Apostila en Ana I Total

ELETRÔNICA ANALÓGICA 1
ESTUDO DOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

Os materiais básicos utilizados na construção de dispositivos eletrônicos são os semicondutores, não é
um bom condutor, nem um bom isolante. Portanto, um semicondutor é um material que possui um nível de
condutividade em algum ponto entre os extremos de um isolante (condutividade muito baixa), e um condutor, tal
como o cobre, que possui um nível de condutividade alto. Compare no quadro abaixo em que os vários materiais
são classificados quanto à condutividade.
A resistência elétrica de um material em uma certa temperatura e determinada pela segunda lei de ohm:
R- resistência elétrica, medida em ohms []

l
R  l - comprimento do material em metros [cm]
2
S S - área do material em metros ao quadrado [cm ]
 - resistividade do material [ . cm ] / [cm] ou [ . cm]
2
material Resistência específica (.cm)

-6
Cobre 10
-4
Ferro 10
7
Silício entre 1 e 10
8
Germânio entre 1 e 10
16
Âmbar maior que 10
O silício e o germânio, pertencentes ao grupo IV da tabela periódica são muito utilizados na construção de
dispositivos eletrônicos. Dentre as razões para esta escolha podemos citar o fato de poderem ser obtidos com
níveis de pureza muito alto, em torno de uma parte para 10 bilhões (1:10.000.000.000), a possibilidade de
mudarem significativamente suas características elétricas pelos processos de dopagem, que seria adicionar
impurezas convenientemente escolhidas na estrutura dos semicondutores para modelar a sua condutividade e
outro fato é suas características também podem ser alteradas pela aplicação de luz bem como aplicação de calor,
o que é uma consideração importante para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos sensíveis à luz e ao
calor.
Quanto ao motivo de se obter materiais semicondutores com grau de pureza tão elevado para a
construção de dispositivos eletrônicos é que diminutas partículas podem mudar sensivelmente suas
características elétricas. Por exemplo, uma dopagem com impurezas (do tipo adequado) na proporção de uma
parte para 10 milhões, em uma pastilha de silício puro, pode mudar o material de um condutor relativamente pobre
para um bom condutor de eletricidade.
O silício e o mais utilizado, devido as suas características serem melhores em comparação ao germânio.
0
A temperatura máxima de um dispositivo de silício esta em torno de 200 C , enquanto o germânio esta por volta
0
de 100 C , portanto os dispositivos de silício são mais estáveis às variações de temperatura. O Si também é mais
abundantes na face da terra.
Em comparação com os metais e os isolantes, as propriedades elétricas dos semicondutores são afetadas
por variação de temperatura, exposição a luz e acréscimos de
impurezas(dopagem).
Algumas qualidades raras do Ge e Si são devidas a sua estrutura
atômicas, pois os átomos de ambos formam um modelo muito definido que
se repete por natureza. Um modelo completo é chamado de cristal, e o
arranjo repetitivo dos átomos estrutura. Quaisquer materiais compostos
apenas de estruturas cristalinas repetitivas são chamados de monocristal.
Os materiais semicondutores de aplicações práticas no campo da eletrônica
possuem características de monocristal, e, além disso, a periodicidade de
sua estrutura não muda significativamente com a adição de impurezas Estrutura de monocristal de Ge e Si.
(dopagem).
ELABORADO PELO PROF. ILTON
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MODELOS ATÔMICOS DE BOHR
O átomo é constituído por partículas elementares, as mais importantes para o nosso estudo são os
elétrons, os prótons e os nêutrons.
Na estrutura atômica de BOHR, os nêutrons e os prótons constituem a parte central do átomo chamada de
núcleo e os elétrons giram em torno desse núcleo, em vários níveis energéticos.
Nas figuras abaixo estão representados os modelos atômicos de BOHR, para os átomos de silício e
germânio. A última camada eletrônica (nível energético) é chamada camada de valência. O silício e o germânio
são átomos tetravalentes, pois possuem quatro elétrons na camada de valência.
O potencial necessário para tornar livre qualquer um dos elétrons de valência é menor que o necessário
para remover qualquer outro da estrutura. Em um cristal de silício ou germânio puro (intrínsecos), estes quatros
elétrons de valência participam da ligação atômica com quatros elétrons dos átomos vizinhos, formando ligações
covalentes. Embora a ligação covalente implique numa ligação mais forte entre os elétrons de valência, ainda
assim é possível que possam assumir o estado livre.
A figura abaixo mostra a estrutura planificada das ligações covalentes dos átomos de silício ou germânio.
Elétrons de Si Si Si
Valência
Si Si Si
Si Si Si
Os elétrons de valência podem absorver energia externa suficiente para se tornarem elétrons livres.
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Na temperatura ambiente existe aproximadamente 1,5x10 portadores livres disponíveis para a condução
de eletricidade em 1 centímetro cúbico de silício intrínseco, sendo que a mesma temperatura o germânio terá
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aproximadamente 1000 vezes mais portadores livres, em torno de 2,5x10 portadores livres.
Uma mudança na temperatura de um material semicondutor pode alterar consideravelmente o número de
0
portadores disponíveis. A 0 K tanto o Ge quanto o Si são considerados isolantes, mas com a elevação da
temperatura, os elétrons de valência absorvem energia térmica suficiente para quebra das ligações covalentes,
contribuindo para o aumento da condutividade do material.
A figura abaixo mostra a quebra de ligações covalentes.
Energia Si Si Si Elétron
Térmica Livre
Si Si Si
lacuna Si Si Si
Materiais que apresentam uma diminuição na sua resistividade com o aumento da temperatura, tais como
o Ge e o Si são classificados com coeficiente de temperatura negativo ou do tipo NTC.
Já materiais que aumentam sua resistência com o aumento da temperatura, como é o caso da maioria dos
condutores (metais), que o aumento da temperatura não aumenta significativamente o número de portadores,
porém aumentam a vibração dos mesmos, além de uma determinada região, tornando cada vez mais difícil a
passagem dos elétrons livres, são classificados como materiais com coeficiente de temperatura positivo ou do tipo
PTC.
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NÌVEIS DE ENERGIA
Na estrutura atômica isolada há níveis de energia discretos, associados a cada elétron em sua respectiva
órbita. Entre esses níveis discretos nenhum elétron pode existir na estrutura atômica isolada. As figuras mostram
níveis de energia, para um átomo isolado.
Os elétrons que ocupam a camada de valência têm um nível energético mais elevado do que qualquer
outro elétron do átomo, contudo podem possuir um nível mais elevado ainda quando torna se livre.
Quando os átomos de silício ou germânio formam o cristal, cada átomo da estrutura sofrendo a influencia
de seus vizinhos fazem com que seus elétrons ocupem posições diferentes, dentro de uma mesma órbita, de um
átomo vizinho.
O resultado final é uma expansão dos níveis discretos de energia possíveis. A figura abaixo ilustra essa
situação.
MATERIAIS EXTRINSECOS
A adição de certos átomos estranhos aos átomos de silício ou germânio, chamados de átomos de
impurezas, pode alterar a estrutura de camadas (bandas) de energia de forma suficiente mudar as propriedades
elétricas dos materiais intrínsecos.
Um material semicondutor que tenha sido submetido a um processo de dopagem por impurezas e
chamado de material extrínseco. Há dois materiais extrínsecos de muita importância para a fabricação de
dispositivos semicondutores. Esses materiais são chamados de: tipo N e tipo P.
MATERIAL DOPADO TIPO N
Um método de dopagem consiste na utilização de elementos contendo cinco elétrons na camada de
valência (pentavalente), como o antimônio, arsênio e fósforo. O elemento pentavalente é adicionado ao silício ou
germânio, intrínseco. Quatro ligações covalentes serão estabelecidas. O quinto elétron, porém, fica desassociado
de qualquer ligação. Esse elétron pode tornar-se livre mais facilmente que qualquer outro, podendo nessas
condições vagar pelo cristal. O átomo de impureza ao perder o quinto elétron fica com o numero de prótons no
núcleo maior que o número de elétrons em órbita e se torna um Íon positivo ou cátion.
A figura mostra a estrutura planificada de um material do tipo N.
Energia Si Si Si Elétron
Térmica Livre
Si P Si
Lacuna Si Si Si

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Como o quinto elétron foi doado ao material pelo átomo pentavalente esse é chamado de átomo doador.
O nível de dopagem é da ordem de um átomo doador para 10 milhões de átomos do cristal de silício ou germânio,
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(1:10 ). O efeito deste processo de dopagem é mostrado no diagrama energético a seguir:
Obs: O material tipo N resultante, é eletricamente neutro.
MATERIAL DOPADO TIPO P

O material tipo P é formado pela
dopagem do semicondutor intrínseco por
átomos trivalentes como o boro, gálio e índio. Energia Si Si Si Lacuna
Há agora um número insuficiente de elétrons Térmica
para completar as ligações covalentes. A falta
dessa ligação é chamada de lacuna (buraco). Si In Si
Na figura, temos a estrutura planificada de Elétron
um material tipo P: Livre
Como uma lacuna pode ser Lacuna Si Si Si
preenchida por um elétron, as impurezas
trivalentes acrescentadas ao silício ou
germânio intrínseco são chamadas de átomos aceitadores ou receptores. O átomo de impureza ao ganhar o
quarto elétron fica com o numero de elétrons em órbita maior que o número prótons no núcleo e se torna um Íon
negativo ou anion.
Obs: O material tipo P resultante é eletricamente neutro.
Condução devido às lacunas

O elétron livre, devido à quebra da ligação covalente pode vir a ocupar uma lacuna. Quando isso ocorrer,
deixa no lugar que ocupava uma nova lacuna. A figura abaixo mostra essa situação:
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Fluxo de elétron
Fluxo de lacunas
No estado intrínseco, o número de elétrons livres no silício ou germânio é devido à quebra de ligações
covalentes por fontes térmicas ou luminosas, gerando um número pequeno de lacunas.
No material tipo N o número de lacunas, não muda significativamente com relação ao material intrínseco,
sendo, portanto o elétron o portador majoritário deste material e a lacuna, o portador minoritário.
Íon Positivo estacionário

Lacuna minoritária
Elétrons livres majoritários
Material tipo N

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Já no material tipo P, os elétrons são portadores minoritários e as lacunas, portadores majoritários.
Íon Negativo estacionário

Lacuna majoritária
Elétron livre minoritário
Material tipo P
O DIODO DE JUNÇÃO
O diodo semicondutor e um dispositivo básico e são usados numa grande variedade de circuitos que vão
dos mais simples aos mais complexos.
O diodo de junção semicondutor é formado unindo os materiais do tipo P e N construídos a partir da
mesma base de silício ou germânio.
P N
Os materiais do tipo P e do tipo N são eletricamente neutros. Quando são unidos formam um dispositivo
chamado diodo de junção.
P N
No instante em que os dois materiais são unidos, os elétrons e as lacunas próximos à junção, se
combinarão, resultando numa região sem portadores.
Quando um elétron ou lacuna cruza a junção, penetra num meio onde será minoritário. Ao processo do
elétron preencher uma lacuna, dá-se o nome de recombinação.
Recombinação
P N
A região próxima a junção fica sem portadores associados, sendo chamada de região de depleção, região
de carga espacial (RCE), barreira de potencial ou campo elétrico da junção.
Com a movimentação dos portadores majoritários de ambos os lados da junção, no processo de
recombinação a região de depleção cria uma barreira de potencial, favorecendo o processo de deriva que irá se
opor ao processo de difusão.
A deriva possibilita que um portador minoritário cruze a junção, porém há um instante em que as
tendências de deriva e difusões se equilibram, cessando a movimentação de cargas. A união dos dois tipos de
materiais permanece eletricamente neutra. A figura abaixo representa um diodo de junção já formado.
IS Fluxo de Portadores
minoritários
P N
Região de depleção

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CONSTRUÇÃO E CARACTERÍSTICAS
O Diodo de Junção Polarizado
1- Condição de Polarização Inversa:
Sendo aplicado um potencial externo, reverso com relação às regiões de material P e N, o número de
cargas descobertas sem portadores associados aumentará, devido ao grande número de elétrons livres atraídos
pelo pólo positivo da tensão aplicada e por razões análogas, de lacunas pelo pólo negativo, até que se atinja uma
nova situação de equilíbrio, aumentando ainda mais a região de depleção. Haverá um favorecimento para a
movimentação de minoritários, no entanto o seu número permanecerá o mesmo da condição sem polarização. A
figura abaixo mostra um diodo de junção polarizado inversamente.
IS Fluxo de Portadores minoritários
P N
IS
IS
Aumento da Região de Depleção
V
A corrente pelo diodo de junção na condição de polarização reversa é chamada de corrente de saturação
inversa ou corrente de fuga, representada neste texto por IS ou IR
2- Condição de Polarização Direta:
A condição de polarização direta é estabelecida aplicando-se um potencial positivo (direto) com relação
aos materiais P e N. O fluxo de minoritários ainda existe e se mantém o mesmo, porém é pequeno comparado ao
fluxo de recombinação, devido a quebra do equilíbrio inicial. A região de depleção diminui, favorecendo a
movimentação dos portadores majoritários, que aumentará exponencialmente com o aumento da polarização
direta. A figura a seguir, mostra o diodo de junção polarizado diretamente.
I Fluxo majoritário

P N
ID
ID
Diminuição da Região de Depleção
V ID = I -
IS
O fluxo de portadores majoritários aumentará exponencialmente com o aumento da polarização direta.
Portanto o fluxo total será:

I D = I - IS

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Através da física do estado sólido pode-se demonstrar que a corrente do diodo está relacionada com a
temperatura (T) e a polarização aplicada (V)
I  I (e 1)
K.V
TK
D S
onde: V - tensão aplicada ao diodo

K - constante de Boltzman
TK - temperatura em Kelvin 11600
 - constante empírica 1 para Ge e 2 para Si K
η
IS - corrente de saturação reversa
ID - corrente total no diodo
Exemplo:
Determinar a corrente de um diodo de silício para uma tensão de polarização direta de 0,5 volts na
temperatura ambiente. Adotar uma corrente de fuga de 1 A.
Curva Característica teórica dos diodos de Silício e Germânio:
Curva característica de um diodo real, a semelhança com a curva teórica também é muito grande. No
diodo real, deve ser vencida a barreira de potencial do diodo para que possa conduzir. O potencial a ser vencido
deve ser da ordem de 0,7Volts para diodos de silício e de 0,3Volts para diodos de germânio, esta tensão é
denominada de tensão limiar por ser a mínima tensão necessária para o diodo entrar em condução.
O DIODO IDEAL
Antes de estudarmos as características de um dispositivo real, primeiro consideraremos o diodo ideal, de
maneira a simplificar o entendimento do diodo semicondutor. O diodo ideal é um elemento de circuito, que tem as
seguintes características:
- é um curto circuito na região de polarização direta.
- é um circuito aberto na região de polarização inversa.
Símbolo Resistência direta: Vf = 0
If
Resistência inversa: Vr = 
Ir

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Característica volt – amperè Circuitos equivalentes
O sentido convencional da corrente, e indicado pela ponta da flecha no símbolo.
RETIFICADOR BÁSICO COM DIODO IDEAL
O processo de retificação consiste em se

converter uma grandeza alternada com valor
médio zero, em uma grandeza com valor médio
maior ou menor que zero.
O exemplo a seguir mostra o processo de
retificação, num circuito retificador básico.
A variação do potencial estabelecida pelo
gerador alternado tem o comportamento senoidal.
Para valores da tensão nos terminais do
gerador, de wt de 0 a  a tensão nos terminais do
diodo e tal que ele conduz, pois esta sob
polarização direta.
De  a 2, não conduz, pois está sob polarização inversa.

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FENÔMENOS DE RUPTURA
No diodo sem polarização, já existe uma região de depleção que cria uma barreira de potencial,
representada na figura abaixo:
P N
Região de depleção
Quando é aplicada a polarização reversa, aumenta a largura da região de depleção, aumentando também
a velocidade com que os portadores minoritários cruzam a junção. A figura abaixo mostra o diodo de junção com
polarização reversa.

P N
IS
IS
Aumento da Região de Depleção
V
A partir de certo valor de tensão aplicada ao diodo, haverá choques dos elétrons livres com elétrons das
ligações covalentes, com possível retirada desses elétrons. Ocorrerá um efeito multiplicativo, aumentando
consideravelmente o número de elétrons disponíveis para a condução de corrente. Esse efeito, chamado
avalanche, faz com que a corrente aumente rapidamente para qualquer novo acréscimo de tensão reversa
aplicada ao diodo.
Se ambos os lados da junção forem muito dopados, a região de depleção será estreita. Isso faz com que
os elétrons não tenham condições de ganhar energia cinética suficiente para retirada de outros elétrons das
ligações covalentes.
Porém o próprio campo elétrico pode retirar os elétrons, fazendo com que haja um aumento considerável
da corrente para qualquer novo acréscimo de tensão.
Esse mecanismo chama efeito ZENER. Existem diodos especiais que sustentam a condução no sentido
reverso sem se danificarem. Os diodos zener e de avalanche são exemplos desses dispositivos,

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CAPACITÂNCIA EM DIODOS
Os diodos entre outros dispositivos de junção

apresentam efeitos capacitivos. A região de depleção
que se forma num diodo polarizado reversamente,
não possui portadores móveis associados aos átomos
do material do tipo P e N. As regiões P e N, fora da
região de carga espacial (RCE), possuem portadores,
comportando-se como placas de um capacitor
carregado, cujo dielétrico é a própria região de
depleção. A figura a seguir, mostra um diodo
reversamente polarizado e um capacitor, para
comparação. A esse efeito capacitivo, chamamos
capacitância de transição ou de barreira.
Em polarização direta o diodo conduz bem,
pois existe um processo contínuo de recombinação
entre elétrons e lacunas. Mesmo diretamente polarizado, nas regiões P e N existem portadores minoritários que
não recombinam. Subitamente quando é invertida a polarização, a corrente não diminui ao valor da corrente de
saturação reversa, instantaneamente passando o diodo a conduzir por um determinado tempo no sentido reverso.
O tempo necessário para que se estabeleça a corrente reversa em níveis normais ao tipo de diodo utilizado é
conhecida como tempo de recuperação reversa (trr). A esse efeito capacitivo chamamos de capacitância de
difusão ou de acumulação. A figura a seguir, mostra um circuito equivalente, com um capacitor em paralelo ao
diodo.
O gráfico a seguir, mostra a variação da capacitância de um diodo em função da polarização.
As formas de onda a seguir mostram o efeito da capacitância de difusão como é medido o tempo de recuperação
reversa.
A representação do efeito capacitivo em diodos pode ser feita utilizando o símbolo de um capacitor em
paralelo com o símbolo do diodo.
DIODOS ESPECIAIS
Diodo PIN
A região i tem alta resistência que pode tornar-se com elevada
condutividade sob polarização direta. Em polarização reversa praticamente não
conduz, oferecendo uma alta tensão de ruptura, da ordem de centenas de volts
atuando como um capacitor. Em polarização direta comporta-se como uma
resistência variável de baixo valor. Como resistor controlado pela corrente, atua
como limitador em circuitos ou como atenuador em microondas.

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Dispositivo GUNN
Consiste de um cristal homogêneo de arsenieto de gálio sem a junção
PN, não sendo polarizado como os demais diodos devido à ausência da
junção.
Basicamente é formado por uma região N, sobre uma base cristalina.
O efeito GUNN foi apresentado em 1964 e refere-se a circulação de zonas de
campo elétrico de valor elevado, chamados de domínios, que se movimentam
através do cristal, quando o dispositivo é convenientemente polarizado.
Os domínios são agrupamentos de elétrons entre ânodo e cátodo,
resultando num ciclo de pulsos de corrente de transição, determinado pela
Iargura da camada N. O valor da tensão aplicada, também tem influência no
ciclo de domínios. O dispositivo é utilizado na geração de oscilações em torno
de 40GHz.
IMPATT (Impact Avalanche and Transit Time)
Trabalhando em freqüências da ordem de 300GHz, tem um desempenho superior
aos dispositivos GUNN, porém com tensões elevadas, da ordem de uma centena
de volts. A tensão aplicada de modo reverso faz com que o diodo trabalhe na
ruptura, resultando numa corrente de avalanche. São dispositivas de quatro
camadas, sendo uma P e outra N, fortemente dopadas, uma N intermediária e uma
camada intrínseca. A região de depleção é formada com a região N e a camada
intrínseca. Devido a alta tensão reversa, a dissipação de potência é muito elevada.
TRAPPAT (Trapped Plasma Avalanche Triggered Transit)

São diodos IMPATT, que requerem altíssimos campos elétricos aplicados quando usados com correntes
externas convenientes, a ionização se estende por toda a região de depleção, então será desenvolvido um plasma
e portadores.
DIODO TUNNEL (ou ESAKI)
Teve seu efeito explicado em 1958. Consiste em uma
junção PN estreita altamente dopada, apresentando uma RCE
muito estreita. Devido a largura RCE e a alta concentração de
portadores de ambos os lados da junção, uma pequena
tensão direta aplicada, faz com que o dispositivo inicie a
processo de condução, através do tunelamento. A corrente
aumenta rapidamente com o aumento da tensão até alcançar
lp (corrente de pico). A partir desse ponto o dispositivo
apresenta uma resistência negativa, ou seja, com o aumento
da tensão a corrente, diminui até Iv (corrente de vale). A partir
desse ponto, a corrente volta a crescer com o aumento da tensão aplicada. A figura a seguir, mostra a curva
característica de um diodo tunnel e seu símbolo. Os valores de Ip e Iv variam conforme a construção e a largura
da barreira.
DIODO SCHOTTKY
Também é chamado de diodo HCT (Hot carrier Diode.). Teve seu efeito explicado por SCHOTTKY em
1939, porém foi descoberto por BRAUN em 1874. Baseia-se na união de um metal e um semicondutor. Devido as
pequenas, dimensões em que pode ser construído, é muito utilizado na fabricação de circuitos integrados. São
usados na fabricação do diodo SCHOTTKY, o silício ou arsenieto de gálio com forte dopagem como cátodos e
ouro, prata ou alumínio como ânodos.
O funcionamento do dispositivo baseia-se no fato de que os níveis de energia são diferentes entre o
semicondutor e o metal.
Quando em polarização direta, essa diferença provoca o aparecimento de uma corrente no sentido do
semicondutor para o metal. Em polarização reversa o aumento da barreira de potencial impede a condução de
corrente. Devido aos elétrons, únicos portadores de carga, é chamado de HCD. Devido a ausência de portadores
minoritários, a resposta do SCHOTTKY é muito rápida
podendo trabalhar em freqüências da ordem de 70GHz. A
tensão de início de condução depende dos materiais
escolhidos na fabricação do diodo, podendo variar de 0,25 a
0,75volts. A figura a seguir, mostra a estrutura e o símbolo
do diodo SCHOTTKY.
Dentre as aplicações podemos citar fontes de baixa
tensão /alta corrente e conversores AC-DC. Outras
aplicações do dispositivo incluem sistema de radar, lógica
TTL Schottky para computadores, misturadores e
detectores em equipamentos de comunicação, e
conversores análogos digitais.
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DIODO VARICAP (VARACTOR)
São também chamados de V V C (capacitância variável com a tensão) são capacitores de semicondutor,
que dependem da tensão. Em condições de polarização reversa, todo diodo pode ser comparado a um capacitor,
pois nessa condição as regiões P e N comportam-se como as
placas (armaduras) e a RCE como o dielétrico.
Os VARICAPS são diodos otimizados para trabalharem
em polarização reversa, apresentando maiores variações de
capacitância, em função do potencial reverso aplicado. Para
baixas freqüências são fabricados com silício, sendo usado a
arsenieto de gálio para freqüências mais elevadas. A figura a
seguir mostra o comportamento da capacitância em função da polarização e o símbolo do diodo varicap.
DIODO DE RECUPERAÇÃO EM DEGRAU
O diodo de recuperação em degrau tem um nível de dopagem que a medida que se aproxima da junção
decresce de valor. Conduz com polarização direta como
qualquer diodo de silício. Em polarização reversa, conduz por
um certo tempo, interrompendo o processo logo a seguir.
Utilizado num circuito adequado a corrente pode ser filtrada
produzindo freqüências mais elevadas. A figura a seguir mostra
a estrutura básica de um diodo de recuperação em degrau.
LIGHT EMITTING DIODE (LED)
O princípio da eletroluminescência em semicondutores já tinha sido observado desde 1907, porém
somente depois da utilização do arsenieto de gálio na construção desse tipo de dispositivo, e que se tornou
eficiente a conversão de corrente elétrica em luz.
O funcionamento do LED baseia-se no fato de que um elétron se encontrando na camada de condução,
possui um alto nível energético adquirido pela absorção de energia externa. Quando o elétron volta para a camada
de valência, devolve ao meio a energia cedida e fótons são liberados, pois o elétron recombina e volta a preencher
uma lacuna. Os elétrons são introduzidos na camada N, por uma fonte de corrente. Para cruzar a barreira de
potencial, são levados a camada de condução. Após a passagem pela junção, os elétrons recombinam,
preenchendo lacunas da camada de valência e nesse processo liberam energia. A cor da luz emitida depende do
material utilizado no cristal e também do nível de dopagem.
As figuras a seguir. Mostram o processo de recombinação, o símbolo e um tipo de encapsulamento
bastante comum.
Símbolo do LED
FOTODIODO
A incidência de energia luminosa numa junção PN libera elétrons da camada de valência para a camada
de condução. A corrente reversa de um diodo é devido a movimentação de portadores minoritários que surgem
em ambos os lados da junção. Num fotodiodo, a corrente reversa é controlada através da
incidência da luz na junção, através de encapsulamentos especiais. A figura a seguir
mostra o símbolo utilizado para um fotodiodo.
OPTOACOPLADOR ELETRÔNICO (FOTOACOPLADOR)
Existem diversos tipos de foto acopladores. O mais
simples utiliza um diodo emissor de luz (LED) e um fotodiodo
num mesmo encapsulamento. A passagem de corrente no
LED, produz radiação infravermelha, que é absorvida pelo
fotodiodo, produzindo corrente. O acoplador ótico tem como
característica principal proporcionar a isolação entre dois
circuitos. A figura a seguir mostra o símbolo de um tipo de foto
acoplador.
DOIDO DE CONTATO DE PONTO
Uma pequena haste de metal é pressionada contra uma região do
tipo N. Por um processo de fusão é criada no ponto de contato uma
região do tipo P. A junção é muito pequena entre as regiões P e N criando
capacitâncias muito baixas. A utilização desse dispositivo é grande em
circuitos de freqüência elevada, porém com baixos níveis de potência. A
figura a seguir, mostra um diodo de contato de ponto.
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QUESTÕES DE ESTUDO DE FÍSICA DE SEMICONDUTOR:
1) Cite quais são as vantagens do transistor em relação à válvula.

2) Cite vantagens da válvula em relação ao transistor.
3) Cite a data da descoberta do transistor.
4) Cite os alguns dos vários ramos da eletrônica.
5) Definir Resistividade.
6) Como podemos classificar os materiais isolante, condutor e semicondutor,
segundo a suas resistividades?
7) Cite algumas razões para o uso dos semicondutores (Ge) e (Si) na fabricação de
componentes eletrônicos.
8) Citar a proporção dos níveis de impureza obtidos dos materiais semicondutores
que são usados na eletrônica e justificar tal necessidade.
9) Definir Semicondutor Intrínseco.
10) Citar o n0 aproximado de portadores livres encontrados em 1cm3 (cúbico) de
(Si) e (Ge) Intrínseco à temperatura ambiente.
11) Faça desenhos segundo o modelo do atômico de Bohr para o Germânio e Silício
e defina a valência de cada um deles.
12) Faça um desenho simbólico que represente em duas dimensões um cristal de
silício.
13) Definir "ligação covalente"?
14) Com a teoria das Bandas (Níveis) de Energia faça dois desenhos explicativos
que mostrem a diferença entre os níveis de energia de um isolante e de um
semicondutor.
15) Com a teoria das Bandas (Níveis) de Energia faça dois desenhos explicativos
que mostrem a diferença entre os níveis de energia de um semicondutor e de
um condutor.
16) Definir elétron-volt.
17) Faça um esboço da estrutura atômica do silício e acrescente ulna impureza de
fósforo.
18) Faça um esboço da estrutura atômica do silício e acrescente uma impureza de
índio.
19) Definir "lacuna" em um material semicondutor.
20) Descreva a diferença entre impurezas aceitadoras e doadoras.
21) Faça um esboço da estrutura atômica do silício contendo um átomo de
Impureza Aceitadora (receptora).
22) Faça dois desenhos explicativos que descrevam as diferenças entre materiais
semicondutores tipo N e tipo P.
23) Explique a diferença entre corrente forçada e corrente de difusão.
24) Explicar o que acontece no instante da fusão de um cristal tipo "P" com um tipo
"N".
25) Como é constituído um diodo de junção, qual o seu símbolo e o nome dos seus
terminais?
26) Do que é constituído o campo elétrico de uma junção PN e qual a sua
espessura?
27) Escreva os sinônimos atribuídos à região formada com a junção PN.
28) Descreva com suas próprias palavras o processo de condução das lacunas.
29) Explique por que um semicondutor se comporta como um isolante a 0 0 K e por
que a sua condutividade aumenta com a temperatura?
30) Por que os semicondutores, como o germânio e silício, são classificado com
materiais com coeficiente de temperatura negativo (NTC)?
13
31) Definir o que significa materiais do tipo PTC.
32) Analisando uma junção PN explique como fazer uma polarização direta e
reversa?
33) Como uma polarização direta e reversa afeta ou modifica o campo elétrico de
uma junção PN?
34) Desenhar o símbolo do diodo e nomear os seus terminais.
35) Desenhar o símbolo do diodo polarizando direta e reversamente, e mostrar
através de uma analogia com chaves, o fluxo de corrente pela junção.
36) Cite dois fatores importantes, devido o fenômeno de difusão para que os
materiais semicondutores sejam usados na construção de componentes
eletrônicos.
37) Definir Tensão Limiar (V) e citar os valores para os diodos de Germânio de
Silício.
38) Cite três vantagens do diodo de Silício em relação ao diodo de Germânio.
39) Definir potencial termodinâmico.
40) Definir a corrente de saturação reversa ou corrente de fuga (IS) e dizer do que
ela é constituída.
41) Qual a ordem de grandeza da corrente de fuga para os diodos de Ge e Si?
42) Cite fatores que influem no valor corrente de fuga (IS).
43) Podemos dizer que: a corrente de __________________ em um diodo, dobra
de valor para cada _______ de aumento na _______________.
44) Para um diodo de germânio com uma corrente de fuga de 50A na temperatura
ambiente determinar o valor da corrente de fuga na temperatura de 45 0C.
45) Podemos dizer que: a queda de tensão ___________ de um diodo
_______________ cerca de 2,5mV para cada _________ de aumento na
__________________.
46) Explique por que o diodo começa a conduzir mais cedo com o aumento da
temperatura ambiente?
47) Para um diodo de Silício tem uma queda de tensão direta de 0,7V na
temperatura ambiente, determinar o valor da sua queda de tesão direta na
temperatura de 400C.
48) O que acontece com um diodo quando a temperatura ambiente cai vários graus
abaixo de zero?
49) Escrever a equação da corrente no diodo.
50) Determinar a corrente em diodo de Silício na temperatura ambiente com uma
polarização direta de 0,5V e uma corrente de fuga de 1A.
51) Determinar a corrente em diodo de Germânio na temperatura ambiente com
uma polarização direta de 0,5V e uma corrente de fuga de 1A.
52) Esboçar as curvas características tensão X corrente para os diodos de "Silício" e
"Germânio", indicando a suas regiões direta e reversa.
53) Esboçar através de curvas a variação nas características, do diodo de "Silício",
com a temperatura.
54) A característica elétrica essencial de uma junção PN é constituir um
______________ que permita de maneira fácil a ___________ em um sentido
e restringe a condução no sentido oposto.

14
JUNÇÃO PN
ANODO CATODO
A K
P N
POLARIZAÇÃO DIRETA CHAVE FECHADA
A K
POLARIZAÇÃO REVERSA CHAVE ABERTA
A K
TENSÃO ALTERNADA
V
VP “A corrente
troca de
sentido
 2 sobre
a carga”

15
II- CIRCUÍTOS CONVERSORES ESTÁTICOS
DIODO CAPACITOR
CA CC
2-1) CIRCUITO RETIFICADOR MONOFÁSICO DE 1/2 ONDA

ID IL
VD
Vi V1 V2 RL VL
FONTE CA TRANSFORMADOR DIODO CARGA
Vi Tensão alternada de entrada;

V1 Tensão no primário do transformador;
V2 Tensão no secundário do transformador;
VD Tensão no diodo;
VL Tensão na carga;
ID Corrente no diodo;
IL Corrente na carga.

16
2-2) FORMAS DE ONDAS
V2
VP
 2 3 4 5 6 7 8
ID = IL
IP
 2 3 4 5 6 7 8
VL
VP
 2 3 4 5 6 7 8
VD
 2 3 4 5 6 7 8
VP = VTIP

17
III- CIRCUÍTOS CONVERSORES ESTÁTICOS
3-1) CIRCUITO RETIFICADOR MONOFÁSICO DE ONDA

COMPLETA COM CENTER TAPE
D1
RL VL
V21
Vi V1
V22
D2
FONTE CA TRANSFORMADOR DIODOS CARGA

V21 Tensão no secundário 1 do transformador;
V22 Tensão no secundário 2 do transformador;
D1 Diodo 1;
D2 Diodo 2;
RL Resistência de carga;
TRANSFORMADOR
V21
V21 duas
V1 V22 tensões
Vi
defasadas
V22 de 1800.
FONTE CA TRANSFORMADOR

18
3-2) FUNCIONAMENTO
10 1/2 CICLO OU SEMICICLO DA TENSÃO CA

CONDUZIND
O
ID1 D1 IL
1
+
VD1
RL VL
V21
V1 -
Vi
+
V22
VD2
-
2
D2
CORTADO

CORTADO
D1 IL
1
-
VD1
RL VL
V21
V1 +
Vi
-
V22
VD2
+
2 ID2
D2
CONDUZIND
O

19
V21 VP
Secundário 1
 2 3 4 5
V22 VP
Secundário 2
 2 3 4 5
ID1 IP
Diodo 1
ID2 IP
Diodo 2
IL IP
Carga RL
VL VP
Carga RL
VD1  2 3 4 5
VTIP Diodo 1
VTIP = 2VP
VD2  2 3 4 5
VTIP Diodo 2
VTIP = 2VP
20
IV- CIRCUÍTOS CONVERSORES ESTÁTICOS
4-1) CIRCUITO RETIFICADOR MONOFÁSICO DE ONDA

COMPLETA EM PONTE
D4 D1
Vi V1 V2
D3 D2 RL VL
FONTE CA TRANSFORMADOR DIODOS CARGA

V2 Tensão no secundário transformador;
D1 Diodo 1;
D2 Diodo 2;
D3 Diodo 3;
D4 Diodo 4;
VL Tensão na Carga;
RL Resistência de carga;

21
4-2) FUNCIONAMENTO
+1
D4 D1
Vi V1 V2
D3 D2 RL VL
-2
-1
D4 D1
V2
Vi V1
D3 D2 RL VL
+2

22
V2
VP
 2 3 4 5
ID1= ID3
IP
Diodo 1=Diodo 3
ID2=ID4
IP
Diodo 2=Diodo 4
IL IP
Carga RL
VL VP
Carga RL
VD1= VD3
 2 3 4 5
VTIP =VP
VD2= VD4
 2 3 4 5
VTIP =VP

23
QUESTÕES DE ESTUDO DE CIRCUITOS RETIFICADORES
1) Descreva resumidamente o funcionamento de um circuito retificador de 1/2 onda.

2) Desenhar a forma de onda na saída de um circuito retificador de 1/2 onda.
3) Qual o valor da tensão inversa de pico (VTIP), no diodo de um circuito retificador de 1/2
onda.
4) Desenhar o circuito de um retificador de onda completa com Center Tape (derivação
central).
5) Através de desenhos mostrar o sentido de circulação das correntes em um retificador de
onda completa com Center Tape (derivação central), indicando os diodos que estão
conduzindo e cortado para os dois semi-ciclos da tensão alternada.
6) Descrever resumidamente o funcionamento do circuito retificador de onda completa
com Center Tape (derivação central).
7) Desenhar as formas de onda das tensões alternadas nos secundários de um
transformador com Center Tape (derivação central).
8) Desenhar as formas de onda das correntes nos diodos e na carga de circuito retificador
de onda completa com Center Tape (derivação central).
9) Desenhar a forma de onda da tensão na saída de um circuito retificador de onda
completa com Center Tape (derivação central).
10) Qual o valor da tensão inversa de pico (VTIP), nos diodos do circuito retificador de onda
completa com Center Tape (derivação central).
11) Desenhar o circuito de um retificador de onda completa em Ponte.
12) Através de desenho mostrar o sentido de circulação das correntes em um retificador de
onda completa em Ponte, indicando os diodos que estão conduzindo e cortado para os
dois semi-ciclos da tensão alternada.
13) Descrever resumidamente o funcionamento do circuito retificador de onda completa em
Ponte.
14) Desenhar as formas de onda das correntes nos diodos e na carga de circuito retificador
de onda completa em ponte.
15) Desenhar a forma de onda da tensão na saída de um circuito retificador de onda
completa em Ponte.
16) Qual o valor da tensão inversa de pico (VTIP), nos diodos do circuito retificador de onda
completa em Ponte.
EXERCICIOS: DIODOS RETIFICADORES

1) Calcule a tensão média (VDC) de um sinal retificado de 1/2 onda, com um valor de pico
de 90 Volts.
2) Um circuito retificador de 1/2 onda produz uma tensão retificada DC de 180 Volts. Qual
é a capacidade mínima de tensão inversa de pico do diodo para este circuito?
3) Um retificador de 1/2 onda, opera fora da tensão de 120(rms) da linha comercial,
através de um transformador abaixador de 3:1. Calcule a tensão (DC) do sinal retificado
e a corrente para RI = 4,7.
4) Um circuito retificador de 1/2 onda produz 40 mA (DC) para uma resistência de carga de
2 K. Calcule a tensão (DC) de saída e a capacidade de TIP (tensão inversa de pico) do
diodo para este circuito.
5) Um circuito retificador a diodo de 1/2 onda é alimentado por um transformador a partir
de 120 Volts da linha comercial. Calcule a relação de espiras do transformador e a
capacidade de TIP (tensão inversa de pico) do diodo, se o circuito produz uma saída de
12 Volts (DC).
6) Calcule a tensão (DC) obtida a partir de um retificador de Onda Completa com tensão
retificada de pico de 90 Volts.
7) Calcule a tensão de pico de cada metade de um transformador com derivação central
usado em um circuito retificador de Onda Completa cuja a tensão (DC) de saída é de
120 Volts.

24
8) Calcule. a capacidade de TIP para os diodos de um circuito retificador de Onda Completa
usando um transformador com derivação central com uma tensão (DC) de saída de 80
Volts.
9) Calcule a capacidade de TIP para os diodos de um circuito retificador de Onda Completa
em Ponte cuja tensão (DC) de saída é de 50 Volts.
10) Projete circuitos retificadores para produzir uma tensão (DC) de saída de 100 Volts,
usando:
a) Retificador de 1/2 Onda;
b) Retificador de Onda Completa com center Tape;
c) Retificador de Onda Completa em Ponte;
11) Conhecido o valor da tensão (DC) de saída de 80 Volts dos circuitos retificadores de 1/2
onda, Onda Completa com center Tape e em Ponte, determine: a capacidade de TIP
(tensão inversa de pico) dos diodos.
Solução de Exercício:
EX 3) Um retificador de 1/2 onda, opera fora da tensão de 120(rms) da linha comercial, através de um
transformador abaixador de 3:1. Calcule a tensão (DC) do sinal retificado e a corrente para RL = 4,7.
D1
T1
Solução: 3:1
1N4007 RL
V1=120V
4.7Ω
(rms)
VP1 VP2 VPRL
AC AC DC
1 → Primário
RELAÇÃO DE TRANFORMAÇÃO:
2 → Secundário
Desprezando a queda de tensão direta do diodo:
Considerando o diodo Ideal, temos que:
Finalmente, pela lei de OHM:
Cálculo da Potência dissipada em RL :

25
TRABALHO: resolver os exercícios e entregar em data a combinar
12) Foi construído um retificador de onda completa com center Tape utilizando
diodos capazes de suportar uma corrente média IDC= 5A e uma Tensão Reversa
Máxima de 200 Volts. Determinar:
a) a tensão de pico em cada secundário do transformador VP(21) e VP(22) ;
b) a tensão eficaz (RMS) em cada secundário do trafo VRMS(21) e VRMS(22) ;
c) a tensão eficaz (RMS) na carga VRMS(L) ;
d) a tensão média VDC(L)na carga;
e) a corrente média IDC(L) na carga;
f) a potência média PDC(L) da carga;
g) a potência eficaz do transformador PRMS(2) ;
h) para uma carga de 180, determinar a corrente média na carga IDC(L) ;
i) para uma carga de 180, determinar a corrente média no diodo;
j) para a mesma carga citada no item anterior determinar a potência média
consumida do circuito retificador.
13) Um circuito retificador de onda completa com center tape foi construído com um
trafo de 1500VA. Para trafo que trabalha com 80% da sua potência nominal e
um circuito retificador que produz uma tensão média VDC de 50V, determinar:
a) a potência eficaz utilizada do trafo PRMS(2) ;
b) a tensão de pico na carga VP(L) ;
c) a tensão inversa de pico (VTIP) que o diodo suporta;
d) a tensão eficaz nos secundários do trafo VRMS(21) e VRMS(22) ;
e) a potência média que a carga consome do retificador PDC(L);
f) a corrente eficaz no secundário do trafo IRMS(2);
g) a corrente média na carga IDC(L);
h) a corrente média no diodo IDC(D);
i) para um diodo que suporta uma tensão inversa de pico VTIP = 200V, qual seria
a máxima potência que o retificador pode fornecer?

26
TABELA RESUMO DAS RELAÇÕES NOS CIRCUIUTOS RETIFICADORES
RETIFICADOR 1/2 ONDA CENTER-TAPE PONTE
Formas de onda na
Saída
Freqüência da 1a
60 120 120
harmônica
Tensão média (dc) na VP 2VP 2VP
VDC   0,3183V p VDC   0,6366V p VDC   0,6366V p
carga   
Tensão eficaz (RMS) VP VP VP
VRMS   0,5V p VRMS   0,7071V p VRMS   0,7071V p
na carga 2 2 2
Fator V( RMS )
de f  1,57 1,11 1,11
forma V( DC )
Fator de ripple
121 48 48
r f 2 1
Corrente média por
Diodo
I DC ( D ) 1 0,5 0,5
I DC ( L )
Corrente RMS por
Diodo
I RMS( D ) 1,57 0,79 0,79
I DC ( L )
Corrente RMS por
fase do trafo
I RMS( 2) 1,57 0,79 1,11
I DC ( L )
Tensão Inversa de
Pico no Diodo VP 2VP VP
VTIP
Potëncia no
Secundário do Trafo
PRMS ( 2) 3,5 1,75 1,23
PDC ( L )
Potëncia no Primário
do Trafo
PRMS (1) 2,68 1,23 1,23
PDC ( L )
V( P )
Obs:Tensão Alternada V( RMS)  V( DC )  0
2

27
V) RETIFICADORES COM CAPACITORES:
CAPACITOR
DE
FILTRO
ID IL
VD
RL VL
Vi V1 V2
FONTE CA TRAFO DIODO CARGA
TENSÃO CA Vr pp TENSÃO CC SEM CAPACITOR

TENSÃO CC COM CAPACITOR
VP
VDC
 2 3 4
TD TC
VDC = VP - Vr pp
2

28
5-1) EQUAÇÕES PARA CIRCUITOS RETIFICADORES COM
FILTROS CAPACITIVOS:
Tensão de ripple de pico a pico
VDC VDC I DC
Vr ( pp)  como I DC   Vr ( pp) 
f  RL  C RL f C
Obs.: O valor da freqüência f depende do tipo de retificador.
Tensão de ripple rms(eficaz)

Vr ( pp)
Vr (rms)  " equação para onda triangular"
2 3
ripple
Vr (rms)
r  100%
VDC
VDC Tensão média ou tensão contínua após a filtragem (V)
f freqüência da ondulação ( depende do tipo ) (Hz)
RL resistência da carga (ohms)
C capacitor de filtro (Faraday)
r ripple
IDC corrente da carga (A)
5-2) Exemplo de aplicação: Projeto de uma fonte de alimentação
Projetar uma fonte de alimentação com uma tensão de entrada de 110V (rms) em 60Hz
e uma tensão média de saída de 5V com uma tensão de ripple de pico a pico de 0,1V, para
alimentar um circuito que tem uma resistência de entrada de 1K. Utilizar um retificador de
onda completa em ponte.
Determinar:
C =
IDC(L) = D4 D1
IDC(diodo) = IL
Vp(RL) = Vi V1 V2
Vp(2) = C
D3 D2 RL VL
Vrms(2) =
V(TIP) =
P(T) =

29
TRABALHO DE RETIFICADORES COM CAPACITORES DE FILTRO
1) Projetar uma fonte de alimentação com uma tensão de entrada de 220V (rms) em 60Hz e uma tensão média de saída
de 12V com uma tensão de ripple de pico a pico de 0,1V, para alimentar um circuito que consome uma corrente média de
1A Utilizar um retificador de onda completa em ponte.
Determinar:
a) o capacitor de filtro C =
b) a corrente média do diodo IDC(D) =
c) a tensão de pico na carga Vp(L) =
d) a tensão de pico no secundário do transformador Vp(2) =
e) a tensão de ripple (rms) Vr(RMS) =
f) o VTIP (tensão inversa de pico) do diodo VTIP =
g) o fator de ripple r=
h) a potëncia do tranformador PT
2) Projetar uma fonte de tensão de entrada de 110V rms / 60Hz e uma tensão média de saída
de 15V com um ripple de 0,5V, para alimentar um circuito que consome uma corrente média
30mA. Utilizar um retificador de onda completa com derivação central.
Determinar:
3) Projetar uma fonte de alimentação que substitua a batreria de um aparelho eletrönico

formada por duas pilhas de 1,5V ligadas em série e que tem um consumo de 7,5mW. O ripple
deve ser no máximo de 0,15V. Utilizar um retificador de 1/2 onda.
Determinar:
4) Um Capacitor de filtro de 470 F , em circuito retificador de onda completa ponte, produz uma corrente de carga de 250mA
com um ondulação (fator de ripple) de 5%, quando alimentado por uma fonte com freqüência de 60 Hz. Determinar:
a) a tensão de ripple de pico a pico Vr(PP) =
b) a tensão de ripple (rms) Vr(RMS) =
c) a tensão contínua na saída do retificador Vdc(L) =
d) a tensão de pico na saída do transformador Vp(2) =
e) a corrente contínua no diodo IDC(D) =
f) o VTIP (tensão inversa de pico). VTIP =

30
Capacitores em CC
RESUMO TEÓRICO:
Associação Série de Capacitores
V1 V2 Vn
Q C1 C2 Cn
C1 C2 Cn
As placa externas dos capacitores C1, C2, ... até Cn por estarem ligadas aos pólos positivo e
negativo da fonte, carregam-se, respectivamente, positiva e negativamente com a carga Q. Assim, por
indução as placas internas dos capacitores carregam-se com polaridades contrárias, também com carga Q.
Isto significa que Q1 = Q2 = ... = Qn, (todos os capacitores ligados em série armazenam a mesma carga).
Porem para que isto aconteça, a fronte V deve dividir a tensão a tensão entre os capacitores, ou seja, V =
V1 + V2 + ... + Vn.
Q
Como: V
ten-se que: C
Q Q Q 1 1 1 V 1 1 1
V   ...   V  Q(   ...  )  (   ...  )
C1 C 2 Cn C1 C 2 Cn Q C1 C 2 Cn
Mas: Então:
V 1 1 1 1 1
    ... 
Q CT CT C1 C 2 Cn
Associação Paralelo de Capacitores
QT Q1 Q2 Qn
C1 C2 Cn C1 C2 Cn
V V1 V2 Vn
Nesta associação, os dois capacitores carregam-se até ficarem com a mesma tensão da fonte, ou
seja, V1 = V2 = ... =Vn. Assim a carga de cada capacitor depende de sua capacitância e carga total do
circuito equivalente QT é a soma das cargas individuais, isto é, QT = Q1 + Q2 + ... + Qn.
Como , tem-se que
Q  C V QT  C1  V  C2  V  ...  Cn  V
QT
QT  V (C1  C 2  ...  C n )   C1  C 2  ...  C n
V
CT  C1  C2  ...  Cn

31
1-Exemplo: Qual o valor do capacitor equivalente da associação série entre C1=18F, C2=27F,
C3=33F?
1 1 1 1
V1 V2 V3    
C1 C2 C3 CT C1 C 2 C3
Q
1 1 1 1
   
CT 18  10 6 27  10 6 33  10 6
V
1
 122,9  10 3 
CT
2-Exemplo: Tem-se dois capacitores, C1=33nF e C2=47nF, ligados em série e alimentados por uma fonte
de tensão de V=12V. Determinar:
a) Capacitor total ou equivalente;
C1  C 2 33  10 9  47  10 9
CT   CT   CT  19,4nF
C1  C 2 33  10 9  47  10 9
b) Carga de cada Capacitor;
Na associação série, os capacitores carregam com a mesma carga que é a do capacitor total. Assim:
Q  V .CT  Q  12 19,4 109  Q  232,8 109  Q  232,8nF

c) Tensão em cada capacitor.
Na associação série a tensão em cada capacitor é inversamente proporcional a sua capacitância. Portanto:
Q 232,8 109 Q 232,8  10 9

V1    V1  7,05V V2    V1  4,95V
C1 33 109 C2 47  10 9
3-Exemplo: Determinar o valor do capacitor equivalente da associação paralela entre C1=330F e

C2=0,470mF, a carga de cada capacitor e carga total do circuito, considerando que C1 e C2 estão ligados
a uma fonte de 15V.
a) o capacitor total:
CT  C1  C2  330  106  0,470  103  CT  800  106
N associação paralela, as tensões sobre os capacitores são iguais as da fonte, porem suas cargas são
proporcionais às suas capacitâncias. Assim:
b) a carga de cada capacitor:
Q1 V .C1  15  330  10 6  Q1  4950  10 6  Q1  4950C
Q2 V .C2  15  0,470  10 3  Q2  7050  10 6  Q2  7050C
c) a carga total
QT  Q1  Q2  4950  10 6  7050  10 6  QT  12000C

32
RESOLVER OS EXERCÍCIOS:
Calcule a capacitância total, as tensões e as cargas em todos os capacitores das associações a seguir.
V1 V1
1) Q2 Q3 2)
QT C1 Q2 Q3 Q4
QT C1
C2 C3 C2 C3 C4
V V2 V3 V V2 V3 V4
V5
C5
V=20V / C1=10F / C2=2F /

V=10V / C1=10F / C2=C3=5F
C3=3F / C4=5F / C5=10F
3) 4)
C1 C2 QT C2
V C3 C1 C3 C4
V
C4
V=30V / C1=100F / C2=50F V=40V / C1=20F / C2=100F

C3=100F C4=50F C3=5F / C4=0,5mF
5) 6)
C1 C2
C1 C3 C3 C5
V C5 V
C2 C4 C4 C6
V=60V / C1=100F / C2=10F

V=50V / C1=1F / C2=3F /
C3=150FC4=200F / C5=10F
C3=2F / C4=6F / C5=500F
C6=20F

33

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ELETRÔNICA ANALÓGICA 1

ESTUDO DOS MATERIAIS SEMICONDUTORES

R- resistência elétrica, medida em ohms []

material Resistência específica (.cm)

A figura abaixo mostra a quebra de ligações covalentes.

ELABORADO PELO PROF. ILTON

Obs: O material tipo N resultante, é eletricamente neutro.

MATERIAL DOPADO TIPO P

Condução devido às lacunas

Íon Positivo estacionário

ELABORADO PELO PROF. ILTON

Íon Negativo estacionário

ELABORADO PELO PROF. ILTON

1- Condição de Polarização Inversa:

IS Fluxo de Portadores minoritários

2- Condição de Polarização Direta:

IS Fluxo de Portadores minoritários

O fluxo de portadores majoritários aumentará exponencialmente com o aumento da polarização direta.

Portanto o fluxo total será:

ELABORADO PELO PROF. ILTON

onde: V - tensão aplicada ao diodo

ELABORADO PELO PROF. ILTON

O sentido convencional da corrente, e indicado pela ponta da flecha no símbolo.

RETIFICADOR BÁSICO COM DIODO IDEAL

O processo de retificação consiste em se

ELABORADO PELO PROF. ILTON

IS Fluxo de Portadores minoritários

ELABORADO PELO PROF. ILTON

Os diodos entre outros dispositivos de junção

O gráfico a seguir, mostra a variação da capacitância de um diodo em função da polarização.

ELABORADO PELO PROF. ILTON

TRAPPAT (Trapped Plasma Avalanche Triggered Transit)

1) Cite quais são as vantagens do transistor em relação à válvula.

ELABORADO PELO PROF. ILTON

POLARIZAÇÃO DIRETA CHAVE FECHADA

POLARIZAÇÃO REVERSA CHAVE ABERTA

ELABORADO PELO PROF. ILTON

2-1) CIRCUITO RETIFICADOR MONOFÁSICO DE 1/2 ONDA

FONTE CA TRANSFORMADOR DIODO CARGA

Vi Tensão alternada de entrada;

ELABORADO PELO PROF. ILTON

ELABORADO PELO PROF. ILTON

3-1) CIRCUITO RETIFICADOR MONOFÁSICO DE ONDA

FONTE CA TRANSFORMADOR DIODOS CARGA

Vi Tensão alternada de entrada;

ELABORADO PELO PROF. ILTON

10 1/2 CICLO OU SEMICICLO DA TENSÃO CA

20 1/2 CICLO OU SEMICICLO DA TENSÃO CA

ELABORADO PELO PROF. ILTON

4-1) CIRCUITO RETIFICADOR MONOFÁSICO DE ONDA

FONTE CA TRANSFORMADOR DIODOS CARGA

Vi Tensão alternada de entrada;

ELABORADO PELO PROF. ILTON

10 1/2 CICLO OU SEMICICLO DA TENSÃO CA

20 1/2 CICLO OU SEMICICLO DA TENSÃO CA

ELABORADO PELO PROF. ILTON

ELABORADO PELO PROF. ILTON

1) Descreva resumidamente o funcionamento de um circuito retificador de 1/2 onda.

EXERCICIOS: DIODOS RETIFICADORES

ELABORADO PELO PROF. ILTON

VP1 VP2 VPRL

Desprezando a queda de tensão direta do diodo: