Universidade Federal do Rio de Janeiro

Escola Politécnica
Departamento de Engenharia Elétrica (DEE)

Eletrônica I-C
EEE333 / EEL338

Maurício Cagy
Programa de Engenharia Biomédica (PEB)

1
 Bibliografia
 Desoer, C.A., Kuh, E.S., Basic Circuit Theory,
McGraw Hill, 1967.
 Sedra, A.S., Smith, K.C., Microelectronic Circuits,
3rd. ed., Harcourt Brace College Publishers, 1991.
 Sedra, A.S., Smith, K.C., Microelectronic Circuits,
6th. ed., Oxford University Press, Inc, 2010.
 Figuras do Sedra:
– Microelectronic Circuits, Sixth Edition

– Copyright © 2010 by Oxford University Press, Inc.

2
 Temas Gerais
 Revisão dos elementos discretos lineares e
Teoria de Circuitos;
 Diodos:
– de junção e especiais;
– circuitos com diodos: retificadores não
controlados; fontes de tensão reguladas.
 Transistores:
– efeito de campo; bipolares;
– amplificadores para pequenos sinais;
– amplificadores de potência;
– circuitos chaveados a transistores.
3
 Abordagens
 Dimensões comparáveis ao menor
comprimento de onda () dos sinais de um
circuito (ex.: linhas de transmissão):
– Modelos de parâmetros distribuídos;
– Leis de Maxwell;
 Dimensões << :
– Modelos de parâmetros concentrados;
– Leis de Kirchhoff.

4
 Grandezas Fundamentais
 Tensão (diferença de potencial – d.d.p.):
grandeza escalar relacionada ao campo
elétrico – unidade: volt (V);
 Corrente: escalar relacionada ao fluxo de
carga elétrica – unidade: ampère (A);
 Potência: taxa de variação da Energia –
unidade: watt (W): P(t )  v(t )  i(t ) ;
 Energia: trabalho realizado pela corrente –
t
unidade: joule (J): U (t 0 )  0 P(t ) dt .
0

5
 Definições Iniciais
 Nó - qualquer ponto do circuito em que dois
ou mais terminais se liguem;
 Ramo – caminho único entre dois nós
consecutivos;
 Malha ou Laço - qualquer caminho fechado
seguido sobre ramos de um circuito.

6
 Leis de Kirchhoff
 Lei de Kirchhoff de Tensão (LKT ou KVL):
– A soma das tensões em uma malha, devidamente
orientadas, é nula;

 Lei de Kirchhoff de Corrente (LKC ou KCL):

– A soma das correntes que entram em um nó é nula.

7
 Fontes Independentes...
 Fonte Independente de Tensão:
Pilha / Bateria Fonte DC (CC) Fonte AC

 Fonte Independente de Corrente:

Fonte DC (CC) ou AC

8
 Elementos Básicos
Símbolo Geral Linear
VR = R  iR
Resistor VR = f (iR) R  resistência

1/R  condutância

 
t
1
VC  VC (0)   iC dt
VC  g iC dt C0
Capacitor
C  capacitância

di L
1/C  elastância
 d   di 
VL  h H   hi  L 
VL  L
 dt   dt 
dt

Indutor
L  indutância

1/L  relutância

9
Associações de Fontes de Tensão
 Associação em série:
 Veq = V1 + V2:

 Associação em paralelo:
 Só é válida quando V1 = V2 = Veq, caso contrário, burla a
LKT.

10
Associações de Fontes de Corrente
 Associação em série:
 Só é válida quando I1 = I2 = Ieq, caso contrário, burla a
LKC.

 Associação em paralelo:
 Ieq = I1+I2:

11
Associações de Resistores Lineares
 Associação em série:
 Req = R1 + R2 + ... + Rn

 Associação em paralelo:
 1 1 1 1 ;
   ... 
Req R1 R2 Rn

 Geq = G1 + G2 + ... + Gn

12
Associações de Capacitores Lineares
 Associação em série:
 1 1 1 1;
   ... 
Ceq C1 C 2 Cn
 Seq = S1 + S2 + ... + Sn
 VCeq(0) = VC1(0)+...+VCn(0)

 Associação em paralelo:
 Ceq = C1 + C2 + ... + Cn;
 VCeq(0) = VC1(0) = ... = VCn(0)

13
Associações de Indutores Lineares
 Associação em série:
 Leq = L1 + L2 + ... + Ln;
 iLeq(0) = iL1(0) = ... = iLn(0).

 Associação em paralelo:
1 1 1 1
    ...  ;
Leq L1 L2 Ln
 eq =  1 +  2 + ... +  n;
 i (0) = i (0) + ... + i (0).
Leq L1 Ln

14
 Transformador Ideal
 Relação entre tensões e número de espiras nos
enrolamentos primário e secundário:
v1 (t )  A1  sen(0t ),
v2 (t )  A2  sen(0t ),
A2 N 2

A1 N1

 Conservação da potência:
v1 (t )  i1 (t )  v2 (t )  i2 (t )

 Símbolo:
15
 Impedância Elétrica
 Fontes senoidais...
– Elementos simples operando em regime
permanente:
Resistor Capacitor Indutor

 i (t )  cos(0 t ) ;
 v (t )  R  cos( t ) ;
R 0
 vC (t ) 
1
C 
cos( 0 t ) dt 
d cos( 0 t )
1
0C
sen( 0 t )  1
0C
cos( 0 t  2 ) ;
 v L (t )  L dt
  0 L  sen(0 t )  0 L  cos(0 t  2 ) .
16
 Fasores e Números Complexos
 Senóides como exponenciais complexas:
Resistor Capacitor Indutor

 iZ (t ) e j0t  i (t )  cos(0t )  Re iZ (t ) ;

 v R (t )  R  cos( 0 t )  R  i (t ) ;
 iZ (t )  j 
 vC (t )  1
0C cos(0t  )  Re 

  Re  iZ (t ) ;
 j 0 C   0 C
2

 vL (t )  0 L  cos(0t  2 )  Re j0 L  iZ (t ) .

17
 Impedância e Admitância
 Impedância = Resistência + Reatância:

 Resistores: resistência R (real);

 Indutores: reatância indutiva XL() = L – imaginária positiva;
 Capacitores: reatância capacitiva XC() = 1/(C) – imaginária negativa.
 Associação em série: Z() = R + j (XL - XC) (soma fasorial).
 Admitância = Condutância + Susceptância (“permitância”):
 Resistores: condutância G (real);
 Indutores: susceptância indutiva BL() = 1/(L) – imaginária negativa;
 Capacitores: susceptância capacitiva BC() = C – imaginária positiva.
 Assoc. em paralelo: Y() = G + j (BC - BL) (soma fasorial).

18
 Voltando ao Circuito RC...
– Entrada [E(t)]: E (t )  A1 cos(t ), t  0 ;
1
 t
– Saída [VC(t)]: v(t )  vh (t )  v p (t )   A2 cos  e RC
 A2 cos(t   ), t  0;
A1 1C
A2 
v(t )  A2 cos(t   ) R 2  ( 1C ) 2
 Em regime permanente:
 1 
   2  tan 1  
 RC 
– Função de Transferência (é função de ):
 1
C A2 X C
 H ( )    ,
j
C  R  ( 1C )
2 2 A1 Z
H ( )  
R j
C  H ( )    jX   ( Z )    tan 1  1 
 C 2
 RC 

19
Equivalentes Thévenin e Norton
 Seja uma rede linear “de-uma-porta”
qualquer:

– Caso os componentes passivos sejam

puramente resistivos:
 Zeq = Req;

VAB
 Req  , VTh  VAB i 0 , I N  i V
i AB  0
Fontes 0

20
E se houver um elemento não-linear?
 Abordagens:
– Isolar o elemento não-linear e reduzir toda a parte
linear a um Equivalente Thévenin ou Norton:

Ex.:

– Utilizar uma aproximação linear do elemento não-

linear:
 modelos simplificados de uso geral;
 modelos para pequenos sinais...
21
 O Diodo Semicondutor
 Junção P-N:
– Operação:
 Equação geral (polarização direta):

VD
n VT
I D  I S (e  1)
onde:
• IS – corrente de saturação ou de escala,
da ordem de 10-15 ~ 10-9 A (dobra apro-
ximadamente a cada aumento de 5°C);
• VT – tensão térmica  26 mV a 25°C (kT/q);
• n  2 para diodos discretos e  1 para
diodos integrados.
• Para cada década de aumento de corrente,
aumento de cerca de 60 mV (n=1) ou
120 mV (n=2) na tensão direta;
• VD entre cerca de 0,6 e 0,8 V na gama de operação de um diodo.
22
Diodo – Modelos Lineares

Modelo de
Pequenos Sinais:
dobra aproximadamente a
cada aumento de 10°C
n  VT
rd 
ID

23
 Tipos de Diodo
 Polarizações de operação:
– Direta / reversa:
 Genérico (Vd  0,7V);
 Schottky (metal-semicondutor; Vd  0,3V);
 Túnel (GHz, efeitos quânticos);
– Direta:
 Schokley (PNPN - pulsos);
 LED (Vd depende da cor);
– Reversa:
 Fotodiodo;
 Varicap;
– Ruptura:
 Zener.

24
 Aplicações de Diodos
 Retificador de Meia-Onda:

 Vout  0, VS  VD 0

– V  R (V  V ), V  V
 out R  rd S D0 S D0

– Tensão inversa de pico:

 VIp = VSp

25
 Aplicações de Diodos
 Retificador de Onda Completa:
– Transformador com tomada central

 Vout  0, VS  VD 0

–V  R (V  V ), V  V
 out R  r S D0 S D0
 d

– Tensão inversa de pico:

 VIp = 2VSp – VD0

26
 Aplicações de Diodos
 Retificador de Onda Completa:
– Ponte de diodos

 Vout  0, VS  2  VD 0

–  R (V  2 V ), V  2 V
V
 out R  2  r S D0 S D0
 d

– Tensão inversa de pico:

 VIp = VSp – 2VD0 + VD0
= VSp – VD0

27
 Aplicações de Diodos
 Retificador + Filtro Capacitivo:
– Capacitor C em paralelo com a carga R
– Meia Onda Onda Completa:

Vp Vp
Vr  Vr 
f C  R 2 f C  R

iDM  I L 1   2  V p / Vr  
i DM  I L 1   V p /( 2  Vr ) 

iDP  I L 1  2 2  V p / Vr  
i DP  I L 1  2 V p /( 2  Vr ) 
Vr RMS Vr
Fator de ripple : r  , Vr RMS 
VDC 2 3
28
 Valores Médio e Eficaz
1 T0
VDC 
T0 0 v(t )dt

1 T0
VRMS 
T0 0 v 2 (t )dt

2 2
VAC RMS  VRMS  VDC
Tipo de onda VDC VRMS VAC RMS r
Senóide 0 Vp Vp ---
2 2
Retificada Meia- Vp Vp 0,3856  Vp 1,21
Onda
 2
Retificada Onda 2 V p Vp 0,3078  Vp 0,48
Completa
 2
Filtrada Vr Vr
Vp 
2 2 3 29
 Aplicações de Diodos
 Regulador Zener:
iz
VL  VZ  VZ 0  iZ r Z  VS  iR  R
iR  iZ  i L

– Análise geral (via Thévenin): IzMax = Pz / Vz

R rZ
V L  VZ 0  VS  iL (rZ // R )
R  rZ R  rZ Faixa segura:
0,05IzMax < Iz < 0,8IzMax

VL rZ
– Regulação de linha: 
VS R  rZ

VL
– Regulação de carga:  (rZ // R)
I L
30
 Aplicações de Diodos
 Circuitos Limitadores ou Ceifadores (Clipping):

31
 Aplicações de Diodos
 Circuitos Grampeadores (Clamping):
– Grampeador positivo:

– Grampeador negativo:

32
 Aplicações de Diodos
 Dobradores de Tensão:
– Meia onda ou “em cascata”:

– Onda completa:

33
 Aplicações de Diodos
 Multiplicador de Tensão:

34
 Redes de Duas Portas
 Genéricas vs. Lineares:

 I1  y11V1  y12V2
– Parâmetros-y: 
 I 2  y21V1  y22V2
I1 I1
g11  g12 
 V1  z11 I1  z12 I 2 V1 I 2 0
I2 V1  0
– Parâmetros-z: 
V2  z 21I1  z22 I 2
V1  h11 I1  h12V2 g 21 
V2
g 22 
V2
– Parâmetros-h:  V1 I2
 I 2  h21I1  h22V2 I 2 0 V1  0

 I1  g11V1  g12 I 2
– Parâmetros- g: 
V2  g 21V1  g 22 I 2

35
 Amplificadores
 Redes de duas portas (idealmente, unidirecionais) que
visam aumentar a magnitude de um sinal
preservando sua morfologia...
 Simbologia:

– Ganhos:
Vo Io Vo I o
 de Tensão: Av  A
, de Corrente: i  A
, de Potência: p   Av Ai
Vi Ii Vi I i

– Amplificador de Tensão ideal:

 g11=0, g12=0, g22=0, g21=Av.

36
 Amplificadores
 Representação do Ganho em decibéis (dB):
– Ganho de tensão = 20log10(|Av|) dB;
– Ganho de corrente = 20log10(|Ai|) dB;
– Ganho de potência = 10log10(Ap) dB.
– Não confundir valores negativos em Ax e em dB!
 Se o ganho de potência é maior que 1 (> 0 dB):
– Potência entregue à carga > potência recebida da fonte...
– Necessidade de fonte externa:
 Pdc = V1 I1 + V2 I2;
 Pdc + PI = PL + Pdiss;
 Eficiência:
P
  L 100%
Pdc
37
 Amplificadores
 Saturação:
– Operação:
L L
 vi  
Av Av

38
 Amplificadores
 Não-Linearidade e Polarização (Biasing):
– Operação:
 Vi(t) = vi(t) + vi0;
 Vo(t) = vo(t) + vo0;
 vo(t)  Av· vi(t) :
dvo
Av 
dvi Q

39
 Modelos para Amplificadores
Tipo Modelo Parâmetro de Ganho Características
Ideais
Amplificador de Ganho de tensão de Ri = 
Tensão circuito aberto Ro = 0
vo
Avo  (V/V)
vi io  0

Amplificador de Ganho de corrente de Ri = 0

Corrente curto-circuito Ro = 
io
Ais  (A/A)
ii vo  0

Amplificador de Transcondutância de Ri = 
Transcondutância curto-circuito Ro = 
io
Gm  (A/V)
vi vo 0

Amplificador de Transresistência de Ri = 0
Transresistência circuito aberto Ro = 0
vo
Rm  (V/A )
ii io 0
40
 Amplificadores
 Exemplos:
– Cascateamento de três estágios de amp. de tensão:

vo1 = vo2 = vo3 =

vL vi1 vo1 vi 2 vo 2 vi 3 vo3 vL 1M 100k 10k 100

Av _ Total    10 100 1  743,876  1000!!
vs vs vi1 vo1 vi 2 vo 2 vi 3 vo3 1M  100k 100k  1k 10k  1k 100  10

– Transistor bipolar (modelo simplificado de pequenos sinais):

vL vC    iB  RL
Av _ Total    
vs v B vBE  vE
   iB  RL    RL
 
iB  r  (iB    iB ) RE r  (1   ) RE
vs vB iB  r  (iB    iB ) RE
Ri     r  (1   ) RE
iB i B iB
41
 Amplificadores
 Resposta em freqüência:
– Ilustração com base no Amp. de Tensão:

Vo ( )
T ( ) 
vi (t )  Vi sen(t ) vo (t )  Vo sen(t   ) Vi
T ( )   ( )

– Largura de banda (bandwidth - BW):

 pontos de 3dB...

42
 Amplificadores
 Resposta em freqüência:
– Exemplo – acoplamento DC (filtro passa-altas):

iC = Gm.vi

iC  Gm (vi 0  vs )  Gm vi 0  Gm vs
Para vs com  tal que |X Co|  Ro  RL :
vo  Gm vi 0 Ro  Gm vs ( Ro // RL )
vL
vL  Gm vs ( Ro // RL )  Av   Gm ( Ro // RL )
vs
Para vs com c tal que |X Co|  Ro  RL :
| vL _ c | Av 2 1
| Av _ c |  C = (Freqüência de Corte)
| vs | 2 ( RL  Ro )Co
43
 Transistores
 Dispositivos semicondutores (em geral, 3 terminais):
– Amplificação;
– Chaveamento;
– “Transistor” – “Transfer Resistor”
(John R. Pierce).
 Tipos:
– Bipolares de junção (TBJ ou BJT);
– FET (Efeito de Campo):
 JFET – junção;
 MOSFET – metal-óxido-semicondutor;
– IGBT – FET+BJT para chaveamento.

44
 JFET
 “Junction Field-Effect Transistor” (Transistor de
Efeito de Campo de Junção):
– Transistor de estrutura mais simples;
– Tipos: canal-n e canal-p.
(Dreno)

(Comporta Canal-n Canal-p

ou
Porta)

(Fonte)

45
 JFET - Operação
 vDS pequeno (vGS negativo)  Aumentando vDS...

46
 JFET – Modulação do Canal
 Aumentando-se vDS...
Triodo Saturação

47
 JFET – Característica (Canal-n)
 Regiões:
– Corte
vGS < Vt0

– Triodo
vDS  vov
iD = 2K·(vov·vDS-1/2 v2DS)

– “Saturação”
vDS > vov
iD  K·vov2 = K·(vGS-Vt)2

48
 MOSFET – Tipo Depleção
 Semelhante ao JFET, mas sem limitação na polaridade
de VGS devido ao isolamento elétrico da comporta:

 Símbolos: Canal-n Canal-p

49
 MOSFET – Tipo Incremental
 Semelhante ao MOSFET-Depleção, mas sem um canal
estabelecido por dopagem:

 Símbolos: Canal-n Canal-p

50
 FETs – Dependência com vDS
 Saturação: iD varia um pouco com vDS...

 Modelo de grandes sinais:

51
 FETs – Comparação
 Relação com vGS (canal-n):

 Tabela comparativa:

52
 FETs – Polarização
 Exemplo:
– MOSFET tipo incremental, canal-n:
 Vt=1V; K=0,5mA/V2; despreze modulação de canal (ro=).

 supondo operação na saturação...

VG  5V; VGS  5  6 I D ; I D  K (VGS  Vt ) 2  0,5(5  6 I D  1) 2
 I  0,89mA; VS  5,34V (Corte!)
18I D2  25I D  8  0   D
 I D  0,5mA; VS  3V (Saturação)
VGS  5  3  2V; VD  10  6  0,5  7 V
– como VDS>VGS-Vt, ele realmente está operando na saturação.
53
 FET como Amplificador
 Esquema didático:
 vGS = VGS + vgs
 vDS = VDD – RDiD

iD  K (vGS  Vt ) 2  K (VGS  v gs  Vt ) 2
 K (VGS  Vt ) 2  2 K (VGS  Vt )v gs  Kv gs
2
 I D  id

 Se vgs << 2(VGS-Vt): gm 

id
 2 K (VGS  Vt )
v gs
54
 FET como Amplificador
 Reta de carga e gm:

55
 FET como Amplificador
 Modelo de pequenos sinais e Av:

id
gm   2 K (VGS  Vt )
v gs VA
ID ro 
 2 K  VOV  V ID
OV
2

vd
Seja o ganho de tensão dado por Av 
v gs :

– Seu valor depende de ro e de todos os resistores conectados ao dreno.
56
 FET como Amplificador
 Exemplo 1:
– Vt = 1,5V;
– K = 0,125 mA/V2;
– VA = 50V.

57
 FET como Amplificador
Operação com pequenos sinais:
g m  2 K  VOV  0,25  2,9  0,725 mA/V
VA 50
ro    47 k
I D 1,06m
R 'L  RL || RD || ro  10 || 10 || 47  4,52 k
vo  (ii  g m v gs ) R 'L
v gs  vo
ii 
Polarização: RG
VGS  VDS  VDD  RD I D 1  (1 / g m RG )
Av   g m R 'L   g m R 'L  3,3
I D  K (VGS  Vt ) 2  1,06 mA 1  ( R 'L / RG )
VGS  VDS  4,4 V vi v gs RG 10 M
Rin      2,33 M
VOV  4,4  1,5  2,9 V (Saturação) ii ii 1  g m R 'L 1  3,3

Manter em saturação...
vDS  vGS  Vt  vDS min  vGS max  Vt  VDS  Av vi pico  VGS  vi pico  Vt
Vt 1,5
Mas VDS  VGS  vi pico    0,35 V
Av  1 3,3  1
58
 FET como Amplificador
 Exemplo 2:
– Vt=1V;
– K=0,5mA/V2;
– ro=.
 Polarização:
VG  5 V;
I D  0,5 mA; VS  3 V;
Pequenos sinais:
VGS  5  3  2V; VD  10  6  0,5  7 V
g m  2 K  VOV  1,0 m 1,0  1,0 mA/V
VOV  1 V
R ' L  RL || RD  6 k || 10 k  3,75 k
 Manter em saturação id  is  g m  vgs  vRS  g m  v gs  RS
– Com CS:
vDS  vGS  Vt  vDS min  vGS max  Vt v gs  vi  vRS  vi  g m  v gs  RS
VDS  Av vi pico  VGS  vi pico  Vt  v gs  vi /(1  g m  RS )
V  VGS  Vt vo   g m  v gs  R ' L   g m  vi  R ' L /(1  g m  RS )
 vi pico  DS 
Av  1 Sem CS : Av  0,536; com C S : Av  3,75.
 (4,0  2,0  1,0) /(3,75  1)  2,21 V vi v gs
Rin    RG1 || RG 2  5,0 M
Note que esta amplitude já impede aproximação linear! ii ii 59
 Transistores Bipolares
 BJT - “Bipolar Junction Transistor”:
– “Sanduíche” de camadas p e n alternadas;
– Tipos: npn e pnp.

npn

(Emissor) (Coletor)

Regiões de operação
pnp
Modo B-E B-C
Corte Reverso Reverso
Saturação Direto Direto
Ativo Direto Reverso
60
 BJT – Operação na Região Ativa
 Junção B-E polarizada diretamente e junção B-C
polarizada reversamente (npn):

61
 BJT – Característica (npn)
 Regiões:  iC  vBE | vCB cte.
B-E B-C
Corte Reverso Reverso
Saturação Direto Direto
Ativo Direto Reverso

vBE cai cerca de 2mV para cada aumento de 1°C

 iC  vCB | vBE cte.

62
 BJT – Operação na Região Ativa
 Modelo de grande sinais (npn):

63
 BJT – Exemplo de Polarização
 Especificações (npn):
  = 100;
– iC = 1mA para vBE = 0,7V;
– Projetar para IC = 2mA e VC = 5V.

RC  (15  5) / 2 m  5 k

 2 mA 
VBE  0,7  VT ln   0,717 V
 1 mA 

RE  (0,717  (15)) / 2,02 m  7,07 k

* Se tivéssemos usado VBE = 0,7 V:

RE  (0,7  (15)) / 2,02 m  7,08 k

64
 BJT – Exemplo de Polarização
 Está na região ativa?
– npn;
  = 100.

 Região Ativa...

65
 BJT – Exemplo de Polarização
 Está na região ativa?
– npn;
  = 100.

 Região de Saturação...
– Modelo simplificado:
 Valores de vBE e vCE praticamente constantes:

66
 BJT – Exemplo de Polarização
 Está na região ativa?
– npn;
  = 100.

 Região de Corte...
– Modelo simplificado:
 Valores de iB e iC praticamente nulos:

67
 BJT – Efeito Early
 Dependência de iC com vCE:

68
 Espelho de Corrente BJT
 Esquema Básico:
– Considerações:
 Corrente de polarização
não nula causa erro no
espelhamento.
 A razão de transferência de
corrente é determinada
pela relação entre as áreas
das junções base-emissor
de Q1 e Q2.
 Caso os valores de  sejam
idênticos:
  2
IO  I E , I REF  IE
 1  1
IO  1
 
I REF   2 1  2 / 
RO  ro de Q2
69
 Fontes de Corrente BJT Simples
 Esquema Básico:
– IREF determinado por um
resistor.

VCC  VBE
I REF 
R

70
 Espelho de Corrente BJT
 Esquemas com desempenho melhorado:
– Compensação de corrente de base

IO  IC
 2 
I REF  1  IC
  (   1) 
IO 1 1
 
I REF 1  2 /(  2   ) 1  2 /  2
RO  ro de Q2

71
 Espelho de Corrente BJT
 Esquemas com desempenho melhorado:
– Espelho de Corrente de Wilson

IO 1

I REF 1  2 /  2
RO   ro / 2
72
 Espelho de Corrente BJT
 Esquema com desempenho melhorado (para pequenas
correntes):
– Fonte de Corrente de Widlar

 I REF 
VBE1  VBE 2  VT ln 

 IO 
mas VBE1  VBE 2  I O RE
I 
portanto I O RE  VT ln REF 

 IO 
RO  (1  g m ( RE || r ))ro

73
 BJT como Amplificador
 Esquema didático:
 vBE = VBE + vbe
 vCE = VCC – RCiC

vBE VBE  vbe VBE vbe vbe

iC  I S  e VT
 IS  e VT
 IS e VT
e VT
 IC  e VT

 Se vbe << VT:

vbe

e VT
 1  vbe / VT ic I
gm   C
iC  I C  (1  vbe / VT )  I C  ( I C / VT )vbe  I C  ic vbe VT
74
 BJT como Amplificador
 Modelos de Pequenos Sinais (Híbrido- e T):
ic i I
gm   c  C
vbe v VT
VA VA
ro  
I 'C I S eVBE / VT
1 1 1 I
ib   ic   g m  v   C  v
   VT
v  VT  VT
r    
ib IC gm I B
1 1
i  ic  ib  (1  )  ic   g m  v 
 
1 IC
   v
 VT
v   VT VT  1
re     
i IC I E gm gm

75
 BJT como Amplificador
 Reta de carga e gm:

VCC/RC

76
 BJT como Amplificador
 Polarização básica (alimentação com uma fonte de tensão) para
circuitos discretos:

VBB  VBE
IE 
RE  RB /(   1)

– Para imunidade a variações de temperatura e de :

VBB  VBE Compromisso com excursão do sinal...
Regra de bolso:
• VEE ~ 1/4 VCC;
RB • VCE ~ 1/4 VCC;
RE  RB pequeno  maior consumo...
 1 • VRc = ICRC ~ 1/2 VCC. 77
 BJT como Amplificador
 Polarização com fonte de corrente (circuitos integrados):

78
 BJT como Amplificador
 As três configurações básicas:
– Esquemas ilustrativos omitindo os arranjos de polarização...

(a) Emissor-Comum (CE)

(c) Coletor-Comum (CC) ou

“Seguidor de Emissor” ou
“Emissor Seguidor”.

(b) Base-Comum (CB)

79
Emissor-Comum

Rin  RB || r  r

Ro  RC || ro  RC

RB || r
Av   g m ( RC || ro || RL )
( RB || r )  Rs
 ( RC || ro || RL )

r  Rs

Máxima excursão do sinal:

• vC mínimo  transistor em saturação
 VE + 0,2 V;
• vC máximo  transistor em corte:
malha RC ~ CC2 ~ RL:
R (V  VC )
vC max  VCC  C CC
RC  RL ;
(vL = vC - VC) 80
Emissor-Comum Com Re

Rin  RB || (   1)(re  Re )
 RB || r (1  g m Re )

 g m Re 
Ro  RC || ro 1    RC
 1  ( Rs || RB ) / r 

RB || r (1  g m Re ) gm
Av   ( RC || RL )
[ RB || r (1  g m Re )]  Rs 1  g m Re
 ( RC || RL )

r (1  g m Re )  Rs
 ( RC || RL ) /(re  Re )
81
Base-Comum

Rin  re

Ro  RC

RC || RL
Av 
re  Rs

82
Coletor-Comum
Considerando RE no lugar da fonte de corrente I:

Rin  RB || (   1)[re  ( Re || ro || RL )]

 R || RB 
Ro  RE || re  s
   1 

Ri RE || ro || RL
Av 
Ri  Rs ( RE || ro || RL )  re
(   1) RL

(   1) RL  r  Rs

Máxima excursão do sinal:

• vE máximo  vB quase em VCC;
vEmax  VCC - 0,7 V;
Ai  Ri / RL
• vE mínimo  transistor em corte:
RE || RL malha RE ~ CC2R~ RVL:
 (   1) vE min  E E
RL RE  RL ;
(vL = vE - VE) 83
 BJT como Amplificador
 Resumo das características das configurações básicas:

84
 Algumas Configurações Especiais
 Par Diferencial:

85
 Algumas Configurações Especiais
 Par Diferencial:

86
 Algumas Configurações Especiais
 Par Diferencial:

87
 Algumas Configurações Especiais
 Par Diferencial
com Carga Ativa:
– Para transistores
casados:
VA
Ad  12 g m ro  1
2
VT
Rid  2r
Ro  ro 2 || ro 4  ro / 2

88
 Algumas Configurações Especiais
 Cascode:
– EC seguido
de BC.
– A baixa resistência
de carga sobre Q1
aumenta muito
sua resposta em
freqüência.

v 2 v 2 v 2
g m 2 v 2     g m1vi
ro1 ro 2 r 1
g m 2 v 2  g m1vi
v 2
io  g m 2 v 2 
ro 2
io  g m 2 v 2
io  g m1vi
Gm  g m1
89
 Algumas Configurações Especiais
 Cascode:
– Impedância de saída:

Ro  ( g m 2 ro 2 )(ro1 || r 2 )   ro

90
Estágios de Saída e Amplificadores de
Potência
 Classes básicas de operação:

A B

AB C

91
 Amplificadores de Potência
 Classe A:

 VCC  VCE 2sat

I
RL

92
 Amplificadores de Potência
 Classe A - Dissipação:
– Para RL = VCC / I
Q1 : v0  0  PD1_ Qui  VCC  I
v0  0  PD1_ max  VCC  I
 PD1_ médio  PD1_ Qui
Q 2 : PD 2 _ max  2  VCC  I
PD 2 _ médio  VCC  I

– Para RL = :
Q1 : v0  VCC 
PD1max  VCE1  I  2  VCC  I
PD1médio  VCC  I

– Para RL = 0:
Q1 : I Q1  
PD1  

93
 Amplificadores de Potência
 Classe A - Eficiência:
– Considerando sinal senoidal...
Potência na Carga ( PL )

Potência da Fonte ( PS )
2
(Vo _ pico / 2 ) 2 1 Vo _ pico
PL  
RL 2 RL
PS 2  VCC  I
PS 1_ médio  VCC  I  PS  2  VCC  I
2
1 Vo _ pico 1 V  V 
   o _ pico  o _ pico 
4 I  RL  VCC 4  I  RL  VCC 

– Máxima eficiência:
 Vo_pico = VCC = I.RL
  = 0,25;
 na prática: 0,1 <  < 0,2.

94
 Amplificadores de Potência
 Classe B:

Configuração Push-Pull

95
 Amplificadores de Potência
 Classe B – Distorção de “Crossover”:

96
 Amplificadores de Potência
 Classe B – Eficiência:
2
1 Vo _ pico
PL 
2 RL
1 Vo _ pico
PS   PS   VCC
 RL
2 Vo _ pico
 PS  VCC
 RL
 1 Vo _ pico 2   2 Vo _ pico    Vo _ pico 
    VCC    
 2 RL    R  4 V
 CC 
  L

– Máxima eficiência:
o_pico = VCC – VCEsat  VCC
 V

  = /4 = 78,5%;

97
 Amplificadores de Potência
 Classe B – Dissipação: 2 Vo _ pico 1 Vo _ pico
2

PD  PS  PL  VCC 
 RL 2 RL
( PQ1  PQ 2  12 PD )
2
Vo _ pico |PD max 
VCC

2
2 VCC
 PD max  2
 RL

98
 Amplificadores de Potência
 Classe B – Variações:

Fonte de alimentação simples:

Redução da distorção de crossover:

99
 Amplificadores de Potência
 Classe AB:

Impedância de saída:
• Considerando vi ideal:
Rout = (re3 + re1) || (re4 + re2)

100
 BJT como Chave
 Operação em corte ou saturação:

Modelos
npn

Esta configuração não envolve saturação mas

costuma ser empregada no estágio de saída...

  = 100

101