UNIVERSIDADE TECNOLÓGICA FEDERAL DO PARANÁ

Curso de Eletrônica A

Prática 2 - Aula Semicondutores

Alunos - RA:
Bruno Keller Margaritelli - 2150883
Maikon Wildiney Borges Ribeiro - 1519417

Apucarana
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Outubro 2021
Bruno Keller Margaritelli - 2150883
Maikon Wildiney Borges Ribeiro - 1519417

Prática 2 - Aula Semicondutores

Relatório elaborado na disciplina de

Eletrônica A (EECO6A), do Campus
Apucarana da Universidade Tecnológica
Federal do Paraná

Professor Supervisor:
Prof. Thales Eugenio Portes de
Almeida

Apucarana
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2021
SUMÁRIO

1. PRÁTICA 2 - AULA SEMICONDUTOR..................................................... 3

1.1. INTRODUÇÃO TEÓRICA............................................................... 3
1.2. TEORIA DAS BANDAS.................................................................. 3
1.3. PROPOSTA.................................................................................... 5
1.4. OBJETIVO...................................................................................... 5
1.5. RESULTADOS................................................................................ 6
1.6. DISCUSSÃO................................................................................... 8
1.7. CONCLUSÃO.................................................................................. 8
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1. PRÁTICA 2 - AULA SEMICONDUTOR

1.1. INTRODUÇÃO TEÓRICA

Os semicondutores são materiais que possuem baixa condutividade elétrica.
Esses elementos estão entre os condutores e isolantes, e são capazes de mudar
sua condição de condução elétrica com facilidade.
Os semicondutores não conseguem conduzir corrente elétrica em condições
químicas normais. Os átomos dos semicondutores são tetravalentes, ou seja,
possuem apenas quatro camadas de valência, o que torna elementos não estáveis.
Para que os materiais semicondutores possam conduzir corrente elétrica é
necessário que seus átomos se agrupam para ganhar estabilidade. Isso ocorre
quando há ligações químicas covalentes nas quais os átomos passam a ter oito
elétrons e se tornam condutores de eletricidade.
.

1.2. TEORIA DAS BANDAS

Designa-se por banda de energia o conjunto dos níveis de energia que os
elétrons num sólido podem possuir.
Num átomo isolado os elétrons existem em níveis de energia descontínuos.
Num cristal, em que um grande número de átomos se encontra ligados muito
próximos uns dos outros, formando uma rede, os elétrons são influenciados por um
determinado número de núcleos adjacentes e os níveis de energia dos átomos
transformam-se em bandas de energia permitidas. Esta aproximação aos níveis de
energia nos sólidos é muitas vezes conhecida por teoria das bandas ou modelo das
bandas.
Segundo esta teoria, cada banda representa um grande número de estados
quânticos permitidos, e entre as bandas existem algumas denominadas bandas de
condução, banda proibida (gap) e banda de valência.
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Como podemos verificar na imagem acima, nos condutores (metal) a banda

de valência e a banda de condução estão sobrepostas. No isolante podemos ver a
banda proibida, as bandas proibidas representam níveis de energia que nenhum
elétron pode ocupar, também chamada de banda de gap ou apenas gap. Para que
tenha uma corrente elétrica, temos que ter a movimentação dos elétrons livres, nos
condutores isso acontece facilmente, devido a superposição das bandas, então é
necessária uma quantidade baixa de energia para fazer com que os elétrons saiam
da banda de valência para a banda de condução, já nos isolantes o gap é muito
grande, fazendo com que seja necessária uma energia muito grande para romper
essa barreira (gap), provocando a quebra da rigidez dielétrica. Nos isolantes, a
energia dos elétrons deve ser muito grande para que possa haver uma corrente
elétrica.
Segundo Kittel, “a questão importante para a condutividade elétrica é como os
elétrons respondem a um campo elétrico aplicado.” Nesse caso, é importante frisar o
conceito de banda proibida, no sentido de que ela representa o potencial energético
a ser superado pelos elétrons quando estes são submetidos a um determinado
campo elétrico.
Os materiais semicondutores apresentam uma estrutura de banda de energia
semelhante à dos isolantes diferindo na intensidade ou largura da banda proibida,
pois, nos semicondutores a energia de gap é bem menor.
Por exemplo, o silício (Eg = 1,1 eV) é um semicondutor, enquanto o diamante
(Eg = 5,5 eV) é um isolante, sendo Eg= Energia de gap, eV= elétron volts.
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1.3. Proposta
A prática proposta explora as funcionalidades do programa “Ltspice” para
simular a interação dos circuitos com o uso dos semicondutores, no caso o diodo,
visto nesta aula, fazendo a simulação abordando o comportamento de diodos nas
condições de tensão direta menor que a de barreira, maior que a de barreira e
reversa.

1.4. OBJETIVO
Este experimento tem por objetivo observar e analisar os diferentes
resultados que um circuito com um diodo exibe quando simulado nas polaridades
direta e reversa com a tensão menor que a de barreira e maior que a de barreira.

1.5. RESULTADOS (COM IMAGENS)

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Observe o perfil da curva da região de polarização direta, que após o

potencial ser maior do que o potencial da barreira PN, o diodo começa a conduzir.
Também destaquei no gráfico uma corrente de aproximadamente 1A, cujo potencial
é aproximadamente 835mV, que valida com o dado no datasheet (valores
aproximados).
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1.6. DISCUSSÃO
Fixando o valor da fonte de entrada (V1= 1V), podemos modificar a tensão
de saída do amplificador conforme alteramos os valores dos resistores R2 e/ou R3,
assim podendo amplificar a intensidade do sinal.

1.7. CONCLUSÃO
Conforme discutido em aula, e como podemos verificar nas imagens anteriores, o sinal
de entrada da fonte V1 é amplificado por um fator de −R2/R3.