1 - Imperfeicoes Cristalinas

ASSUNTO
1- IMPERFEIES CRISTALINAS
- Defeitos pontuais
- Defeitos de linha (discordncias)
-Defeitos de interface (gro e
maclas)
-Defeitos volumtricos (incluses,
precipitados)
1
O QUE UM DEFEITO?
Eleani Maria da Costa - PGETEMA/PUCRS
uma imperfeio ou um "erro" no arranjo

peridico regular dos tomos em um cristal.
Pode envolver uma irregularidade
na posio dos tomos
no tipo de tomos
O tipo e o nmero de defeitos dependem do

material, do meio ambiente, e das circunstncias
sob as quais o material foi processado.
2
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Apenas uma pequena frao dos stios

(ou posies) atmicos so imperfeitos
Menos de 1 em 1 milho
Menos sendo poucos eles influenciam
muito as propriedades dos materiais e
nem sempre de forma negativa
3
- IMPORTNCIA-
DEFEITOS
INTRODUO CONTROLE
ARRANJO
SELETIVA DO NMERO
Permite desenhar e criar novos materiais

com a combinao desejada de propriedades
4
Exemplos de efeitos da presena
de imperfeies
o O processo de dopagem em semicondutores visa
criar imperfeies para mudar o tipo de
condutividade em determinadas regies do material
o A deformao mecnica dos materiais promove a
formao de imperfeies que gera um aumento na
resistncia (processo conhecido como encruamento)
o Wiskers de ferro (sem imperfeies do tipo
discordncias) apresentam resistncia maior que
70GPa, enquanto o ferro comum rompe-se a
aproximadamente 270MPa.
5
So classificados de acordo com sua

geometria ou dimenses
6
Defeitos Pontuais associados c/ 1 ou 2

posies atmicas
Defeitos lineares uma dimenso
Defeitos planos ou interfaciais (fronteiras) duas

dimenses
Defeitos volumtricos trs dimenses
7
1- DEFEITOS PONTUAIS
Vacncias ou vazios
tomos Intersticiais
Schottky
Ocorrem em slidos inicos
Frenkel
8
1- DEFEITOS PONTUAIS
influem principalmente as propriedades

pticas e eltricas dos materiais;
influem em processos como difuso,
transformao de fases, fluncia, etc
tomos de soluto geram defeitos
ponstuais
9
VACNCIAS OU VAZIOS
Envolve a falta de um
tomo
So formados durante
a solidificao do
material cristalino ou
como resultado das
vibraes atmicas (os
tomos deslocam-se de
suas posies normais)
A energia livre do
material depende do
nmero ou
concentrao de
vacncias presentes
10
VACNCIAS OU VAZIOS EM
EQUILBRIO
O nmero de vacncias aumenta
exponencialmente com a temperatura
Nv= N exp (-Qv/KT)

Nv= nmero de vacncias
N= nmero total de stios atmicos
Qv= energia requerida para formao de vacncias
K= constante de Boltzman = 1,38x1023J/at.K ou
8,62x10-5 eV/ at.K
11
INTERSTICIAIS
Envolve um tomo extra no

interstcio (do prprio
cristal)
Produz uma distoro no
reticulado, j que o tomo
geralmente maior que o
espao do interstcio
A formao de um defeito
intersticial implica na
criao de uma vacncia,
por isso este defeito
menos provvel que uma
vacncia
12
INTERSTICIAIS devido a adio
de soluto
tomo intersticial grande

tomo intersticial pequeno
Gera maior distoro na rede
13
FRENKEL
Ocorre em slidos
inicos
Ocorre quando um
on sai de sua
posio normal e vai
para um interstcio
14
SCHOTTKY
Presentes em
compostos que tem
que manter o
balano de cargas
Envolve a falta de
um nion e/ou um
ction
15
CONSIDERAES GERAIS
Vazios e Schottky favorecem a difuso

Estruturas de empacotamento fechado tem
um menor nmero intersticiais e Frenkel
que de vazios e Schottky
Porque necessria energia adicional para

forar os tomos para novas posies
16
IMPUREZAS NOS SLIDOS
Um metal considerado puro sempre

tem impurezas (tomos estranhos)
presentes
99,9999% = 1022-1023 impurezas por cm3
A presena de impurezas promove a

formao de defeitos pontuais
17
LIGAS METLICAS
Algumas impurezas (chamadas

elementos de liga) so adicionadas
intencionalmente com a finalidade:
- aumentar a resistncia mecnica
- aumentar a resistncia corroso
- Aumentar a condutividade eltrica
- Etc.
18
A ADIO DE ELEMENTOS
DE LIGA PODE FORMAR

Solues slidas % elemento < limite de
solubilidade
Segunda fase % elemento > limite de
solubilidade
A solubilidade depende :
Temperatura
Tipo de elemento (ou impureza)
Concentrao do elemento (ou impureza)
19
Termos usados
Elemento de liga ou Impureza

soluto (< quantidade)
Matriz ou solvente
Hospedeiro (>quantidade)
20
SOLUES SLIDAS
A estrutura cristalina do material que

atua como matriz mantida
21
SOLUES SLIDAS
Nas solues slidas as impurezas ou

elementos de liga podem ser do tipo:
- Intersticial
Ordenada
- Substitucional
Desordenada
22
INTERSTICIAL
SOLUES SLIDAS
INTERSTICIAIS
Os tomos de impurezas ou os elementos de
liga ocupam os espaos dos interstcios
Ocorre quando a impureza apresenta raio
atmico bem menor que o hospedeiro
Como os materiais metlicos tem geralmente
fator de empacotamento alto as posies
intersticiais so relativamente pequenas
Geralmente, no mximo 10% de impurezas
so incorporadas nos interstcios
23
EXEMPLO DE SOLUO
SLIDA INTERSTICIAL
Fe + C solubilidade mxima do C no
Fe 2,1% a 910 C (Fe CFC)
O C tem raio atmico bastante pequeno
se comparado com o Fe
rC= 0,071 nm= 0,71 A

rFe= 0,124 nm= 1,24 A
24
INTERSTICIAIS NA CCC E
CFC
Nessas estruturas existem 2 tipos de
intersticiais, um stio menor e um maior
A impureza geralmente ocupa o stio
maior
25
INTERSTICIAIS NA CFC
Existem 13 posies
intersticiais
(octaedros- formados
por 6 tomos) e 8
posies intersticiais
(tetraedros formados
por 4 tomos)= 21
O Stio maior o
octadrico 26
INTERSTICIAIS (octaedros)
NA CFC
Existem 13 posies intersticiais
(octaedros)
1 Centro do octaedro
de coordenadas (, , )
12 localizado no centro
das arestas (, 0,0)
27
INTERSTICIAIS (tetraedros)
NA CFC
Existem 8 posies intersticiais
(tetraedros)
1 Centro do tetraedro
de coordenadas (1/4, 1/4, 1/4)
28
Calcule o raio da impureza que se ajusta
perfeitamente no stio intersticial maior
(octadrico) para a estrutura cfc
r= 0,41R 29
INTERSTICIAIS NA CCC
Existem 18
posies
intersticiais
(octaedros) e 24
posies
intersticiais
(tetraedros)= 42
O Stio maior o
tetradrico
30
INTERSTICIAIS (octaedro)
NA CCC
Existem 18 posies
intersticiais (octaedro)
6 Centro das faces

posies (, , 0)
12 Centro
de arestas (, 0,0)
31
NA CCC
Existem 24 posies
intersticiais
(tetraedros)
4 tetraedros
Para cada uma das seis faces
(1/2, 1/4, 0)
32
Calcule o raio da impureza que se ajusta
perfeitamente no stio maior (tetradrico) para a
estrutura ccc
r= 0,29R 33
Carbono intersticial no Ferro
O carbono mais
solvel no Ferro ccc
CCC ou CFC,
considerando a
temperatura
prxima da
transformao
alotrpica?
cfc
34
Carbono intersticial no Ferro ccc-
ferrita
rFe= 0,124 nm
Na ferrita os rC= 0,071 nm
espaos intersticiais Espao intersticial octradrico= 0,019 nm
- 0,052 nm
so menores
rFe= 0,124 nm
rC= 0,071 nm ccc
Espao intersticial tetradrico= 0,035 nm
- 0,036 nm
35
Carbono intersticial no Ferro cfc-
austenita
rFe= 0,124 nm cfc

rC= 0,071 nm
Espao intersticial octradrico= 0,052 nm
- 0,019 nm
36
SOLUBILIDADE DO CARBONO
NO FERRO
Apesar da clula unitria CCC
apresentar diversas posies
intersticiais, a solubilidade de carbono
no Fe maior em clulas CFC, pois as
mesmas concentram o espao vazio da
clula, nas posies intersticiais
octadricas.
37
INTERSTICIAIS NA HC
Existem 6 posies
intersticiais
(octaedros) e 8
posies
intersticiais
(tetraedros)= 14
O Stio maior o
octadrico
38
INTERSTICIAIS (octaedros)
NA HC
Existem 6 posies intersticiais (octaedros)
39
NA HC
Existem 8 posies intersticiais (tetraedros)
40
SOLUES SLIDAS
SUBSTITUCIONAIS
(TIPOS)
SUBSTITUCIONAL
ORDENADA SUBSTITUCIONAL
DESORDENADA
41
SOLUES SLIDAS
SUBSTITUCIONAIS
As solues slidas substitucionais

formam-se mais facilmente quando o
elemento de liga (impureza) e matriz
apresentam estrutura cristalina e
dimenses eletrnicas semelhantes
42
FATORES QUE DETERMINAM A FORMAO
DE SOLUES SLIDAS SUBSTITUCIONAIS
REGRA DE HOME-ROTHERY
Raio atmico deve ter uma
diferena de no mximo 15%, caso
contrrio pode promover distores na
rede e assim formao de nova fase
Estrutura cristalina mesma
Eletronegatividade prximas
Valncia mesma ou maior que a
do hospedeiro
43
EXEMPLO DE SOLUO SLIDA
SUBSTICIONAL
Cu + Ni so solveis em todas as
propores
Cu Ni
Raio atmico 0,128nm=1,28 A 0,125 nm=1,25A
Estrutura CFC CFC
Eletronegatividade 1,9 1,8
Valncia +1(asvezes+2) +2
44
2- DEFEITOS LINEARES:
DISCORDNCIAS
As discordncias esto associadas com a

cristalizao e a deformao (origem: trmica,
mecnica e supersaturao de defeitos
pontuais)
A presena deste defeito a responsvel pela
deformao, falha e ruptura dos materiais
45
2- DEFEITOS LINEARES:
DISCORDNCIAS
Podem ser:
- Cunha
- Hlice
- Mista
46
VETOR DE BURGER (b)
D a magnitude e a direo de
distoro da rede
Corresponde distncia de
deslocamento dos tomos ao redor da
discordncia
47
2.1- DISCORDNCIA EM
CUNHA
Envolve um SEMI-
plano extra de
tomos
O vetor de Burger
perpendicular
direo da linha da
discordncia
Envolve zonas de
trao e compresso
48
DISCORDNCIAS EM
CUNHA
Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ 49

DISCORDNCIAS EM
CUNHA
Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ 50

2.2- DISCORDANCIA EM
CUNHA (Tenses)
Campo de tenses envolve

componentes de trao e
compresso
51
HLICE
Produz distoro na
rede
O vetor de burger
paralelo direo
da linha de
discordncia
52
DISCORDANCIA EM HLICE
53
HLICE
DISCORDNCIA EM HLICE NA SUPERFCIE DE

UM MONOCRISTAL DE SiC. AS LINHAS ESCURAS
SO DEGRAUS DE ESCORREGAMENT SUPERFICIAIS.
(Fig. 5.3-2 in Schaffer et al.).
54
HLICE (Tenses)
Campo de tenses simtrico e
paralelo ao vetor de burger (no
envolve componentes de trao ou
compresso)
55
Energia e Discordncias
A energia associada a uma discordncia

depende do vetor de Burger (varia com o
quadrado do vetor de Burger)
Discordncia com alto vetor de Burger tende
a se dissociar em duas ou mais
discordncias de menor vetor de Burger
(como o vetor menor que o vetor da rede
chamado de falha de empilhamento-stacking
fault)
56
Dissociao de Discordncias
stacking fault
A reao de dissociao energeticamente favorvel se:

b12 > b22 + b32
57
Exerccio 15
O vetor de Burger (b) para estruturas cbicas de

face centrada (CFC) e cbica de corpo centrado
(CCC) pode ser expresso como:
b= a/2 [hkl]
onde [hkl] a direo cristalogrfica de maior
densidade atmica.
Quais so as representaes para o vetor de
Burgers para as estruturas CFC e CCC?
Se a magnitude do vetor de de Burges b igual
a a/2 (h2+k2+l2)1/2, determine o valor de b para o
Alumnio.
58
OBSERVAO DAS
DISCORDANCIAS
Diretamente TEM ou HRTEM
Indiretamente SEM e
microscopia ptica (aps ataque
qumico seletivo)
59
DISCORDNCIAS NO TEM
60
HRTEM
DISCORDNCIAS NO
61
HRTEM
DISCORDNCIAS NO
62
FIGURA DE ATAQUE PRODUZIDA
NA DISCORDNCIA VISTA NO SEM
Plano (111) do GaSb

Plano (111) do InSb
63
MOVIMENTO DE
DISCORDNCIAS
GLIDE: ocorre a
baixas temperaturas
e envolve quebra de
ligaes localizadas.
A discordncia se
move no plano que
contm a linha de
discordncia e o
vetor de burger
64
MOVIMENTO DE
DISCORDNCIAS
CLIMB: ocorre a altas
temperaturas (pois
ocorre por difuso e
migrao de vacncias)
e envolve adio e
remoo de tomos do
semi-plano extra. A
discordncia se move
perpendicular ao plano
que contm a linha de
discordncia e o vetor
de burger
65
CONSIDERAES GERAIS
A quantidade e o movimento das discordncias

podem ser controlados pelo grau de deformao
(conformao mecnica) e/ou por tratamentos
trmicos
Com o aumento da temperatura h um aumento na
velocidade de deslocamento das discordncias
favorecendo o aniquilamento mtuo das mesmas e
formao de discordncias nicas
Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em
torno das discordncias formando uma atmosfera de
impurezas
66
CONSIDERAES GERAIS
A densidade das discordncias depende da

orientao cristalogrfica, pois o
cisalhamento se d mais facilmente nos
planos de maior densidade atmica
As discordncias geram vacncias
As discordncias influem nos processos de
difuso
A formao de discordncias contribuem
para a deformao plstica
67
3- DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS
Envolvem fronteiras (defeitos em duas

dimenses) e normalmente separam
regies dos materiais de diferentes
estruturas cristalinas ou orientaes
cristalogrficas
68
3- DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS
Superfcie externa
Contorno de gro
Fronteiras entre fases
Maclas ou Twins
Defeitos de empilhamento
69
3.1- DEFEITOS NA
SUPERFCIE EXTERNA
o mais bvio
Na superfcie os tomos no esto
completamente ligados
Ento o estado energia dos tomos na
superfcie maior que no interior do cristal

Os materiais tendem a minimizar esta
energia
A energia superficial expressa em erg/cm2
ou J/m2)
70
3.2- CONTORNO DE GRO
Corresponde regio que separa dois ou

mais cristais de orientao diferente
um cristal = um gro
No interior de cada gro todos os tomos esto
arranjados segundo um nico modelo e nica
orientao, caracterizada pela clula unitria 71
Monocristal e Policristal
Monocristal:Materialcomapenasumaorientao
cristalina,ouseja,quecontmapenasumgro
Policristal:Materialcommaisdeumaorientao
cristalina,ouseja,quecontmvriosgros
72
POLICRISTALINO
LINGOTE DE ALUMNIO
73
GRO
A forma do gro controlada:

controlada
- pela presena dos gros circunvizinhos
O tamanho de gro controlado

- Composio qumica
- Taxa (velocidade) de cristalizao ou
solidificao
74
FORMAO DOS GROS
A forma do gro controlada:

controlada
- pela presena dos gros
circunvizinhos
O tamanho de gro
controlado
- Composio
- Taxa de cristalizao ou
solidificao
75
CONSIDERAES GERAIS SOBRE
CONTORNO DE GRO
H um empacotamento ATMICO menos

eficiente
H uma energia mais elevada
Favorece a nucleao de novas fases
(segregao)
Favorece a difuso
O contorno de gro ancora o movimento das
discordncias
76
Discordncia e Contorno de Gro
A passagem de uma discordncia atravs do
contorno de gro requer energia
DISCORDNCIA
O contorno de gro ancora o movimento das discordncia pois

constitui um obstculo para a passagem da mesma, LOGO
QUANTO MENOR O TAMANHO DE GRO
.........A RESISTNCIA DO MATERIAL
77
CONTORNO DE PEQUENO
NGULO
Ocorre quando a
desorientao dos
cristais pequena
formado pelo
alinhamento de
discordncias
78
OBSERVAO DOS GROS
E CONTORNOS DE GRO
Por microscopia (TICA OU ELETRNICA)

utiliza ataque qumico especfico para
cada material
O contorno geralmente mais reativo
79
GROS VISTOS NO
MICROSCPIO TICO
80
TAMANHO DE GRO
O tamanho de gro influi nas propriedades dos

materiais
Para a determinao do tamanho de gro utiliza-se
cartas padres
ASTM
ou
ABNT
81
DETERMINAO DO
TAMANHO DE GRO (ASTM)

Quanto maior o nmero menor o
Tamanho: 1-10 tamanho de gro da amostra
Aumento: 100 X
N= 2 n-1
N= nmero mdio de gros por polegada

quadrada
n= tamanho de gro
82
Existem vrios softwares comerciais
de simulao e determinao do
tamanho de gro
83
CRESCIMENTO DO GRO
com a temperatura
Em geral, por questes termodinmicas (energia)

os gros maiores crescem em
detrimento dos menores 84
3.3- TWINS
MACLAS OU CRISTAIS GMEOS

um tipo especial de
contorno de gro
Os tomos de um lado
do contorno so imagens
especulares dos tomos
do outro lado do
contorno
A macla ocorre num
plano definido e numa
direo especfica,
dependendo da
estrutura cristalina
85
ORIGENS DOS TWINS
MACLAS OU CRISTAIS GMEOS

O seu aparecimento
est geralmente
associado com A
PRESENA DE:
- tenses trmicas e
mecnicas
- impurezas
- Etc.
86
4- IMPERFEIES
VOLUMTRICAS
So introduzidas no processamento do
material e/ou na fabricao do
componente
87
4- IMPERFEIES
VOLUMTRICAS
- Incluses Impurezas estranhas
- Precipitados so aglomerados de partculas
cuja composio difere da matriz
- Fases forma-se devido presena de
impurezas ou elementos de liga (ocorre quando o limite
de solubilidade ultrapassado)
- Porosidade origina-se devido a presena ou
formao de gases
88
Incluses
INCLUSES DE XIDO DE COBRE (Cu2O) EM COBRE DE ALTA PUREZA (99,26%)

LAMINADO A FRIO E RECOZIDO A 800o C.
89
Incluses
SULFETOS DE MANGANS (MnS) EM AO RPIDO.

90
Porosidade
As figuras abaixo apresentam a superfcie de ferro puro durante o seu
processamento por metalurgia do

p. Nota-se que, embora a sinterizao tenha diminudo a quantidade
de poros bem como melhorado
sua forma (os poros esto mais arredondados), ainda permanece uma
porosidade residual.
COMPACTADO DE P DE FERRO
COMPACTADO DE P DE
FERRO,COMPACTAO APS SINTERIZAO
UNIAXIAL EM MATRIZ DE A 1150oC, POR 120min EM
DUPLO EFEITO, A 550 MPa ATMOSFERA DE HIDROGNIO
91
EXEMPLOS DE SEGUNDA
FASE
A MICROESTRUTURA COMPOSTA POR VEIOS DE GRAFITA SOBRE UMA MATRIZ PERLTICA.

CADA GRO DE PERLITA, POR SUA VEZ, CONSTITUDO POR LAMELAS ALTERNADAS DE
DUAS FASES: FERRITA (OU FERRO-A) E CEMENTITA (OU CARBONETO DE FERRO).
92
microestrutura da liga Al-Si-Cu + Mg mostrando diversas fases

precipitadas
93
Micrografia da Liga
Al-3,5%Cu no Estado Bruto de Fuso
94

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ASSUNTO

uma imperfeio ou um "erro" no arranjo

O tipo e o nmero de defeitos dependem do

Apenas uma pequena frao dos stios

Permite desenhar e criar novos materiais

So classificados de acordo com sua

Defeitos Pontuais associados c/ 1 ou 2

Defeitos lineares uma dimenso

Defeitos planos ou interfaciais (fronteiras) duas

Defeitos volumtricos trs dimenses

influem principalmente as propriedades

Nv= N exp (-Qv/KT)

Envolve um tomo extra no

tomo intersticial grande

Vazios e Schottky favorecem a difuso

Porque necessria energia adicional para

Um metal considerado puro sempre

99,9999% = 1022-1023 impurezas por cm3

A presena de impurezas promove a

Algumas impurezas (chamadas

DE LIGA PODE FORMAR

Elemento de liga ou Impureza

A estrutura cristalina do material que

Nas solues slidas as impurezas ou

rC= 0,071 nm= 0,71 A

(octadrico) para a estrutura cfc

6 Centro das faces

rFe= 0,124 nm cfc

As solues slidas substitucionais

Raio atmico 0,128nm=1,28 A 0,125 nm=1,25A

Estrutura CFC CFC

Eletronegatividade 1,9 1,8

As discordncias esto associadas com a

Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ 49

Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ 50

Campo de tenses envolve

DISCORDNCIA EM HLICE NA SUPERFCIE DE

A energia associada a uma discordncia

A reao de dissociao energeticamente favorvel se:

O vetor de Burger (b) para estruturas cbicas de

Diretamente TEM ou HRTEM

NA DISCORDNCIA VISTA NO SEM

Plano (111) do GaSb

A quantidade e o movimento das discordncias

A densidade das discordncias depende da

Envolvem fronteiras (defeitos em duas

superfcie maior que no interior do cristal

Corresponde regio que separa dois ou

A forma do gro controlada:

O tamanho de gro controlado

A forma do gro controlada:

H um empacotamento ATMICO menos

contorno de gro requer energia

O contorno de gro ancora o movimento das discordncia pois

Por microscopia (TICA OU ELETRNICA)

O contorno geralmente mais reativo

O tamanho de gro influi nas propriedades dos

TAMANHO DE GRO (ASTM)

N= nmero mdio de gros por polegada

Em geral, por questes termodinmicas (energia)

MACLAS OU CRISTAIS GMEOS

MACLAS OU CRISTAIS GMEOS