RESUMEN

EXAMEN DE
QUALIFICAO
2014
CRISTAIS REAIS

IMPERFEIES EM
CRISTAIS

Por mdio do control de imperfeies nos cristais

possvel produzir um conjunto de propriedades
mecnicas:
Podem se criar metais e ligas mais resistentes
Imanes mais poderosos
Transistores e clulas solares com maior

desempenho

O controle das imperfeies por mdio da

fabricao de ligas, tratamentos trmicos e
tcnicas de processamento.

praticamente impossvel
obter um material
infinitamente puro. Sempre
haver impurezas
presentes na rede
cristalina.

Defeitos Pontuais (dimenso zero)

Vacncias
Impurezas intersticiais e substitucionais

Dentro da rede cristalina existem inmeros

interstcios, espaos vazios entre os tomos, nos
quais possvel alojar outros tomos.

Defeitos Lineares (dimenso um)

Discordncias (dislocations)

Defeitos Interfaciais (dimenso dois)

Interfaces e contornos de gro, contornos de macla.

Defeitos Volumtricos (dimenso trs)

Vazios, fraturas, incluses e outras fases.

DEFEITOS PONTUAIS
Podem ser
gerados por:
Ganancia de

energia por
aquecimento

Durante o

H,
C

processamento
do material

Por mdio da

introduo de
impurezas

Por mdio de

ligas

CONCENTRAO DE
DEFEITOS

Grfico de Arrhenius demostra que a

concentrao de defeitos aumenta
exponencialmente com a temperatura

A partir de um grfico experimental de

ln(CD) versus 1/T possvel determinar a
energia de ativao.

VACNCIAS
So criadas no cristal durante a solidificao

a altas temperaturas ou como consequncia

de danos pela radiao.
Sua quantidade aumenta exponencialmente

com a temperatura, segundo a Equao de

Arrhenius:

Concentrao de vacncias
Vacncias/cm3

N tomos/cm3
Energia
vacncia
Para formar defeitos necessrio dispor de energia.
Normalmente esta energia dada na forma de energia trmica.

de

ativao

k Constante de Boltzmann

T Temperatura absoluta (K)

produzir

uma

STIOS INTERSTICIAIS
Os espaos entre tomos so conhecidos como stios intersticiais.

Para cada tomo (nion), iro existir uma posio octadrica e dois posies
tetradricas.

DEFEITOS INTERSTICIAIS
Os tomos localizados nos stios intersticiais so
chamados de tomos intersticiais, tambm tem numero
de coordenao dependendo dos tomos que toca.

Quando os tomos
so do mesmo
tamanho, a relao
de rdios 1.
NC=12
(CFC, HC)

CFC

CCC
Sitos Octadricos

NC = 4 tetradrico (0.2250.414)

Nas faces do cubo

NC = 6

CS
Sitio Cubico
NC = 8
No meio da clula

NC = 6 Octaedrico
Nos centros das aristas

, 0,0
, 1, 0
, 0, 1
, 1, 1

0, , 0
1, , 0
1, , 1
0, , 1

0,0,
1, 0,
1, 1,
0, 1,
No centro da clula : , ,

Relao de raios

Relao de raios

(0.4140.732)

(0,732 - 1)

nion

ction

ZnS, ZnTe, SiC

NaCl, MgO, MnS, LiF, FeO

CsCl

Blenda de Zinco - Esfarelita

Sal - Gema

Cloreto de Cesio

NC = 4

NC = 6 para ctions e anions

NC = 8 para ctions e anions

Rede CFC
Os tomos de Zn preenchem
posies tetradricas no
interior do cubo.

Duas redes CFC interconectadas,

uma composta por anions e a outra
por ctions. Com um ction
localizado no centro do cubo e no
centro de cada arista (posies
octadricas ) ou vice-versa.

Rede cubica simple CS

Intercambio de anions com os
catiosn produz a mesma estrutura
cristalina.

No plano do tipo {111}

mostra os ctions
ocupando posies
octadricas intersticiais.

Seo de uma estrutura cristalina de sal de rocha.

Exemplo de uma impureza Intersticial

Carbono em Fe (ao)

tomo de Carbono
ocupando um interstcio
na estrutura CCC do Ferro

O C est altamente comprimido nesta

posio, o que implica em baixisima
solubilidade (< 0.022 at % )

DEFEITOS EM CERMICOS
Defeitos mais complexos do que vacncias ou tomos intersticiais podem se
formar a partir do fato de que a estrutura formada por ons positivos e
negativos.

Defeito de
Frenkel
(vacncia ligada a
tomo intersticial)

Defeito
Schottky
(vacncia
aninica ligada a
vacncia
catinica)

Em materiais com ligaes

inicas pronunciadas:

Quando um on substitui a outro com carga distinta.

Quando um ction
bivalente (+2) remplaza
um ction monovalente
(+1), devera se-eliminar
tambm um ction
monovalente adicional
para conservar a
neutralidade de cargas,
criando uma valncia.

DEFEITOS SUBSTITUCIONAIS
So criados quando se remplaza um tomo por outro de tipo distinto. Estes
defeitos distorsionam a rede circundante.

Quando o tomo substitucional

maior aos da rede, os
tomos circundantes so
comprimidos.

Quando o tomo substitucional

menor aos da rede, os
tomos circundantes so
tensionados.

SOLUES SLIDAS
A presena de impurezas substitucionais gera uma mistura entre os
tomos das impurezas e os do material, gerando uma soluo slida. Para
que haja total miscibilidade entre dois metais, preciso que eles
satisfaam as seguintes condies:
Regras de Hume-Rothery
Seus raios atmicos no difiram de mais de 15%
Tenham a mesma
Tenham

estrutura cristalina

eletronegatividades similares

Tenham a mesma

valncia

DEFEITOS LINEARES -DISCORDNCIAS

So imperfeies lineares em uma rede introduzidas na rede durante o processo de
solidificao do material, a deformao plstica e como consequncia das tenses
trmicas resultantes de um resfriamento rpido.
So responsveis pelo comportamento mecnico dos materiais quando submetidos a
cisalhamento.
So responsveis pelo fato de que os metais so cerca de 10 vezes mais moles do que
deveriam.
Existem dois tipos fundamentais de discordncias:
Discordncia em linha (edge dislocation)
Discordncia em hlice (screw dislocation

 Discordncias em linha - Aresta

uma parte extra de um plano de tomos cuja aresta termina no interior do

cristal.
E um tipo de defeito linear centralizado ao redor da linha da discordncia (linha
perpendicular ao plano da pgina ao longo da extremidade do semipleno extra de
Deformao de
tomos).
compresso

Os tomos acima da
linha da discordncia
so pressionados uns
contra os outros.
Deformao de trao

Os tomos abaixo da
linha da discordncia
so afastados uns em
relao aos outros

A
discordncia
em
linha corresponde
borda (edge) do plano
extra.

A energia aumenta ao redor do defeito devido a que os tomos esto em compresso

ou tenso.

O vetor de Burgers perpendicular discordncia

Tenso de
cisalhament
o

Plano de
escorregame
nto

Linha de
discordn
cia aresta

Vetor de
Burges

 Discordncias em hlice - Espiral

Aquela gerada por uma tenso cisalhante aplicada para produzir a distoro.
Deformao cisalhante

Os tomos sufrem apenas este tipo de deformao, sua magnitude disminui

em funo da distancia radial a partir da discordancia.
o Posies designadas acima do plano de escorregamento
Posies designadas acima do plano de escorregamento

O vetor de
Burgers
paralelo

discordncia

Linha de
discordncia Vetor de

VETOR DE BURGERS

Cristal Real

Cristais com discordncia

O circuito no se fecha. O vetor necessrio para fechar o circuito
o vetor de Burgers, b, que caracteriza a discordncia.


Tanto a magnitude de b quanto a direo iro depender da estrutura cristalina, podem se
especificar em termos do comprimento da aresta da clula unitria e dos ndices das
direes cristalogrficas.

O esforo PEIERLS NABARRO o esforo cortante requerido para mover a discordancia de

uma localicao de equilbrio a outra

]
d: Distancia interplanar entre planos de deslizamento adjacentes
b: Vetor de Burgers
c, k so constantes do material

 Discordncias Mistas

O vetor de Burgers mantm uma direo fixa no espao. A maioria das

discordncias encontradas nos materiais cristalinos exibe componentes de
ambos tipos.
Embora uma
discordncia poda
mudar de direo
dentro de um
cristal, o seu vetor
burgers ser o
mesmo em todos
os pontos ao longo
de sua linha

Onde a discordncia
pura hlice, b
paralelo a
discordncia.

Para materiais metlicos b

para uma discordncia ir
apontar para uma direo
cristalogrfica compacta e
ter uma magnitude igual
do espaamento
interatmico.
Onde a discordncia
pura
linha,
b

perpendicular
a
discordncia

DISCORDNCIAS E
DEFORMAO PLSTICA

A deformao permanente da maioria dos materiais cristalinos se d pelo

movimento de discordncias.
Em outras palavras, a deformao plstica corresponde ao movimento de
um grande numero de discordncias.
O processo segundo o qual uma deformao plstica produzido pelo
movimento de uma discordncia denominado escorregamento.
A deformao plstica
macroscpica
corresponde
deformao permanente
que resulta do
escorregamento, em
resposta aplicao de
uma tenso de
cisalhamento

A linha da discordncia se move paralelo direo da tenso de cisalhamento aplicada

 No movimento de uma discordncia em espiral em resposta a uma tenso

de cisalhamento, a direo do movimento da linha da discordncia

perpendicular direo da tenso.

O resultado final o mesmo!!

Tenso de
cisalhament
o

Plano de
escorregame
nto

Linha de
discordn
cia aresta

Tenso de
cisalhament
o

Tenso de
cisalhament
o

Degrau
unitrio de
escorregame
nto

Uma discordncia de arista se move em resposta aplicao de uma tenso de cisalhamento em uma
direo perpendicular sua linha.
Se a tenso de cisalhamento aplicada possui uma magnitude suficiente, as ligaes interatmicas do
plano B so rompidas ao longo do plano de cisalhamento e a metade superior do plano B se torna o
semipleno extra, na medida em que o plano A se liga metade inferior do plano B.
Este processo repetido para otros planos de modo que o plano extra se move a traves de sucessivas
e repetidas quebras de ligaes e deslocando-se pelas distancias interatmicas dos semi-planos
superiores.

Os campos de deformao ao redor das discordncias que estejam prximas umas das
outras podem interagir de tal forma que so impostas foras sobre cada discordncia.

Duas discordncias aresta de

mesmo sinal e localizadas
sobre o mesmo plano de
escorregamento exercem
uma fora de repulso uma
sobre a outra.

Discordncias
aresta de com
sinais opostos
localizadas sobre o
mesmo plano de
escorregamento
exercem uma fora
de atrao uma
sobre a outra.
Ao se encontrarem, elas se aniquilam mutuamente deixando uma
regio de cristal perfeito

 As discordncias no se movem com o mesmo grau de facilidade em todos

os planos cristalogrficos de tomos e em todas as direes cristalogrficas.

O plano de escorregamento e a direo de escorregamento (plano e direo
preferenciais) em conjunto conformam o sistema de escorregamento.
Densidade de discordncias (mm de discordancia/mm 3)

O numero de discordncias em um material expresso como o comprimento

total de discordncias por unidade de volume (nmero de discordncias que
intercepta um rea unitria de uma seo aleatria)
O tratamento trmico de uma amostra de um metal deformado pode reduzir a
densidade de discordncias at uma ordem de 10 5 a 106 mm-2.

 A discordncia se move em aquele sistema de deslizamento que requer o minimo

consumo de energia.
As discordncias no se movem facilmente em materiais como Si, ou nos

polmeros. Devido a que estes possuem ligaes covalentes. Os materiais

falham em forma frgil antes da foa ser o suficientemente alta para gerar um
escorregamento aprecivel. Isto se d pela resistncia e direcionalidade das
ligaes covalentes.
O

material cermico pelo geral apresenta falha frgil antes de que as

deslocaes se movimentem.

Os

materiais com ligao inica (xex

MgO) oferecem resistncia ao
escorregamento. O movimento de discordncias rompe o equilbrio de cargas ao
redor de nions e ctions, fazendo que as ligaes entre nions e ctions se
desfaam. Durante o escorregamento os ons com carga similar tambm devem
passar perto um do outro o que causa repulso. Alem disso, o vetor de Burgers
maior que em metais.

DEFEITOS INTERFACIAIS
So contornos que possuem dois dimenses e que normalmente separam
regies dos materiais que possuem diferentes estruturas cristalinas e/ou
orientaes cristalogrficas.
Superfcies externas

Os tomos na superfcie de um material no esto ligados ao numero

mximo de vizinhos mais prximos, e esto por tanto em um estado de
maior energia comparado com os tomos dentro do material bulk
Essas ligaes incompletas do origem a uma energia de superfcie
expressa em (J/m2 ou erg/cm2)
Para minimizar essa energa os materiais tendem a minimizar a rea total de
sua superficie quando for possvel. xex formao de gotculas nos lquidos.

CONTORNOS DE GRO
So possveis vrios graus de
desalinhamento cristalogrfico
entre gros adjacentes.
Quando o ngulo de
desorientao paralelo ao
contorno, tem se como resultado
um contorno de toro descrito
por um arranjo de discordncias
espirais
Contorno de gro de baixo
ngulo: desalinhamento na
orientao pequeno
So formados quando
discordncias de aresta esto
alinhadas, tambm so
chamados de contorno de
inclinao
O ngulo de
rotao pequeno (< 15)

Energia interfacial de contorno de gro.

Existe uma energia interfacial

ou de contorno de gro, cuja magnitude funo do

gro de desorientao, sendo maior para contornos com ngulos altos.

Como consequncia

dessa energia, os contornos

de gro so mais reativos

quimicamente.

Tambm, devido a isso, os tomos de impurezas se segregam preferencialmente ao

longo dos contornos.

Materiais com tamanhos de gro mais finos, tem valores maiores de energia

interfacial de contorno de gro.

Os gros crescem a temperaturas elevadas para reduzir a energia total dos contornos.

Tamanho de gro

Equao de Hall-Petch

Correlaciona o tamanho de gro

com a tenso limite de
escoamento (esforo de
cedncia) do material.

o esforo de cedncia do material ou o esforo sob o qual o material deformado permanentemente

d o dimetro mdio dos gros
, k so constantes do metal

A forma de especificao do tamanho de gro e o numero de gro ASTM, designado por n.

determinado o numero de gros por polegada (N) quadrada a partir da micrografia da superfcie
com ampliao x100 e remplazado na seguinte equao.

n aumenta com o aumento de

n

N.
aumenta com a diminuio
do tamanho de gro.

Um numero grande n indica gros pequenos, ou seja, resistncia mecnica alta

CONTORNOS DE MACLA
Maclas de deformao

Por deslocamentos atmicos produzidos a

partir de foras mecnicas de cisalhamento,
tipicamente encontradas em estruturas CCC
e HC.
Maclas de recozimento

um tipo especial de contornos de gro com

simetria espelhada.

Formadas durante tratamentos trmicos de

recozimento realizados aps deformaes,
tipicamente encontradas em estruturas CFC

 Aps da a aplicao de tenso mecnica no cristal perfeito, causa um deslocamento de tomos causando a

formao de uma macla.

Os contornos de macla interfirem no processo de escorregamento aumentando a resistncia do metal.

O movimento dos contornos de macla podem fazer que um metal se deforme.

Para um monocristal submetido a uma tenso de

cisalhamento

Para o
escorregamento,
a orientao
cristalogrfica
acima e abaixo do
plano de
escorregamento
e mesma tanto
antes quanto
depois da
deformao.

Na maclao, ir
existir uma
reorientao a
partir do plano da
macla.
Maclas de
deformao
ocorrem em metais
com
Estruturas CCC e

HC
Deformao
por
Escorregament
o

Deformao
por
Maclao

A maclao pode colocar novos sistemas de escorregamento em

orientaes tales que processos de escorregamento por
deformao podam ocurrir.

Baixas

temperaturas
Taxas de

carregamento
elevadas

OUTRAS FRONTEIRAS
Fronteira de grande ngulo

Fronteira de rotao com ngulos maiores do que 15. Mais difcil de

interpretar (unidades estruturais).
Falha de empilhamento:

cfc - deveria ser ...ABCABC... e vira ...ABCBCA...

hc - deveria ser ...ABABAB... e vira ...ABBABA...
Fronteiras magnticas ou parede de spin

Em materiais magnticos,
magnetizao diferentes.

separam

regies

com

orientaes

de

Num cristal perfeito, o arranjo fixo e repetido dos tomos tem o nivel de
energa mais baixo possvel dentro do cristal. Qualquer imperfeio na rede
aumenta a energia interna no lugar do defeito.
A energia aumenta ao redor do defeito devido a que os tomos esto em
compresso ou tenso.
Energias das imperfeies de superfcie em materiais selecionados

Imperfeo de superfcie

Al

Cu

Pt

Fe

Energia por falha de apilhamento

200

75

95

Energa por contorno de macla

120

45

195

190

Energa por contorno de gro

625

645

1000

780

MECANISMOS DE AUMENTO DE
RESISTNCIA
A deformao plstica depende diretamente do movimento
das discordncias. Quanto maior a facilidade de
movimento, menos resistente o material.
Para aumentar a resistncia em metais monofsicos,
procura-se restringir o movimento das discordncias. Os
mecanismos bsicos para isso so:
Reduo de tamanho de gro
Soluo slida
Deformao a frio (encruamento, trabalho a frio, strain

hardening, cold working)

Se a discordancia
encontrar no seu paso
uma regio onde os
tomos esto
deslocados de seus
posies de equilbrio,
se precisar um
esforo maior para a
discordncia se
mover, pelo tanto o
material mais
resistente
Se a discordancia no
ponto A se mover
esquerda, bloqueada
pelo defeito pontual.

Se a discordancia no
ponto A se mover
direita, entrara a
interatuar com a
rede desordenada
perto da segunda
discordncia no
ponto B.

Se a discordancia
no ponto A se
mover bem mais
direita quedar
bloqueada por um
contorno de gro.

Podemos
controlar a
resistencia de
um material
controlando o
numero e tipo
de imperfeies
presentes

Um mtodo para controlar as propriedades de um material controlando o

tamanho dos gros. Uma reduo no tamanho de gro aumento o numero de
contornos de gro, qualquer discordncia se movera somente uma distancia corta
antes de encontrar um contorno de gro, aumentando assim a resistncia do metal.

Reduo no tamanho
de gro

Aumento do
numero de
Contornos de
gro

O tamanho de gro pode se controlas por mdio de:

Solidificao
Gerao de ligas
Tratamento trmico

Aumento da
Resistncia e
Tenacidade de
metais e ligas
Os contornos de baixo
ngulo no so eficazes em
interferir no processo de
escorregamento
Os contornos de macla iro
bloquear efetivamente o
escorregamento

Aumento da resistncia do material por Soluo slida.

Nesta

tcnica, a presena de impurezas substitucionais ou

intersticiais leva a um Aumento da resistncia do material. Metais ultra
puros so sempre mais macios e fracos do que suas ligas.

Uma deslocao movendo-se nas cercanias de um defeito puntual encontra uma rede na qual os
tomos no esto em suas posies de equilbrio, esta alterao requer que seja aplicado um
esforo maior pra obrigar deslocao a vencer o defeito, aumentando a resistncia do
material.

Deformaes de trao

Deformaes compressivas

ENCRUAMENTO (ENDURECIMENTO POR

TRABALHO, TRABALHO EM FRIO)

rea original da seo transversal

rea aps da deformao

Quando um material deformado plsticamente se torna mais duro e resistente. Esto explicado
com base em interaes entre as discordancias e os campos de deformao das discordancias
durante a deformao plstica o nmero de discordancias aumenta drsticamente.
Na media, as interaes discordncias-deformaes das discordncias so repulsivas, ento o
movimento de uma discordncia dificultado pela presencia de outras discordncias.
O efeito do encruamento pode ser removido mediante um tratamento trmico por recozimento.
A temperatura ambiente no possvel que um material cermico encrue, devido a sua fragilidade
ele ir fraturar antes de que a deformao plstica ocorra.