Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
Pitágoras Aula 4
Pitágoras Aula 4
Severino Neto
Defeitos cristalinos
Defeitos cristalinos
Defeitos Pontuais Lacuna (ou vacncia) = ausncia de um tomo ou on em uma posio cristalogrfica g
Distoro de planos
Exemplo
Nmero de Lacunas
Calcule a concentrao de vacncias no cobre a 25oC. A que temperatura ser necessrio aquecer este metal para que a concentrao de vacncias produzidas seja 1000 vezes maior que a quantidade existente a 25oC? Assuma que a energia para a formao de lacunas seja 20000 cal/mol e o parmetro de rede para o cobre CFC 0,36151 nm.
S l Soluo O nmero de tomos ou posies na rede cristalina, por unidade de volume, do cobre 4 tomos/clula Nv = = 8,47x1022 tomos Cu/cm3 -8 3 (3,6151x10 cm) a 25 C (T=298K): Nv = 8,47x1022 e-20000/(1,987 x 298) = 1,81x108 lacunas / cm3 para que Nv seja 1000 vezes maior, 1,81x1011 = 8,47x1022e-20000/(1,987 T) T = 102 C
Defeitos Pontuais Defeitos intersticiais = presena de um tomo ou on em uma posio no pertencente estrutura cristalina.
Distoro de planos
Defeitos Pontuais Defeitos substitucionais = quando um tomo da rede cristalina substitudo por outro de tamanho diferente.
Defeitos Pontuais
Defeito Frenkel
Defeito Schottky
Substitucionais Ex. Cu em Ni
Intersticiais Ex. C em Fe
CFC
CCC
Exemplo
Nmero de Lacunas
a) O raio dos tomos de Fe CCC R = N3 a0/4 = 0,1241 nm. O tamanho da posio intersticial em ,,0 para esta estrutura pode ser determinada a partir da figura abaixo.
,,0
Assim,
Desta forma,
r = 0,0361 nm
Para a estrutura CFC, R = N2 a0 / 4 = 0,1263 nm. Alm disso, segundo a figura abaixo,
2r + 2R = a0
ento,
r R
r = 0,0522 nm
Desta forma, como o espao intersticial menor no ferro CCC, os tomos de carbono distorcero mais este tipo de estrutura.
b) A estrutura CCC possui dois tomos de ferro em cada clula unitria. Alm disso, existem 24 posies intersticiais do tipo ,,0. Entretanto, como cada posio est localizada na face da clula, apenas metade de cada stio pertence exclusivamente a uma clula. Assim, existem de fato 12 posies intersticiais para cada clula unitria. Se todas estas posies estiverem ocupadas, a porcentagem atmica de carbono contida no ferro ser
%at C=
X100 = 86%
Na estrutura CFC, existem 4 tomos de ferro e 4 posies intersticiais em cada clula. Assim,
%at C=
CCC: 1,0% CFC: 8,9%
X100 = 50%
Solues slidas
Regras de Solubilidade para solues substitucionais (Hume Rothery) 1) Diferena Dife ena entre ent e raios aios atmicos <15% 2) Mesma estrutura cristalina para os metais 3) Eletronegatividades semelhantes 4) Valncia maior = maior solubilidade
Solues slidas
Elemento Raio atmico (nm) Estrutura Eletro negatividade Valncia
Cu Ag Al Co Cr Fe Ni Pd Zn
+2 +1 +3 +2 +3 +2 +2 +2 +2
Solubilidades desprezveis, estruturas diferentes. Al maior valncia, mais solvel. Al (CFC), Zn (Hex). Al mais solvel.
mi = massa do componente i
m1 %p = x 100 m1 + m2
Defeitos Lineares
Discordncia de Aresta um defeito provocado pela adio de um semiplano extra de tomos.
Semiplano adicional Compresso Discordncia de aresta Expanso
Defeitos Lineares
Deslocamento de aresta
Defeitos Lineares
Discordncia Espiral ocorre quando uma regio do cristal deslocada de uma posio atmica.
Linha de Discordncia
Vetor de Burgers
Vetor de Burgers
Defeitos Lineares
Discordncia Mista o tipo mais provvel de discordncia e corresponde mistura de discordncias de aresta e espiral.
Defeitos Lineares
Deslizamento o processo que ocorre quando uma fora causa o deslocamento de uma discordncia.
Tenso
Defeitos Lineares
Deslizamento ocorre mais facilmente em planos e em direes com altos fatores de empacotamento.
Deslizamento ocorre mais facilmente em planos e em direes com altos fatores de empacotamento: Diferentes estruturas cristalinas
Direo Di de d deslizamento
Discordncia
A=A0/cos
F = r A
Plano de deslizamento
cos cos
= ce-(kd/b)
(tenso de Peierls-Nabarro)
d = distncia interplanar b = vetor de Burgers k, c constantes
= ce-(kd/b)
1) ) 2)
b d
(> densidade linear, > deslizamento) (> espaamento planar, > deslizamento)
pouco deslizamento
Defeitos Lineares
Defeitos Interfaciais
So contornos que separam regies dos materiais com diferentes estruturas cristalinas ou orientaes cristalogrficas.
Contorno de gros
Regies entre cristais Transio entre diferentes estruturas cristalinas Li i Ligeiramente d desordenados d d Baixa densidade de contorno de gros: G Alta mobilidade G Alta difusividade G Alta reatividade qumica
Contorno de gros
Ligaes mais irregulares maior energia superficial maior reatividade qumica
2n
y= 0+Kd
(Hall-Petch)
Contorno de Macla
So contornos de gro com simetria especular da rede cristalina.
Plano da Macla
Contorno de Macla
Defeito pontual
Compresso
Microscpio
Microscopia ptica
Resoluo ~10-7 m = 0.1 m = 100 nm Para maior resoluo menor comprimento de onda Raios X? Difcil de focalizar! Eltrons Comprimentos de onda ~ 0.003 nm (Aumento 1.000.000X) Possibilita resoluo atmica Eltrons focalizados com lentes magnticas