Cristalografia Estrutural

Carlos Baslio Pinheiro Departamento de Fsica - UFMG

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Cristalografia - Carlos B. Pinheiro

2/17/11

Tamanho de cristalito
20-1500 (0,15 m)

0,2-20 m

> 40 m

200 m

1 mm

Cristalizao
A obteno de monocristais de adequados um gargalo na elucidao de novas estruturas.

Cristais adequados signicam: altamente ordenados difratam a alta resoluo (< 0.8 ) tamanho 0.1mm a 0.5 mm (!)

Cristalizao

Cristalizao
Cristalizao

Temperature

Cristalizao
Cristalizao Resfriamento lento Concentrao: perda se solvente Difuso de solvente Difuso de reagente Si#ng e hanging drop

Cristalizao
Resfriamento lento Concentrao: perda se solvente Difuso de solvente Difuso de reagente Si#ng e hanging drop

Cristalizao
Resfriamento lento Concentrao: perda se solvente Difuso de solvente Difuso de reagente Si#ng e hanging drop

Cristalizao
Resfriamento lento Concentrao: perda se solvente Difuso de solvente Difuso de reagente Si#ng e hanging drop Crescimento de faase lquida Etc

Difrao de monocristais
Lei de Bragg

2dsen=nl

Interpretao de Ewald

Difrao de monocritais
Difrao de monocristais

Difrao de monocritais

Difrao de monocritais

Difrao de monocritais

Difrao de monocritais

Reduo de dados I(h)=k.LP().A.g|F(h)|2

k = fator de escla LP() =Lorentz Polarizao A=Fator de correo g= extino secundria |F(h)|2=mdulo do fator de estrutura

Reduo de dados I(h)=k.LP().A.g|F(h)|2

K Reete caractersWcas globais do experimento: intensidade do feixe, tamanho da amostra, SensiWvidade do detector, constantes [sicas.

Reduo de dados I(h)=k.LP().A.g|F(h)|2

LP()
Depende do ngulo de difrao (Polarizao) e da geometria de difrao (Lorentz) - neste Caso leva em conta o tempo que a reexo Permanece em condio de difrao.

Reduo de dados I(h)=k.LP().A.g|F(h)|2

A ti e td so caminhos percorridos pelo feixe incidente e difratado na amostra. coeciente de absoro (depende do Wpo atmico e da radiao)

Reduo de dados I(h)=k.LP().A.g|F(h)|2

g ExWno primria (reduo do feixe difratado ao penetrar na amostra) e secundria (reduo do feixe difratado devido ao espalhamento mlWplo). Variam de amostra para amostra.

Reduo de dados I(h)=k.LP().A.g|F(h)|2

|F(h)|2 Mdulo do fator de estrutura ao quadrado. Funo real, fases inexistentes, logo, no podemos reconstruir objeto difrator apenas com transformadas de Fourier inversas.

Fator de Estrutura
F(h)= F [(r)cristal] F(h)= jfj(h)T(h)exp(2i h.rj) F(h)= jfj(h)exp(-22hUjht)(h)exp(2i h.rj)

U=

U11 U12 U13 U21 U22 U23 U31 U32 U33

Fator de Estrutura / Fator de Forma

F(h)= jfj(h)exp(-22hUjht)(h)exp(2i h.rj)

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Cristalografia - Carlos B. Pinheiro

2/17/11

Fator de Estrutura
F(h)= F [(r)cristal] F(h)= jfj(h)T(h)exp(2i h.rj) F(h)= jfj(h)exp(-22hUjht)(h)exp(2i h.rj)

tomo esfrico:
(r) = (r) fj(2sin()/)

Fator de Estrutura
F(h)= F [(r)cristal] F(h)= jfj(h)T(h)exp(2i h.rj) F(h)= jfj(h)exp(-22hUjht)(h)exp(2i h.rj)

tomo no esfrico:
(r)=(r)core+k3pval val(kr) + lk3Rl(kr) mplmYlmp(, )

Fator de Estrutura

Transformada de Fourier

Problema das fases

|FB|exp(iA)

Soluo de estrutura: tomo pesado

(a)
6 1 5 (r) 4 3 2 5 (r) 4 3 2 4 (r-u) u

(b)
6 1

(r-u) u

(c)
6 1 u 5 (r) 3 2 (r-u)

Informao nas intensidades

0.9 P(|E|) 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0

centrosymmetric non centrosymmetric

0.5

1.5

2 |E|

2.5

3.5

Mtodos diretos
1) A densidade eletrnica posiWva (posiWvidade) 2) A densidade eletrnica pontuais (discreteza) 3) Composio qumica conhecida

Mtodos diretos: phasing

Refinamento: mapas de diferena

Mapas de diferena