Marcel Jacon Cezare

Ponte Inversora Trifásica de Média Potência

para Acionamento de Alto Desempenho

Trabalho de Conclusão de Curso apresentado à

Escola de Engenharia de São Carlos, da
Universidade de São Paulo.

Curso de Engenharia Elétrica com Ênfase em

Sistemas de Energia e Automação.

ORIENTADOR: Prof. Dr. José Roberto Boffino

de Almeida Monteiro.

São Carlos
2007
 i

Dedicatória

Dedico este trabalho aos meus Pais.

ii
 iii

Agradecimentos

Em primeiro lugar ao Professor Dr. José Roberto Boffino de Almeida

Monteiro, pela orientação e pelo constante estímulo transmitido no
desenvolvimento de todo o trabalho.
Aos professores Dr. Manoel Luis de Aguiar, Dr. Azauri Albano de
Oliveira Jr. e aos colegas do Laboratório de Controle e Eletrônica de Potência
(LACEP) pelo apoio e sugestões.
A todos que colaboraram direta ou indiretamente, na realização desse
trabalho.
iv
 v

Sumário

Capítulo 1 .......................................................................................................... 1

Introdução ................................................................................................................. 1

Capítulo 2 .......................................................................................................... 5

Tipos de Operação do Motor Brushless ........................................................... 5

2.1 Operação do motor brushless DC com modo de operação seis

pulsos 120°............................................................................................................ 5

2.2 Operação no modo seis pulsos 180°................................................. 9

2.3 Operação do motor brushless AC com acionamento senoidal.. 9

Capítulo 3 ........................................................................................................ 13

Projeto da Ponte Inversora Trifásica................................................................ 13

3.1 Dimensionamento das chaves semicondutoras........................... 13

3.2 Dimensionamento e funcionamento do driver de porta dos

IGBT´s ................................................................................................................... 14

3.3 Dimensionamento do circuito de dead time .................................. 16

3.4 Dimensionamento do circuito de controle de curto circuito..... 17

3.5 Descrição do Esquemático da Ponte Inversora Trifásica .......... 19

Capítulo 4 ........................................................................................................ 27

Dimensionamento do sistema de dissipação de calor da ponte inversora

trifásica..................................................................................................................... 27

4.1 Determinação da Temperatura da Base do Encapsulamento do

IGBT para Temperatura Ambiente de 20°C................................................. 35

4.2 Determinação da Máxima Temperatura Ambiente para uma

Temperatura de Base do Encapsulamento do IGBT de 150°C.............. 35

vi

Capítulo 5 ........................................................................................................ 37

Conclusões ............................................................................................................. 37

Capítulo 6 ........................................................................................................ 39

Referências Bibliográficas.................................................................................. 39

Anexo A........................................................................................................... 41

A.1 PCB e vista superior e inferior da placa do inversor ........................... 41

A.2 Lista de Componentes.................................................................................. 43

A.3 Funcionamento da ponte inversora .......................................................... 44

Apêndice A Datasheet IGBT IRG4PC50FD ................................................... 45

Apêndice B Datasheet Dissipador AY-AEGIS® ........................................... 55

 vii

Lista de Figuras

Figura 1 - Braço robótico da Siemens® ........................................................................ 2

Figura 2 - Sinais dos sensores de posição de rotor. ..................................................... 5
Figura 3 - Ponte inversora trifásica. .............................................................................. 6
Figura 4 - Seqüência de chaveamento das fases no modo 120°. ................................. 6
Figura 5 - Acionamento seis pulsos 120° com fonte de tensão ajustável. ..................... 7
Figura 6 - Acionamento seis pulsos 120° com fonte de tensão fixa............................... 7
Figura 7 – Semi–ponte positiva e negativa. .................................................................. 8
Figura 8 - Seqüência de chaveamento das fases no modo 180°. ................................. 9
Figura 9 - Acionamento senoidal com fonte de tensão fixa. ........................................ 10
Figura 10 - Diagrama de blocos simplificado do acionamento senoidal. ..................... 10
Figura 11 – Chaveamento de uma das fases da ponte inversora operando no modo
senoidal. ..................................................................................................................... 11
Figura 12 – Utilização do CI IR2113 para o acionamento de um braço da ponte
inversora..................................................................................................................... 14
Figura 13 - CI IR2113 com o IGBT Q1 conduzindo e Q4 desligado. ........................... 15
Figura 14 - CI IR2113 com o IGBT Q4 conduzindo e Q1 desligado. ........................... 15
Figura 15 - Circuito de dead time. ............................................................................... 16
Figura 16 - Circuito de controle de curto circuito. ........................................................ 17
Figura 17 - Máxima impedância térmica entre a junção e a base de montagem do
encapsulamento. ........................................................................................................ 18
Figura 18 - Área de operação segura (Safe operating area). ...................................... 18
Figura 19 – Bloco das chaves semicondutoras (IGBT´s). ........................................... 19
Figura 20 - Esquemático da ponte inversora trifásica.................................................. 20
Figura 21 – Bloco dos drivers de porta dos IGBT´s..................................................... 21
Figura 22 – Bloco do circuito dead time. ..................................................................... 22
Figura 23 - Bloco do circuito de controle de curto circuito. .......................................... 22
Figura 24 - Bloco de referência de tensão. ................................................................. 23
Figura 25 – Bloco do regulador de tensão. ................................................................. 23
Figura 26 – Bloco do sensor de corrente. ................................................................... 24
Figura 27 – Bloco dos pinos de comunicação. ............................................................ 24
Figura 28 - Bloco de alimentação de entrada.............................................................. 25
Figura 29 – Bloco da saída trifásica. ........................................................................... 25
Figura 30 – Exemplo de um modelo térmico equivalente. ........................................... 27
viii

Figura 31 – Caminho percorrido pela corrente com os IGBT´s 1 e 2 acionados.......... 29

Figura 32 – Caminho percorrido pela corrente com os IGBT´s 1 e 2 desligados......... 29
Figura 33 – Circuito térmico equivalente. .................................................................... 30
Figura 34 - Circuito térmico simplificado. .................................................................... 33
Figura 35 - Circuito térmico simplificado com os valores das resistências térmicas
equivalentes. .............................................................................................................. 34
Figura 36 - Esquemático da ponte inversora............................................................... 41
Figura 37 - Vista Superior da ponte inversora trifásica................................................ 42
Figura 38 - Vista inferior da ponte inversora trifásica. ................................................. 42
 ix

Lista de Tabelas

Tabela 1 - Especificações do projeto. ......................................................................... 13

Tabela 2 - Estado das chaves semicondutoras no acionamento dos IGBT´s. ............. 14
Tabela 3 - Valores das resistências térmicas. ............................................................. 33
Tabela 4 - Lista de componentes. ............................................................................... 43
x
 xi

Lista de Siglas

AC: Alternating Current

CA: Corrente Alternada
CC: Corrente Contínua
CI: Circuito Integrado
DC: Direct Current
EESC: Escola de Engenharia de São Carlos
IGBT: Transistor Bipolar de Porta Isolada (Insulated Gate Bipolar Transistor).
LACEP: Laboratório de Controle e Eletrônica de Potência - SEL/EESC/USP.
MLP: Modulação em Largura de Pulso
PCB: Placa de circuito impresso (printed circuit board)
PWM: Pulse With Modulation
SEL: Departamento de Engenharia Elétrica
USP: Universidade de São Paulo
xii
 xiii

Lista de Símbolos

RθJCQ1 Resistência térmica entre junção e a base de montagem do

encapsulamento do IGBT 1
RθJCQ 2 Resistência térmica entre junção e a base de montagem do

encapsulamento do IGBT 2
RθJCD 4 Resistência térmica entre junção e a base de montagem do

encapsulamento do diodo 4
RθJCD 5 Resistência térmica entre junção e a base de montagem do

encapsulamento diodo 5
RθCM Resistência térmica entre a base de montagem do

encapsulamento do IGBT e o isolador de mica

RθM Resistência térmica do isolador de mica

RθMS Resistência térmica entre o isolador de mica e o dissipador

RθSA Resistência térmica entre o dissipador e o ambiente

TS Temperatura na superfície

TA Temperatura ambiente

PQ1 Potência térmica do IGBT 1

PQ 2 Potência térmica do IGBT 2;

PD 4 Potência térmica do diodo 4;

PD 5 Potência térmica do diodo 5;

PonQ Potência dissipada com o transistor ligado.

PoffQ Potência dissipada com o transistor desligado.

P( on / off ) Q Potência dissipada na transição entre ligar e desligar o transistor.

PonD Potência dissipada com o diodo ligado.

PoffD Potência dissipada com o diodo desligado.

P( on / off ) D Potência dissipada na transição entre ligar e desligar o diodo.

xiv

RPQ Resistência térmica equivalente entre o transistor e a superfície

do dissipador.
I (TS −TA ) Fluxo térmico entre a temperatura ambiente e a temperatura da

superfície do dissipador.
RPD Resistência térmica equivalente entre o diodo e a superfície do
dissipador.
Ic Corrente de coletor do IGBT.

f Freqüência de chaveamento do inversor.

VF Tensão de queda direta do diodo.

VCESAT Tensão de saturação entre coletor-emissor.

Eon Perda de energia no chaveamento para ligar o IGBT.

Eoff Perda de energia no chaveamento para desligar o IGBT.

EREC Perda de energia de recuperação do diodo.

δ Fator de trabalho.
TJQ Temperatura na junção do transistor.

TJD Temperatura na junção do diodo.

 xv

Resumo

Cezare, M. J. Ponte Inversora Trifásica de Média Potência para Acionamento de

Alto desempenho. 2007. Trabalho de Conclusão de Curso – Escola de Engenharia
de São Carlos, Universidade de São Paulo, São Carlos, 2007.

O presente trabalho apresenta o desenvolvimento de uma ponte inversora

trifásica de média potência, que permite a operação no modo seis pulsos 120°(com
dois transistores conduzindo ao mesmo tempo), seis pulsos 180° (com três
transistores conduzindo ao mesmo tempo) e no modo MLP de tensão, para fazer o
controle de velocidade e acionamento de alto desempenho, de máquinas que
necessitam de um alto grau de precisão, alta eficiência e confiabilidade.
O trabalho também mostra como foi feita a escolha das chaves semicondutoras
e os circuitos para seu acionamento, o dimensionamento da lógica de proteção contra
sobrecorrente e curto circuito e toda a modelagem térmica do circuito para a escolha
do dissipador.

Palavras – chave: ponte inversora, máquina brushless, controle de velocidade,

operação modo seis pulsos.
xvi
 xvii

Abstract

Cezare, M. J. Middle Power Inverter Bridge for high performance driver. 2007.
under graduation monograph – Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de
São Paulo, São Carlos, 2007.

This work presents the design of a middle power inverter bridge in the six step
120° mode (Two transistor turned on at any instant), six step 180° mode (three
transistor turned on at any instant), and PWM (Pulse with modulation) voltage mode.
This inverter bridge can be use to speed as well as position control of machines drives
that demands high precision, high efficiency and reliability.
This work also shows design semiconductor switch selection and other
electronic components, the design of protection logic over current and short circuit and
thermal modeling of the power circuit for heat sink dimensioning.

Keywords: power inverter bright, brushless machine, velocity control, operating

in the mode six step.
xviii
 1

Capítulo 1

Introdução

As pontes inversoras de tensão são conversores estáticos utilizados para

controlar o fluxo de energia elétrica entre uma fonte de tensão contínua e uma carga
alternada, podendo ela ser monofásica ou polifásica, com controle dos níveis do valor
eficaz da tensão e da freqüência. Atualmente são muito empregadas no controle de
máquinas elétricas de corrente alternada, tais como motores síncronos e motores de
indução, em sistemas de alimentação ininterrupta, em tensão alternada, a partir de
baterias e fontes chaveadas [1].
Existem muitos tipos de inversores, classificados a partir do número de fase,
com a utilização de dispositivos semicondutores de potência, com os princípios de
comutação e com as formas de onda de saída [2].
Neste trabalho trata-se de pontes inversoras trifásicas com modo de operação
seis pulsos 120°, com dois transistores conduzindo ao mesmo tempo, seis pulsos
180°, com três transistores conduzindo ao mesmo tempo, e modulação por largura de
pulsos (MLP).
A aplicação da ponte inversora trifásica, neste trabalho, será empregada
somente nos motores brushless DC e brushless AC, por serem máquinas que
possuem um alto desempenho e alta eficiência comparada com outras máquinas. Mais
especificamente em um motor brushless DC de um braço robótico da Siemens®,
modelo manutec r3 (Figura 1), disponível no LACEP.
No modo de operação seis pulsos 120°, apenas duas chaves semicondutoras
conduzem num mesmo instante de tempo, por um período de 120° elétricos, já o modo
de operação seis pulso 180°, somente três chaves semicondutoras são acionadas
num mesmo instante de tempo, por um período de 180° elétricos.
2

Figura 1 - Braço robótico da Siemens®

O modo MLP faz o acionamento dos transistores variando a largura do pulso

em proporção à amplitude de uma onda senoidal (ou qualquer outro tipo de perfil de
onda), analisada no centro do mesmo pulso [3].
A utilização de máquinas síncronas, com imãs permanentes montados na
superfície do rotor, em aplicações que necessitam de um alto grau de desempenho e
precisão aumenta cada vez mais. Isto se deve ao fato dessas máquinas possuírem,
dentre suas características, baixa inércia de rotor, alto desempenho dinâmico e alta
eficiência.
Devido à baixa dissipação de energia no rotor e a alta capacidade de
dissipação pelo estator, esse tipo de máquina permite uma considerável diminuição do
tamanho do rotor e da própria máquina em si possibilitando, com isso, máquinas com
baixo peso e volume reduzido. Essa característica é uma grande vantagem se
comparada com as demais máquinas [4].
Comparando-se as máquinas CC com imã permanente como excitação de
campo, as máquinas com ímã permanente no rotor são menores e mais leves, tem
 3

menor momento de inércia do rotor, e principalmente, não apresentam problemas

inerentes à comutação mecânica das escovas, como centelhamento e conseqüente
geração de ruído eletromagnético, sendo assim mais seguras a sua utilização em
ambientes que podem sofrer vazamentos de substâncias explosivas [5].
Podem-se classificar as máquinas síncronas, levando-se em conta à forma de
onda da força contra-eletromotriz, em duas categorias:
• Máquinas com excitação senoidal;
• Máquinas com excitação não senoidal.
As máquinas com excitação não senoidal compreendem uma vasta gama de
máquinas que apresentam como características diferentes tipos de formas de ondas
para a densidade de fluxo de entreferro, resultando, com isso, num alto conteúdo
harmônico em relação às de excitação puramente senoidal. Os tipos mais comuns de
máquinas síncronas com excitação não senoidal são as que apresentam formas de
onda trapezoidais ou quadradas [6].
A construção das máquinas com excitação senoidal é feita de tal modo a se
obter uma forma de onda senoidal da força contra-eletromotriz induzida no estator.
Essa forma de onda é conseguida construindo os enrolamentos de estator da máquina
através de uma distribuição espacial senoidal e/ou através da magnetização das
pastilhas magnéticas do rotor, feita apropriadamente, de maneira a se obter a forma
de onda desejada [6].
Nos motores com excitação não senoidal, os enrolamentos de estator possuem
uma distribuição espacial mais simples, com isso a forca contra-eletromotriz induzida
no estator apresenta uma forma de onda não senoidal, geralmente trapezoidal ou
quadrada. O fato de possuírem uma distribuição espacial dos enrolamentos de estator
mais simples que a das máquinas senoidais, torna as máquinas síncronas de ímãs
permanentes na superfície do rotor não senoidais mais baratas e menores do que
suas equivalentes senoidais em potência e torque [7].
A denominação dada a esse tipo de máquina em conjunto com seu respectivo
conversor elétrico, na literatura é “Motor CC sem escovas” (Brushless DC Motors) [8]
[9] e, por sua vez, as máquinas senoidais, juntamente com seu conversor elétrico,
podem ser denominadas por Motores Brushless CA (Brushless AC Motors) [10].
Comparando-se o emprego de motores brushless AC com os que empregam
máquinas brushless DC, uma das principais vantagens em se utilizar as máquinas
brushless AC é sua alta precisão de posicionamento, pois os sistemas que a utilizam,
apresentam baixas ondulações no torque eletromagnético, que são da ordem de 2% a
8%, enquanto que nas máquinas brushless DC esses valores giram em torno de 7% a
30% [8].
4
 5

Capítulo 2

Tipos de Operação do Motor Brushless

2.1 Operação do motor brushless DC com modo de operação seis

pulsos 120°

O modo de operação seis pulsos 120° utilizado em motores brushless DC tem

sua freqüência em sincronismo com a freqüência do rotor. Na prática, isto significa
dizer que a freqüência do conversor elétrico de potência é comandada pela posição
rotórica. Isto é conseguido através de sensores de posição instalados no estator da
máquina, que enviam sinais a cada 60° elétricos (Figura 2) para o controle eletrônico
[13].
No caso da máquina ser trifásica, há três sensores de posição instalados no
estator a cada 120° elétricos, que enviam sinais lógicos ao circuito de controle que
determina quais chaves da ponte inversora trifásica devem ser acionada a cada
instante de tempo.
A Figura 4 nos mostra os sinais de saída do circuito de lógica de acionamento
das chaves semicondutoras da ponte inversora, onde os sinais com nível lógico alto
indicam quais chaves da ponte inversora trifásica (Figura 3) estão ligadas.

Sensor 1

Sensor 2

Sensor 3
0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300 330 360

Figura 2 - Sinais dos sensores de posição de rotor.

6

VCC

+ 1 + 3 + 5
VG1 VG3 VG5
- - -
V1

V2

V3

+ 4 + 6 + 2
VG4 VG6 VG2
- - -

Figura 3 - Ponte inversora trifásica.

VG1
VG2
VG3
VG4
VG5
VG6
0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300 330 360

Figura 4 - Seqüência de chaveamento das fases no modo 120°.

Existem duas possibilidades para acionar a máquina brushless DC operando

no modo seis pulsos 120°. Uma delas é utilizando uma fonte de tensão com saída
ajustável, mostrado na Figura 5 e a outra é utilizando uma fonte de tensão com saída
fixa, mas com um modulador de largura de pulso (MLP) na ponte inversora, Figura 6.
 7

Referência
de Tensão

Lógica de
Fonte de
controle da
Energia
Fonte

+ -

Lógica de
Ponte
Acionamento
Inversora
da Ponte
Trifásica
Inversora

Sensor de
posição Motor
rotórica

Figura 5 - Acionamento seis pulsos 120° com fonte de tensão ajustável.

Fonte de
Referência de Tensão Energia

+ -
Lógica de
MLP Acionamento Ponte
da Ponte Inversora
Inversora Trifásica

Sensor de
posição Motor
rotórica

Figura 6 - Acionamento seis pulsos 120° com fonte de tensão fixa.

8

Qualquer que seja o tipo de fonte de tensão utilizada no modo de acionamento

seis pulsos 120° da máquina brushless DC, o controlador envia um sinal de referência
de tensão, que corresponde à tensão entregue a máquina e que pode varia de 0% a
100% da tensão máxima da fonte de alimentação.
Na lógica de operação no modo seis pulsos 120°, somente duas chaves da
ponte inversora estão ligadas num mesmo instante de tempo, sendo uma da semi-
ponte negativa e a outra da semi-ponte positiva (Figura 7). Com isso não há a
necessidade de se aplicar modulação por largura de pulso em todas as chaves da
ponte inversora, podendo-se aplicar modulação por largura de pulso somente nas
chaves da semi-ponte negativa ou nas chaves da semi-ponte positiva.
Aplicando-se modulação por largura de pulso somente nas chaves da semi-
ponte negativa, por exemplo, é possível a utilização de transistores mais lentos na
semi-ponte positiva, que são mais baratos que os transistores rápidos [7].

VCC

Semi-ponte
3 5 positiva
+ 1 + +
VG1 VG3 VG5
- - -
V1

V2

V3

+ 4 + 6 + 2
VG4 VG6 VG2 Semi-ponte
- - - negativa

Figura 7 – Semi–ponte positiva e negativa.

 9

2.2 Operação no modo seis pulsos 180°

No modo de operação seis pulsos 180° utilizados em motores, a cada instante

de tempo, sempre haverá três chaves ligadas e três desligadas alternadamente. Assim
cada chave conduz por 180° elétricos.
A Figura 8 mostra os sinais de saída do circuito de lógica de acionamento das
chaves semicondutoras da ponte inversora, onde os sinais com nível lógico alto
indicam quais chaves da ponte inversora trifásica, como mostrado na Figura 3, estão
ligadas em cada ciclo.

VG1
VG2
VG3
VG4
VG5
VG6
0 60 120 180 240 300 360

Figura 8 - Seqüência de chaveamento das fases no modo 180°.

2.3 Operação do motor brushless AC com acionamento senoidal

Para a operação do motor brushless AC com acionamento senoidal, considera-

se somente o caso em que a fonte de tensão é fixa conforme mostrado na Figura 9.
10

Fonte de
Energia
Sinal do controlador
do sistema
+ -

Lógica de
Ponte
Acionamento
Inversora
da Ponte
Trifásica
Inversora

Sensor de
posição Motor
rotórica

Figura 9 - Acionamento senoidal com fonte de tensão fixa.

O sensor de posição, para um acionamento senoidal, deve possuir uma alta

resolução, o que é conseguido com o uso de um encoder óptico. O diagrama em
blocos simplificado do acionamento está representado na Figura 10. Em relação a
Figura 9 é acrescido um encoder e o circuito de controle da ponte inversora, que
nesse caso, deve ser mais sofisticado no que se refere ao modulador por largura de
pulso [13].

Fonte de
Referência de Tensão Energia

+ -
Lógica de
MLP Acionamento Ponte
da Ponte Inversora
Inversora Trifásica

Encoder
Óptico Motor

Figura 10 - Diagrama de blocos simplificado do acionamento senoidal.

 11

Figura 11 – Chaveamento de uma das fases da ponte inversora operando no modo senoidal.

A Modulação por Largura de Pulso (MLP) permite o controle da freqüência de

saída e do nível de tensão médio a partir da variação do ciclo de trabalho e freqüência
dos pulsos de entrada. Estes pulsos podem ser produzidos de diversas formas, porém
baseado sempre na comparação de um determinado nível de tensão (CC ou senoidal)
com uma portadora, por exemplo, uma onda triangular como mostra a Figura 11.
A Figura 11 mostra o chaveamento da tensão e a corrente resultante de saída
de uma das fases da ponte inversora.
12
 13

Capítulo 3

Projeto da Ponte Inversora Trifásica

A partir das especificações, dadas pela Tabela 1, do maior motor do braço

robótico (Figura 1), extraem-se os dados necessários para o início do projeto da ponte
inversora trifásica.

Tabela 1 - Especificações do projeto.

Especificações Valores
Números de Fase 3
Tensão Máxima 400V
Corrente Máxima 30A
Freqüência de Chaveamento Máxima 6kHz

3.1 Dimensionamento das chaves semicondutoras

Com os dados da máxima tensão e corrente mostrado na Tabela 1 determinou-

se a chave semicondutora que será utilizada no projeto. A chave escolhida foi o IGBT
IRG4PC50FD que tem como característica tensão de operação entre coletor e emissor
de 600V, corrente máxima de 39A a uma temperatura de 100°C e 70A para uma
temperatura de 25°C, na base do encapsulamento do transistor, com uma tensão de
15V aplicada entre gate e emissor.
O IRG4PC50FD também possui um diodo de recuperação rápido (diodo de
roda livre) da ordem de 50 ns no mesmo encapsulamento, responsável pelo caminho
da corrente causada pelo desligamento do IGBT.
14

3.2 Dimensionamento e funcionamento do driver de porta dos IGBT´s

A partir da escolha do IGBT e com base nos dados de projeto determinou-se o

tipo de circuito integrado (CI) para fazer o acionamento dos mesmos. A escolha se deu
pela corrente de pico e tensão aplicada ao gate do IGBT que é de 2A e 15V
respectivamente.
O CI escolhido foi o IR2113 que atende a estas especificações, além de
fornecer o acionamento para o lado de cima e de baixo de um braço da ponte
inversora, como mostra a Figura 12.

Figura 12 – Utilização do CI IR2113 para o acionamento de um braço da ponte inversora.

O funcionamento do driver IR2113 com o transistor Q1 conduzindo se dá

conforme a Figura 13 e a Tabela 2 . Quando o transistor de cima (Q1) deve ser
acionado, a corrente, em pontilhado mostrado na Figura 13, sai do capacitor C1
descarregando-o, entra pelo pino VB, passa pelo transistor M1 que está ativo, sai pela
porta H0, passando pelo IGBT Q1 e retornando fechando o circuito pelo capacitor C1.
O capacitor C1 passa a ter a função de fonte de tensão do transistor do lado de cima
de um dos braços do inversor.

Tabela 2 - Estado das chaves semicondutoras no acionamento dos IGBT´s.

Situação M1 M2 M3 M4 Q1 Q4
Low ativo Off On On Off Off On
High ativo On Off Off On On off
 15

Figura 13 - CI IR2113 com o IGBT Q1 conduzindo e Q4 desligado.

Já para o caso do transistor Q4 estar conduzindo, a corrente percorre o

caminho mostrado na Figura 14. Uma parcela da corrente sai de VDD, entra pelo pino
VCC, sai por L0, carregando a porta de Q4, ativando-o, e retornando pela malha de
terra. Além disso, outra parte da corrente sai pela fonte de tensão VDD, passando pelo
diodo e carregando o capacitor C1, que será parcialmente descarregado no próximo
acionamento do transistor Q1, fechando o circuito pela malha de terra do circuito.

Figura 14 - CI IR2113 com o IGBT Q4 conduzindo e Q1 desligado.

16

3.3 Dimensionamento do circuito de dead time

Com as especificações das chaves semicondutoras descritas em 3.1,

passamos para o dimensionamento do circuito de dead time.
O circuito de dead time, representado na Figura 15, é responsável por atrasar o
sinal de gate dos transistores, de modo a não deixar o transistor do lado de cima
conduzir simultaneamente com o lado de baixo. Para isso, o circuito da Figura 15
sempre atrasa o ligamento dos transistores, por um tempo pré-estabelecido,
entretanto, não atua no desligamento.

Monoestável
D

R
74HCT541 IR2113
C

Figura 15 - Circuito de dead time.

O tempo para o dead time é calculado levando-se em conta o pior caso, ou

seja, o máximo tempo para a chave semicondutora desligar e o mínimo tempo para ela
entrar em condução, conforme a equação abaixo:

∆t ≥ t off − ton (3.1)

Onde os valores de toff e ton são extraídos do datasheet do fabricante do

transistor, para o pior caso de operação.

Utilizando os dados do IGBT IRG4PC50FD, datasheet anexo A, e a equação
3.1 chegamos ao seguinte valor de dead time:

∆t ≥ (360 − 55)ns

∆t ≥ 305ns
 17

Para o circuito de dead time foi utilizado um resistor de 1kΩ e um capacitor de

470pF, resultando num tempo de 470ns, maior que os 305ns requeridos pelos
transistores.

3.4 Dimensionamento do circuito de controle de curto circuito

Para o circuito de proteção contra curto circuito foi projetado um circuito que
gera um pulso na porta de Shutdown do driver IR2113 caso a corrente ultrapasse os
valores máximos permitidos.

VCC

+ 1 + 3 + 5
VG1 VG3 VG5
- - -
V1

V2

V3

+ 4 + 6 + 2
VG4 VG6 VG2
- - -

Mono IR2113
estável
SD
Tensão de
referência
150mV

Figura 16 - Circuito de controle de curto circuito.

Observando o diagrama mostrado na Figura 16, tem-se um sensor de corrente

(resistor R) cuja função é enviar um sinal de tensão para o circuito comparador. O
18

circuito integrado compara a tensão enviada pelo sensor de corrente com uma tensão
de referência, que no caso deste projeto é de 150mV para que a corrente na ponte
inversora não ultrapasse o valor de 30A.
Acoplado à saída do comparador, tem-se um circuito mono-estável responsável
por temporizar o pulso gerado pelo comparador, assim, a situação de sobrecorrente
deve ser mantida por um certo intervalo de tempo para que a proteção atue. O
intervalo foi projetado para ser de 1µs, o que está dentro dos limites do dispositivo.
Para a determinação do tempo máximo para a atuação da proteção contra
curto circuito, utilizam-se os gráficos mostrados nas Figura 17 e Figura 18 tiradas do
datasheet (apêndice A) do IGBT IRG4PC50FD.

Figura 17 - Máxima impedância térmica entre a junção e a base de montagem do encapsulamento.

Figura 18 - Área de operação segura (Safe operating area).

 19

3.5 Descrição do Esquemático da Ponte Inversora Trifásica

A Figura 20 mostra o esquemático da placa do inversor desenvolvido no

software PROTEL® (assim como o PCB, a vista superior e a vista inferior e o
funcionamento da placa inversora que se encontra com mais detalhes no apêndice A)
com a descrição de cada circuito.
O bloco das chaves semicondutoras IGBT´s (Figura 19), mostra a ponte
inversora, a qual utiliza seis transistores IGBT modelo IRG4PC50FD, detalhada no
capítulo 3.1.

Figura 19 – Bloco das chaves semicondutoras (IGBT´s).

20

Figura 20 - Esquemático da ponte inversora trifásica.

 21

O bloco dos drivers de acionamento dos IGBT´s (Figura 21) mostra os CI´s
IR2113, dimensionados no capítulo 3.2.

Figura 21 – Bloco dos drivers de porta dos IGBT´s.

O bloco do circuito de dead time (Figura 22) mostra o circuito de atraso do sinal
do gate dos transistores, dimensionado no capítulo 3.3, nota-se que o circuito mono-
estável é feito com um circuito RC.
22

Figura 22 – Bloco do circuito dead time.

O Bloco do circuito de controle de curto circuito (Figura 23) mostra a opção de

utilizar ou o circuito integrado comparador TL712 ou o LM393, sendo necessário
eliminar o transistor BC847 e fazer uma ligação entre a base e o coletor do mesmo,
caso utilize o CI LM393. O seu dimensionamento é mostrado no capítulo 3.4.

Figura 23 - Bloco do circuito de controle de curto circuito.

 23

O bloco de referência de tensão mostra como é fornecida a tensão de

referência para o circuito de controle de curto circuito. A tensão de 150mV é obtida
pelo divisor de tensão resistivo mostrado na Figura 24.

Figura 24 - Bloco de referência de tensão.

O bloco do regulador de tensão (Figura 25) fornece a tensão de 5V necessária

para o funcionamento de alguns CI´s do circuito do inversor.

Figura 25 – Bloco do regulador de tensão.

O bloco do sensor de corrente (Figura 26) é responsável por fornecer o nível de

corrente para o circuito de controle de curto circuito que atua no desligamento da
24

ponte inversora caso haja alguma sobrecorrente por um período maior que o
estabelecido.

Figura 26 – Bloco do sensor de corrente.

O bloco dos pinos de comunicação (Figura 27) é responsável por enviar e

receber os dados da placa de lógica que faz o controle da ponte inversora.

Figura 27 – Bloco dos pinos de comunicação.

 25

O bloco de alimentação de entrada (Figura 28) é responsável por fornecer a

energia vinda de um retificador para a placa.

Figura 28 - Bloco de alimentação de entrada.

E por fim o bloco da saída trifásica (Figura 29) é responsável por fornecer a
tensão trifásica, seja ela senoidal trapezoidal ou qualquer outra forma de onda
desejada para o funcionamento de alguma carga acoplada ao inversor.

Figura 29 – Bloco da saída trifásica.

26
 27

Capítulo 4

Dimensionamento do sistema de dissipação de calor da ponte

inversora trifásica

A circulação de corrente elétrica por qualquer elemento provoca uma

dissipação de potência igual ao produto do quadrado da corrente pela resistência do
circuito. Tal potência dissipada converte-se em calor através do Efeito Joule.
Esse calor, produzido na pastilha dos IGBT´s, decorrente do Efeito Joule, flui
da pastilha para ambientes mais frios. Este fluxo de calor depende de vários fatores
como o gradiente de temperatura e as características térmicas dos meios e dos
materiais envolvidos.
Para dimensionar um circuito térmico, faz-se uma analogia aos circuitos
elétricos onde a potência média é representada por uma fonte de corrente, as
temperaturas nos pontos indicados (junção, cápsula, ambiente) são análogas às
tensões nos respectivos nós, enquanto as resistências térmicas são as próprias
resistências do modelo [12].
Um exemplo é mostrado na Figura 30 que representa o modelo elétrico
equivalente para o circuito térmico de um transistor utilizando um dissipador.

TJQ TS TA
RθJQS RθSA
Transistor Dissipador

PQ

Figura 30 – Exemplo de um modelo térmico equivalente.

28

Onde:

PQ : Potência térmica do transistor;

TS : Temperatura na superfície entre o dissipador e o transistor;

TA : Temperatura ambiente;
TJQ : Temperatura na junção do transistor;

RθSA : Resistência térmica entre a superfície do dissipador e o ambiente;

RθJCQ : Resistência térmica entre junção e a base de montagem do

encapsulamento do transistor.

Para o dimensionamento do dissipador, tomou-se como base o pior caso de

dissipação de potência dos transistores: dois transistores conduzindo durante todo o
tempo, com ciclo de trabalho o mais alto possível (aproximadamente 100% de ciclo de
trabalho, com ação dos diodos de roda livre) e ligamento e desligamento dos
transistores na maior freqüência de chaveamento.
Por exemplo, quando os transistores Q1 e Q2 entram em operação, a corrente
flui pelo caminho mostrado na Figura 31, ao serem desligados, a bobina do estator
tenta manter o fluxo magnético, gerando com isso uma tensão contraria, induzida uma
corrente que passa pelos diodos de roda livre dos transistores Q4 e Q5, como
mostrado na Figura 32.
A partir do funcionamento de um dos braços da ponte inversora (Figuras 31 e
32) e por analogia aos circuitos elétricos chegamos ao circuito térmico mostrado na
Figura 33, porém aplicado apenas aos dois transistores e diodos, pois o
funcionamento dos outros são idênticos.
Todos os parâmetros para o dimensionamento do sistema de dissipação de
calor (dados do dissipador e do IGBT) foram extraídos do datasheet dos fabricantes
que se encontram nos apêndices A e B.
 29

VCC

1 3 5
VG1 VG3 VG5

M
4 6 2
VG4 VG6 VG2

Figura 31 – Caminho percorrido pela corrente com os IGBT´s 1 e 2 acionados.

VCC

1 3 5
VG1 VG3 VG5

M
4 6 2
VG4 VG6 VG2

Figura 32 – Caminho percorrido pela corrente com os IGBT´s 1 e 2 desligados.

30

PQ1 PD 4 PQ 2 PD 5

TJQ1 TJD 4 TJQ 2 TJD 5

RθJCQ1 RθJCD 4 RθJCQ 2 RθJCD 5

RθCM RθCM RθCM RθCM

RθM RθM RθM RθM

RθMS RθMS RθMS RθMS

TS

RθSA

TA

Figura 33 – Circuito térmico equivalente.

A Figura 33 apresenta o esquema do circuito térmico equivalente da ponte

inversora onde cada um dos elementos está descrito abaixo:
RθJCQ1 : Resistência térmica entre junção e a base de montagem do

encapsulamento do IGBT 1;
RθJCQ 2 : Resistência térmica entre junção e a base de montagem do

encapsulamento do IGBT 2;
RθJCD 4 : Resistência térmica entre junção e a base de montagem do
encapsulamento do diodo 4;
RθJCD 5 : Resistência térmica entre junção e a base de montagem do
encapsulamento do diodo 5;
RθCM : Resistência térmica entre a base de montagem do encapsulamento e o
isolador de mica;
RθM : Resistência térmica do isolador de mica;
 31

RθMS : Resistência térmica entre o isolador de mica e o dissipador;

RθSA : Resistência térmica entre o dissipador e o ambiente;

TS : Temperatura na superfície;

TA : Temperatura ambiente;
PQ1 : Potência térmica do IGBT 1;

PQ 2 : Potência térmica do IGBT 2;

PD 4 : Potência térmica do diodo 4;

PD 5 : Potência térmica do diodo 5;

Equacionamento do sistema de dissipação de calor:

Resistências térmicas:

RPQ1 = RθJCQ1 + RθCM + RθM + RθMS (4.1)

RPD 4 = RθJCD 4 + RθCM + RθM + RθMS (4.2)

RPQ 2 = RθJCQ 2 + RθCM + RθM + RθMS (4.3)

RPD 5 = RθJCD 5 + RθCM + RθM + RθMS (4.4)

Potências térmicas de entrada:

PQ = PoffQ + PonQ + P( on / off ) Q (4.5)

PD = PoffD + PonD + P( on / off ) D (4.6)

e:
1
PonQ = VCESAT .I C . .δ (4.7)
3

PoffQ ≅ 0 (4.8)
32

1
P( on / off )Q = ( Eon + Eoff ). f . (4.9)
3

1
PonD = VF .I C .(1 − δ ). (4.10)
3

PoffD ≅ 0 (4.11)

1
P( on / off ) D = E REC . f . Esta parcela já esta sendo considerada na equação (4.9),
3
portanto não entrará no cálculo da equação (4.6).

Temperatura na superfície do dissipador:

TS = 3.[ RθSA .I (TS −TA ) ] + TA (4.12)

Temperatura na junção do Transistor:

TJQ = RPQ .PQ + TS (4.13)

Temperatura na junção do Diodo:

TJD = RPD .PD + TS (4.14)

Através das equações 4.1, 4.2, 4.3 e 4.4 simplifica-se o circuito da Figura 33
para o circuito térmico equivalente simplificado mostrado na Figura 34.
 33

PQ1 PD 4 PQ 2 PD 5

TJQ1 TJD 4 TJQ 2 TJD 5

RθPQ1 RθPD 4 RθPQ 2 RθPD 5

TS

RθQSA

TA

Figura 34 - Circuito térmico simplificado.

O dissipador escolhido foi um modelo AY da AEGIS® , com ventilação forçada

e comprimento de 150mm , resultando assim em uma resistência térmica de
0,14°C / W .
Substituindo os valores das resistências térmicas do transistor, diodo, isolador
de mica e do dissipador (extraído do datasheet de cada componente) dados pela
Tabela 3 abaixo nas equações 4.1, 4.2, 4.3 e 4.4, chega-se aos seguintes resultados
de resistências térmicas equivalentes:

Tabela 3 - Valores das resistências térmicas.

Resistência térmica Valor
RθJCQ 0,64

RθJCD 0,83

RθCM 0,24

RθM + RθMS 0,7

RθSA 0,14

RPQ1 = RPQ 2 = 0.64 + 0,24 + 0,7 = 1,58[°C / W ]

RPD 4 = RPD 5 = 0,83 + 0,24 + 0,7 = 1,77[°C / W ]

34

Calculando as Potências de perda dos diodos e dos transistores, através das

equações 4.5, 4.6, 4.7, 4.8, 4.9, 4.10 e 4.11, encontra-se:
1
PonQ = 1,53.30. .0,99 = 15,15[W ]
3

1
P( on / off )Q = (6,5 × 10 −3 ). f . = 13,02[W ]
3

PQ = PoffQ + PonQ + P( on / off )Q = 28,17[W ]

1
PonD = 1,7.30.(1 − 0,99). = 0,17[W ]
3

PD = PoffD + PonD = 0,17[W ]

28,17W 0,17W 28,17W 0,17W

TJQ1 TJD 4 TJQ 2 TJD 5

1,58°C / W 1,77°C / W 1,58°C / W 1,77°C / W

TS

0,14°C / W

20°C

Figura 35 - Circuito térmico simplificado com os valores das resistências térmicas equivalentes.
 35

4.1 Determinação da Temperatura da Base do Encapsulamento do IGBT

para Temperatura Ambiente de 20°C

Com os resultados das equações 4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5 e 4.6 (Figura 35)
tiramos o valor da temperatura da superfície para uma temperatura ambiente de 20°C.

TS = 3.0,14.( 2.28,17 + 2.0,17) + 20 = 43,81°C

Sabendo a temperatura na superfície do dissipador, agora vamos determinar a

temperatura na junção de cada transistor e de cada diodo, a partir das equações 4.13
e 4.14.

TJQ1 = TJQ 2 = 28,17.1,58 + 43,81 = 88,32°C

TJD 4 = TJD 5 = 1,77.0,17 + 43,81 = 44,81°C

Como a temperatura na base de montagem do encapsulamento do IGBT não

ultrapassa o limite de 150°C definidos pelo fabricante, o dissipador escolhido é
apropriado para ser utilizado na ponte inversora trifásica.

4.2 Determinação da Máxima Temperatura Ambiente para uma

Temperatura de Base do Encapsulamento do IGBT de 150°C

Sabendo que a temperatura máxima de operação do transistor é 150°C,

através das equações 4.12 e 4.13, calcula-se a máxima temperatura ambiente.

TJQ − RPQ .PQ = 3.[ RθSA .I (TS −TA ) ] + TA

150 − 1,58.28,17 = 3.[0,14.56,68] + TA

TA = 81,68°C
36

A máxima temperatura ambiente pode ser de 80 °C para que a temperatura na

base do encapsulamento do transistor não ultrapasse o limite de 150 °C, caso a
temperatura da base do encapsulamento ultrapasse esse valor o transistor queimará,
para que isso não ocorra deve-se diminuir a potência dissipada antes da temperatura
ambiente chegar em 80°C, diminuindo a freqüência de operação da ponte inversora
para evitar qualquer dano ao circuito. Isso será feito monitorando-se a temperatura
ambiente e a temperatura da base do dissipador e enviando os dados para a lógica de
controle da ponte inversora, que atuará no controle do inversor quando for necessário.
Caso essa diminuição de freqüência não seja suficiente deve-se então reduzir
a corrente de operação do circuito e, até em casos mais graves, desligar a ponte
inversora até a temperatura atingir um valor seguro, que no caso é abaixo de 80°C
para a ambiente e 100°C para a temperatura na superfície do dissipador.
 37

Capítulo 5

Conclusões

O trabalho apresenta o desenvolvimento de uma ponte inversora trifásica de

média potência, que permite a operação no modo seis pulsos 120°(com dois
transistores conduzindo ao mesmo tempo), seis pulsos 180° (com três transistores
conduzindo ao mesmo tempo) e por modulação de largura de pulso de tensão, para
fazer o controle de velocidade e o acionamento de braços robóticos que necessitam
de um alto grau de precisão, alta eficiência e confiabilidade, possibilitando, assim, o
seu uso em diversos tipos de máquinas elétricas como: motores de indução, máquinas
síncronas com ímã permanente, máquinas de relutância síncronas, entre outras.
A operação nos modos seis pulsos 120°, seis pulsos 180° e no modo MLP de
tensão garante ao inversor trifásico uma boa flexibilidade, possibilitando uma ampla
gama de aplicações.
No capítulo 4 ressalta-se a importância do dimensionamento térmico dos
circuitos elétricos, visto que sem ele não seria possível determinar de forma adequada
o tipo de dissipador a ser utilizado no projeto.
Como trabalhos futuros sugere-se a substituição dos transistores IGBT´s por
outros equivalentes, mas que possuam uma resistência térmica de encapsulamento
menor, com isto, há a possibilidade de diminuição do tamanho do dissipador utilizado.
Pode-se também estudar mais a fundo a modelagem térmica do transistor
IGBT, para determinar sua impedância térmica e com isso definir qual a máxima
temperatura que o componente pode ser submetido em caso de curto circuito da ponte
inversora.
38
 39

Capítulo 6

Referências Bibliográficas

[1] DEWAN, S. B.; STRAUGHEN, A. Power Semiconductor Circuits, John Wiley &
Sons, 1975.

[2] AHMED, A. Eletrônica de Potência, Prentice Hall, 2006.

[3] RASHID, M. H. Eletrônica de Potência. Makron books, 1999.

[4] VAGATI, A.; FRATTA, A.; FRANCESCHINI, G.; ROSSO, P. “AC motors for high
performance drivers: A design-based comparision”, IEEE Transactions on Industry
Applications, vol. 32, no. 5, 1996.

[5] OLIVEIRA Jr., N. Acionamentos de avanço para máquinas-ferramenta e robôs.

Comparação entre as técnicas CA/CC. Revista Siemens. Separata da Revista
Siemens. Julho 1990.

[6] NASAR, S. A.; BOLDEA, I.; UNNEWEHR, L. E. Permanent magnet, relutance, and
self synchronous motors. Boca Raton: CRC Press, 1993.

[7] MILLER, T. J. E. Bushless Permanent-Magnet and Reluctance Motor Drives.

Oxford: Claredon Press, 1993.

[8] PILLAY, P.; KRISHMAN R., “Modeling, simulation, and analysis of

permanentmagnet motor drives. part ii: The brushless dc motor drive.” IEEE
Transactions on Industry Applications, vol. 25, no. 2, March/April 1989.

[9] Evans, P. D.; BROWN, D. “Simulation of brushless dc drives,” IEE Proceedings Pt.
B, vol. 137, no. 5, September 1990.
40

[10] PILLAY, P.; KRISHMAN R., “Modeling, simulation, and analysis of

permanentmagnet motor drives. part i: The permanent-magnet synchronous motor
drive.” IEEE Transactions on Industry Applications, vol. 25, no. 2, March/April 1989.

[11] HOLTZ, J.; SPRINGOB, L. “Identification and compensation of torque ripple in high
precision permanent magnet motor drives,” IEEE Transaction on Industrial Electronics,
vol. 43, no. 2, 1996.

[12] POMILIO, J. A. Eletrônica de Potência. FEEC, Fevereiro 1998.

[13] MONTEIRO, J. R. B. de A. Estratégias de Acionamento e Controle em Máquinas

CA de Imã Permanente com Fluxo não Senoidal. 117p, Dissertação (Mestrado),
Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, São Carlos 1997.
 41

Anexo A

A.1 PCB e vista superior e inferior da placa do inversor

Com a utilização do software PROTEL®, desenvolveu todos os arquivos

necessários para a fabricação da placa de circuito impresso da ponte inversora.
Na Figura 36, observa-se o desenho do layout da ponte inversora.

Figura 36 - Esquemático da ponte inversora.

Já nas Figuras 37 e 38 têm-se as vistas superior e inferior da placa do inversor.

42

Figura 37 - Vista Superior da ponte inversora trifásica.

Figura 38 - Vista inferior da ponte inversora trifásica.

 43

A.2 Lista de Componentes

Para a fabricação da ponte inversora trifásica de média potência a Tabela 4

abaixo lista quais foram os componentes utilizados e a quantidade de cada
componente.
Tabela 4 - Lista de componentes.
ID Quantidade Código Fabricante Descrição
01 06 OAR5 - R010FI Resistor 1% 0Ω010 5W
02 01 LM7805CT CI - Regulador de Tensão +5V, TO220H
03 03 IR2113 Circuito Integrado - Drive Mosfet
04 06 IRG4PC50FD Transistor IGBT
05 01 TL712 CI - Comparador de Tensão, SOP-8
06 03 HER107 Diodo de Recuperação Rápida, 800V 1A
07 01 74HCT541D Circuito Integrado Lógico
08 01 BC847 Transistor NPN SOT-23
09 07 2222 683 70471 Capacitor poliéster 470pF/100V
10 01 08055C102KAT2A Capacitor Cerâmico Multicamadas 1nF/50V
11 12 08055C104KAT2A Capacitor Cerâmico Multicamadas 0,1uF/50V
12 01 2222 037 51109 Capacitor Eletrolítico 10uF/50V
13 03 TAP106M016CCS Capacitor Tântalo 10uF/16V
14 07 MC 0.1W 0805 1% 1K Resistor SMD 0805 1kΩ/0,1W
15 06 MC 0.1W 0805 1% 10R Resistor SMD 0805 10Ω/0,1W
16 01 MC 0.1W 0805 1% 1K2 Resistor SMD 0805 1k2Ω/0,1W
17 01 MC 0.1W 0805 1% 1K8 Resistor SMD 0805 1k8Ω/0,1W
18 01 MC 0.1W 0805 1% 27K Resistor SMD 0805 27kΩ/0,1W
19 06 FDLL4148 Diodo de Sinal SMD LL-34
20 01 AY – AEGIS Dissipador com ventilador
44

A.3 Funcionamento da ponte inversora

A alimentação da placa inversora (corrente contínua) se dá através dos

conectores JP1, JP2 e JP3 onde são conectados o sinal de potência (conectores JP1
e JP2) e o sinal de massa do circuito (JP3). A alimentação de potência é fornecida por
uma placa retificadora trifásica adequada.
Os conectores JP11, JP12 e JP13 são as saídas da ponte inversora
responsável pelo fornecimento da tensão trifásica ao motor brushless para o
acionamento do mesmo.
Os conectores JP4, JP5 e JP6 enviam os sinais dos sensores de corrente das
fases A e B através dos resistores R11, R21 (fase A) e R12, R22 (fase B) e o sinal da
corrente total que passa pelos resistores R14 e R23 à placa que contém o circuito de
lógica da ponte inversora.
Os conectores JP7, JP8 e JP9 são responsáveis por enviar os sinais de
referência do circuito de bootstrap (circuito responsável pela referencia de tensão
necessária ao gate do IGBT) através das saídas Vb e Vs do CI IR2113 para a placa
que contém o circuito de lógica de acionamento do inversor.
Já o conector JP10 é responsável por enviar os sinais de lógica ao CI IR2113
que acionará devidamente cada um dos IGBT´s e também os sinais de tensão VDD e
GND_IRAM.
O CI TL712 ou o LM393 é responsável por desligar a ponte inversora seja ela
por algum curto circuito ou por alguma irregularidade no funcionamento do inversor
aplicando um pulso de shutdown na porta 11 de cada CI IR2113.
O CI IR2113 é um driver responsável pelo acionamento dos IGBT´s. Possui
canais de saídas independentes para o acionamento da parte de alta e baixa potência
de um dos braços do inversor.
O CI 74HCT541 é um buffer responsável pela conversão do nível lógico de
tensão, pois o microcontrolador responsável pela lógica de acionamento dos IGBT´s
solta níveis de tensão entre 0 e 3,3V e o driver IR2113 necessita de níveis de tensão
entre 0 e 5V.
O CI LM7805 é um regulador de tensão com saída de 5V responsável pelo
fornecimento de tensão aos CI´s TL712, 74HCT541 e aos drivers IR2113.
 45

Apêndice A Datasheet IGBT IRG4PC50FD

46
47
48
49
50
51
52
53
54
 55

Apêndice B Datasheet Dissipador AY-AEGIS®