Transistores 1

Transistores
Introduo
Em 1947, John Bardeen e Walter Brattain, sob a superviso de William Shockley no
AT&T Bell Labs, demonstraram que uma corrente fluindo no sentido de polaridade direta
sobre uma juno semicondutora PN poderia controlar a corrente de polaridade reversa sobre
um terceiro eletrodo montado muito prximo ao primeiro contato. Este dispositivo de controle
de corrente recebeu o nome de transistor como uma forma contrada das palavras resistor de
transferncia (do ingls, TRANSfer reSI STOR) e como ele opera com eltrons e lacunas
como portadores de carga recebeu o nome de transistor bipolar. Um outro dispositivo
semicondutor de controle o transistor de efeito de campo FET (Field Effect Transistor), cujo
controle da corrente realizado por meio de um campo eltrico induzido na regio condutora;
como ele opera majoritariamente com apenas um tipo de portador, tambm denominado de
transistor unipolar.
Fig. 1 Fotografia do aparato experimental de teste do primeiro transistor, inventado em
1947, por Brattain, Bardeen e Shockley.
Tipos de transistores
Os transistores podem ser classificados de acordo com o tipo de portador de carga
utilizado para transporte de corrente. Sob esse ponto de vista, existem dois tipos de
transistores: os bipolares e os unipolares. Enquanto os bipolares utilizam-se de eltrons livre E
lacunas como portadores de carga, os transistores unipolares utilizam-se de eltrons livres OU
lacunas como portadores de carga. A Fig. 2 ilustra os tipos de transistores bipolares e
unipolares existentes, que sero descritos neste captulo.
Transistores 2

'

'

'

'

'

'

'

P Canal
N Canal
ento Enriquecim
P Canal
N Canal
Depleo
MOSFET
P Canal
N Canal
JFET
UNIPOLARES
PNP
NPN
BIPOLARES
ES TRANSISTOR
Fig. 2 Tipos e classificao dos transistores.
O transistor bipolar
O esquema do funcionamento do transistor bipolar NPN (designado pela sigla BJT
bipolar junction transistor) est mostrado na Fig. 3. Ele caracterizado por duas junes PN,
sendo que o semicondutor tipo P, comum s duas junes denominado base. O
semicondutor tipo N de uma das junes, com alto nvel de dopagem, denominado
emissor, enquanto que o outro semicondutor tipo N com baixo nvel de dopagem chamado
coletor.
O coletor, levemente
dopado, est "positivo"e
atrai os eltrons vindos do
emissor
A base est pobre
de lacunas
O emissor, altamente
dopado, est "rico"
de eltrons
C
o
r
r
e
n
t
e

d
e

e
l

t
r
o
n
s
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- -
- - -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- -
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
N
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+ + +
+
P
N
-
-
I baixa
B
I alta
C
I alta
E
-
+
-
+
Corrente de eltrons
Corrente de eltrons
C
o
r
r
e
n
t
e

d
e

e
l

t
r
o
n
s
Corrente convencional (+)
Corrente convencional (+)
Corrente convencional (+)
C
o
r
r
e
n
t
e

c
o
n
v
e
n
c
i
o
n
a
l

(
+
)
Fig. 3 Esquema do funcionamento do transistor bipolar NPN.
Transistores 3
O emissor a regio rica em portadores de carga; sua tarefa enviar os portadores
para a base e dali para o coletor. O coletor como o nome diz, coleta os portadores que
atravessam a base. A base atua como regio de controle do fluxo de portadores de carga do
emissor para o coletor.
As regies tipo N contm eltrons livres como portadores majoritrios, enquanto que
a regio tipo P contm lacunas como portadores majoritrios. O nome transistor bipolar vem
do fato que ambos os portadores (eltrons livres e lacunas) tomam parte do fluxo de corrente
que atravessa o dispositivo.
N
P
N
Coletor
Emissor
Base
C
E
B
Fig. 4 Estrutura, circuito equivalente e smbolo para o transistor bipolar NPN.
Circuito para caracterizao do transistor bipolar NPN
C
E
B
A
A
V
+ -
+
- i
V
i
B
C
CE
Fig. 5 Circuito para caracterizao de transstor bipolar NPN
Transistores 4
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
0
2
4
6
8
10
12
14
16

C
o
r
r
e
n
t
e

d
o

c
o
l
e
t
o
r
,

i
C

(
m
A
)
120 A
100 A
80 A
60 A
40 A
20 A
i
B
= 0 A


Tenso entre coletor e emissor, V
CE
(V)
Fig. 6 Famlia de curvas VI do coletor para um transistor bipolar NPN.
Transistor PNP
O transistor bipolar PNP opera de maneira anloga ao transstor NPN, porm com
fluxo de portadores majoritrios de cargas sendo as lacunas.
O coletor, levemente
dopado, est "negativo" e
atrai as lacunas vindas do
emissor
A base est pobre
de eltrons
O emissor, altamente
dopado, est "rico"
de lacunas
C
o
r
r
e
n
t
e

d
e

l
a
c
u
n
a
s
P
-
-
-
-
+
+
+
+
+
N
P
I baixa
B
I alta
C
I alta
E
-
+
Corrente de lacunas (+)
C
o
r
r
e
n
t
e

d
e

l
a
c
u
n
a
s

(
+
)
Corrente de lacunas (+)
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ + +
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
+
Fig. 7 Esquema do funcionamento do transstor bipolar PNP.
Transistores 5
P
N
P
Coletor
Emissor
Base
C
E
B
Fig. 8 Estrutura, circuito equivalente e smbolo para o transistor bipolar PNP.
-16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
-120 A
-100 A
-80 A
-60 A
-40 A
-20 A
i
B
= 0 A

C
o
r
r
e
n
t
e

d
o

c
o
l
e
t
o
r
,

i
C

(
m
A
)

Tenso entre coletor e emissor, V
CE
(V)
Fig. 9 Famlia de curvas VI do coletor para um transistor bipolar NPN.
Tabela 1Cdigos e especificaes de alguns transistores bipolares.
TIPO POL VCE0 IC (mA) P (mW) hFE IC (mA) Aplicaes
BC107 NPN 45 100 300 110-450 2 200 AF/ uso geral
BC108 NPN 20 100 300 110-800 2 200 AF/ uso geral
BC109 NPN 20 100 300 200-800 100 200 AF/ baixo rudo
BC327 PNP 45 500 800 100-600 100 700 AF/ at 1W
BC328 PNP 25 500 800 100-600 100 700 AF/ at 1W
BC337 NPN 45 500 800 100-600 100 700 AF
BC338 NPN 25 500 800 100-600 100 700 AF
BC368 NPN 20 1000 800 85-375 500 500 AF/ at 3 W
BC369 PNP 20 1000 800 85-365 500 500 AF
BC546 NPN 65 100 500 110-450 2 600 AF/ uso geral
BC547 NPN 45 100 500 110-800 2 600 AF/ uso geral
BC548 NPN 30 100 500 10-800 2 600 AF/ uso geral
BC549 NPN 30 100 500 200-800 2 600 AF/ baixo rudo
BC557 PNP 45 100 500 75-475 2 650 AF/ uso geral
BC558 PNP 30 100 500 75-475 2 650 AF/ uso geral
AF = usado na faixa de freqncia de udio.
Transistores 6
1, 27
1, 27
Base
Col etor
Emi ssor
5, 2
4, 2
5, 2
Base
Col etor
Emi ssor
Transi stor: Encapsul amento pl sti co TO-92
Transistores bipolares de pequeno sinal:
Famlia BC106 (obsoleto preferido)
BC182/BC212 (Uso geral)
2SA1085/2SC2547 (Baixo rudo e alta tenso)
Transistores NPN - 2SC2545 / 6 / 7
2SC2545 2SC2546 2SC2547 unidades
V
ce
60 90 120 V
I
c
100 100 100 mA
P
c
400 400 400 mW
h
fe
250 1200 250 1200 250 800 min max
f
T
90 90 90 MHz
C
b
3 3 3 pF
e
n
0,5 0,5 0,5 nV / Hz
1/2
Transistores PNP - 2SA1083 / 4 / 5
2SA1083 2SA1084 2SA1085 unidades
V
ce
60 90 120 V
I
c
100 100 100 mA
P
c
400 400 400 mW
h
fe
250 800 250 800 250 800 min max
f
T
90 90 90 MHz
C
b
3,5 3,5 3,5 pF
e
n
0,5 0,5 0,5 nV / Hz
1/2
Transistores 7
Circuitos de polarizao de transistores bipolares
Como visto nas Figuras 6 e 9, o transistor bipolar necessita de uma corrente de
polarizao da base para colocar o dispositivo na regio de operao. Por outro lado, a
corrente de base modula a corrente que flui entre o coletor e o emissor.
i
B
V
BB
V
CC
V
CE
+
-
+
-
R
B
R
C
i
C
+
-
+
-
V
BE
Fig. 10 Circuito de polarizao da base.
-V
A
i
C
V
CE
i = 0
B
i
B1
i
B2
i
B3
i
B4
0
Regio de saturao
Regio de corte
Regio ativa
Fig. 11 Esquema de curva caracterstica para transistores bipolares reais.
Relaes corrente-tenso para o transistor bipolar NPN operando na regio ativa:
T BE
V / V
S C
e I i (1)
Definindo o ganho de corrente de emissor comum como:
Transistores 8
B
C
i
i
(2)
vem que:
T BE
V / V S C
B
e
I i
i

,
_

(3)
partir da definio de :
E
C
i
i
(4)
obtm-se:
T BE
V / V
S
C
E
e I
i
i

(5)
Aplicaes
O transistor pode ser empregado de muitas maneiras, mas basicamente ele
desempenha duas funes: amplificao e chaveamento. No caso da amplificao, podemos
fazer uma analogia com uma torneira: girando a torneira, podemos controlar o fluxo de gua,
tornando-o mais forte ou mais fraco. No caso do chaveamento, podemos imaginar o transistor
como um interruptor de luz: ligando o interruptor, a luz se acende; desligando o interruptor, a
luz se apaga. Da mesma forma que a torneira controla o fluxo de gua, o transistor controla o
fluxo de corrente eltrica. E da mesma forma que o interruptor chaveia (liga ou desliga) a
luz, o transistor pode chavear corrente eltrica. A grande diferena, contudo, da torneira e do
interruptor para o transistor que nos dois primeiros o controle feito pelas nossas mos. J
no transistor, o controle da amplificao e do chaveamento feito por corrente eltrica. Ou
seja, no transistor bipolar temos corrente eltrica controlando corrente eltrica.
Isso importante por diversos motivos: em primeiro lugar, com o controle sendo
feito por corrente eltrica, consegue-se num transistor uma velocidade de operao milhares de
vezes mais rpida do que nossas mos. Em segundo lugar, o transistor pode ser acoplado a
outras fontes de sinal eltrico, como uma antena, um microfone, ou mesmo um outro
transistor. Por fim, sendo controlado por corrente, o transistor pode funcionar como uma
chave eletrnica, sem partes mveis, muito mais rpida e eficiente do que os antigos rels
(chaves eletro-mecnicas).
O transistor como amplificador
Amplificao de sinal um dos propsitos bsicos da eletrnica. Idealmente, na
entrada de um circuito amplificador temos um sinal de baixa intensidade, cuja amplitude
aumentada sem haver distoro na forma de onda, conforme ilustrado na Fig. 12.
Transistores 9
AMPLIFICADOR
FONTE DE POTNCIA CC
Sinal de sada
Fig. 12 Esquema de um amplificador
O transistor de efeito de campo (FET)
O transistor de efeito de campo (FET field effect transistor) um dispositivo
semicondutor cuja corrente de operao depende do campo eltrico aplicado no seu terminal
de controle, diferentemente do transistor bipolar, cuja corrente que flui entre o emissor e o
coletor controlada por corrente injetada no terminal base.
O FET tem diversas vantagens sobre o transistor bipolar:
1. Sua operao depende apenas do fluxo de portadores majoritrios. So, portanto,
dispositivos unipolares (trabalham apenas com um tipo de portador de carga) e por isso
recebe tambm, o nome de transistor unipolar;
2. So relativamente imunes radiao;
3. Possuem uma grande resistncia de entrada, tipicamente da ordem de megaohms;
4. Apresentam menor rudo comparado aos transistores bipolares;
5. Eles no apresentam tenso residual (tenso de offset) para corrente de dreno nula;
6. Apresentam estabilidade trmica.
A desvantagem do FET o seu pequeno produto ganho faixa de passagem
(bandwidth) em comparao ao transistor bipolar.
Existem dois tipos de transistor de efeito de campo: o FET de juno (JFET
junction field effect transistor) e o FET de porta isolada (IGFET insulated-gate field effect
transistor) mais comumente chamado MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect
transistor).
O transistor de efeito de campo de juno (JFET)
JFET canal P: portadores so lacunas
O JFET opera no modo de depleo, isto , uma tenso aplicada no terminal porta
pode remover os portadores de carga presentes no canal N. Por exemplo, o transistor
mostrado na Fig. 4 conduzir normalmente do terminal fonte para o terminal dreno. O canal N
contm eltrons livres em quantidade suficiente para suportar o fluxo de corrente. Se a tenso
da porta se tornar negativa, os eltrons livres sero empurrados para fora do canal N, pois
cargas iguais se repelem. Isto deixa o canal com poucos eltrons livres e a sua resistncia
Transistores 10
aumentar vrias vezes, reduzindo assim a corrente entre dreno e fonte. Na realidade, se a
tenso no terminal porta se tornar negativo, o dispositivo pode ser desligado e nenhuma
corrente fluir. Existem algumas diferenas importantes entre transistores bipolares e
unipolares, a principal delas que o transistor bipolar controlado por corrente, e o transistor
unipolar controlado por tenso.
O JFET o mais simples tipo de transistor dentre todos eles e tem pequeno uso
atualmente, em funo das melhores caractersticas do MOSFET. Sua aplicao restrita aos
circuitos discretos, nos quais utilizado tanto como amplificador como chave. Nos circuitos
integrados as suas aplicaes esto limitadas aos estgios de entrada diferencial de alguns
amplificadores operacionais para os quais deseja-se uma alta impedncia de entrada em
comparao aos transistores bipolares.
P P
Dreno (D)
Fonte (S)
Porta (G)
Canal
N
G
S
D
Fig. 13 (a) FET juno canal N e (b) smbolo do JFET canal N.
Regio de depleo
Porta tipo P+
Porta tipo P+
Dreno
Canal tipo N
Fonte
V
DD
V
GG
i
G
i
S
i
D
Fig. 14 Estrutura bsica de um transistor de efeito de campo canal P. As polaridades normais
das fontes de tenso V
DD
(dreno-fonte) e V
GG
(porta-fonte) esto mostradas.
Transistores 11
V
V
A
+
-
+
-
I
D
V
GG
V
DD
V
DS
V
GS
+
-
Fig. 15 Circuito para caracterizao de JFET canal N.
N N
Dreno (D)
Fonte (S)
Porta (G)
Canal
P
G
S
D
Fig. 16 (a) FET juno canal P e (b) smbolo do JFET canal P.
Transistores 12
Fig. 17 Curvas V-I caractersticas de um JFET canal N.
O transistor de efeito de campo MOSFET
N
+
N
+
S
u
b
s
tr
a
to
tip
o
P
C
a
n
a
l P
P
o
r
t
a
(
G
)
F
o
n
t
e
(
S
)
D
r
e
n
o
(
D
)
SiO
2
Terminal do
substrato (B)
Fig. 18 Transistor de efeito de campo metal xido semicondutor (MOSFET) ou FET de porta
isolada (IGFET).
Transistores 13
Fig. 19 Princpio de funcionamento do MOSFET no modo enriquecimento.
DRENO ( D)
FONTE ( S)
PORTA ( G)
SUBSTRATO
(B)
MOSFET CANAL N
DRENO ( D)
FONTE ( S)
PORTA ( G)
SUBSTRATO
(B)
MOSFET CANAL P
Fig. 20 (a) Curvas V-I caractersticas e (b) curva de transferncia (para VDS = 10 V) para um
NMOSFET que tanto pode ser usado no modo de depleo quanto no modo de
enriquecimento (Millman, 1967).
Transistores 14
Circuitos digitais que empregam lgica CMOS
A utilizao de FETs como dispositivos lgicos tem diversas vantagens sobre os
dispositivos baseados em transistores bipolares, particularmente devido alta resistncia do
terminal porta (G). Este fato acarreta em baixa dissipao de energia, da ordem de
1 mW/porta. Quando um FET canal p utilizado complementarmente a um FET canal n,
apenas uma fonte necessria, da o nome de semicondutores de xido metlico
complementares CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). A Fig. 19 apresenta
um circuito CMOS utilizado como porta lgica inversora em circuitos digitais.
V
in
+V
DD
V
out
Q
1
Q
2
Fig. 21 Circuito CMOS de uma porta lgica inversora.
Parmetros operacionais das portas lgicas CMOS:
V
DD
= 3 a 15 V, P
d
= 0,3 Mw,
d
= 200 ns, V
NM
= 0,4 V
DD
Estado lgico 1 V
DD
e estado lgico 0 = 0 V.
A lgica CMOS oferece algumas vantagens substanciais, tais como: baixa dissipao
de energia, excelente margem de rudo e elevada capacitncia. Esta ltima caracterstica,
embora reduza a velocidade do dispositivo, por outro lado torna-o bastante insensvel fonte
de potncia utilizada. Ainda, pode-se aumentar a sua margem de rudo aumentando-se o valor
de V
DD
.
Transistores 15
Fig. 22 Esquema de uma memria de computador RAM utilizando CMOSFET.
Fig. 23 Fotomicrografia de um circuito integrado CMOS.
Transistores 16
Comparao entre o transistor bipolar e o MOSFET.
Tendo em vista as caractersticas dos transistores bipolares e os FET estudados aqui,
seria ilustrativo comparar os dois tipos de transistores disponveis comercialmente para a
mesma faixa de operao. A Tabela 2, extrada do livro The art of electronics , apresenta
um quadro comparativo entre diferentes tipos de transistores.
Em geral, MOSFET de potncia so alternativas mais atraentes do que os transistores
bipolares. Embora eles custem mais caro, para a mesma capacidade, eles so mais simples de
operar e possuem uma rea de operao segura mais ampla do que os BJTs. Geralmente, os
BJTs tem melhor desempenho em baixos sinais do que os MOSFETs. Em compensao, na
faixa de 10-50 A/0-100 V, os MOSFETs tem melhor desempenho. Observe na Tabela 2 a
enorme corrente de base necessria para trazer o BJT para saturao 10% ou mais do valor
da corrente do coletor. Comparativamente, o MOSFET requer apenas 10 V de polarizao da
porta (corrente zero). Naturalmente, os MOSFETs de potncia tem capacitncia maior do que
os BJTs para a mesma corrente; em algumas aplicaes (particularmente se o tempo de
chaveamento for importante) necessrio considerar o produto da capacitncia pela tenso de
saturao como figura de mrito do dispositivo.
Tabela 2 Comparativo entre transistores bipolares e FET comerciais (Horowitz, 1993).
V
sat
mx. (V)
Classe Tipo i
C
, i
D
25
o
C 125
o
C i
B
, V
GS
C
out
mx.
(10 V)
Preo
(US$/100 p)
60V, 0,5A
60V, 10A
100V, 50A
400V, 15A
NPN: 2N4400
NMOS: VNO610
NPN: 2N3055
NMOS: MTP3055A
NPN: 2N6274
NMOS: VNE003A
NPN: 2N6547
NMOS: IRF350
0,5A
0,5A
10A
10A
20A
20A
15A
15A
0,75
2,5
3
1,5
1
0,7
1,5
3
0,8
4,5

2,3
1,4
1,1
2,5
6
50mA
10V
3,3A
10V
2A
10V
2A
10V
8pF
25pF
600pF
300pF
600pF
3000pF
500pF
900pF
0,09
0,43
0,65
0,57
11,00
12,50
4,00
12,60
Referncias bibliogrficas
DIEFENDERFER, A.J. Principles of electronic instrumentation. Philadelphia, PA: Sauders
College Publishing, 1979.
HOROWITZ, P., HILL, W. The art of electronics. New York: Cambridge University Press,
1993.
MALMSTADT, H.V., ENKE, C.G. Electronics for scientists: principles and experiments for
those who use instruments. New York: W.A. Benjamin, 1962.
Transistores 17
MILLMAN, J. & HALKIAS, C.C. Electronic devices and circuits (International student
edition). Tokyo: McGraw-Hill Kogakusha, 1967.
SCHULER, C.A. Electronics principles and applications. New York: McGraw-Hill, 1985.
SEDRA, A.S., SMITH, K.C. Microeletrnica. So Paulo: Makron Books, 2000.
REZENDE, S.M. A fsica de materiais e dispositivos eletrnicos. Recife, PE: Editora
Universitria da UFPE, 1996.