Transistor de

efeito de campo
FET E MOSFET
HISTRIA DO TRANSISTOR
Vlvulas 1 Gerao
Funcionamento por Aquecimento
Tubo de vidro a vacuo com um
catodo, placa e filamento
O filamento ascende e aquece um
tubinho metalico chamado catodo
O catodo libera eletrons em torno
dele
Aplicando uma tensao maior na
placa a mesma atrai os eletrons
Aplicando tenso menor na placa
a mesma repele os eletrons
PARECIDO COM O DIODO
Funcionava como retificador

HISTRIA DO TRANSISTOR
Vlvulas TRIODO 1 Gerao
Possui uma grade espiralada entre a placa e o catodo, chamada grade
de controle
Funcionava como amplificador
A grade controla os eltrons que chegam na placa e desta forma a
corrente interna da vlvula
Diferena com o transistor est no valor da tenso de polarizao
Faz a corrente na grade variar e por consequencia a tenso e assim
amplicando o sinal

HISTRIA DO TRANSISTOR
CARACTERISTICAS DA VLVULA
1951/1959 - Computadores de
primeira gerao:
Circuitos eletrnicos e vlvulas
* Uso restrito
* Precisava ser reprogramado a cada
tarefa
* Grande consumo de energia
* Problemas devido muito
aquecimento
As vlvulas foram utilizadas em
computadores eletrnicos, como por
exemplo, no ENIAC
Normalmente quebrava aps algumas
horas de uso e tinha o processamento
bastante lento


HISTRIA DO TRANSISTOR
CARACTERISTICAS DA VLVULA
Esses computadores gigantescos
sofriam com o superaquecimento
constante
Isso porque em vez de
microprocessadores, eles utilizavam
grandes vlvulas eltricas, que
permitiam amplificao e troca de
sinais, por meio de pulsos
Elas funcionavam de maneira
correlata a uma placa de circuitos,
sendo que cada vlvula acesa ou
apagada representava uma
instruo mquina.


HISTRIA DO TRANSISTOR
Transistores 2 Gerao
Transfer Resistor (Resistor de transferncia)
O impacto do transistor, na eletrnica, foi grande
A sua capacidade de amplificar sinais eltricos
permitiu que em pouco tempo ele, muito menor e
consumindo muito menos energia, substitusse as
vlvulas na maioria das aplicaes eletrnicas
O transistor contribuiu para todas as invenes
relacionadas, como os circuitos integrados,
componentes opto-eletrnicos e
microprocessadores

HISTRIA DO TRANSISTOR
Transistores 2 Gerao
Praticamente todos os equipamentos
eletrnicos projetados hoje em dia usam
componentes semicondutores. As
vantagens sobre as difundidas vlvulas
eram bastantes significativas, tais como:
Menor tamanho, mais leve e mais
resistente
No precisava de filamento
Mais eficiente, pois dissipa menos
potncia
No necessita de tempo de
aquecimento
Menores tenses de alimentao

HISTRIA DO TRANSISTOR
ONDE ESTO OS FETS?

CARACTERISTICAS GERAIS
Dividido entre:
transistores de efeito de campo de juno (JFETS -Junction - Field Effect
Transistor)
O transistor MOSFET (acrnimo de Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo de semicondutor de
xido metlico)
O FET apresenta trs conexes:
O dreno (drain, D) = drena os eltrons
A fonte (source, S) = fornece os eltrons livres
A Porta (gate, G) = controla a largura do canal, controlando o fluxo de
eltrons entre a fonte e o dreno
Corrente de operao depende do campo eltrico aplicado no seu
terminal de controle
Transistores de efeito de campo (FETS)
BJT x FET
ONDE ESTO OS JFETS?
JFETS
Zona de depleco
V
DS

V
GS

NOTA: Para o J-Fet canal P devemos inverter a
polaridade das tenses aplicadas aos terminais.
O J-Fet canal N constitudo basicamente por uma juno PN,
sendo ambos os extremos da regio N dotada de terminais (Dreno
e Fonte), formando a regio P (Gate ou porta) um anel em volta da
regio N.

Se ligarmos uma bateria entre os terminais da regio N circular
uma corrente limitada apenas pela resistncia do material
semicondutor.

JFETS
JFETS
Se inicialmente VDS = 0 e for aplicada uma tenso de porta, como na
figura abaixo, de forma que a porta seja negativa em relao a fonte, a
regio de carga espacial(depleo) avana dentro do canal. A tenso de
porta que resulta em um fechamento total do canal denominada de
tenso de pinamento, VP (pinch-off).


JFETS
VGS = 0 e aplicada uma tenso entre dreno e fonte (VDS = 0,1 V) o dispositivo
se comporta como uma resistncia controlada pela tenso da porta
Com o aumento da tenso, aumenta a corrente de dreno, e a queda de tenso
ao longo do canal provoca um estrangulamento do canal prximo ao dreno.
Se a tenso de dreno aumentar alm desse valor, o canal no fecha, mas o
estreitamento aumenta no sentido da fonte e a corrente continua constante
Se for aplicada uma tenso de porta (VGS) e um a tenso de dreno, o
estreitamento mximo acontecer para um valor de VDS < VP (Pinch-off)


JFETS
Curva de transferncia de dreno ou transcondutncia

JFETS

Polarizar um transistor significa estabelecer valores de tenses e
correntes contnuas para que ao ser aplicado um sinal alternado, as
variaes aconteam ao redor dos valores CC e uma regio de
comportamento linear para no haver distoro
por causa da polarizao que os equipamentos eletrnicos
devem ser alimentados com pilhas, baterias ou a partir da tenso
da rede eltrica

Vide tabela dada tipos de polarizao




JFETS
APLICAES JFETS
APLICAES JFETS
AMPLIFICADOR
JFETS
http://www-
g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/loade
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