intersecç o vertical e hori ontal nesse n vel. Clicar e
manter o clique na linha vertical permitir o o movimento
 Dois gráficos separados de vC e vs na Figura 5.139.

hori ontal da intersecç o ao longo da curva, indicando,
simultaneamente, o tempo e o n vel de tens o na caixa
de dados no canto inferior direito da tela. Se for movido
para o primeiro pico da forma de onda, o tempo aparecerá
como 75,194 μs com um n vel de tens o de 13,753 V,
como mostra a Figura 5.144. Clicando o bot o direito
do mouse, veremos uma segunda interseç o, definida
por Cursor 2, que pode ser movida do mesmo modo
com seu tempo e tens o exibidos na mesma caixa de
diálogo. Note que, se Cursor 2 for colocado pr ximo ao
pico negativo, a diferença no tempo será de 49,61 μs (tal
como mostrado na mesma caixa), que está muito pr ximo
da metade do per odo da forma de onda. A diferença de
magnitude 591 mV, que está muito pr ximo do valor
de 600 mV obtido anteriormente.

Demonstraç o do uso de cursores para a leitura de pontos espec ficos em um gráfico.

 Os resultados obti-
dos em qualquer análise usando os transistores fornecidos
na listagem de PSpice sempre ser o um pouco diferentes
daqueles obtidos com um modelo equivalente que inclui
apenas o efeito de beta e re. Isso foi claramente demons-
trado no circuito da Figura 5.139. Se a soluç o desejada
limitada ao modelo aproximado usado nos cálculos à
m o, o transistor deve ser representado por um modelo
tal como o da Figura 5.145.
Para o Exemplo 5.2, β 90, com βre = 1,66 k .
A fonte de corrente controlada por corrente (CCCS)
encontrada na biblioteca ANALOG como parte F. Ap s
a seleç o, com um OK, o s mbolo gráfico de CCCS apa-
recerá na tela, como mostra a Figura 5.146. Visto que n o
aparece na estrutura básica da CCCS, deve ser adicionado
em s rie à corrente controlada que aparece como uma seta
Substituiç o do transistor da Figura 5.139
no s mbolo. Observe o resistor adicionado de 1,66 k ,
pela fonte controlada da Figura 5.145.
denominado beta-re na Figura 5.146. Um duplo clique
sobre o s mbolo CCCS resultará na caixa de diálogo Pro-
perty Editor, na qual GAIN pode ser fixado em 90. a Embora o PSpice re-
nica mudança a ser feita na listagem. Depois, selecione almente tenha dois pares Darlington na biblioteca, tran-
Display seguido de Name and Value e saia (x) da caixa de sistores individuais s o empregados na Figura 5.147 para
diálogo. O resultado a legenda GAIN = 90 que aparece testar a soluç o do Exemplo 5.17. Os detalhes da criaç o
na Figura 5.146. do circuito foram abordados em seções e cap tulos ante-
Basta uma simulaç o para que os n veis CC da Fi- riores. Para cada transistor, Is definido como 100E-18
gura 5.146 apareçam. Esses n veis n o correspondem aos e β como 89,4. A frequ ncia aplicada de 10 kH . Uma
resultados anteriores porque o circuito uma combinaç o simulaç o do circuito resulta nos n veis CC que aparecem
de par metros CC e CA. O modelo equivalente substitu do na Figura 5.147(a) e no Output File da Figura 5.147(b).
na Figura 5.146 uma representaç o do transistor sob Note, particularmente, que a queda de tens o entre a base
condições CA, n o condições de polari aç o CC. Quando e o emissor para ambos os transistores 10,52 V – 9,148 V
o pacote de software analisa o circuito sob uma perspec- = 1,37 V em comparaç o com 1,6 V assumida no exemplo.
tiva CA, ele trabalha com um equivalente CA da Figura Lembramos que a queda em pares Darlington costuma
5.146, o que n o inclui os par metros CC. O Output File ser de cerca de 1,6 V, e n o simplesmente o dobro de um
revelará que a tens o de coletor de sa da 368,3 mV, ou nico transistor, ou 2(0,7 V) = 1,4 V. A tens o de sa da de
um ganho de 368,3, essencialmente uma correspond ncia 99,36 mV muito pr xima do valor de 99,80 mV obtido
exata com a soluç o obtida à m o de 368,76. Os efeitos na Seç o 5.17.
de ro poderiam ser inclu dos pela simples inserç o de uma
resist ncia em paralelo com a fonte controlada.

Uso de uma fonte controlada para representar o transistor da Figura 5.139.

 (a) Esquema do circuito Darlington no Design Center; (b) listagem de sa da para o circuito do item (a) (editada).

desejado de 200. Em seguida, clique na linha BF direta-

mente sob Name e a linha inteira será a ul de novo, mas
Vis-
agora com o valor de 200. Ent o, escolha Change Part
to que a configuraç o de realimentaç o do coletor gerou
Model no canto inferior esquerdo da caixa de diálogo, e
as equações mais complexas para os vários par metros
a caixa de diálogo TRANSISTOR-VIRTUAL se abrirá
de um circuito TBJ, parece adequado que o Multisim seja
novamente. Selecione OK e β = 200 será definido para
utili ado para verificar as conclusões do Exemplo 5.9. O
o transistor virtual. Note o asterisco ao lado da legenda
circuito aparece como mostra a Figura 5.148, usando o
TBJ para indicar que os par metros do dispositivo foram
transistor “virtual” da barra de ferramentas Transistor
modificados em relaç o aos valores padr o. A legenda Bf
family. Lembre-se de que vimos, no cap tulo anterior, que
= 100 foi definida utili ando-se Place-Text como descrito
os transistores s o obtidos primeiramente pela seleç o do
no cap tulo anterior.
cone Transistor, exibido como a quarta opç o na barra
de ferramentas component. Feita a seleç o, voc verá a
caixa de diálogo Select a Component; sob o t tulo Fa-
mily, selecione TRANSISTORS_VIRTUAL seguido
por BJT_NPN_VIRTUAL. Com um OK, os símbolos e
as legendas ser o exibidos como mostra a Figura 5.148.
Agora, devemos verificar que o valor de beta 200 para
coincidir com o exemplo em análise. Isso pode ser feito
de duas maneiras. No Cap tulo 4, utili amos a sequ ncia
EDIT-PROPERTIES, mas aqui simplesmente clicare-
mos duas ve es sobre o s mbolo para obtermos a caixa
de diálogo TRANSISTORS_VIRTUAL. Em Value,
selecione Edit Model para obter a caixa de diálogo Edit
Model (a caixa de diálogo tem uma apar ncia diferente
daquela obtida com o outro procedimento e requer uma
sequ ncia diferente para alterar seus par metros). O va-
lor de BF aparece como 100, que deve ser alterado para
200. Primeiro, selecione a linha BF para torná-la toda
a ul. Em seguida, coloque o cursor diretamente sobre o
valor 100 e selecione-o para isolá-lo como a quantidade
Circuito do Exemplo 5.9 redesenhado com
a ser alterada. Depois de eliminar o 100, digite o valor
Multisim.
 Essa será a primeira oportunidade de configurar primeira opç o no topo da barra de ferramentas vertical
uma fonte CA. Primeiro, importante compreender que à direita. Os medidores mostrados na Figura 5.148 foram
existem dois tipos de fonte CA dispon veis, um cujo valor obtidos com um simples duplo clique nos s mbolos do
está em unidades rms, outro com o valor de pico exibido. mult metro no esquema. Ambos foram ajustados para
A opç o em Power Sources usa valores rms, enquanto a leitura de tensões, cujos valores ser o em unidades rms.
fonte CA em Signal Sources utili a valores de pico. Uma Ap s a simulaç o, os resultados da Figura 5.148 apa-
ve que os medidores exibem valores em rms, a opç o recem. Note que o medidor XMM1 n o l o 1 mV esperado.
Power Sources será adotada aqui. Ao selecionar Source, Isso se deve à pequena queda na tens o atrav s do capacitor
a caixa de diálogo Select a Component aparecerá. Na lis- de entrada em 1 kH . Entretanto, está muito pr ximo de 1
tagem Family, selecione POWER_SOURCES e depois mV. A sa da de 245,166 mV rapidamente revela que o ganho
AC_POWER na listagem Component. Com um OK, a da configuraç o a transistor de cerca de 245,2, que está
fonte surgirá na tela com quatro informações. A legenda muito pr ximo dos 240 obtidos no Exemplo 5.9.
V1 pode ser eliminada primeiro com um duplo clique no
Aplicar o Multisim
s mbolo da fonte para abrir a caixa de diálogo AC_PO-
ao circuito da Figura 5.147 com um amplificador Dar-
WER. Selecione Display e libere Use Schematic Global
lington encapsulado resulta na imagem da Figura 5.149.
Settings. Para remover a legenda V1, libere a opç o Show
Para cada transistor, os par metros foram alterados para
RefDes. Basta um OK para V1 desaparecer da tela. Em
Is = 100E-18 A e Bf = 89,4 utili ando-se a t cnica descrita
seguida, o valor deve ser fixado em 1 mV, um processo
anteriormente. Para fins práticos, a fonte de sinal CA foi
iniciado com a seleç o de Value na caixa de diálogo
empregada em ve da fonte de pot ncia. O valor de pico
AC_POWER e com a alteraç o de Voltage (RMS) para
do sinal aplicado de 100 mV, mas note que a leitura
1 mV. As unidades de mV podem ser definidas com as
do mult metro o valor efica ou rms de 99,991 mV.
teclas de rolagem à direita da magnitude da fonte. Ap s
Os indicadores revelam que a tens o de base de Q1
alterar a Voltage para 1 mV, um OK colocará esse novo
7,736 V, e a tens o do emissor de Q2 6,193 V. O valor
valor na tela. A frequ ncia de 1000 H pode ser ajustada
rms da tens o de sa da 99,163 mV, o que resulta em um
do mesmo modo. O deslocamento de fase de 0 grau passa
ganho de 0,99 conforme o esperado para a configuraç o
a ser o valor padr o.
de seguidor de emissor. A corrente de coletor 16 mA com
A legenda Bf = 200 definida do modo descrito
uma corrente de base de 1,952 mA, o que resulta em um
no Cap tulo 4. Os dois mult metros s o obtidos com a
βD de cerca de 8200.

Circuito do Exemplo 5.9 redesenhado com Multisim.

*Nota: asteriscos indicam os problemas mais dif ceis.

d) AV se RL = 1,2 k .
1. a) Qual a amplificaç o esperada de um amplificador a 9. A imped ncia de entrada para um amplificador a transistor
transistor TBJ se a fonte CC for ajustada para ero volt em emissor-comum 1,2 k , com β = 140, ro = 50 k e
b) O que acontece com o sinal CA de sa da se o valor CC RL = 2,7 k . Determine:
for insuficiente Esboce os efeitos na forma de onda. a) re.
c) Qual a efici ncia de convers o de um amplificador no b) Ib, se Vi = 30 mV.
qual o valor efica da corrente atrav s de um resistor c) IC.
de carga de 2,2 k 5 mA e a corrente solicitada de d) Ai = Io/Ii = IL/Ib.
uma fonte CC de 18 V 3,8 mA e) AV = Vo/Vi.
2. poss vel uma analogia que explique a import ncia do 10. Para a configuraç o base-comum da Figura 5.18, a corrente
valor CC no ganho CA final do emissor 3,2 mA e α 0,99. Se a tens o aplicada for
3. Se um amplificador a transistor possui mais de uma fonte de 48 mV e a carga de 2,2 k , determine:
CC, o teorema da superposiç o pode ser aplicado para ob- a) re.
ter a resposta de cada fonte CC e fornecer a soma alg brica b) Zi.
dos resultados c) Ic.
d) Vo.
e) Av.
4. Qual a reat ncia de um capacitor de 10 μF em uma fre- f) Ib.
qu ncia de 1 kH Para circuitos nos quais os valores dos
resistores est o na faixa de quilo-ohms, seria adequado
usar um curto-circuito para a condiç o que acabamos de
descrever E em 100 kH 11. Para o circuito da Figura 5.151:
5. Dada a configuraç o base-comum da Figura 5.150, esbo- a) Determine Zi e Zo.
ce o circuito equivalente CA utili ando a notaç o para o b) Determine Av.
modelo do transistor que aparece na Figura 5.7. c) Repita os itens (a) e (b) com ro = 20 k .
12. Para o circuito da Figura 5.152, determine VCC para um
ganho de tens o Av = –160.
6. a) Dada uma tens o Early de VA = 100 V, determine ro, se
VCEQ = 8 V e ICQ = 4 mA.
b) Usando os resultados do item (a), determine a mudança
em IC para uma mudança em VCE de 6 V no mesmo
ponto Q do item (a).
7. Para a configuraç o base-comum da Figura 5.18, aplicado
um sinal CA de 10 mV, o que resulta em uma corrente do
emissor de 0,5 mA. Se α = 0,980, determine:
a) Zi.
b) Vo, se RL = 1,2 k .
c) AV = Vo/Vi.
d) Zo com ro = .
e) Ai = Io/Ii.
f) Ib.
8. Utili ando o modelo da Figura 5.16, determine os seguintes
valores para um amplificador emissor-comum, se β = 80,
IE (CC) = 2 mA e ro = 40 k :
a) Zi.
b) Ib. Problema 11.
c) Ai = Io/Ii = IL/Ib se RL = 1,2 k .

Problema 5.
*13. Para o circuito da Figura 5.153:
a) Calcule IB, IC e re.
b) Determine Zi e Zo.
c) Calcule Av.
d) Determine o efeito de ro = 30 k sobre Av.
14. Para o circuito da Figura 5.153, qual valor de RC corta o
ganho de tens o à metade do valor obtido no Problema 13

15. Para o circuito da Figura 5.154:

a) Determine re.
b) Calcule Zi e Zo.
c) Determine Av.
d) Repita os itens (b) e (c) com ro = 25 k .
16. Determine VCC para o circuito da Figura 5.155, se Av = –160
e ro = 100 k .
17. Para o circuito da Figura 5.156:
a) Determine re.
b) Calcule VB e VC. Problema 15.
c) Determine Zi e Av = Vo/Vi.
18. Para o circuito da Figura 5.157:
a) Determine re.
b) Calcule as tensões CC VB, VCB e VCE.
c) Determine Zi e Zo.
d) Calcule Av = Vo/Vi.

Problema 16.

Problema 12.

Problema 13. Problema 17.

 Problema 18.
Problema 21.

19. Para o circuito da Figura 5.158:

a) Determine re.
b) Calcule Zi e Zo.
c) Calcule Av.
d) Repita os itens (b) e (c) com ro = 20 k .
20. Repita o Problema 19 com RE desviado. Compare os re-
sultados.
21. Para o circuito da Figura 5.159, determine R E e RB ,
se Av = –10 e re = 3,8 . Considere que Zb = βRe.
*22. Para o circuito da Figura 5.160:
a) Determine re.
b) Calcule Zi e Av.
23. Para o circuito da Figura 5.161:
a) Determine re.
b) Calcule VB, VCE e VCB.
c) Determine Zi e Zo.
d) Calcule Av = Vo/Vi.
e) Determine Ai = Io/Ii.

24. Para o circuito da Figura 5.162: Problema 22.

a) Determine re e βre.
b) Calcule Zi e Zo.
c) Calcule Av.

Problema 23.
Problemas 19 e 20.
 Problema 24.

Problema 26.
*25. Para o circuito da Figura 5.163:
a) Determine Zi e Zo.
b) Calcule Av.
c) Calcule Vo, se Vi = 1 mV.
*26. Para o circuito da Figura 5.164:
a) Calcule IB e IC.
b) Determine re.
c) Determine Zi e Zo.
d) Calcule Av.

27. Para a configuraç o base-comum da Figura 5.165:

a) Determine re.
b) Calcule Zi e Zo. Problema 27.
c) Calcule Av.
*28. Para o circuito da Figura 5.166, determine Av.

29. Para a configuraç o com realimentaç o do coletor da

Figura 5.167:
a) Determine re.
b) Calcule Zi e Zo.
c) Calcule Av.
*30. Dados re= 10 , β = 200 e Av = –160 e Ai = 19 para o circuito
da Figura 5.168, determine RC, RF e VCC.
*31. Para o circuito da Figura 5.49:
a) Dedu a a equaç o aproximada para Av.
b) Dedu a as equações aproximadas para Zi e Zo.

Problema 28.

c) Dados RC = 2,2 k , RF = 120 k , RE = 1,2 k , β = 90

e VCC = 10 V, calcule a amplitude de Av, Zi e Zo usando
as equações dos itens (a) e (b).

32. Para o circuito da Figura 5.169:

a) Determine Zi e Zo.
Problema 25. b) Calcule Av.
 Problema 29.
*36.
Problema 30.
*37.
Problemas 32 e 33.
33. Repita o Problema 32 com a adiç o de um resistor de
emissor RE = 0,68 k .
*34. Para a configuraç o de polari aç o fixa da Figura 5.170:
a) Determine AvNL, Zi e Zo.
b) Esboce o modelo de duas portas da Figura 5.63 incluin-
do os par metros determinados no item (a).
c) Calcule o ganho AvL = Vo/Vi.
d) Determine o ganho de corrente AiL = Io/Ii.
35. a) Determine o ganho de tens o AvL para o circuito da
Figura 5.170 para RL = 4,7 k , 2,2 k e 0,5 k . Qual
Problemas 34 e 35.
o comportamento do ganho de tens o quando o valor
de RL diminui
b) Como Zi, Zo e AvNL variam para valores decrescentes de
RL
Para o circuito da Figura 5.171:
a) Determine AvNL, Zi e Zo.
b) Esboce o modelo de duas portas da Figura 5.63 incluin-
do os par metros determinados no item (a).
c) Determine Av = Vo/Vi.
d) Determine Avs = Vo/Vs.
e) Mude Rs para 1 k e determine Av. Como Av muda com
o valor de Rs
f) Mude Rs para 1 k e determine Avs. Como Avs muda
com o valor de Rs
g) Mude Rs para 1 k e determine AvNL, Zi e Zo. Como eles
mudam com a alteraç o em Rs
h) Para o circuito original da Figura 5.171, calcule
Ai = Io/Ii.
Para o circuito da Figura 5.172:
a) Determine AvNL, Zi e Zo.
b) Esboce o modelo de duas portas da Figura 5.63 incluin-
do os par metros determinados no item (a).
c) Determine AvL e Avs.
d) Calcule AiL.
e) Mude o valor de RL para 5,6 k e calcule Avs. Qual o
comportamento do ganho de tens o quando o valor de
RL aumenta
f) Mude o valor de Rs para 0,5 k (com RL em 2,7 k ) e
comente o efeito de reduç o de Rs sobre Avs.
g) Mude os valores de RL para 5,6 k e de Rs para 0,5 k
e determine os novos valores de Zi e Zo. Como s o
afetados os par metros de imped ncia pelas mudanças
nos valores de RL e Rs
38. Para a configuraç o com divisor de tens o da Figura 5.173:
a) Determine AvNL, Zi e Zo.
b) Esboce o modelo de duas portas da Figura 5.63 incluin-
do os par metros determinados no item (a).
c) Calcule o ganho AvL.
d) Determine o ganho de corrente AiL.
e) Determine AvL, AiL e Zo utili ando o modelo re e compare
os resultados.
39. a) Determine o ganho de tens o AvL para o circuito da
Figura 5.173 para RL = 4,7 k , 2,2 k e 0,5 k . Qual
o comportamento do ganho de tens o quando o valor
de RL diminui
b) Como Zi, Zo e AvNL variam para valores decrescentes de RL
Problema 36.

Problema 37.

Problemas 38 e 39.
40. Para o circuito com estabili aç o do emissor da Figura 5.174:
a) Determine AvNL, Zi e Zo.
b) Esboce o modelo de duas portas da Figura 5.63 incluin-
do os valores determinados no item (a).
c) Determine AvL e Avs.
d) Mude o valor de Rs para 1 k . Qual o efeito sobre
AvNL, Zi e Zo
e) Mude o valor de Rs para 1 k e determine AvL e Avs. Qual
o efeito do aumento dos n veis de Rs sobre AvL e Avs
f) Calcule Ai = Io/Ii.
*41. Para o circuito da Figura 5.175:
a) Determine AvNL, Zi e Zo.
b) Esboce o modelo de duas portas da Figura 5.63 incluin-
do os valores determinados no item (a).
c) Determine AvL e Avs.
d) Mude o valor de Rs para 1 k e determine AvL e Avs. Qual
o efeito do aumento dos n veis de Rs sobre os ganhos
de tens o
e) Mude o valor de Rs para 1 k e determine AvNL, Zi e Zo.
Qual o efeito do aumento de Rs sobre os par metros
f) Mude o valor de RL para 5,6 k e determine AvL e Avs.
Qual o efeito do aumento de RL sobre os ganhos de
tens o Mantenha Rs em seu valor original de 0,6 k .
g) Determine com RL = 2,7 k e Rs = 0,6 k .

*42. Para o circuito base-comum da Figura 5.176:

a) Determine Zo, Zi e AvNL.
b) Esboce o modelo de duas portas da Figura 5.63 incluin-
do os valores determinados no item (a).
c) Determine AvL e Avs.
d) Determine AvL e Avs utili ando o modelo re e compare
com os resultados do item (c).
e) Mude Rs para 0,5 k e RL para 2,2 k e calcule AvL e
Avs. Qual o efeito da variaç o dos valores de Rs e RL
sobre os ganhos de tens o
f) Determine Zo caso Rs mude seu valor para 0,5 k e
todos os outros par metros que aparecem na Figura
Problema 40.

Problema 41.

Problema 42.
 5.176 tenham sido mantidos. Como Zo afetado pelas
mudanças nos valores de Rs
g) Determine Zi caso RL seja redu ido para 2,2 k . Qual
o efeito de variações nos valores de RL sobre a impe-
d ncia de entrada
h) Para o circuito original da Figura 5.176, determine Ai = Io/Ii.
*43. Para o sistema em cascata da Figura 5.177 com dois está-
gios id nticos, determine:
a) O ganho de tens o com carga de cada estágio.
b) O ganho total do sistema, Av e Avs.
c) O ganho de corrente com carga de cada estágio.
d) O ganho de corrente total do sistema, AiL = Io/Ii.
e) Como Zi afetado pelo segundo estágio e por RL.
f) Como Zo afetado pelo primeiro estágio e por Rs.
g) A relaç o de fase entre Vo e Vi.
Problema 43.
Problema 44.
Problemas 45 e 46.
*44. Para o sistema em cascata da Figura 5.178, determine:
a) O ganho de tens o com carga de cada estágio.
b) O ganho total do sistema, AvL e Avs.
c) O ganho de corrente com carga de cada estágio.
d) O ganho de corrente total do sistema.
e) Como Zi afetado pelo segundo estágio e por RL.
f) Como Zo afetado pelo primeiro estágio e por Rs.
g) A relaç o de fase entre Vo e Vi.
45. Para o amplificador em cascata com TBJ da Figura 5.179,
calcule as tensões de polari aç o CC e a corrente de coletor
para cada estágio.
46. a) Calcular o ganho de tens o de cada estágio e o ganho
de tens o CA global para o circuito amplificador em
cascata com TBJ da Figura 5.179.
b) Calcule AiT = Io/Ii.
 47. Para o circuito amplificador cascode da Figura 5.180,
calcule as tensões de polari aç o CC VB1 e VB2 e VC2.
*48. Para o circuito amplificador cascode da Figura 5.180,
calcule o ganho de tens o Av e a tens o de sa da Vo.
49. Calcule a tens o CA atrav s de uma carga de 10 k co-
nectada à sa da do circuito da Figura 5.180.
50. Para o circuito Darlington da Figura 5.181:
a) Determine os n veis de VB1, VC1, VE2, VCB1 e VCE2.
b) Determine as correntes IB1, IB2 e IE2.
c) Calcule Zi e Zo.
d) Determine o ganho de tens o Av = Vo/Vi e o ganho de
corrente Ai = Io/Ii.
51. Repita o Problema 50 com uma resist ncia de carga de
1,2 k .
52. Determine Av = Vo/Vs para o circuito da Figura 5.181 caso
a fonte tenha uma resist ncia interna de 1,2 k e a carga
aplicada seja de 10 k .
Problemas 47 e 49.
Problemas 50 a 53.
53. Um resistor RC = 470 adicionado ao circuito da Figura
5.181, com um capacitor de desvio CE = 5 μF atrav s do
resistor de emissor. Se βD = 4000, VBET = 1,6 V e ro1 = ro2
= 40 k para um amplificador Darlington encapsulado:
a) Determine os n veis CC de VB1, VE2 e VCE2.
b) Determine Zi e Zo.
c) Determine o ganho de tens o Av = Vo/Vi caso a saída de
tens o Vo seja retirada do terminal do coletor atrav s
de um capacitor de acoplamento de 10 μF.
54. Para o par realimentado da Figura 5.182:
a) Calcule as tensões CC VB1, VB2,VC1, VC2, VE1 e VE2.
b) Determine as correntes CC IB1, IC1, IB2, IC2 e IE2.
c) Calcule as imped ncias Zi e Zo.
d) Determine o ganho de tens o Av = Vo/Vi.
e) Determine o ganho de corrente Ai = Vo/Vi.
55. Repita o Problema 54, se um resistor de 22 adicionado
entre VE2 e o terra.
56. Repita o Problema 54, se uma resist ncia de carga de
1,2 k conectada.
57. Dados IE (CC) = 1,2 mA, β = 120 e ro = 40 k , esboce:
a) O modelo h brido equivalente emissor-comum.
b) O modelo re equivalente emissor-comum.
c) O modelo h brido equivalente base-comum.
d) O modelo re equivalente base-comum.
58. Dados hie = 2,4 k , hƒe = 100, hre = 4 × 10–4 e hoe = 25 μS,
esboce:
a) O modelo h brido equivalente emissor-comum.
b) O modelo re equivalente emissor-comum.
c) O modelo h brido equivalente base-comum.
d) O modelo re equivalente base-comum.
59. Redesenhe o circuito emissor-comum da Figura 5.3 para a
resposta CA com o modelo h brido equivalente aproximado
substitu do entre os terminais apropriados.
60. Redesenhe o circuito da Figura 5.183 para a resposta CA
com o modelo re inserido entre os terminais apropriados.
Inclua ro.
61. Redesenhe o circuito da Figura 5.184 para a resposta CA
com o modelo re inserido entre os terminais apropriados.
Inclua ro.
Problemas 54 e 55.
 63. Dados os valores usuais de RL = 2,2 k e hoe = 20 μS, seria
uma boa aproximaç o ignorar os efeitos de 1/hoe na impe-
d ncia de carga total Qual a diferença porcentual na carga
total sobre o transistor utili ando-se a equaç o a seguir:

64. Repita o Problema 62 utili ando os valores m dios dos

par metros da Figura 5.92 com Av = –180.
65. Repita o Problema 63 para RL = 3,3 k , e o valor m dio
de hoe na Figura 5.92.

66. a) Dados β = 120, re = 4,5 e ro = 40 k , esboce o circuito

h brido equivalente aproximado.
b) Dados hie = 1 k , hre = 2 10–4, hfe = 90 e hoe = 20 μS,
esquemati e o modelo re.
67. Para o circuito do Problema 11:
Problema 60. a) Determine re.
b) Calcule hƒe e hie.
c) Calcule Zi e Zo usando os par metros h bridos.
d) Calcule Av e Ai usando os par metros h bridos.
e) Determine Zi e Zo, se hoe = 50 μS.
f) Determine Av e Ai, se hoe = 50 μS.
g) Compare as soluções anteriores com as do Problema 9.
(Observaç o: caso o Problema 11 n o tenha sido resol-
vido, as soluções est o dispon veis no Ap ndice E.)
68. Para o circuito da Figura 5.186:
a) Determine Zi e Zo.
b) Calcule Av e Ai.
c) Determine re e compare βre com hie.
*69. Para o circuito base-comum da Figura 5.187:
a) Determine Zi e Zo.
b) Calcule Av e Ai.
Problema 61. c) Determine α, β, re e ro.

62. Dados os valores usuais de hie = 1 k , hre = 2 10–4 e

*70. Repita os itens (a) e (b) do Problema 68 com hre = 2 10–4
Av = –160 para a configuraç o de entrada da Figura 5.185:
e compare os resultados.
a) Determine Vo em funç o de Vi.
b) Calcule IB em funç o de Vi.
c) Calcule IB, se hreVo for ignorado.
d) Determine a diferença porcentual em Ib utili ando a
seguinte equaç o:

e) uma abordagem válida ignorar os efeitos de hreVo para

os valores usuais empregados neste exemplo

Problemas 62 e 64. Problema 68.

 Problema 69.
*71. Para o circuito da Figura 5.188, determine:
a) Zi.
b) Av.
c) Ai = Io/Ii.
d) Zo.
*72. Para o amplificador base comum da Figura 5.189, determine:
a) Zi.
b) Ai.
c) Av.
d) Zo.
73. a) Esboce o modelo Giacoletto ( h brido) para um tran-
sistor emissor-comum se rb = 4 , C = 5 pF, Cu =
1,5 pF, hoe = 18 μS, β = 120 e re = 14.
b) Se a carga conectada de 1,2 k e a resist ncia de fonte
de 250 , desenhe o modelo h brido aproximado
para a faixa de baixa e m dia frequ ncia.
Para os problemas 74 a 80 utili e as figuras 5.124 a 5.126.
74. a) Utili ando a Figura 5.124, determine a amplitude da
variaç o porcentual de hƒe para uma variaç o de IC de
0,2 mA a 1 mA utili ando a equaç o:
Problema 71.
b) Repita o item (a) para uma variaç o de IC de 1 mA a
5 mA.
75. Repita o Problema 74 para hie (mesmas variações de IC).
76. a) Se hoe = 20 μS em IC = 1 mA na Figura 5.124, qual o
valor aproximado de hoe em IC = 0,2 mA
b) Determine seu valor resistivo em 0,2 mA e compare a
uma carga resistiva de 6,8 k . uma boa aproximaç o
ignorar os efeitos de 1/hoe nesse caso
77. a) Se hoe = 20 μ em IC = 1 mA na Figura 5.124, qual o
valor aproximado de hoe em IC = 10 mA
b) Determine seu valor resistivo em 10 mA e compare a
uma carga resistiva de 6,8 k . uma boa aproximaç o
ignorar os efeitos de 1/hoe nesse caso
78. a) Se hre = 2 10–4 em IC = 1 mA na Figura 5.124, deter-
mine o valor aproximado de hre em 0,1 mA.
b) Utili ando o valor de hre determinado no item (a), hre pode
ser ignorado como uma boa aproximaç o se Av = 210
79. a) Com base em uma revis o da Figura 5.124, qual
par metro variou menos para a variaç o completa da
corrente do coletor
b) Qual par metro variou mais
c) Quais s o os valores máximo e m nimo de 1/hoe A
aproximaç o 1/hoe RL>RL mais adequada em n veis
altos ou baixos de corrente do coletor
d) Em qual regi o do espectro de corrente a aproximaç o
hreVce > 0 mais adequada
 Problema 72.
80. a) Com base em uma revis o das caracter sticas da Figura
5.126, qual par metro variou mais com o aumento da
temperatura
b) Qual par metro variou menos
c) Quais s o os valores máximo e m nimo de hƒe A va-
riaç o significativa Isso era esperado
d) Como re varia com o aumento de temperatura Calcule
seu valor em apenas tr s ou quatros pontos e compare
suas amplitudes.
e) Em qual faixa de temperatura os par metros variam
menos
*81. Dado o circuito da Figura 5.190:
a) O circuito está adequadamente polari ado
b) Que problema na estruturaç o do circuito poderia fa er
com que VB fosse 6,22 V e obtivesse a forma de onda
dada na Figura 5.190
Problema 81.
82. Utili ando o PSpice para Windows, determine o ganho de
tens o para o circuito da Figura 5.25. Mostre as formas de
onda de entrada e de sa da.
83. Utili ando o PSpice para Windows, determine o ganho de
tens o para o circuito da Figura 5.32. Mostre as formas de
onda de entrada e de sa da.
84. Utili ando o PSpice para Windows, determine o ganho de
tens o para o circuito da Figura 5.44. Mostre as formas de
onda de entrada e de sa da.
85. Utili ando o Multisim, determine o ganho de tens o do
circuito da Figura 5.28.
86. Utili ando o Multisim, determine o ganho de tens o do
circuito da Figura 5.39.
87. Utili ando o PSpice para Windows, determine o valor
de Vo para Vi = 1 mV no circuito da Figura 5.69. Para os
elementos capacitivos, admita uma frequ ncia de 1 kH .
88. Repita o Problema 87 para o circuito da Figura 5.71.
89. Repita o Problema 87 para o circuito da Figura 5.82.
90. Repita o Problema 87 utili ando o Multisim.