UNIVERSIDADE DO ESTADO DE SANTA CATARINA – UDESC

CENTRO DE CIÊNCIAS TECNOLÓGICAS – CCT

ENGENHARIA ELÉTRICA – ELE
DISCIPLINA: LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA ANALÓGICA - LEL
ALUNO: CAETANO PERUCHI DE PELLEGRIN
MARINA SANTI ANSILIERO
DIA: 04/07/2021

LABORATÓRIO 6 – POLARIZAÇÃO BJT

Circuito 1 – Polarização do Emissor:

Transistores utilizados:
a) BC337-25
b) BC547C
c) BC847A

Tensão Vbb fornecida: 5V

As simulações estão apresentadas no Anexo A

Circuito redesenhado:
Análise teórica a) – BC337-25:
Valor de β apresentado no software para o respectivo Transistor: β = 292,4

𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐵 . 𝑅𝐵𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 𝐼𝐸

𝐼𝐵 =
𝛽+1

𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 5 − 0,7 𝐼𝐸 1,478𝑚

𝐼𝐸 = = 𝐼𝐵 = =
𝑅 560𝑘 𝛽 + 1 292,4 + 1
𝑅𝐸 + 𝐵𝐵
𝛽 + 1 1𝑘 + 292,4 + 1
𝐼𝐵 = 5,037 𝑢𝐴
𝐼𝐸 = 1,478 𝑚𝐴

𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 = 0,7 + 1,478 .1 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐵 = 1,478 𝑚 − 5,037 𝑢

𝑉𝐵 = 2,178 𝑉 𝐼𝐶 = 1,473 𝑚𝐴

𝑉𝐶 = 15 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 = 15 − 1,473 . 5,6 𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 2,178 − 0,7

𝑉𝐶 = 6,751 𝑉 𝑉𝐸 = 1,478 𝑉

Teoria Simulação E%
𝑉𝐶 [V] 6,751 6,774 0,34%
𝑉𝐵 [V] 2,178 2,092 3,95%
𝑉𝐸 [V] 1,478 1,474 0,27%
𝑉𝐵𝐸 [V] 0,7 0,618 11,71%
𝑉𝐶𝐵 [V] 4,573 4,682 2,38%
𝐼𝐶 [A] 1,473 m 1,469 m 0,27%
𝐼𝐵 [A] 5,037 u 5,192 u 3,08%
𝐼𝐸 [A] 1,478 m 1,474 m 0,27%
𝑃𝐶 [W] 9,944 m 9,951 m 0,07%
𝑃𝐵 [W] 7,767 m 7,786 m 0,24%
Análise teórica b) – BC547C:
Valor de β apresentado no software para o respectivo Transistor: β = 458,7

𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐵 . 𝑅𝐵𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 𝐼𝐸

𝐼𝐵 =
𝛽+1

𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 5 − 0,7 𝐼𝐸 1,939𝑚

𝐼𝐸 = = 𝐼𝐵 = =
𝑅 560𝑘 𝛽 + 1 458,7 + 1
𝑅𝐸 + 𝐵𝐵
𝛽 + 1 1𝑘 + 458,7 + 1
𝐼𝐵 = 4,218 𝑢𝐴
𝐼𝐸 = 1,939 𝑚𝐴

𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 = 0,7 + 1,939 .1 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐵 = 1,939 𝑚 − 4,218 𝑢

𝑉𝐵 = 2,639 𝑉 𝐼𝐶 = 1,935 𝑚𝐴

𝑉𝐶 = 15 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 = 15 − 1,935 . 5,6 𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 2,639 − 0,7

𝑉𝐶 = 4,164 𝑉 𝑉𝐸 = 1,939 𝑉

Teoria Simulação E%
𝑉𝐶 [V] 4,164 3,978 4,68%
𝑉𝐵 [V] 2,639 2,612 1,03%
𝑉𝐸 [V] 1,939 1,973 1,72%
𝑉𝐵𝐸 [V] 0,7 0,639 9,55%
𝑉𝐶𝐵 [V] 1,525 1,366 11,64%
𝐼𝐶 [A] 1,935 m 1,968 m 1,68%
𝐼𝐵 [A] 4,218 u 4,265 u 1,10%
𝐼𝐸 [A] 1,939 m 1,973 m 1,72%
𝑃𝐶 [W] 8,057 m 7,829 m 2,83%
𝑃𝐵 [W] 4,305 m 3,946 m 8,33%
Análise teórica c) – BC847A:
Valor de β apresentado no software para o respectivo Transistor: β = 182,1

𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐵 . 𝑅𝐵𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 𝐼𝐸

𝐼𝐵 =
𝛽+1

𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 5 − 0,7 𝐼𝐸 1,060𝑚

𝐼𝐸 = = 𝐼𝐵 = =
𝑅𝐵𝐵 560𝑘 𝛽 + 1 182,1 + 1
𝑅𝐸 +
𝛽 + 1 1𝑘 + 182,1 + 1
𝐼𝐵 = 5,789 𝑢𝐴
𝐼𝐸 = 1,060 𝑚𝐴

𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 = 0,7 + 1,060 .1 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐵 = 1,060 𝑚 − 5,789 𝑢

𝑉𝐵 = 1,760 𝑉 𝐼𝐶 = 1.054 𝑚𝐴

𝑉𝐶 = 15 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 = 15 − 1,054 . 5,6 𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 1,760 − 0,7

𝑉𝐶 = 9,098 𝑉 𝑉𝐸 = 1,060 𝑉

Teoria Simulação E%
𝑉𝐶 [V] 9,098 8,940 1,77%
𝑉𝐵 [V] 1,760 1,741 1,09%
𝑉𝐸 [V] 1,060 1,088 2,57%
𝑉𝐵𝐸 [V] 0,7 0,653 7,20%
𝑉𝐶𝐵 [V] 7,338 7,199 1,93%
𝐼𝐶 [A] 1,054 m 1,082 m 2,59%
𝐼𝐵 [A] 5,789 u 5,819 u 0,52%
𝐼𝐸 [A] 1,060 m 1,088 m 2,57%
𝑃𝐶 [W] 9,589 m 9,673 m 0,88%
𝑃𝐵 [W] 8,472 m 8,496 m 0,28%
Circuito 2 – Divisor Resistivo:

Transistores utilizados:
a) BC337-25
b) BC547C
c) BC847A

Tensão Vbb fornecida: 5V

As simulações estão apresentadas no Anexo B

Circuito redesenhado:
Encontrar equivalente de Thevénin da
região em Azul:
𝑅4 330𝑘
𝑉𝐵𝐵 = 5. = 5. = 4,275 𝑉
𝑅4 + 𝑅1 330𝑘 + 56𝑘

𝑅1 . 𝑅4 330𝑘 . 56𝑘
𝑅𝐵 = = = 47,876 𝑘𝛺
𝑅1 + 𝑅4 330𝑘 + 56𝑘

Circuito reajustado:

𝐼𝐶
𝑉𝐵𝐵

𝐼𝐵
𝑉𝐵 𝑉𝐶

𝑉𝐸

𝐼𝐸
Análise teórica a) – BC337-25:
Valor de β apresentado no software para o respectivo Transistor: β = 292,4

𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐵 . 𝑅𝐵𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 𝐼𝐸

𝐼𝐵 =
𝛽+1

𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 4,275 − 0,7 𝐼𝐸 3,073𝑚

𝐼𝐸 = = 𝐼𝐵 = =
𝑅 47,876𝑘 𝛽 + 1 292,4 + 1
𝑅𝐸 + 𝐵𝐵
𝛽 + 1 1𝑘 + 292,4 + 1
𝐼𝐵 = 10,474 𝑢𝐴
𝐼𝐸 = 3,073 𝑚𝐴

𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 = 0,7 + 3,073 .1 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐵 = 3,073 𝑚 − 10,474 𝑢

𝑉𝐵 = 3,773 𝑉 𝐼𝐶 = 3,063 𝑚𝐴

𝑉𝐶 = 15 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 = 15 − 3,063 . 2,2 𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 3,773 − 0,7

𝑉𝐶 = 8,261 𝑉 𝑉𝐸 = 3,073 𝑉

Teoria Simulação E%
𝑉𝐶 [V] 8,261 8,175 1,05%
𝑉𝐵 [V] 3,773 3,750 0,61%
𝑉𝐸 [V] 3,073 3,113 1,28%
𝑉𝐵𝐸 [V] 0,7 0,673 4,01%
𝑉𝐶𝐵 [V] 4,488 4,425 1,42%
𝐼𝐶 [A] 3,063 m 3,102 m 1,26%
𝐼𝐵 [A] 10,474 u 10,944 u 4,29%
𝐼𝐸 [A] 3,073 m 3,113 m 1,28%
𝑃𝐶 [W] 25,303 m 25,359 m 0,22%
𝑃𝐵 [W] 15,891 m 15,702 m 1,19%
Análise teórica b) – BC547C:
Valor de β apresentado no software para o respectivo Transistor: β = 458,7

𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐵 . 𝑅𝐵𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 𝐼𝐸

𝐼𝐵 =
𝛽+1

𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 4,275 − 0,7 𝐼𝐸 3,238 𝑚

𝐼𝐸 = = 𝐼𝐵 = =
𝑅 47,876𝑘 𝛽 + 1 458,7 + 1
𝑅𝐸 + 𝐵𝐵
𝛽 + 1 1𝑘 + 458,7 + 1
𝐼𝐵 = 7,044 𝑢𝐴
𝐼𝐸 = 3,238 𝑚𝐴

𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 = 0,7 + 3,238 .1 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐵 = 3,238 𝑚 − 7,044 𝑢

𝑉𝐵 = 3,938 𝑉 𝐼𝐶 = 3,231 𝑚𝐴

𝑉𝐶 = 15 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 = 15 − 3,231 . 2,2 𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 3,938 − 0,7

𝑉𝐶 = 7,892 𝑉 𝑉𝐸 = 3,238 𝑉

Teoria Simulação E%
𝑉𝐶 [V] 7,892 7,769 1,58%
𝑉𝐵 [V] 3,938 3,946 0,20%
𝑉𝐸 [V] 3,238 3,294 1,70%
𝑉𝐵𝐸 [V] 0,7 0,652 7,36%
𝑉𝐶𝐵 [V] 3,954 3,823 3,43%
𝐼𝐶 [A] 3,231 m 3,287 m 1,70%
𝐼𝐵 [A] 7,044 u 6,864 u 2,62%
𝐼𝐸 [A] 3,238 m 3,294 m 1,70%
𝑃𝐶 [W] 25,499 m 25,537 m 0,15%
𝑃𝐵 [W] 15,037 m 14,709 m 2,18%
Análise teórica c) – BC847A:
Valor de β apresentado no software para o respectivo Transistor: β = 182,1

𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐵 . 𝑅𝐵𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 𝐼𝐸

𝐼𝐵 =
𝛽+1

𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 4,275 − 0,7 𝐼𝐸 2,834 𝑚

𝐼𝐸 = = 𝐼𝐵 = =
𝑅 47,876𝑘 𝛽 + 1 182,1 + 1
𝑅𝐸 + 𝐵𝐵
𝛽 + 1 1𝑘 + 182,1 + 1
𝐼𝐵 = 15,478 𝑢𝐴
𝐼𝐸 = 2,834 𝑚𝐴

𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 = 0,7 + 2,834 .1 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐵 = 2,834 𝑚 − 15,478 𝑢

𝑉𝐵 = 3,534 𝑉 𝐼𝐶 = 2,819 𝑚𝐴

𝑉𝐶 = 15 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 = 15 − 2,819 . 2,2 𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 3,534 − 0,7

𝑉𝐶 = 8,798 𝑉 𝑉𝐸 = 2,834 𝑉

Teoria Simulação E%
𝑉𝐶 [V] 8,798 8,772 0,30%
𝑉𝐵 [V] 3,534 3,562 0,79%
𝑉𝐸 [V] 2,834 2,846 0,42%
𝑉𝐵𝐸 [V] 0,7 0,716 2,23%
𝑉𝐶𝐵 [V] 5,264 5,210 1,04%
𝐼𝐶 [A] 2,819 m 2,831 m 0,42%
𝐼𝐵 [A] 15,478 u 15,623 u 0,93%
𝐼𝐸 [A] 2,834 m 2,846 m 0,42%
𝑃𝐶 [W] 24,802 m 24,834 m 0,13%
𝑃𝐵 [W] 16,813 m 16,777 m 0,21%
Pós-relatório:
Apesar de valores maiores que as faixas de erro aceitáveis, os resultados obtidos
encontram-se em geral próximos na relação entre a teoria e a simulação, de
modo a validar o experimento realizado. 9.1
Foi possível denotar, então, o funcionamento prático de tal tipo transformador,
em especial a partir de dois fatores principais: a variação do parâmetro beta
entre os três modelos utilizados e a variação da tensão aplicada na base.
(Resultados estes apresentados nos anexos C e D para o Circuito 1 e Circuito
2, respectivamente. A ordem de simulações segue a sequência dos seguintes
transistores: BC337-25, BC547C, BC847A).
Verificou-se a partir de tais variações o início de condução típico de diodo
associado à faixa de 0,7 V. Além disso, é notável que o valor de tensão em que
o transistor conduz de maneira constante está inversamente relacionado com o
valor de Beta, de modo que, com valores maiores de Beta há uma faixa de tensão
menor onde a condução começa a ser constante.

9.2
ANEXO A
ANEXO B
ANEXO C
ANEXO D
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 Índice de comentários

9.1 Não diria que o experimento é válido pq os resultado são próximos. Diria que, o experimento será válido se vcs
fizerem as constatações.

9.2 E a configuração não influência?

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