Evolução Histórica dos Dispositivos Eletrônicos

GSI (> 109) Baixa potência

2000 Alta velocidade
Alta integração
ULSI (107 – 109)
CMOS
VLSI (105 – 107) Baixa potência
Alta velocidade
70 LSI (103 – 105 ) LSI Alta integração
10 anos
60 MOSFET Tecnologia do Silício
CI CI 30 anos Maior integração
50 bipolar 1o Transistor Circuitos a semicondutor

30 MOSFET Conceito de
MISFET Transistor Baixa Potência
20
20 anos
10 Triodo
Diodo Válvula 1o Circuitos Eletrônicos
1900

PSI/EPUSP
 J. E. LILIENFELD
DEVICES FOR CONTROLLED ELECTRIC CURRENT
Filled March 28, 1928

J.E.LILIENFELD

PSI/EPUSP
Inventores do transistor bipolar – 1948
 J. E. LILIENFELD
Evolução Primeiro
Histórica Circuito
dos Integrado – 1959
Dispositivos Eletrônicos
DEVICES FOR CONTROLLED ELECTRIC CURRENT
Filled March
GSI 28,9)1928
(> 10 Baixa potência
2000 Alta velocidade
ULSI (107 – 109) J.E.LILIENFELD
Alta integração
CMOS
VLSI (105 – 107) Baixa potência
Alta velocidade
70 LSI (103 – 105 ) LSI Alta integração
10 anos
60 MOSFET Tecnologia do Silício
CI CI 30 anos Maior integração
50 bipolar 1o Transistor Circuitosde
Oscilador de Deslocamento a Fase
semicondutor

30 MOSFET Conceito de
MISFET Transistor Baixa Potência
20
20 anos
10 Triodo
Diodo Válvula 1o Circuitos Eletrônicos
1900
 Primeiro Circuito Primeiro Amplificador
Integrado Lógico Operacional

1961 (Fairchild) 1961 (μA702 -Fairchild)

• Biestável (10 transistores) •Projetado por Robert Widlar
• Processo Planar (Robert Noyce) • Sucesso comercial da Fairchild
•Diâmetro de 1,5 mm • Possui 12 transistores,
5 resistores e ganho 7000
Um Exemplo da Revolução da Microeletrônica

36 anos
Intel 4004 (1970) Dual Core (2006)
108kHz (NMOS) X ~60.000 >3,0GHz (CMOS)
2.300 transistores 1.328.000.000 transistores
10μm, 13mm2 65nm, 435mm2
 LEI DE MOORE – (Gordon Moore – Intel)
O número de componentes dobra a cada ~18 meses!

Dados de 1975
Dados de 1965
Circuitos MOS Dual core
Transistores por pastilha

Projeção em 1975
Memória
Microprocessador

Ano Fonte : Intel, ISSCC

Dispositivos da Tecnologia MOS

n p

NMOS PMOS
VDS > 0 VDS < 0
VGS > VTN VGS < VTP
VTN > 0 VTP < 0
 Tecnologias MOS
TECNOLOGIA NMOS (INTEL4004):
- Apresentava simplicidade de processo;
- Alta velocidade;
- Alta densidade de integração.
Cavidade N FATOS NOVOS NA DÉCADA DE 80, COM A
Substrato P
DIMINUIÇÃO DE TAMANHO:
- A tecnologia nMOS tornou-se complexa;
Entrada VDD - A tecnologia CMOS tornou-se veloz;
- CMOS aumentou sua densidade de integração;
GND - A potência total dissipada em nMOS ficou elevada.
Entrada
TECNOLOGIA CMOS (DUAL CORE):
- Apresenta baixo consumo de potência
-Tem alta imunidade a ruídos

GND Saída VDD - Atualmente, mais que 80% do mercado mundial de

CIs corresponde à CMOS
 Evolução dos processos de fabricação
Fonte: International Roadmap for Semiconductors (ITRS)
Ano 1980 1984 1987 1990 1993 1996 1999 2001 2003 2005 2007 2010 2013

L 2μm 1,25μm 1,0μm 0,8μm 0,6μm 0,35μm 0,18μm 0,13μm 90nm 65nm 45nm 32nm 22nm
Lg 1,2μm 1,0μm 0,9μm 0,7μm 0,5μm 0,30μm 0,13μm 70nm 50nm 35nm 25nm 15nm 10nn
DL (mm) 75 100 125 150 200 200 200 300 300 300 300 450? 450?
2
Achip (mm ) 30 40 50 90 140 200 350 500 600 660 750 750 750

Xj (μm) 0,5 0,3 0,25 0,2 0,15 0,1 0,06 0,04 0,025 0,02 0,02 SOI? SOI?
EOT (nm) 45 25 20 15 10 7 2,8 1,6 1,2 0,9 0,7 0,6 0,5

VDD (V) 5 5 5 5 2,5 1,8 1,5 1,2 1,2 1,1 1 0,9 0,8

Achip
Tecnologia L

Si-Poli

DL
EOT
Lg xj
 ... E o escalamento do transistor continua !!!!!

22nm
32nm
45nm

65nm

Lg = 10nm
90nm Lg = 15nm 2013
Lg = 25nm 2010
2007 100
~ 30% a cada 2 anos
Lg = 35nm
Lg (nm)

2005 10

Lg = 50nm
2003 1
Xinag, ECS 2004, AMD
2000 2005 2010 2015 2020
Estado da Arte

Geração tecnológica de 22nm

LG = 10nm
VDD = 0,8 V 35nm

EOT = 0,5nm

Baixa constante dielétrica

Fábricas :
Cobre
Intel, ...
Próximas etapas na história do chip:
 Tendência atual:
aumento de funcionalidade do chip

Integração horizontal

Escalamento

Da integração vertical para a integração horizontal

Fonte: IMEC
 Um salto de qualidade:
Sistemas em chip (System on a Chip – SOC)

Guias de Detetores Dispositivos

onda ópticos spintrônicos CMOS/BiCMOS

Moduladores
ópticos

RTDs,dispositivos
monoelétron

Componentes de RF

Eletrônica molecular,
sensores
Fibra óptica