Aula 5

CÂMPUS ERECHIM
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIAS E CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO

CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
MICROPROCESSADORES E MICROCONTROLADORES (30-134)
MEMÓRIAS
Prof. Cássio Luciano Baratieri, Dr. Eng.
Erechim, 2018
Microprocessadores e Microcontroladores (30-134)
ESCOPO DA AULA
• Memórias
 Aspectos Gerais
 Princípios de Operação da Memória
 Tipos de Memórias
 Arquitetura da ROM
 ROM – Programada por Máscara, PROM, EPROM, EEPROM, Flash.
 Arquitetura da RAM
 RAM – SRAM e DRAM
Curso de Engenharia Elétrica Prof. Dr. Cássio Luciano Baratieri 2

OBJETIVOS DA AULA
• Definir o que é memória.
• Compreender a sua operação básica com relação aos barramentos

de dados, de controle e de endereços.
• Descrever os principais tipos de memórias RAM e ROM.
• Compreender o mapeamento de memória em microcontroladores.
• Entender o funcionamento da memória Flash e da memória

EEPROM usadas em microcontroladores.
• Identificar as particularidades da estrutura interna das memórias.

MEMÓRIAS
Aspectos Gerais
Memórias são dispositivos eletrônicos dedicados na retenção

de informação, ou seja, são locais destinados ao armazenamento de
instruções e de dados voláteis ou não voláteis.
De modo geral, as memórias podem ser classificadas em
duas categorias básicas:
 ROM – Memória de Leitura Exclusiva (Read-Only Memory)
 RAM – Memória de Acesso Aleatório (Random Access Memory)
 Memórias (memória principal) X Armazenamento (memória auxiliar)

MEMÓRIAS
Aspectos Gerais
Estrutura Funcional
Fonte: Tocci (2015).

MEMÓRIAS
Aspectos Gerais
Exercício de Aula
Uma memória tem uma capacidade de 8K x 16. Quantos bits

tem cada palavra? Quantas palavras estão sendo armazenadas?
Quantas células de memória contém?
Qual deve ser a largura do barramento para endereçar a

memória em questão?

MEMÓRIAS
Princípios de Operação da Memória
Existem alguns princípios básicos que norteiam a operação de

sistemas de memória com relação dos sinais de entrada e saída, cujo objetivo
são:
 Aplicar o endereço da posição de memória a ser acessada.
 Habilitar o dispositivo de memória para permitir o uso das entradas de
controle.
 Leitura: Habilitar as saídas tristate para permitir a saída de dados.
 Escrita: Aplicar os dados a serem armazenados nos pinos de entrada de
dados.
 Habilitar a operação de escrita, alocando os dados na posição de
endereço informada.
 Desativar os controles de leitura e escrita e desabilitar o dispositivo.

MEMÓRIAS

MEMÓRIAS
Conexão da Memória aos Barramentos e CPU

MEMÓRIAS
Operação de Escrita
1. A CPU fornece o endereço binário da posição de memória em que o dado será

armazenado, inserindo-o no barramento de endereço.
2. Um decodificador de endereços ativa a entrada de habilitação do dispositivo de
memória.
3. A CPU coloca os dados a serem armazenados no barramento de dados.
4. A CPU ativa as linhas de sinal de controle para o modo de escrita.
5. Os dispositivos de memória decodificam internamente o endereço binário para
determinar a posição para a operação de armazenamento.
6. Os dados do barramento são transferidos à posição de memória selecionada.
Fonte: Baseado em Tocci (2015).

MEMÓRIAS
Operação de Leitura
1. A CPU fornece o endereço binário da posição de memória em que o dado será lido,
inserindo-o no barramento de endereço.
2. Um decodificador de endereços ativa a entrada de habilitação do dispositivo de
memória.
3. A CPU ativa as linhas de sinal de controle para o modo de leitura.
4. Os dispositivos de memória decodificam internamente o endereço binário para
determinar a posição para a operação de leitura.
5. O dispositivo de memória transfere o dado da posição de memória selecionada ao
barramento de dados.
Fonte: Baseado em Tocci (2015).

MEMÓRIAS
Tipos de Memórias
Voláteis Não
voláteis
Flash
Conexões fusíveis
Flip-flops Capacitores “Fusible Link”

MEMÓRIAS
Arquitetura da ROM
Matriz de Registradores
Decodificador de linhas
Decodificador de coluna
Buffers de saída

MEMÓRIAS
Arquitetura da ROM
Temporização da ROM
Tempo de Acesso: Medida da velocidade de operação da ROM.
CS – Chip Select
OE – Output Enable

MEMÓRIAS
ROM
Programação na Fabricação.
ROM Programada
por Máscara

MEMÓRIAS
ROM
Processo de Programação
ROM Programável

MEMÓRIAS
ROM
 A EPROM pode ser programada e reprogramada pelo usuário.

 As células de armazenamento na EPROM são constituídas de
transistores MOS com uma porta flutuante (sem conexão elétrica),
mas próximo de um eletrodo. Quando aplicado uma alta tensão,
cargas são “aprisionadas” na porta flutuante, alterando o nível
lógico armazenado do elemento. Para apagar a célula, é
necessário expor o silício à luz ultravioleta de alta intensidade por
algum tempo.
Erasable Programmable
ROM (EPROM)

MEMÓRIAS
ROM
 A EEPROM é um aperfeiçoamento da EPROM, ou seja, a memória

mantém a mesma estrutura de porta flutuante, mas com o acréscimo de
uma região muito fina de óxido acima do dreno do MOSFET. Desta forma,
torna-se possível apagar e programar eletricamente por intermédio de uma
alta tensão.
 O processo interno de armazenamento é lento devido à programação
(usualmente, centenas de nanosegundos).
 Custo elevado e baixa densidade quando comparado com a memória
EPROM.
Electrically Erasable
Programmable
ROM (EEPROM)

MEMÓRIAS
ROM
 A memória flash é semelhante construtivamente a uma EPROM, o que

difere é a fina camada de oxido na porta, permitindo a regravação de
maneira elétrica.
 Apresenta uma densidade maior que a EEPROM e seu custo é menor.
FLASH Memory Comparação

MEMÓRIAS
ROM
EXEMPLO DE APLICAÇÕES
 Memória de Programa de Microcontrolador
 Transferência de Dados e Portabilidade
 Memória Bootstrap (Instruções de Inicialização)
 Tabela de Dados
 Conversor de Dados

MEMÓRIAS
Arquitetura da RAM
A entrada de endereço
habilita o uso de
apenas uma
saída do
decodificador.

MEMÓRIAS
Arquitetura da RAM
As memórias RAMs podem ser classificadas em duas categorias:
RAM Estática (Static RAM – SRAM)

As células das memórias são basicamente flip-flops, que retém o
estado de saída durante o período que se mantém a alimentação do circuito.
“Resistores” “Resistores”
Tecnologias: Bipolar; MOS e CMOS
RAM Dinâmica (Dynamic RAM – DRAM)

Os dados são armazenados em capacitores que necessitam de
recarga periódica para evitar a perda de informação (refresh).

MEMÓRIAS
Arquitetura da RAM
Característica de Rajada
Característica de endereço em rajada (do inglês, burst) permite ler

ou escrever na memória até quatro posições usando um único endereço.

MEMÓRIAS
Operação SRAM
Fonte: Motorola (1995).

MEMÓRIAS
Operação SRAM

MEMÓRIAS
Operação SRAM
Exemplo SRAM comercial MCM6264C
• Ciclo de leitura e escrita de 12 ns.

• Consumo (standby) 100mW

MEMÓRIAS
Operação SRAM
Exemplo
SRAM comercial
MCM6264C

MEMÓRIAS
Operação da DRAM
Memórias DRAM são caracterizadas por alta densidade de armazenamento.
Por exemplo: Memórias de 4M x 1 necessitam de 22 entradas de endereço.
Multiplexação de Endereços
O endereço é aplicado em duas partes, endereço de linha e
endereço de coluna).
Row Address Strobe (RAS)
Column Address Strobe (CAS)

MEMÓRIAS
Operação da DRAM
Representação Simbólica
Fonte: Floyd (2011).

MEMÓRIAS
Operação da DRAM
Comparação entre Barramentos de Memórias

MEMÓRIAS
Operação da DRAM
Operação de Leitura e Escrita

Escrita
Leitura

MEMÓRIAS
Ciclo de Refresh
As DRAMs baseiam-se no armazenamento de carga em capacitor para cada

bit no conjunto da memória. Todavia, o capacitor descarrega com o tempo e a
temperatura, assim cada bit tem que ser periodicamente carregado para manter a
informação. Usualmente, os capacitores devem ser recarregados entre 8 ms a 16 ms,
embora o refresh para alguns dispositivos possa exceder 100 ms.
Quando a operação de leitura é realizada em uma célula de memória,

todas as células daquela linha serão reavivadas.
Modos Básicos
Refresh em Rajada: todas as linhas são reavivadas consecutivamente a cada

período de refresh. Suspensão da leitura e escrita.
Refresh Distribuído: cada linha é reavivada em intervalos intercalados entre

um ciclo de leitura e escrita.

MEMÓRIAS
Tecnologias de Armazenamento Clássicas
Armazenamento Magnético (fita magnética, disquetes, discos rígidos);
Memória Ótica (CDs, DVDs, Blu-ray Discs)

REFERÊNCIAS
BAER, J. L. Arquitetura de Microprocessadores - Do Simples Pipeline ao

Multiprocessador em Chip. LTC, 2013.
PEREIRA, F. Microcontroladores PIC: Programação em C. 4. ed., São

Paulo: Editora Érica, 2014.
FLYNN, M. J., LUK, W. Projeto de Sistemas de Computador - System-on-

Chip. LTC, 2014.
TOCCI, R. J., WIDMER N. S., MOSS G. L. Sistemas Digitais – Princípios e

Aplicações. Pearson, 2015.

PRÓXIMA AULA
• Aula Prática IV – Memórias
• Exercício de Pesquisa
Tecnologias de Memória DRAM: DRAM FPM; DRAM EDO; DRAM BEDO; SDRAM; DDRSDRAM;
DRDRAM;
Funções Especiais: CACHE, FIFO

CONTATO
cassiobaratieri@uricer.edu.br
Atendimento no Gabinete do Professor – Prédio 2
• De Segunda a Sexta-feira: 13:15 – 17:15.
SISTEMA ONLINE DE SUPORTE AO ALUNO

DÚVIDAS, SUGESTÕES, CRÍTICAS
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 Princípios de Operação da Memória

 ROM – Programada por Máscara, PROM, EPROM, EEPROM, Flash.

 RAM – SRAM e DRAM

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• Definir o que é memória.

• Compreender a sua operação básica com relação aos barramentos

• Descrever os principais tipos de memórias RAM e ROM.

• Compreender o mapeamento de memória em microcontroladores.

• Entender o funcionamento da memória Flash e da memória

• Identificar as particularidades da estrutura interna das memórias.

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Memórias são dispositivos eletrônicos dedicados na retenção

 ROM – Memória de Leitura Exclusiva (Read-Only Memory)

 RAM – Memória de Acesso Aleatório (Random Access Memory)

 Memórias (memória principal) X Armazenamento (memória auxiliar)

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Uma memória tem uma capacidade de 8K x 16. Quantos bits

Qual deve ser a largura do barramento para endereçar a

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Existem alguns princípios básicos que norteiam a operação de

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Conexão da Memória aos Barramentos e CPU

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Conexão da Memória aos Barramentos e CPU

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Fonte: Tocci (2015).

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Tempo de Acesso: Medida da velocidade de operação da ROM.

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 A EPROM pode ser programada e reprogramada pelo usuário.

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 A EEPROM é um aperfeiçoamento da EPROM, ou seja, a memória

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 A memória flash é semelhante construtivamente a uma EPROM, o que

FLASH Memory Comparação

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 Memória de Programa de Microcontrolador

 Transferência de Dados e Portabilidade

 Memória Bootstrap (Instruções de Inicialização)

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As memórias RAMs podem ser classificadas em duas categorias:

RAM Estática (Static RAM – SRAM)