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Prof. Celso
SISTEMA BÁSICO DE UM COMPUTADOR
Fonte de Alimentação
Disposi-
Reset DUTO DE DADOS tivos de
E/S
Memória Memória Porta
de CS CS de Paralela
Interrupção programa dados
CPU Porta
Serial
DUTO DE ENDEREÇOS
A/D D/A
Oscilador
Bloco
CS
de
Controle
3.1 - MEMÓRIAS
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2. Volatilidade: Voláteis: perdem as informações armazenadas com o corte da
alimentação (RAM).
Não voláteis: mantêm as informações mesmo sem a alimentação
(ROM).
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Voláteis: Informação desaparece quando cessa a alimentação.
- RAM
- SRAM
- DRAM
- SDRAM
Exemplos de:
Eprom
2764 (8k x 8)
27512 (64k x 8)
Rom
4732 (4k x 8)
Dram
4464 (64k x 4)
Sram
2114 (1k x 4)
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Pela figura anterior temos que, para endereçar uma memória de 8x4 precisamos de 3
linhas de endereço (A2, A1, A0) e 4 linhas de dados (D3, D2, D1, D0). Para calcular o
número de linhas de endereço, pode-se utilizar:
no exemplo 2x = 8
para calcular x, podemos usar o logaritmo na base 10 ou o logaritmo neperiano:
2x = 8
ln 2x = ln 8 pela propriedades dos logaritmos: ln yA = A. ln y
x.ln2 = ln8
x = ln 8 / ln2 => x = 2.0794415 / 0,6931471 => x = 3
Para endereçar 1024 posições de memória são necessárias: 2x = 1024 => x = 10 linhas
2o. exemplo: Construa uma memória de 16x8 (16 palavras com 8 bits cada palavra). O
endereço inicial dessa memória deve ser 0. Insira na posição 5H o dado 5FH, na posição 0H
insira F1H e na posição BH insira 8CH
Para construir a memória devemos saber:
Número de linhas de endereço: 2x = 16 => x = 4
Número de linhas de dados: 8
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teríamos:
endereço Palavra de dado
0H F1H
5H 5FH
BH 8CH
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3.4 - ASSOCIAÇÃO DE MEMÓRIAS
As memórias podem ser associadas para expandir sua capacidade de dados ou de
localizações. Se tivermos memórias de 256x4, podemos construir memória de 256x8,
fazendo a seguinte ligação:
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Utilizando a mesma memória de 256x4, podemos expandir sua capacidade de
armazenamento. A figura abaixo mostra duas memórias de 256x4 ligadas para construir
uma memória de 512x4.
RAM 1 RAM 2
1 – Selecionar os chips (CS = 0). Neste caso a linha A8 seleciona uma ou outra memória
2 – Selecionar o endereço (A7-A0) desejado
3 – Selecionar a operação de escrita(0) ou de leitura(1) (R/W)
4 – Se escrita: Aplicar os níveis desejados na barra de dados.
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Seleção da
Memória A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 HEX
A8
RAM 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 000
1 1 1 1 1 1 1 1 0FF
RAM 2 1 0 0 0 0 0 0 0 0 100
1 1 1 1 1 1 1 1 1FF
Consulta:
Idoeta – Cap.8
Malvino – vol.02 – cap.12
Bignell – vol.02 – cap. 16
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EXERCÍCIOS:
2) Desenhe uma memória de 8 x 8, dando os endereços das posições e insira nas posições
abaixo os seguintes valores:
posição 3H – valor: C3H
posição 5H – valor: 8BH
23H
25H
29H
5) Quantas linhas de endereço são necessárias para endereçar uma memória de:
128 bytes
128 Kbytes
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6) No trecho de memória da figura abaixo, forneça o conteúdo da posição 5A73H e
5A7AH
Como está organizada a memória? (isto é, quantas palavras dá para endereçar e quantos
bits por palavra a memória possui).
7) Suponha que você possua várias memórias de 128x4. Construa uma memória de 512x4.
Forneça os endereçamento de cada memória. Faça o decodificador para acionar cada chip
de memória (Chip Select).
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