Redruido

UNIVERSIDADE FEDERAL DA BAHIA
ESCOLA POLITÉCNICA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
C E A S P - 9 7
REDUÇÃO DE RUÍDO NOS
SISTEMAS DE MEDIÇÃO
Prof. Amauri Oliveira
NELSON E. CAÑIZA BENÍTEZ

UNIVERSIDADE FEDERAL DA BAHIA CEASP - 97
Redução de ruído nos sistemas de medição
1 Generalidades
Um canal de medição perfeito deveria permitir adquirir uma informação estritamente
proporcional à grandeza física medida. De fato, os elementos constituintes do canal de
medição (sensor, condicionador de sinais, cabo de conexão, dispositivo receptor) apresentam
inevitavelmente imperfeições (ruídos de componentes, ruído produzido nos acoplamentos);
além disso, eles estão expostos à perturbações no ambiente (vibração, umidade, temperatura,
radiações eletromagnéticas... )
A concepção de uma canal de medição requer uma análise detalhada das diferentes
fontes de ruídos, para domina-los, e assim melhorar a qualidade da medição.
O objetivo deste capítulo consiste em apresentar algumas grandezas mais importantes

que influenciam no meio, como a temperatura, a umidade, o efeito termoelétrico e mais
especialmente analisar os efeitos residuais gerados pelas interferências eletromagnéticas
(acoplamento por campo elétrico E, acoplamento por campo magnético H, acoplamento por
condução) freqüentemente muito complexo e difícil de eliminar.
2 Influência das principais grandezas do meio

Estas grandezas modificam as características do sensor e dispositivos de medição; o
erro gerado é devido à fabricação. Os fabricantes especificam, para estes dispositivos,
condições de utilização (faixa de temperatura, limite de umidade relativa...).
Para este análise vamos considerar, que o canal de medição é constituída pela
eletrônica associada e o cabo de conexão entre vários elementos.
2.1 Influência da temperatura

A variação da temperatura resulta na mudança térmica entre a instalação e o meio por
um lado, e entre as diferentes partes da instalação por outro lado.
Para os componentes passivos, a temperatura influencia, não só nas propriedades

elétricas do material (resistividade ρ para R, permissividade ε para C, permeabilidade µ para
L) mas também nos parâmetros dimensionais por causa de dilatações.
Para os componentes ativos, tem que se lembrar que os três parâmetros do transistor
VBE, α e ICBO (corrente inversa de saturação), variam com a temperatura, e que a tensão de
junção e correntes de polarização dos amplificadores operacionais aumentem com a
temperatura.
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2.2 Influência da umidade.

Podemos ver nas notas técnicas dos dispositivos de medição modernos, que os
fabricantes especificam limites da umidade relativa para a qual a precisão do dispositivo está
bem garantida. Explica a influência nefasta da umidade no canal de medição. Como a
temperatura, ela modifica em proporções importantes a resistividade e o permissividade dos
componentes.
Ela é a causa da variação da freqüência de “clock” (osciladores) dos sistemas de

medição numéricos. Ela aumenta os erros devidos à acoplamento por condução; ela diminui,
em particular, as impedâncias de isolamento.
Para proteger contra a umidade, freqüentemente os elementos são cobertos com uma
camada de verniz isolante ou uma camada de resina.
Temos que considerar que uma reação química devida aos vários gases da atmosfera
úmida, pode aparecer no interior de condutores e especialmente ao nível de conexões. A
umidade tem o efeito de aumentar resistências de contato (uma boa conexão entre dois
condutores tem que dar uma resistência de contato inferior a 10-4 Ohm). Uma camada de ouro
é muito eficiente para proteger contra esta reação química.
2.3 Efeito termoelétrico

Em medições a muito baixo nível, as f.e.m’s termoelétricas que aparecem nas junções
de fios de ligação de natureza diferente, pode ser maior que ao sinal utilizado. Estas f.e.m’s.
não seriam prejudiciais se elas fossem perfeitamente conhecidas e fixas; elas são em geral,
indesejadas por causa de suas flutuações com a temperatura (ordem de tamanho de variação:
10 -7 V/oC). A compensação de uma f.e.m. é realizada opondo-a com outra f.e.m. idêntica.
2.4 Ruídos internos dos componentes

Estes ruídos são complexos e essencialmente dependem do domínio das freqüências de
trabalho. A, título indicativo, temos:
• o ruído de uma resistência de R que é dado por:
Veff2 = 4ΚΤR∆f
em que:K é a constante de Boltzmann (1.3 * 10 -23 J / oC);
T é a temperatura termodinâmica;
∆f é a faixa de freqüência.
Exemplo numérico:
R = 1 MΩ
T = 293 K
∆f = 16 MHz
Veff = {4 * 1.3 * 10-23*106 * 293 * 16 * 106}0,5 = 16 µV
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• o ruído de um diodo que é dado por:

Ieff2 = 2qIo∆f
em que: q é a carga do elétron;
Io é a corrente de polarização do diodo.
As fontes de ruído nos componentes ativos (transistores, amplificadores operacionais)

são modeladas por fontes de tensão ou corrente; estes modelos permitem quantificar o efeito
dos ruídos de acordo a instalação. Elas são em particular consideradas na concepção de
amplificadores de pequenas sinais.
3 Interferências eletromagnéticas
Quando duas partes de um sistema (ou dois sistemas separados) apresentam, cada um,
um sinal, o sinal de um deles gera no outro um sinal indesejável, então se diz que há
interferência eletromagnética.
Estamos então em presença:

- de um sistema gerador de ruído;
- de um sistema perturbado (no canal de medição);
- de um acoplamento entre os dois sistemas prévios.
No nível de concepção do canal de medição, é necessário analisar as diferentes fontes

de ruído, a natureza e a importância. A redução destes ruídos não só deve ser feita
simultaneamente ao nível do sistema perturbado, mas também ao nível da fonte de ruído e
dispositivos de acoplamento.
Serão estudados três tipos de interferências:

- acoplamento capacitivo por campo elétrico E;
- acoplamento indutiva por campo magnético H;
- acoplamento por condução.
3.1 Acoplamento capacitivo
3.1.1 Determinação do problema
Este acoplamento é gerado pelo campo elétrico. Um exemplo simples é mostrado na

figura .1: o condutor 1 é considerado como a fonte de ruído, o condutor 2, que faz parte do
sistema de medição, é perturbado pela fonte de ruído. O condutor 1 é levado ao potencial V1
em relação à massa. Cl2, Clm, C2m são as capacitâncias parasitas. A figura 1 mostra que a
tensão de ruído V2 criada no condutor 2 é igual a:
V2 = V1 C12 × 1 (1)
C12 +C2m 1+ 1
Rp(C12 +C2m )
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Este acoplamento é como se houver um filtro passa-alta em que a freqüência de

ressonância é igual a:
wo = 1 / [R * (Cl2 + C2m)]
Figura 1 – Acoplamento capacitivo entre dois condutores
A tensão V2 é máxima quando w >>wo.
Na maioria dos casos, tem-se:
R << 1 / [ p * ( C l 2 + C 2 m)]
e a equação (1) se reduz então a:
V2 = p * R * Cl2 * V1 (2)
Figura 2 – O acoplamento é máximo em altas freqüências.
Exemplo numérico:
R = 50 Ω, C12 = 50pF, C2m = 150 pF
V1 = 10 Volts, f = 100 kHz
1 / [w * (C12 + C2m)] = 1 / [2 * π * 105 * (50 + 150) * 10-12 = 8 * 103 Ω
com estes dados: R << 8 * 103 Ω
A tensão parasita gerada no condutor 2 é igual a:

V2 = 2 * π * 105* 50 * 50 * 10-12 * 10
V2 = 15.7 mV
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A equação (2) mostra que a amplitude da tensão de ruído V2 é proporcional à

freqüência da fonte V1, à capacidade C12, à resistência R e à amplitude V1.
Em geral a resistência R é imposta pelo sistema de medição incluído o condutor 2, a

redução do acoplamento tem que passar pela redução da capacidade C12. Esta solução conduz
a:
- a separação dos dois condutores 1 e 2;
- e a proteção do condutor perturbado por uma blindagem.
3.1.2 Separação dos dois condutores:
Esta solução é pouco eficiente e difícil de realizar na prática. Supondo que os dois
condutores têm as seções circulares de diâmetros d.
E fácil de mostrar que a partir de uma distância de D ≥ 40d * d a redução da

capacidade C12 é insignificante.
Figura 3 – Capacitor formado por dois condutores cilíndricos
3.1.3Proteção por uma malha metálica
O condutor 2 é protegido por uma malha metálica (cabo blindado). A figura 4 mostra
em detalhe todas as capacitâncias em jogo. Para simplificar, vamos supor que R não existe (a
resistência de R é infinita).
Figura 4 – Proteção do condutor 2 por malha
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Por efeito das capacitâncias C1e, e Cem., a malha é levada então ao potencial Vem em
relação à massa:
Vem = V1 * [C1e / (C1e + Cem)] (3)
Par que Ce2 não se carregue, a tensão entre seus bornes deve ser nula, ou seja:
Vem = V2
quer dizer:
V2 = V1 * [C1e / (C1e + Cem)] (4)
A eficiência da proteção da malha metálica praticamente inexistente. É indispensável

anular a tensão Vem da malha metálica, para ter-se uma proteção eficaz: a malha metálica deve
ser conectada à massa para curto-circuitar a capacidade Cem.
Entretanto, nas realizações práticas, pode existir um acoplamento residual nas

extremidades onde o condutor central não é cercado completamente pela malha metálica
(figura 5).
Figura 5 – Acoplamento residual nas extremidades dos condutores.
Conectando a malha metálica à massa curto-circuita a capacitância Cem, coloca Ce2 em

paralelo com C2m, e o potencial do condutor 2 torna-se:
- para R >> 1 / w * (C12 + C 2m +Ce2)
V2 = V1 * [C12 / (C12 + C 2m + Ce2)] (5)
- para R << 1/w(C12 + C 2m + Ce2)
V2 = j * w * C12 * R * V1 (6)
Exemplo numérico:
R = 50 Ω, V1 = 10 volts, f = 100 KHz
C12 = 2 pF. {o comprimento do condutor não protegido pela malha metálica é
desprezível)
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A tensão parasita V2 é atenuada pela malha metálica conectada à massa, mas ele não é
nula por causa do acoplamento residual:
V2 = j * w * C12 * R * V1
| V2 | = 630 µV
3.2 Acoplamento indutivo

3.2.1 Determinação do problema
Este acoplamento é gerado pelo campo magnético.
Uma indução magnética senoidal B induz em uma bobina fechada de superfície de S

uma tensão igual a:
V2 = p * B * S*cos Θ (7)
em que: Θ é o ângulo entre a direção de B e a normal a S. No ar, B é proporcional ao campo

magnético H. A corrente I1 no condutor 1 gera ao redor deste um campo H (figura 6), e ele
induz no condutor 2 um f.e.m. :
V2 = p * M * I1 (8)
A indutância mútua M depende da configuração dos dois condutores. Deve-se lembrar

que cada condutor é caracterizado pela sua própria indutância. A figura 6 representa o modelo
simplificado do sistema estudado que abrange:
- o condutor 1, perturbador, no qual circula a corrente I1,
- o condutor 2, perturbado, ( pode ser uma canal de medição onde a fonte do sinal útil é
suposta nula ) pela presença do f.é.m induzida V2.
Figura 6 – Acoplamento indutivo
A redução da perturbação tem que acontecer a dois níveis:

- limitar as radiações ao nível do condutor perturbador
- proteger o condutor perturbado contra radiações.
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3.2.2 Limitação das radiações do condutor perturbador
Para reduzir o campo radiado pela corrente I1 no condutor 1, é suficiente fazer circular
no condutor 1’, perto do precedente uma corrente, I’1 idêntica I1 porem com sentido inverso
(figura 7).
Figura 7 – Limitação do campo gerado por I1
O princípio ilustrado pela figura 7 leva a realizar na prática o retorno da corrente I1 do

condutor 1 em um condutor colocado perto do condutor 1 com ajuda de um cabo blindado ou
de dois fios trançados. A carga Rch deve ser isolada em relação à massa ( figura 8), ou a fonte
V1 deve ser isolada em relação à massa (figura 9).
Figura 8 – Retorno da corrente I1 com carga isolada da massa.
Figura 9 – Retorno da corrente I1 com fonte isolada da masa.
Observação: Caso a fonte e a carga não possam ser isoladas em relação à massa, a
figura 10 mostra que a corrente Ie que atravessa a malha é inferior a I1.
O diagrama equivalente da figura 10b permite escrever:

(Re + j Le * w) * Ie = j * w * M * I1 com M = Le (em um cabo coaxial)
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Ie = [ j * w * M / ( Re + j * Le * w ) ] * I1
Ie = [ j * w / ( j * w + Re / Le ) ] * I1 (9)
A corrente Ie aumenta com a freqüência; admitindo-se que Ie = I1 para

w > = 5 * Re / Le
(a) (b)
Figura 10 – Conexão da blindagem à massa nos dois extremos.
O campo magnético gerado por I1 é compensado somente para as freqüências elevadas.
3.2.3 Proteção do condutor perturbado contra radiações
A expressão (7) sugere duas soluções:

- orientar os circuitos para diminuir o termo cos Θ
- reduzir a superfície S da bobina formada pelo condutor.
A redução da superfície S pode-se conseguir com ajuda de um fio trançado ou um cabo

blindado (figura 11). Aqui novamente, tem-se os mesmos problemas que no anterior:
- a proteção é eficiente se pudermos isolar um das duas extremidades (a fonte ou a carga)
em relação à massa para suprimir a superfície S fechada criada pelo condutor e a massa.
- se as duas extremidades são postas à massa, a proteção não pode ser eficiente para as
freqüências elevadas (w >> Re/ Le)
Figura 11 – A conexão a massa das duas extremidades reduz a eficiência da proteção.
A primeira solução que consiste em orientar os circuitos para diminuir o termo cos Θ
Nem sempre é possível na prática.
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3.3 Acoplamento através de condução
3.3.1 Generalidades
Sabendo que todo condutor se comporta como uma resistência em série com uma certa
indutância, toda passagem de corrente no condutor gera uma tensão em seus terminais. Pode-
se imaginar perturbações criadas pela circulação de correntes em cabos de ligação, em malhas
metálicas e em ligações entre as massas locais.
Deve-se distinguir bem a massa e a terra:

- A massa é um ponto ou um plano equipotencial que serve de referência de tensão em um
sistema. Se ele está sobre um plano de massa, é necessário que este plano seja de um material
de resistência muito baixa para minimizar diferenças de potencial criadas pela passagem das
várias correntes do sistema.
- A terra constitui um plano equipotencial real; ela permite concretizar uma massa elétrica
muito comodamente, para medições em lugares distantes. Porém é necessário assegurar que o
acesso para a terra através dos eletrodos não leve a uma impedância de terra muito elevada (
uma impedância boa de terra não deve passar 0.1 Ω).
3.3.2 Instalação de um cabo de terra
3.3.2.1 Importância do cabo de terra:
O cabo de terra possibilita a diferentes usuários usar uma referência comum. A

presença dele é então indispensável para os estabelecimentos (laboratórios, edifícios) nos quais
existem vários dispositivos de medida. Mas o cabo de terra também constitui um elemento de
segurança.
- Proteção contra o risco de eletrocussão:

As carcaças dos dispositivos são conectados a terra, assim no caso de defeito ( baixa tensão da
carcaça ), uma corrente importante circula no cabo de terra ( por causa da impedância muito
baixa ) e aciona um dispositivo de proteção ( por exemplo: fusível ).
- Proteção contra o risco de descargas elétricas (raios):

Do mesmo modo, em um edifício, as partes metálicas principais são conectadas a terra para
evitar a aparição de grandes diferenças de potencial. Pelas mesmas razões, os pára-raios são
conectados a terra.
3.3.2.2 Regras para instalação:
Um circuito de terra é composta por 3 elementos:

1 . - os pontos de aterramento : que é o lugar de contato elétrico entre terra e a instalação
elétrica a proteger. De sua realização depende a qualidade do contato elétrico ( a impedância
de terra ).
2 . - a malha de condutores de massa ou terra que distribuem o potencial zero perto de
todos os equipamentos instalados.
Pag nº 10
3 . - por ultimo, no caso de edifícios ligados por cabos elétricos (cadeia de sensores de
instrumentação, telecomunicações...) e que cada um tem seu próprio circuito de terra, estes
circuitos de terra devem ser unidos entre eles por um condutor espesso.
De acordo com o tamanho da instalação, riscos de descargas elétricas (isso é por

exemplo maior para torres e edifícios muito altos) e a natureza de terra, o cabo de terra pode
ter várias hastes de terra. Mas é imperativo que todos os eletrodos estejam unidos entre se.
A impedância exata do poço de terra depende de sua realização, eventualmente da

forma dos condutores (cilindro vertical, ou condutor horizontal enterrado em forma de prato
ou barra linear... ), e da resistividade da terra sob o qual é construído a instalação.
A titulo de exemplo, para uma haste de terra vertical (figura 12), tem-se:
R = 0, 366 *( ρ / L )* log ( 3 * L / d )
A resistividade ρ da terra varia entre 30 Ω (para uma terra pantanosa) e 3000 Ω (terra
pedregosa).
Para uma resistividade de 1000 Ω (pedregulho seco), o cálculo para a resistência da

haste de terra vertical:
• 330 Ω para um comprimento L = 3 m,
• 165 Ω para um comprimento L = 6 m
(para um diâmetro da haste de poucos centímetros)
Figura 12 – Poço de terra vertical
Os valores de resistência aceitáveis para um poço de terra são fixados por normas, e
elas dependem das instalações. Tem-se por exemplos os seguintes valores:
Para a segurança do pessoal

• Terra para instalações equipadas com disjuntor diferencial
650 mA: R ≤ 37 Ω
300 mA: R ≤ 580 Ω
(Norma NFC 15 100)
• Terra para para-raio: R ≤ 10 Ω
Para os equipamentos de informática
• Terra para computador: R ≤ 5 Ω (de acordo com o manual do fabricante IBM, NCR,
BULL)
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Alguns dos valores citados permitem destacar o fato que a realização de um cabo de
terra deve ser feita com muito cuidado (em particular, quando é necessário realizações de
performance maior que a de um simples haste vertical de Terra).
3.3.3 Conexão entre as massas
Em um sistema de medição, o sinal útil é estimado em relação à massa. Em alguns

sistemas importantes os pontos de massa podem ser diferentes.
Os três exemplos da figura 13 permitem pôr em evidência as precauções a tomar para a

realização da massa comum.
Conexão (a) : É a estrutura mais comum utilizada nos sistemas eletrônicos. Ela é a mais
simples. As massas locais estão a potenciais diferentes da massa principal (0 volt). O erro
provocado por este potencial é considerável em medições de tensões de baixo nível. O
potencial de uma massa local depende de todos os sistemas.
Conexão (b) : Os sistemas são conectados diretamente à massa principal; as conexões são
independentes. Pode-se ver que para os subsistemas que tem os fios de ligação muito
compridos, a queda de tensão entre os extremos é importante. Este tipo de ligação deve ser
utilizado só em sistemas de tamanho reduzido.
Conexão (c) : Para freqüências elevadas, é essencial evitar a acoplamento indutivo gerado
pelos fios compridos. A partir de alguns megahertz, as placas eletrônicas têm que usar
conexões do tipo (c). A impedância do plano de massa é muito pequena, além este plano
geralmente é prateado, porque a superfície representa um papel importante por causa do
“efeito pelicular”.
Figura 13 – Diferentes conexões de massa
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3.3.4 Conexão da blindagem à massa
3.3.4.1 Corrente de massa
Quando as massas locais não estão ao mesmo potencial, a conexão da blindagem à

massa provoca a existência de um “loop” de massa atravessado por uma corrente (figura 14)
Consideremos, como um exemplo, um sensor de resistência interna Rc que entrega uma

f.e.m. Vc para um amplificador A através de um cabo blindado (figura 15). A blindagem de
condutor é atravessado pela corrente de massa Im que induz entre os bornes de entrada do
amplificador uma tensão de entrada parasitária igual a:
Vm = Im * Re
que é somada à tensão de entrada útil devido a Vc ( Re é a resistência da blindagem ). É então
necessário ter muito cuidado ao se conectar a blindagem à massa para ' cortar ', se é possível, o
caminho da corrente de massa.
Figura 14 – Corrente de massa Im devido a tensão IM1M2
Figura 15 – Influência da corrente de massa
3.3.4.2 Fonte do sinal isolado em relação à massa
Consideremos a instalação da figura 16: A fonte do sinal está conectado ao

amplificador através de dois fios, e estes dois fios estão protegidos por uma blindagem. As
duas massas M1 e M2 não estão no mesmo potencial. O ponto comum C do amplificador esta a
um potencial VCM2 em relação à massa M2.
Pretende-se estudar as diferentes formas de conexão da blindagem à massa para evitar

a influência da corrente de massa. Suponhamos Vc = 0.
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Primeira solução: Unindo BM1, as capacitâncias formadas entre os dois condutores e a

blindagem são representados por C1, C2 e C3. É como se fosse aplicada entre os bornes de C3
a soma das tensões VCM2 + VM1M2. O divisor capacitivo C1, C2 fornecera à entrada do
amplificador uma tensão parasitária igual a:
Ve = [ C1 / (C1 + C2 ) ] * (VCM2 + VM1M2 )
Figura 16 – Exemplo de conexão da blindagem à massa
Segunda solução: Unindo DM2, a tensão parasitária é fornecida por:

Ve = [ C1 / (C1 + C2 ) ] * VCM2
Terceira solução: Unindo CD, a tensão entre os bornes de C3 é nula. A tensão nos bornes
de entrada do amplificador também é anulada:
Ve = 0
Pode-se notar que o conexão AB não é desejável porque as correntes induzidas na

blindagem através de acoplamentos capacitivo e indutivo pode dar espaço às tensões
parasitárias, em série com o sinal útil porque eles podem atravessar esta conexão para retornar
à massa.
Numa instalação em que a fonte do sinal é suposta ‘flutuante’, só o amplificador é

referenciado em relação à massa pela tensão VCM2 . O que acontece se a fonte é referenciada à
massa e o amplificador é isolado?
3.3.4.3 Amplificador isolado em relação à massa
A figura 17 mostra o caso onde o amplificador é ' flutuante' e a fonte do sinal é

referenciada em relação à massa, a conexão a fazer será de AB. Embora o ponto A esteja
elevado a um potencial VAM1 em relação a M1 não vai haver problema porque o caminho da
corrente de massa está cortado.
3.3.4.4 Fonte do sinal e amplificador referenciados em relação à massas diferentes
Neste caso, tem-se que unir a blindagem à pontos de massa.
Se a conexão de massa gera alguns erros importantes, os erros tem que ser eliminados
com a utilização de um transformador de isolamento, um acoplador ótico ou uma estrutura
diferencial simétrica.
Pag nº 14
Neste capítulo, o estudo se limita para a pesquisa da última solução.
Figura 17 – Conexão da blindagem à massa com amplificador flutuando
3.3.5 Estrutura diferencial simétrica
Princípio:
A figura 18 dá um exemplo da configuração diferencial simétrica. Mostra-se a seguir
que os efeitos de acoplamento (capacitivo, indutivo e por condução) podem ser eliminados
perfeitamente.
Figura 18 – Eliminação das tensões parasitas por estrutura simétrica.
Efeito de acoplamento capacitivo:

As tensões parasitárias introduzidas pela fonte V3 às entradas do amplificador são:
VA = V3 * [ Z L 1 / ( Z L 1 + 1 / C 3 l * p)]
e VB = V3 * [ Z L 2 / ( Z L 2 + 1 / C 3 2 * p) ]
Como C 3 l = C 3 2 e Z L 1 = Z L 2 para uma estrutura simétrica, tem-se
VA - VB = 0
Efeito de acoplamento indutivo:

As tensões V1 e V2 induzidas por este acoplamento estão em série com as fontes do
sinal, por simetria as correntes geradas por V1 e V2 são iguais, tem-se novamente:
VA - VB = 0
Efeito de acoplamento por condução:

A tensão VM entre a massa da fonte e do amplificador (carga) não influencia nas
entradas VA e VB.
Pag nº 15
Se o sistema é perfeitamente simétrico, VA e VB são determinados somente pelas

fontes de sinais úteis VS1 e VS2.
3.3.6 Tensão de modo comum
Em uma estrutura simétrica, a simetria deve ser assegurada de um lado pelo

amplificador diferencial e por outro lado pelo circuito de medição.
3.3.6.1 Rejeição de modo comum de um amplificador diferencial
Consideremos o amplificador diferencial da figura 19. Ele apresenta duas entradas e

duas saídas isoladas em relação à massa. Definindo:
- a tensão diferencial de entrada

Vid=Vi2-Vil (10)
- a tensão de entrada de modo comum:
Vic=(Vi2+Vil)/2 (11)
Na prática, tem-se que Vo2 = 0, a tensão de saída se reduz a V o = V o 1:
Figura 19 – Amplificador diferencial
Um amplificador ideal é caracterizado por:

Vo = G * ( V i 2 - V i l ) (12)
sendo G um coeficiente de proporcionalidade (ganho).
A assimetria do dispositivo faz que os sinais de entrada sejam amplificados

diferentemente, pede-se escrever a tensão de saída da forma geral seguinte:
Vo=A2*Vi2- Al*Vil (13)
De expressões (10) e (11), pode-se escrever:

Vi2 =Vic+Vid/ 2
e Vil =Vic - Vid/ 2
Expressemos V o em função a V i c e V i d:
V o = A2 * ( V i d / 2 + V i c ) - A1 * ( - V i d / 2 + V i c )
V o = (( A2 + A1 ) / 2) * V i d + (A2 - A1 ) * V i c
V o = ((A2 + A1 ) / 2) * { V i d + 2 * [[(A2 - A1 ) / (A2 + A1 )]] * V i c } (14)
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Definindo o ganho de tensão de modo diferencial por:

G d = (A2 + A1 ) / 2 (15)
Como Vid é o verdadeiro sinal de entrada, a equação (14) apresenta um termo de erro
dado por:
2 * [(A2 - A1 ) / (A2 + A1 )] * V i c (16)
que caracteriza a taxa de rejeição de modo comum TRMC:

TRMC = (A2 + A1 ) / [2 * (A2 - A1 )] (17)
Com esta definição, a tensão de saída pode ser escrito como:

V o = G d * [V i d + ( 1 / TRMC) * V i c ] (18)
A rejeição será efetiva se o ganho de modo comum do amplificador:

G c = A2 - A1
é inferior ao ganho de modo diferencial.
Um amplificador diferencial ideal é caracterizado por:

A2 =A1
para o qual TRMC = ∞

Com estes novos parâmetros, é possível de modelar um amplificador diferencial pelo
diagrama da figura 20.
Figura 20 – Modelo de um amplificador diferencial.
3.3.6.2 Influência da assimetria das impedâncias de fontes e de entrada
Independentemente da taxa de rejeição própria do amplificador, o diagrama da figura

21 permite expressar:
Vi d = - Vi 1* [Z CH//(Zd + ZCB // Rs 2)] /{Rs 1+[ZCH // (Zd+ZCB // Rs 2)]} +
Vi 2 * [ZCB // (Zd +ZCH // Rs 1)] /{Rs 2+ [ZCB //(Z d+ ZCH // Rs 1)]}
Supondo ZCB = ZCH >> Z d e ZCB = ZCH >> R s 1 e R s 2 ; tem-se:

Vi d = -Vi1* (Zd +Rs2) / (Rs1 + Zd) +Vi2 * (Zd + Rs1) / (Rs2 +Zd)
Se a tensão útil, que é a tensão de diferencial, é nula, tem-se:

Vi2 -Vi1 = 0 logo Vi1=Vi2=Vic
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a tensão de saída deveria ser também nula, porém pode-se notar a existência de um termo de
erro:
V i d = {[(R s1 + Zd)2 - (R s2 + Zd)2] / [(R s2 + Zd) * (R s 1 + Zd)]} * Vi c
Vi d = {[(2 *Zd +R s1 + R s2)*(R s1 + R s2)] / [(R s2 + Zd) *(R s1 + Zd)]}*Vi c (19)
Supondo Z d >> R s 1 e Z d >> R s 2, então:

Vi d = [2* (R s1 - R s2) / Z d] * Vi c
É possível definir o ganho de tensão de modo comum:

G c = V o / V i c = 2 * G d * (R s 1 - R s 2) / Z d
Figura 21 – Assimetria das impedâncias das fontes de entrada
e a taxa de rejeição de modo comum:

TRMC = G d / G c = Z d / [2 * (R s 1 - R s 2)]
Esta taxa permite estimar a assimetria do circuito de medição. Ela geralmente é

expressada em dB:
TRMC = Gd / Gc = Zd / [2*(R s1 - R s2)] (20)
TRMC = 20 * log 10 { Zd / [2*(R s1 - R s2)]} em dB (21)
Exemplo numérico:
Z d = 100 MΩ, ∆R s = R s 1 - R s 2 = 1000 Ω
TRMC = 20 * log 10 [(100 * 10 6 ) / (2 * 10 3 )] = 94 dB
Uma simetria perfeita do circuito de medição corresponderia a uma taxa infinita.
3.3.6.3 Influência dos cabos blindados
As fontes de sinais podem ser conectadas ao amplificador com ajuda de um cabo

blindado. As capacitâncias parasitárias entre os bornes de entrada do amplificador e a massa, e
as capacitâncias do cabo são modelados na figura 22. A diferença entre a capacitâncias C1 e C2
constituem a causa da assimetria do circuito de medição.
Suponhamos R s 1 = R s 2 = R s, a tensão de diferencial de entrada é então igual a:
Vi d = Vi 2 * 1 / (1 + R s * C 2 * p) - Vi 1 * 1 / (1 + R s * C1 * p)
Se Vi 1 = Vi 2 = Vi c
então:
Pag nº 18
Vi d = {[R s * (C1 - C2) * p] / [(1 + R s * C1* p) * (1 + R s * C2 * p)]} * Vi c

logo
G c = G d * Vi d / Vi c
e
TRMC =Vic / Vid = [(1+R s*C1* p)*(1+ R s*C2*p)] / [R s*(C1-C2)*p] (22)
Figura 22 – Assimetria devido capacitores parasitas.
Exemplo numérico:
R s = 10 KΩ, C1 = 110 pF, C2 = 100 pF
f = 150 Hz, tem-se:
R s * C1 * w e R s * C2 * w << 1 e
TRMC = 1 / [R s * (10 * 10 -12) * 2 * π * 150] = 1 / 10 -4
TRMC = 80 dB
A redução do efeito da tensão de modo comum requer um particular cuidado na

conexão da blindagem para a massa.
Quando se deve medir tensões de baixo nível em presença de uma tensão de modo
comum alta, é necessário usar outros circuitos que serão estudados mais adiante.
3.3.7 Desacoplamento das fontes de alimentação
3.3.7.1 Generalidade
Nos sistemas eletrônicos de medição, é freqüente encontrar vários circuitos que são
alimentados por única uma fonte de tensão contínua. O acoplamento entre estes circuitos é
uma fonte de ruído do canal de medição.
Figura 23 – Distribuição de potência de alimentação
Pag nº 19
Uma alimentação estabilizada ideal tem que ter uma impedância interna nula. Na
prática esta impedância interna não é nula e é somada às impedâncias da linha de distribuição
caracterizadas pelos parâmetros RT, CT, LT. A impedância característica é:
Z c= LT
CT
No caso de uma variação rápida da corrente absorvida pelo circuito (exemplo:

comutação de uma porta lógica), nos bornes do circuito tem-se uma variação de tensão dada
por:
∆V = Z c * ∆I (∆I é a variação de corrente)
Esta perturbação é suscetível de se propagar e perturbar os circuitos vizinhos.
Para minimizar esta perturbação, é necessário utilizar linhas de alimentação de baixa

indutância e alta capacitância. Geralmente são utilizados condutores planos de baixa
espessura. A solução mais efetiva consiste em utilizar dois condutores planos paralelos (figura
24). Com esta estrutura às impedâncias características são muito baixas (da ordem de 2 a 3 Ω).
A seguir vamos ver os dispositivos que permitem proteger circuitos destas perturbações:
Figura 24 – Impedância característica de dois condutores planos e paralelos
3.3.7.2 Filtragem
Isola-se os circuitos alimentados pela mesma fonte de tensão separando-os por um

filtro geralmente passa-baixa (normalmente em uma placa de aquisição, as freqüências dos
sinais úteis são muito menores às dos sinais lógicos presentes na placa como por exemplo os
sinais de “clock”).
Estes filtros anti-parásitas apresentam as dificuldades de realização seguintes:

• Nem sempre há adaptação de impedância, porque em geral não se conhece com
exatidão as impedâncias de linhas que transmitem o sinal a filtrar.
• os níveis de tensão do sinal útil, e sinais à eliminar são muito diferentes.
• as bandas da freqüência à atenuar são freqüentemente importantes.
Utilizando filtros L-C ou R-C sabe-se que:

• com filtros R-C, tem-se uma perda da energia útil nas resistências.
• com filtros L-C, é necessário evitar radiação eletromagnética gerada pelas indutâncias.
Pag nº 20
A titulo de exemplo: a figura 25 mostra alguns filtros passa-baixa anti-parásitas L-C, de

acordo com as impedâncias da linha e o sistema a proteger.
Figura 25 – Filtros alti-parasitas.
3.3.7.3 Desacoplamento dos circuitos
Durante a comutação de um circuito tem-se correntes elevadas. Para evitar injetar uma
perturbação na alimentação, é necessário reduzir a impedância interna da alimentação a nível
dos circuitos inserindo-se os capacitores de desacoplamento.
O desacoplamento consiste em todo caso (circuitos lógicos ou analógicos) em estudar

o trajeto do sinal e desacoplar com capacitores a parte deste trajeto, nos cabos de alimentação.
Impede-se também que os sinais parasitas (alta-freqüência) não circulem nos cabos de
alimentação.
Para desacoplamento de freqüências elevadas ( > 100 kHz) usa-se capacitores de

cerâmica (de baixo valor), para freqüências mais baixas usa-se capacitores de tântalo (10 µF).
É importante notar que as linhas de massa digital são em geral muito ruidosos e
apresentam alguns picos de corrente importantes. É necessário então separar as linhas de
massa digital dos pontos comuns (COM) dos circuitos analógicos (figura 26).
Figura 26 – Separação dos pontos comuns analógicos e da massa digital.
Pag nº 21
Figura 27 – Rejeição de ruído com ajuda de um amplificador de instrumentação
Em certos casos, é possível usar um amplificador de instrumentação (I.A.) para

converter a tensão de ruído em tensão de modo comum que pode ser reduzida então pelo
amplificador graças a taxa de rejeição de modo comum elevada (figura 27)
Pag nº 22

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UNIVERSIDADE FEDERAL DA BAHIA

REDUÇÃO DE RUÍDO NOS

Prof. Amauri Oliveira

NELSON E. CAÑIZA BENÍTEZ

Redução de ruído nos sistemas de medição

O objetivo deste capítulo consiste em apresentar algumas grandezas mais importantes

2 Influência das principais grandezas do meio

2.1 Influência da temperatura

Para os componentes passivos, a temperatura influencia, não só nas propriedades

2.2 Influência da umidade.

Ela é a causa da variação da freqüência de “clock” (osciladores) dos sistemas de

2.3 Efeito termoelétrico

2.4 Ruídos internos dos componentes

• o ruído de um diodo que é dado por:

As fontes de ruído nos componentes ativos (transistores, amplificadores operacionais)

Estamos então em presença:

No nível de concepção do canal de medição, é necessário analisar as diferentes fontes

Serão estudados três tipos de interferências:

3.1 Acoplamento capacitivo

3.1.1 Determinação do problema

Este acoplamento é gerado pelo campo elétrico. Um exemplo simples é mostrado na

Este acoplamento é como se houver um filtro passa-alta em que a freqüência de

Figura 1 – Acoplamento capacitivo entre dois condutores

A tensão V2 é máxima quando w >>wo.

Na maioria dos casos, tem-se:

e a equação (1) se reduz então a:

Figura 2 – O acoplamento é máximo em altas freqüências.

A tensão parasita gerada no condutor 2 é igual a:

A equação (2) mostra que a amplitude da tensão de ruído V2 é proporcional à

Em geral a resistência R é imposta pelo sistema de medição incluído o condutor 2, a

3.1.2 Separação dos dois condutores:

E fácil de mostrar que a partir de uma distância de D ≥ 40d * d a redução da

Figura 3 – Capacitor formado por dois condutores cilíndricos

3.1.3Proteção por uma malha metálica

Figura 4 – Proteção do condutor 2 por malha

Vem = V1 * [C1e / (C1e + Cem)] (3)

V2 = V1 * [C1e / (C1e + Cem)] (4)

A eficiência da proteção da malha metálica praticamente inexistente. É indispensável

Entretanto, nas realizações práticas, pode existir um acoplamento residual nas

Figura 5 – Acoplamento residual nas extremidades dos condutores.

Conectando a malha metálica à massa curto-circuita a capacitância Cem, coloca Ce2 em

- para R >> 1 / w * (C12 + C 2m +Ce2)

V2 = V1 * [C12 / (C12 + C 2m + Ce2)] (5)

- para R << 1/w(C12 + C 2m + Ce2)

3.2 Acoplamento indutivo

Este acoplamento é gerado pelo campo magnético.

Uma indução magnética senoidal B induz em uma bobina fechada de superfície de S

em que: Θ é o ângulo entre a direção de B e a normal a S. No ar, B é proporcional ao campo

A indutância mútua M depende da configuração dos dois condutores. Deve-se lembrar

Figura 6 – Acoplamento indutivo

A redução da perturbação tem que acontecer a dois níveis:

3.2.2 Limitação das radiações do condutor perturbador

Figura 7 – Limitação do campo gerado por I1

O princípio ilustrado pela figura 7 leva a realizar na prática o retorno da corrente I1 do

Figura 8 – Retorno da corrente I1 com carga isolada da massa.

Figura 9 – Retorno da corrente I1 com fonte isolada da masa.

O diagrama equivalente da figura 10b permite escrever:

A corrente Ie aumenta com a freqüência; admitindo-se que Ie = I1 para

Figura 10 – Conexão da blindagem à massa nos dois extremos.

O campo magnético gerado por I1 é compensado somente para as freqüências elevadas.

3.2.3 Proteção do condutor perturbado contra radiações

A expressão (7) sugere duas soluções:

A redução da superfície S pode-se conseguir com ajuda de um fio trançado ou um cabo