Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia do

Maranhão-IFMA
Curso: Técnico em Eletrônica
Turma: EL512
Disciplina: Eletrônica de Potência I
Aluno: Samuel de Sousa Ferreira / Matrícula: 201912020036

Atividade 1 - Pesquisa sobre semicondutores de potência

1- Tiristores: O nome Tiristor engloba uma família de dispositivos semicondutores

multicamadas, que operam em regime de chaveamento, tendo em comum uma
estrutura de no mínimo quatro camadas semicondutoras numa sequência P-N-
P-N, apresentando um comportamento funcional.

2- SCR: O retificador controlado de silício é um tipo de tiristor formado por quatro

capas de material semicondutor com estrutura PNPN ou NPNP. Como o próprio
nome indica, o SCR é um retificador controlado, ou seja, um elemento ou um
circuito que realiza a conversão da corrente alternada em corrente contínua e
que controla o quanto "chega" de tensão, de corrente e de potência na carga.

3- DIAC: O DIAC, sigla do inglês Diode for Alternating Current, ele é um diodo que
conduz a corrente apenas quando uma determinada tensão de disparo
é alcançada, e para de conduzir quando a corrente elétrica cai abaixo de um
valor determinado, esse valor é chamado de corrente de corte.

4- TRIAC: O TRIAC faz parte da família dos tiristores, e está intimamente

relacionada com os retificadores controlados de silício (SCR), seu nome vem do
inglês Triode for Alternating Current. O TRIAC é formado por dois SCR ligados
em antiparalelo, c ou seja, um ao contrário do outro, mas em paralelo e com os
gates (gatilhos) ligados juntos. Com esse tipo de configuração o TRIAC se torna
uma chave eletrônica bidirecional, que pode trabalhar com a corrente elétrica em
ambos os sentidos guando o gatilho é acionado.

5- Diodos de Potência: Os diodos de potência são dispositivos semicondutores

capazes de conduzir corrente elétrica em apenas um sentido, sua característica
funcional é simplesmente permitir a passagem de corrente elétrica ou não,
podemos dizer que eles trabalham como uma chave aberta ou como uma chave
fechada. Os diodos de potência são basicamente compostos por duas camadas,
uma de um cristal tipo P (carregado positivamente) e uma camada de cristal N
(carregado negativamente), a junção criada entre eles permite a passagem de
corrente elétrica em um único sentido, a diferença dos diodos de potência dos
diodos comuns é uma terceira camada denominada N extra, esta camada
possibilita que os diodos de potência possam suportar tensões elétricas mais
elevadas.

6- Transistores de potência: Os transistores de potência são componentes

eletrônicos utilizados em circuitos de potência. Os transistores são os
responsáveis por utilizar uma corrente elétrica para controlar o nível de carga
em outros terminais que estão integrados a ele, geralmente são outros dois
terminais. A velocidade de chaveamento dos transistores para potência é muito
elevada quando comparadas com os tiristores, sendo por isso utilizado em
conversores CC/CC e CC/CA.
7- MOSFET: O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor
Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo de semicondutor de
óxido metálico), é o tipo mais comum de transistores de efeito de campo em
circuitos digitais ou analógicos. Um MOSFET é composto de um canal de
material semicondutor (que geralmente é o silício, mas alguns fabricantes
começaram a usar uma mistura de silício e germânio). O terminal de comporta
é uma camada de polisilício (sílicio policristalino) colocada sobre o canal, mas
separada deste por uma fina camada de dióxido de silício isolante.

8- IGBT: O transistor bipolar de porta isolada (IGBT) é um dispositivo

semicondutor com três terminais e é usado principalmente como uma chave
eletrônica. É caracterizado por uma comutação rápida e alta eficiência, o que o
torna um componente necessário em aparelhos modernos como reatores de
lâmpadas, carros elétricos e drives de frequência variável (VFDs). Sua
capacidade de ligar e desligar rapidamente o torna aplicável em amplificadores
para processar padrões de onda complexos com modulação por largura de
pulso. O IGBT combina as características dos MOSFETs e BJTs para atingir a
capacidade de alta corrente e baixa tensão de saturação, respectivamente. Ele
integra uma porta isolada usando FET (transistor de efeito de campo) para
obter uma entrada de controle.