E-Book Instrumentação Eletrônica Geral - SENAI PDF

CPM Programa de Certificao do Pessoal de Manuteno
Eletrnica Geral
Instrumentao
REVISO AGOSTO/99
__________________________________________________________________________________________
CST
Companhia Siderrgica de Tubaro
2
Eletrotcnica Bsica Instrumentao
SENAI ES, 1999
Trabalho realizado em parceria SENAI / CST (Companhia Siderrgica de Tubaro)
Coordenao Geral Evandro de Figueiredo Neto (CST)
Robson Santos Cardoso (SENAI)
Superviso Rosalvo Marcos Trazzi (CST)
Fernando Tadeu Rios Dias (SENAI)
Elaborao J ader de Oliveira (SENAI)
Aprovao Alexandre Kalil Hanna (CST)
Carlos Athico Prates (CST)
Wenceslau de Oliveira (CST)
SENAI Servio Nacional de Aprendizagem Industrial
CTIIAF Centro Tcnico de Instrumentao Industrial Arivaldo Fontes
Departamento Regional do Esprito Santo
Av. Marechal Mascarenhas de Moraes, 2235
Bento Ferreira Vitria ES
CEP 29052 - 121
Telefone: (027) 334 - 5200
Telefax: (027) 334 - 5212
CST Companhia Siderrgica de Tubaro
Departamento de Recursos Humanos
Av. Brigadeiro Eduardo Gomes, s/n, J ardim Limoeiro Serra ES
CEP 29160-972
Telefone: (027) 348-1286
Telefax: (027) 348-1077
ndice
Assunto Pgina
Fsica dos Semicondutores e Diodos................................... 4
Transistor Bipolar................................................................ 19
Transistor de Efeito de Campo - FET.................................. 40
Circuitos Bsicos de Amplificadores...................................52
Fontes de Alimentao.........................................................57
Amplificadores Operacionais ..............................................74
Tiristores...............................................................................86
Exerccios.............................................................................113
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FSICA DOS SEMICONDUTORES E DIODOS
1 - FSICA DOS SEMICONDUTORES
1.1 - Estrutura atmica
J sabemos que podemos dividir uma substncia em pores cada vez menores at chegar a
menor das pores, que denominamos molcula.
A molcula a menor poro que um material pode ser dividido sem que com isso venha
sofrer alteraes em suas propriedades.
Se dividirmos a molcula em partes, chegaremos ao tomo, sendo que este no mais
conservar as propriedades do material subdividido.
O tomo composto de outras partculas que so eltrons, prtons e nutrons, conforme a
figura abaixo:
Os prtons (p) possuem cargas eltricas positivas.
Os eltrons (e) possuem cargas eltricas negativas.
Como vemos, o tomo formado por camadas concntricas ande fica ncleo. As camadas so
nveis de energia.
Chamamos de eltrons de valncia os eltrons que pertencem a ltima camada (camada
externa) do tomo.
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Um tomo possui no mximo 7 (sete) camadas, assim denominadas: k, l, m, n, o, p, conforme
abaixo:
As camadas inferiores, uma vez completas, no cedem nem recebem eltrons, logo os
eltrons de valncia (eltrons da ltima camada externa) so os nicos em condio de
participarem de fenmenos qumicos ou mesmo eltricos.
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1.2 - Classificao do Materiais quanto condutividade
Os materiais podem ser classificados em 03 (trs) tipos:
condutores
isolantes
semicondutores
Condutores:
Dizemos que um material condutor, quando os eltrons so fracamente ligados ao ncleo e
ao serem submetidos a uma diferena de potencial passam a se locomover no interior do
material.
Podemos citar como exemplo o ouro, a prata, o cobre e outros.
Isolantes:
Dizemos que um material isolante, quando os eltrons se encontram fortemente presos em
suas ligaes, evitando a circulao desses eltrons.
Podemos citar como exemplo, a borracha, a mica, a porcelana, etc.
Semicondutores:
Dizemos que um material semicondutor se sua resistncia se encontra entre a dos
condutores e a dos isolantes.
Os principais semicondutores utilizados so:
Silcio (Si)
Germnio (Ge)
A principal caracterstica dos semicondutores a de possuir 04 (quatro) eltrons em sua
ltima camada, camada de valncia. Isto permite aos tomos do material semicondutor a
formao entre si de ligaes covalentes.
1.3 - Cristais semicondutores
Dizemos que uma substncia cristalina se ela possui uma estrutura cbica, tendo seus
tomos ocupando os vrtices desse cubo.
O silcio (Si) e o germnio (Ge) apresentam-se sob a forma cristalina, significando que seus
tomos acham-se dispostos uniformemente em uma configurao peridica.
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Ligao covalente:
a ligao por meio de pares de eltrons que participam simultaneamente dos dois tomos,
mantendo a estabilidade.
1.4 - Classificao dos tomos quanto ao nmero de eltrons na camada de valncia
Elemento trivalente:
todo elemento que possua em sua ltima camada (camada de valncia) um total de 03 (trs)
eltrons
Exemplo:
Alumnio, ndio, boro, glio.
Elemento tetravalente:
todo elemento que possua em sua ltima camada (camada de valncia) um total de 04
(quatro) eltrons Exemplo:
Silcio, germnio, carbono, estanho.
Elemento pentavalente:
todo elemento que possua em sua ltima camada(camada de valncia) um total de 05
(cinco) eltrons. Exemplo:
Antimnio, nitrognio, fsforo, arsnio.
1.5 - Dopagem do semicondutor
Chama-se dopagem de um semicondutor, o processo utilizado para construir elementos P e
N, atravs da mistura ao silcio (Si) ou germnio (Ge) de quantidades reduzidas de impurezas
de elementos trivalentes ou pentavalentes.
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1.6 - Semicondutor tipo N
Se introduzirmos na estrutura cristalina de um semicondutor uma pequena quantidade de um
material pentavalente, por exemplo, antimnio (Sb), tendo este 05 (cinco) eltrons na camada
de valncia, haver a sobra de 01 (um) eltron do antimnio (Sb) que no formar ligao
covalente.
O tomo do antimnio (Sb) que deu esse eltron chamamos de doador. O silcio (Si) ou
germnio (Ge) dopados com elementos pentavalentes so chamados de tipo N, sendo um
material negativo.
Os portadores de carga no material tipo N, so os eltrons.
1.7 - Semicondutor tipo P
Se introduzirmos na estrutura cristalina de um semicondutor uma pequena quantidade de um
material trivalente, por exemplo ndio (ln), tendo este 03 (trs) eltrons na camada de
valncia, faltar um eltron.
Essa falta de eltron comporta-se como uma carga positiva que chamamos de lacuna.
Os semicondutores dopados com elementos trivalentes so chamados do tipo P, e ao
elemento trivalente da dopagem chamamos de aceitador.
Os portadores de carga no material tipo P so as lacunas.
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1.8 - Portadores de cargas
A condutividade de um semicondutor depende do nmero de portadores de carga, eltrons ou
lacunas, dependendo da dopagem. Outro fator que influi na condutividade a temperatura.
Este fator contribui para o rompimento da ligao covalente, dando origem a eltrons e
lacunas medida que a temperatura aumenta. No material tipo N os eltrons da dopagem
mais os surgidos pelo rompimento das ligaes so chamados de portadores majoritrios,
pois existem em maior quantidade no material. E as lacunas surgidas no material tipo N,
devido ao rompimento das ligaes, chamadas de portadores minoritrios.
No material tipo P os portadores majoritrios so as lacunas e os portadores minoritrios so
os eltrons:
2 - DIODO
2.1 - Juno PN
Se unirmos um material do tipo P a um material do tipo N, de maneira a construirmos um
nico cristal, esta juno ser denominada de juno PN ou diodo de juno. Sua grande
utilidade reside em deixar passar uma dada corrente em apenas um sentido. Sendo esta
corrente alternada, que flui em dois sentidos, passa a fluir em um s sentido. A esta operao
chamamos de retificao.
Na figura abaixo, representamos uma juno PN no polarizada.
O material N apresenta um grande nmero de eltrons (portadores majoritrios) e o material
P um grande nmero de lacunas (portadores majoritrios). Haver difuso atravs da juno,
ou seja, alguns eltrons comeam a aparecer nas proximidades do material P e algumas
lacunas, nas proximidades do material N, causando a recombinao (ocupao de uma lacuna
por um eltron ) entre esses portadores e uma neutralizao de cargas (um eltron se anula
com uma lacuna).
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Quando um eltron e uma lacuna se encontram, suas cargas individuais neutralizam-se e isto
deixa o tomo da impureza carregado. Os tomos das impurezas so fixos. O tomo que
produzir o eltron tem agora uma lacuna e se carrega positivamente, e o tomo que produziu
a lacuna tem um eltron e se carrega negativamente, e so chamados de ons. Com isto
aparecer um campo eltrico entre o material P e o material N e uma diferena de potencial
chamada de barreira de potencial ou regio de carga espacial ( camada de depleo ).
Depleo significa diminuio ou ausncia e, neste caso, esta palavra corresponde ausncia
de portadores majoritrios na regio prxima juno PN .
2.2 - Polarizao Inversa da Juno PN
Consiste em colocarmos o terminal positivo da bateria no elemento N juno PN e o terminal
negativo da bateria no lado P.
Neste caso, os portadores majoritrios do lado P (lacunas) so atrados pelo plo negativo da
bateria e do lado N (eltrons) pelo plo positivo da bateria.
Os portadores majoritrios se afastam da juno, aumentando a barreira de potencial, no
permitindo a passagem de corrente atravs da juno.
Na realidade existir uma pequena corrente, devido aos portadores minoritrios. Esta corrente
chamada corrente de fuga, e varia com a temperatura.
2.3 - Polarizao direta da Juno PN
Consiste em colocarmos o terminal positivo da bateria no elemento P da juno PN e o
terminal negativo da bateria ao lado N.
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Neste caso, os portadores majoritrios so repelidos em direo juno, havendo uma
barreira de potencial muito pequena e facilidade para passagem da corrente eltrica. O diodo
apresenta uma resistncia muito baixa para esta polarizao.
NOTA:
Conforme os estudos anteriores, podemos concluir que o elemento PN conduz quando
diretamente polarizado, apresentando, na juno, uma pequena resistncia, um pouco maior
que uma ou duas dezenas de ohms, e no conduz quando polarizado inversamente,
apresentando uma resistncia da ordem de mega-ohms.
2.4 - Smbolo e forma fsica do diodo de juno
Como vimos, ao elemento puro, por exemplo o silcio, dopado de forma a ter uma regio P e
N, chamados de diodo de juno.
O diodo possui 02 (dois) eletrodos. Ao lado P, conecta-se um elemento denominado nodo, e
o lado N, o catodo, conforme a figura abaixo.
Como sabemos, o fluxo de corrente do material P para o N, ou seja, do nodo ( +) para o
catodo ( - ), que ocorre na polarizao direta.
Podemos representar um diodo polarizado diretamente atuando como uma chave fechada, que
representa uma resistncia quase igual a 0 (zero).
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Quando polarizamos o diodo inversamente, representamo-lo atuando como se fosse sendo sua
resistncia de valor muito elevado, no havendo circulao de corrente.
As formas fsicas de alguns diodos de juno, mostramos na figura abaixo.
2.5 - Curva caracterstica do diodo de juno
Na figura abaixo representamos a curva caracterstica de um diodo com polarizao direta e
inversa.
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A polarizao direta representada no eixo positivo pela tenso (Vd), e a corrente (Id),
enquanto que a marcada no eixo negativo indica a polarizao inversa.
Podemos observar que o diodo s comea a conduzir a partir da tenso V
Esta tenso, a 25C , de aproximadamente 0,3 V para um diodo de germnio (Ge), e de
0,7V para um diodo de silcio (Si). Podemos notar, pela curva em polarizao direta, que para
pequenos valores de Vd, praticamente no temos Id, passando a existir quando atingirmos as
caractersticas de conduo do diodo.
A corrente da polarizao direta (id) da ordem de mili-ampres (mA).
Na polarizao inversa, notamos que para pequenos valores de tenso, a corrente
aproximadamente constante. Esta corrente devida aos portadores minoritrios, sendo da
ordem de micro-ampres ( A). Quando aumentamos a tenso inversa, notamos que Ir quase
no apresenta variaes, at atingirmos a tenso mxima inversa na qual o diodo se queima; a
esta tenso chamamos de tenso de ruptura.
2.6 - Determinao da reta de carga de um diodo
Quando utilizarmos um diodo, devemos determinar o ponto de operao (ponto em que o
diodo est trabalhando), atravs da reta de carga.
Consideramos o circuito abaixo:
No circuito acima temos um diodo polarizado diretamente, onde circula uma corrente I no
sentido indicado, passando pelo resistor R.
Conhecemos a curva caracterstica do diodo, descrita anteriormente.
Para sabermos o ponto de funcionamento do diodo, devemos conhecer o valor da corrente e
da tenso sobre o mesmo. Pelo circuito, podemos escrever:
E=Vd +I.R
Para traarmos uma reta, necessitamos de 02 (dois) pontos, fazendo:
1) Para I =0, temos:
E=Vd +0.R
E=Vd (que o ponto do eixo das abscissas)
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2) Para Vd =0, temos:
E=0 +I . R
I =E . (que o ponto do eixo das ordenadas)
R
A reta que passa por estes pontos chamada de reta de carga e sua interseo com a curva
caracterstica do diodo, indica o ponto de operao do diodo ou ponto quiescente.
Na figura acima a reta de carga intercepta a caracterstica do diodo no ponto de operao do
mesmo e atravs de duas perpendiculares passando por esse ponto em relao a Id e Vd,
determinamos a tenso de trabalho (Vdq) e a corrente de trabalho (Idq) do diodo.
Exemplo :
Dada a curva caracterstica de um diodo, mostrada na figura abaixo, determinar o seu ponto
quiescente e sua potncia de dissipao, sabendo-se que ele est ligado em srie com um
resistor de 50 e alimentado por uma fonte de 2,2V.
Primeiramente, deve-se determinar a reta de carga:
Vc =Vcc Vc =2,2V
Is =Vcc/R
L
Is =2,2/50 Is =44mA
Traa-se agora a reta de carga sobre a curva caracterstica do diodo:
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Assim, o ponto quiescente resultante :
Vd =1,2V e Id =20mA
Finalmente, a potncia dissipada pelo diodo vale:
P
D
=Vd * Id P
D
=1,25 * 20 * 10
-3
P
D
=25mW
2.7 Modelos de diodos
2.7.1 Modelo 1 - Diodo Ideal
Dizemos que um diodo ideal quando conduz, diretamente, ao ser polarizado e sua
resistncia igual a zero; porm quando polarizado inversamente, sua resistncia infinita, o
diodo no conduz.
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2.7.2 - Modelo 2 - Diodo com V
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2.7.3 - Modelo 3 - Diodo com V e R
D
( Modelo Linear )
Este modelo o mais prximo do real e considera o diodo comportando-se como um
condutor em srie com uma bateria de valor V e uma resistncia RD correspondente
inclinao de sua curva caracterstica na polarizao direta.
..............
Exemplos:
Para efeito de comparao, estes exemplos mostram os resultados dos clculos das correntes
num diodo, utilizando-se os trs modelos em duas condies diferentes de circuitos:
Circuito 1
Neste caso, percebe-se que as diferenas entre os resultados obtidos so pequenas em
relao ordem de grandeza da corrente no diodo e, portanto, qualquer modelo pode ser
adotado, dependendo apenas da preciso desejada.
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Neste caso, percebe-se que as diferenas entre os resultados obtidos so quase da mesma
ordem de grandeza da corrente no diodo e, portanto, o modelo 3 deve ser o preferido, pois a
corrente resultante certamente muito prxima do valor real.
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TRANSISTOR BIPOLAR
1 - TRANSISTOR
1 .1 - Introduo
No estudo de diodo, analisamos uma juno PN. Para o transistor, estudaremos duas junes.
Para cada juno do transistor, existir uma barreira de potencial. Temos 02 (dois) tipos de
transistores, NPN e PNP, apresentando 03 (trs) terminais: o emissor, a base e o coletor, e
duas junes: juno base-emissor e a juno base-coletor, conforme a figura abaixo.
Neste caso, o emissor composto de um material tipo N, tem a funo de emitir eltrons. O
coletor, que tambm de material tipo N, coleta os eltrons. A base, formada por material
tipo P, a parte comum.
1.2 - Polarizao do transistor
No transistor, a juno base-emissor polarizada diretamente, e a juno base-coletor
polarizada inversamente, independente do tipo NPN ou PNP.
Como sabemos, ao polarizar uma juno PN diretamente, teremos uma reduo na barreira de
potencial e uma resistncia de pequeno valor.
Ao polarizar inversamente a juno PN, teremos um aumento na barreira de potencial e uma
resistncia de valor elevado.
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Os eltrons que so portadores majoritrios do material tipo N, saem do emissor e so
injetados na regio da base, devido polarizao direta da juno base-emissor. Como a
juno base-coletor possui polarizao inversa, os eltrons que saem do emissor so injetados
na base, e so atrados para o coletor, devido a base ser fina e possuir uma quantidade
pequena de lacunas.
A corrente do emissor (I
E
) relativamente grande, dada em mili-ampre (mA), a corrente da
base (I
b
) pequena, dada em micro-ampre ( A) e a corrente do coletor (I
C
) tambm
grande, dada em mili-ampre (mA). A corrente de base pequena devido a ela ser
praticamente resultante de poucas recombinaes na base. Pela figura 2 podemos escrever a
equao: I
E
=I
B
+I
C
, e como a corrente da base I
B
pequena, temos I
E
I
C
. Outra equao
que podemos escrever a seguinte: V
CE
=V
BE
+V
CB
, onde V
CE
a tenso entre coletor e
emissor.
1.3 - Convenes e simbologia
Os smbolos convencionados para o transistor so os seguintes:
Polarizando o transistor, teremos as tenses e corrente indicadas na figura abaixo.
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1.4 - Relaes entre correntes no transistor
Sabemos que: I
E
=I
B
+I
C
; mas I
B
muito menor que I
C
e representa a parte do fluxo de
eltrons atingiu o coletor.
Para relacionarmos I
C
e I
E
podemos introduzir um parmetro (ganho em corrente contnua).
=I
C
.
I
E
Como I
C
menor que I
E
, teremos que ser sempre menor que 01 (um).
Podemos tambm relacionar I
C
com I
B
. Neste caso, temos o parmetro S (ganho em corrente
contnua), que relaciona a corrente de sada (I
C
), com a corrente de entrada (I
B
).
=I
C
. =/(1+) ou =/(1-)
I
B
NOTA:
Algumas vezes, o ganho de corrente do transistor (), representado por outro parmetro que
denominado h
fE
.
1.5 - Configurao em que se apresentam os transistores
Existem 03 (trs) tipos de configuraes em que podemos montar um transistor: emissor
comum, base comum e coletor comum.
O tipo de configurao est relacionado com o terminal de entrada e sada, tendo um
elemento comum entrada e sada.
a) Configurao emissor comum
Dizemos que um transistor est na configurao de emissor comum, quando a entrada na
base e a sada no coletor, tendo o emissor como elemento comum.
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b) Configurao base comum
Dizemos que um transistor est na configurao. coletor, tendo a base como elemento
comum.
c) Configurao Coletor Comum
Dizemos que um transmissor est em configurao coletor comum (ou seguidor de emissor),
quando a entrada na base e a sada no emissor, tendo o coletor como elemento comum.
medio
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1.6 - Curvas caractersticas do transistor
As curvas caractersticas do transistor estabelecem relaes entre entrada e sada para cada
configurao, sendo a mais utilizada a configurao emissor comum. As curvas so de grande
importncia para conseguirmos o ponto de timo funcionamento do transistor, de acordo com
o projeto adotado.
a) Caractersticas V
CE
x I
C
Fornece-nos a caracterstica de sada do transistor na configurao emissor comum, sendo I
B
constante para cada variao de V
CE
e I
C
.
b)Caracterstica V
BE
x I
B
Fornece-nos a caracterstica de entrada do transmissor na configurao emissor comum,
quando V
CE
constante.
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Exemplos:
Dadas as curvas caractersticas de entrada e sada de um transistor NPN, determinar:
a) A corrente na base para V
BE
=0,8V ;
b) O ganho de corrente nas condies do item a ;
c) O ganho de corrente na configurao BC ;
d) O novo ganho de corrente, caso i
B
dobre de valor, mantida a tenso V
CE
;
e) O novo ganho de corrente na configurao BC.
a) Para V
BE
=0,8V , tem-se que i
B
=300A .
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b) A curva caracterstica de entrada foi obtida para V
CE
=5V. Entrando com esse valor na
curva caracterstica de sada, juntamente com a corrente de entrada i
B
obtida no item a,
tem-se que a corrente de sada i
C
=110mA.
Com os valores de i
C
e i
B
, tem-se que o ganho de corrente do transistor, nestas condies,
vale:
=i
C
/i
B
=110*10
-3
/300*10
-6
=367
c) Na configurao BC, o ganho de corrente vale:
= / ( 1+ ) 367 / ( 1+367 ) =0,9973
d) Se a corrente de base dobrar de valor, tem-se i
B
=600A.
Pela curva caracterstica de sada ( mostrada anteriormente ), chega-se ao novo valor da
corrente de coletor:
iC =280mA
Assim:
=i
C
/ i
B
=280*10
-3
/ 600*10
-6
=467
e) Na configurao BC , o ganho de corrente vale:
=/ ( 1+) =467 / ( 1+467 ) =0,9979
1.7 - Ponto de operao de um transistor
Ao polarizarmos o transistor devemos verificar os limites de operao do mesmo, ou seja, a
tenso mxima
coletor-emissor (V
CE mx
), a corrente mxima de coletor (I
C mx
), a tenso mxima base-
emissor (V
BE mx
), a tenso mxima coletor-base (V
CB

mx
), a Potncia mxima (P
C

mx
) e a
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temperatura mxima. Se ultrapassarmos estes limites, poderemos danificar o transistor ou
faz-lo trabalhar com distores.
O ponto de operao de um transistor, tambm denominado ponto de trabalho ou ponto
quiescente, deve ser localizado na regio de operao limitada pelos valores mximos de
tenso, corrente e potncia.
Alm da regio de operao (regio ativa), onde o transistor trabalha sem distores, devem
ser levadas tambm em considerao as regies de corte e de saturao. Na regio de corte, a
tenso V
BE
menor que V
BE
de conduo, logo no haver corrente I
B
circulando, I
C
tambm
ser zero, e V
CE
estar com valor elevado. Na regio de saturao, a tenso V
BE
um pouco
maior que V
BE
de conduo. Neste caso, a corrente de entrada I
B
e consequentemente I
C
so
muito grandes, o que implica em V
CE
baixo, em torno de 0,2 Volts (dependendo do transistor)
1.8 - Corrente de fuga do transistor (I
CBO
)
Quando polarizamos uma juno PN inversamente, circular pela portadores minoritrios. A
corrente de fuga (I
CBO
) circula do coletor para a base com o emissor em aberto, conforme a
figura abaixo.
A corrente I
CBO
varia com a temperatura. Para cada 10 C de aumento na temperatura, a
corrente I
CBO
dobra o valor.
1.9 - Circuito simples do transistor
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Senai
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Vamos considerar o seguinte circuito:
a) Relao entre I
B
e V
BE
Pela malha de entrada, podemos escrever a seguinte equao:
E
1
=R
1
. I
B
+V
BE
Para determinarmos o ponto de operao do transistor, suponhamos:
1) V
BE
=0, teremos I
B
=E
1
(1 ponto)
R
1
2) I
B
=0, teremos V
BE
=E
1
(2 ponto)
Pela curva caracterstica V
BE
x I
B
, teremos:
b) Relao entre I
C
e V
CE
Pela malha de sada do circuito, podemos escrever a seguinte equao
E
2
=R
2
. I
C
+V
CE
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Para determinarmos o ponto de operao do transistor para esta caracterstica suponhamos:
1) V
CE
=0, teremos: I
C
=E
2
(1 ponto)
R
2
2) I
C
=0, teremos: V
CE
=E
2
(2 ponto)
Por esses dois pontos determinamos a reta de carga., e pela corrente I
BQ
determinamos o
ponto de operao do transistor (Q), conforme a figura abaixo.
1.10 - Circuito de polarizao em emissor comum
Nesta configurao, a juno base-emissor polarizada diretamente e a juno base-coletor.
Para isso, utilizam-se duas baterias e dois resistores para limitar as correntes e fixar o ponto
quiescente do circuito.
Considerando apenas o transistor NPN, pode-se fazer a anlise das malhas de entrada e
sada.
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Malha de entrada: R
B
*I
B
+V
BE
=V
BB

Portanto, a equao de R
B
:
R
B
=( V
BB
V
BE
) / I
B
Malha de sada: R
C
*I
C
+V
CE
=V
CC
Portanto a equao de R
C
:
R
C
=(V
CC
V
CE
) / I
C
Existem vrias formas de simplificar este circuito, eliminando-se uma das fontes de
alimentao, como sero vistas a seguir.
Circuito de polarizao EC com corrente de base constante
Para eliminar a fonte de alimentao da base V
BB
, pode-se fazer um divisor de tenso entre
o resistor de base R
B
e a juno base-emissor, utilizando apenas a fonte V
CC
, como mostra a
figura 7.8.
Para garantir a polarizao direta da juno base-emissor, e reversa da juno base-coletor,
R
B
deve ser maior que R
C
.
Reescrevendo-se as equaes das malhas de entrada e sada, tem-se:
Malha de entrada: R
B
*I
B
+V
BE
=V
CC
B
:
R
B
=( V
CC
V
BE
) / I
B
Malha de sada: R
C
*I
C
+V
CE
=V
CC
Portanto a equao de R
C
:
R
C
=( V
CC
V
CE
) / I
C
__________________________________________________________________________________________
CST
30
Neste circuito, como V
CC
e R
B
so valores constantes e V
BE
praticamente no varia, a
variao da corrente de polarizao da base desprezvel. Por isso, este circuito chamado
de polarizao EC com corrente de base constante.
Exemplo: Polarizao EC com corrente de base constante
Dado um transistor com =200 e uma fonte de alimentao de 12V , determinar os
resistores de polarizao ( valores comerciais ) para o ponto quiescente: V
CEQ
=V
CC
/ 2, I
CQ
=15mA e V
BEQ
=0,7V .
Clculo de RC :
R
C
=( V
CC
V
CEQ
) / I
CQ
= ( 12 6 ) / 15*10
-3
R
C
=400
Valor comercial adotado: R
C
=470
Potncia de R
C
:
P
RC
=R
C
*I
CQ
2
=470*( 15*10
-3
)
2
=106mW ( 1/4 W )
Clculo de R
B
:
I
BQ
=I
CQ
/ I
BQ
=15*10
-3
/ 200 I
BQ
=75A
R
B
=( V
CC
V
BEQ
) / I
BQ
R
B
=( 12 0,7 )/ 75*10
-6
R
B
=150667
Valor comercial adotado : R
B
=150 K
Potncia de R
B
:
P
RB
=R
B
*I
BQ
2
=150*10
-6
*( 75*10
-6
)
2
=0,84 pW ( 1/8 W )
Observao:
Ao se adotarem os valores comercias para os resistores de polarizao, impe-se um pequeno
deslocamento no ponto quiescente. Porm este erro no relevante, dado que todos os
parmetros do transistor so, tambm, valores estimados pelos fabricantes, sem contar a
tolerncia dos resistores de polarizao.
__________________________________________________________________________________________
Senai
31
O circuito de polarizao EC com corrente de base constante tem o inconveniente de ser
muito sensvel a variaes de temperatura.
Influncia da temperatura no comportamento dos transistores.
O cristal semicondutor um material sensvel temperatura, isto , seu aumento pode
fornecer energia suficiente aos tomos do cristal, gerando novos portadores.
Assim sendo, os diodos e transistores sofrem influncia da temperatura. No caso dos
transistores, a variao da temperatura altera principalmente o parmetro , V
BE
e corrente
de fuga.
Na figura 7.9, est esboada graficamente a influncia da temperatura para o parmetro e
V
BE
.
Influncia da Temperatura no Transistor
A variao de V
BE
com a temperatura desprezvel ( por exemplo: o aumento da temperatura
de 25C para 50C causa uma diminuio aproximada de 0,05V em V
BE
). Porm, a
corrente de fuga e o podem Ter variaes acentuadas ( no caso de , a mesma variao
de temperatura pode dobr-lo ). Isto ocasiona uma grande variao na corrente de coletor,
sem que haja variao na corrente de base, deixando o circuito instvel.
Com a determinao do ponto quiescente, o que se deseja fixar a corrente e a tenso de
sada do circuito. No caso do circuito de polarizao na configurao EC , reproduzido na
figura 7.10, o ponto quiescente deve fixar os valores de I
CQ
e V
CEQ
.
Variao do Ponto Q por Influncia da Temperatura
Analisando a malha de sada, formada por V
CC
, R
C
e V
CE
, observa-se que o aumento da
temperatura faz com que a corrente de coletor I
CQ
aumente ( aumento da corrente
quiescente ), aumentando a tenso V
RC
. Sendo V
CC
constante, esse aumento de V
RC
tem
que ser compensado pela diminuio de V
CEQ
( diminuio da tenso quiescente ).
__________________________________________________________________________________________
CST
32
A diminuio de V
CEQ
provoca novo aumento de I
CQ
, resultando numa realimentao
positiva, ou seja, numa instabilidade do circuito.
Portanto, uma forma de contornar este problema, forar uma realimentao negativa,
sempre que houver uma tendncia de instabilidade no circuito.
A soluo para isto colocar em srie com o emissor um resistor R
E
.
Circuito de polarizao EC com corrente de emissor constante.
Neste circuito de polarizao, inserido um resistor R
E
entre o emissor e a fonte de
alimentao, como mostra a figura 7.11, para transistores NPN e PNP.
Polarizao EC com Corrente de Emissor Constante
Analisando o circuito de polarizao do transistor NPN, percebe-se que, se ocorrer um
aumento na corrente de coletor devido ao aumento da temperatura, a corrente de emissor
tambm aumenta. Consequentemente, aumentam V
RC
e V
RE
. Isto provocaria uma
diminuio de V
CEQ
, dando incio realimentao positiva ( instabilidade ).
Porm, o aumento de V
RE
causa uma diminuio de V
RB
na malha de entrada, j que V
BEQ
mantm-se praticamente constante.
A diminuio de V
RB
, por sua vez, provoca a diminuio de I
BQ
e , consequentemente, de
I
CQ
, compensando o seu aumento inicial.
A resposta dada por R
E
para o aumento de I
CQ
, chama-se realimentao negativa, e
garante a estabilidade do circuito e do ponto quiescente.
__________________________________________________________________________________________
Senai
33
Como a realimentao negativa faz I
CQ
voltar ao seu valor original, o mesmo acontece com
I
EQ
, que mantm-se, portanto, constante. Por isso, esse circuito de polarizao conhecido
por polarizao EC com corrente de emissor constante.
Equacionando o circuito de polarizao NPN, tem-se:
Malha de entrada : R
B
*I
B
+V
BE
+R
E
*I
E
=V
CC
B
:
R
B
=( V
CC
V
BE
R
E
*I
E
) / I
B
Malha de sada : R
C
*I
C
+V
CE
+
RE
*I
E
=V
CC
C
:
R
C
=( V
CC

VCE
R
E
*I
E
) / I
C
Neste caso, tem-se duas equaes para trs incgnitas: R
B
, R
C
e R
E
.
Na prtica este problema resolvido, adotando-se um dos seguintes critrios:
1) Adota-se um valor para R
E
compatvel com as tenses e correntes do circuito, ou
2) Adota-se uma tenso para V
RE
de valor pequeno em relao V
CC
, para que o resto da
tenso possa ser utilizada para determinar a tenso e a corrente de sada quiescentes,
respectivamente, V
CEQ
e I
CQ
( esta ltima, atravs de V
RC
). Normalmente, utiliza-se V
RE
=
V
CC
/10 .
Exemplo : Polarizao EC com corrente de emissor constante
Dado um transistor com =250 e uma fonte de alimentao de 20V, determinar os
CE
=V
CC
/2 , I
CQ
=
100mA e V
BEQ
=0,7V .
Clculo de RC :
Adotando-se V
RE
=V
CC
/10 =2V :
R
C
=( V
CC
V
CEQ

VRE
) / I
CQ
= ( 20 10 2 ) / 100*10
-3
R
C
=80
C
=82
Potncia de R
C
:
__________________________________________________________________________________________
CST
34
P
RC
=R
C
*I
CQ
2
=82*(100*10
-3
)
2
=0,82W ( 1,5W )
Clculo de R
B
:
I
BQ
=I
CQ
/ I
BQ
=100*10
-3
/ 250 I
BQ
=400A
R
B
=( V
CC
V
BEQ
V
RE
) / I
BQ
R
B
=( 20 0,7 2 ) / 400*10
-6
R
B
=43250
B
=47K
Potncia de R
B
:
P
RB
=R
B
*I
BQ
2
= 47*10
3
*( 400*10
-6
)
2
=7,52mW ( 1/8 W )
Clculo de R
E
:
I
EQ
=I
CQ
+I
BQ
I
EQ
=100*10
-3
+400*10
-6
=100,4mA
R
E
=V
RE
/ I
EQ
R
E
=2 / 100,4*10
-3
R
E
=19,92
E
=22
Potncia de R
E
:
P
RE
=R
E
*I
EQ
2
= 22*( 100,4*10
-3
)
2
=222mW ( 1/2 W )
Circuito de polarizao EC com divisor de tenso na base
Uma outra forma de solucionar o problema de instabilidade com a temperatura o circuito de
polarizao mostrado na figura 7.12, conhecido como polarizao por divisor de tenso na
base.
Polarizao EC com Divisor de Tenso na Base
A anlise feita a seguir, refere-se ao transistor NPN.
__________________________________________________________________________________________
Senai
35
O circuito de polarizao por divisor de tenso na base projetado de forma a fixar o valor de
V
RB2.
Da malha de entrada, tem-se:
V
RB2
=V
BE
+V
RE
Fixado o valor de V
RB2
, como V
BE
praticamente constante com a temperatura, V
RE
tambm permanece constante. Isto garante a estabilizao de I
EQ
e I
CQ
, independente da
variao de .
O valor de R
B2
pode ser fixado a partir da sua corrente, adotando-se o seguinte critrio:
I
B2
=10*I
B
Equacionando este circuito, tem-se:
Malhas de entrada: R
B2
*I
B2
=V
BE
+R
E
*I
E
R
B
1*I
B
1 +V
BE
+R
E
*I
E
=V
CC
Portanto, as equaes de R
B2
e R
B1
:
R
B2
=( V
BE
+R
E
*I
E
) / I
B2
e R
B1
=( V
CC
V
BE
R
E
*I
E
) / I
B1
Malha de sada: R
C
*I
C
+V
CE
+R
E
*I
E
=V
CC
Portanto, a equao de RC :
R
C
=( V
CC
V
CE
R
E
*I
E
) / I
C
Para este tipo de polarizao, devido ao nmero de incgnitas, vale tambm o seguinte
critrio prtico:
V
RE
=V
CC
/ 10
Determinao da reta de carga
Ponto de saturao : V
CEsat
=0
Pela equao da malha de sada, tem-se:
R
C
*I
Csat
+V
CEsat
+R
E
*I
Esat
=V
CC
R
C
*I
Csat
+R
E
*I
Esa
t =V
CC
Mas, I
C
=I
E
, portanto :
__________________________________________________________________________________________
CST
36
( R
C
+R
E
)*I
Csat
=V
CC
I
Csat
=V
CC
/ ( R
C
+R
E
)
Ponto de corte : I
Ccorte
=I
Ecorte
=0
Pela equao da malha de sada, tem-se :
R
C
*I
Ccorte
+V
CEcorte
+R
E
*I
Ecorte
=V
CC
V
CEcorte
=V
CC
Com esses dois pontos, traa-se a reta de carga sobre a curva caracterstica de sada da
configurao EC , onde se localizar o ponto quiescente, como mostra a figura 7.13 .
Reta de Carga na Configurao EC
Exemplo :Polarizao EC com divisor de tenso na base
Dado um transistor com =250 e uma fonte de alimentao de 9V , determinar os
CEQ
=V
CC
/ 2 , I
CQ
=20mA e V
BEQ
=0,65V e traar a sua reta de carga.
__________________________________________________________________________________________
Senai
37
Clculo de R
C
:
Adotando-se V
RE
=V
CC
/ 10 =0,9V :
R
C
=( V
CC
V
CEQ
V
RE
) / I
CQ
=( 9 4,5 0,9 ) / 20*10
-3
R
C
=180
C
=180
Potncia de R
C
:
P
RC
=R
C
*I
CQ
2
=180*( 20*10
-3
)
2
=72mW ( 1/8W )
Clculo de R
B1
e R
B2
:
I
BQ
=I
CQ
/ I
BQ
=20*10
-3
/ 250 I
BQ
=80A
I
B2
=10*I
BQ
I
B2
=10*80*10
-6
I
B2
=800A
I
B1
=I
BQ
+I
B2
=80*10
-6
+800*10
-6
=880A
Da malha inferior de entrada, tem-se :
R
B2
=( V
BE
+V
RE
) / I
B2
R
B2
=( 0,65 +0,9 ) / 800*10
-6
R
B2
=1937
B2
=2K2
Potncia de R
B2
:
P
RB2
=R
B2
*I
2
B2
=2,2*10
3
*(800*10
-6
)
2
=1,41mW (1 / 8W)
Da malha formada por V
CC
, R
B1
, V
BE
e V
RE
, tem-se:
R
B1
=V
CC
V
BE
V
RE
/ I
B1
R
B1
=9 0,65 0,9/ 880*10
-6
R
B1
=8466
B1
=8K2
Potncia de R
B1
:
P
RB1
=R
B1
*I
B1
2
=8,2*10
3
*(880*10
-6
)
2
=6,35mW ( 1/8W )
Clculo de R
E
:
I
EQ
=I
CQ
+I
BQ
I
EQ
=20*10
-3
+80*10
-6
=20,08mA
R
E
=V
RE
/ I
EQ
R
E
=0,9/ 20,08*10
-3
R
E
=44,8
__________________________________________________________________________________________
CST
38
E
=47
Potncia de R
E
:
P
RE
=R
E
* I
EQ
2
=47*( 20,08*10
-3
)
2
=19mW ( 1/8W )
Determinao da reta de carga:
Para V
CEsat
=0 I
Csat
=V
CC
/ ( R
C
+R
E
) I
Csat
= 9/(180 +47) =40mA
Para I
Ccorte
=0 V
CEcorte
=V
CC
=9V
Portanto, a reta de carga com o respectivo ponto quiescente fica como mostrada a seguir:
Uma outra forma de analisar o circuito de polarizao EC com divisor de tenso na base,
substituindo-se o divisor de tenso por seu circuito equivalente Thvenin , visto da base
do transistor.
A resistncia equivalente de Thvenin (R
TH
) obtida curto-circuitando-se a fonte V
CC
.
Com isso, os resistores R
B1
e R
B2
ficam em paralelo, sendo R
TH
determinada por:
R
TH
=R
B1
*R
B2
/ ( R
B1
+R
B2
)
A tenso equivalente de Thvenin ( V
TH
) a tenso aplicada pelo divisor de tenso base
do transistor, isto :
V
TH
=[ R
B2
/ ( R
B1
+R
B2
) ]*V
CC
__________________________________________________________________________________________
Senai
39
Portanto, o circuito de polarizao fica como mostra a figura:
Este circuito, com exceo de R
E
, anlogo ao primeiro circuito de polarizao EC
analisado, com duas fontes de alimentao. A diferena que neste, a Segunda fonte V
TH

apenas um artificio usado para o equacionamento do circuito.
Equacionando este circuito, tem-se:
Malha de entrada: R
TH
*I
B
+V
BE
+R
E
*I
E
=V
TH
Malha de sada: R
C
*I
C
+V
CE
+R
E
*I
E
=V
CC
Pelas equaes das malhas, observa-se que existem mais de duas incgnitas.
Este problema resolvido, adotando-se os seguintes valores prticos:
V
RE
=V
CC
/10
I
B
=I
B2
/10
__________________________________________________________________________________________
CST
40
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (FET)
O transistor de efeito de campo (FET) tem o princpio de funcionamento diferente do
transistor bipolar. um dispositivo sensvel tenso, com impedncia de entrada elevada, e
impedncia de sada relativamente alta. O FET utilizado tanto nos circuitos analgicos
como nos digitais, como amplificador ou chave.
Existem dois tipos bsicos de FET: o FET de juno e o MOSFET de metal xido
semicondutor.
2.1 - Fet de Juno
O FET de juno consiste em uma fina camada de material tipo n ou tipo p com dois contatos
hmicos, a fonte (S) e o dreno (D), e dois contatos retificadores interligados denominados
portas (G).
Os eltrons livres entram na fonte e saem do dreno (Canal N).
A camada condutora entre a fonte e o dreno chamada de canal. O FET pode ser do tipo n,
no qual o canal do tipo n e as portas so do tipo p; ou do tipo p, sendo o canal tipo p e as
portas tipo n.
__________________________________________________________________________________________
Senai
41
2.2 - A corrente no FET tipo juno
Vamos considerar o circuito:
A porta (G) de um FET de juno tem sempre polarizao reserva para impedir corrente de
porta e tambm para criar camadas de depleo em volta das regies P (canal N),
possibilitando o estreitamento do canal condutor e, consequentemente, a diminuio da
corrente entre a fonte e o dreno.
A corrente de dreno (I
D
) controlada pela tenso de V
GS
. Como existe o canal, mesmo que a
tenso V
GS
seja igual a zero, haver corrente percorrendo o elemento.
O aumento da polarizao reserva (V
GS
), diminui a largura do canal N, o que provoca uma
diminuio na corrente do dreno (I
D
).
V
GS
=0
Condio da porta em curto.
A corrente de dreno se nivela e torna-se praticamente horizontal; o FET se comporta como
uma fonte de corrente.
__________________________________________________________________________________________
CST
42
V
GS corte
- Tenso de constrio
Quando a tenso da porta for suficientemente negativa, as camadas de depleo tocam-se e o
canal condutor desaparece, I
D
=0.
I
DSS
- Corrente de dreno para fonte com a porta em curto.
O grfico da figura 19.b relaciona-se a corrente de sada versus a tenso de entrada Essa
curva conhecida como curva de transcondutncia, que um trecho de uma parbola.
A sua equao a seguinte:
I
D
=I
DSS
[ 1 - V
GS
. ]
2
V
GS
corte
Onde:
I
D
=corrente de dreno.
I
DSS
=corrente de dreno para fonte com a porta em curto circuito
V
GS
=tenso entre a porta e fonte.
V
GS
corte =tenso de constrio.
Polarizao do JFET
Autopolarizao
Esta polarizao utiliza apenas uma fonte de alimentao.
__________________________________________________________________________________________
Senai
43
O resistor R
S
produz uma realimentao negativa. Se a corrente de dreno I
D
aumenta, a
tenso sobre R
S
tambm aumenta. Isto faz aumentar a tenso reversa porta-fonte ( V
GS
)
estreitando o canal, reduzindo novamente o canal, reduzindo novamente a corrente I
D
. Por
isso o nome autopolarizao.
Existem duas formas de se determinar os valores dos resistores de polarizao: pela reta de
carga traada sobre as curvas de dreno e pela reta de autopolarizao traada sobre a curva
de transferncia.
Especificamente para o J FET , mais interessante utilizar a curva de transferncia para
definir a polarizao, pois os manuais sempre fornecem pelo menos os parmetros I
DSS
e V
P
que a definem, alm de possibilitar a melhor visualizao do problema das tolerncias do
transistor.
Determinao da Reta de Autopolarizao
A reta de autopolarizao ( ou reta de R
S
) traada sobre a curva de transferncia, e
corresponde lei de Ohm aplicada ao resistor de fonte R
S
.
Da malha de entrada, obtm-se:
-V
GS
=R
S
. I
D
R
G
. I
G
Como I
G
praticamente nula devido alta impedncia de entrada, tem-se:
-V
GS
=R
S
. I
D

Pela curva de transferncia com valores tpicos, atravs dos pontos I
DQ
ou V
GSQ
previamente
escolhidos, tem-se um ponto da reta de autopolarizao. O outro ponto a prpria origem da
curva de transferncia.
O ponto timo de polarizao deve ser escolhido de tal forma que fique localizado no meio
da curva de transferncia.
__________________________________________________________________________________________
CST
44
Anlise das tolerncias do J FET
Conhecendo-se as tolerncias do J FET dadas pelos manuais atravs de valores ou na prpria
curva de transferncia, percebe-se que , uma vez definida a reta de autopolarizao, o ponto
quiescente pode estar localizado em qualquer posio entre Q
1
e Q
2
.
Portanto, alm da variao possvel de I
DQ
na autopolarizao ser menor que no processo
de polarizao anterior ( com V
GS
constante ), a realimentao negativa imposta por R
S
para variaes de I
DQ
garante uma melhor estabilidade do circuito.
Determinao dos resistores de polarizao
Da equao da reta de autopolarizao, obtm-se:
R
S
=- V
GSQ
/I
DQ

__________________________________________________________________________________________
Senai
45
Da malha de sada , obtm-se:
V
DD
= R
D
.I
DQ
+V
DSQ
+R
S
.I
DQ
R
D
=( V
DD
V
DSQ
+V
GSQ
) / I
DQ
Como a curva de transferncia praticamente a mesma para todo V
DS
> V
PO
( regio ativa
da curva de dreno ), o valor de V
DSQ
fixado por R
D
.
Exemplo :
Dada a curva de transferncia do J FET BF245A ( P
Dmax
=300mW ) , determinar os valores
de R
S
e R
D
do circuito de autopolarizao para I
DQ
=1mA e V
DSQ
=15V .
Determinao da reta de autopolarizao:
1 Ponto: Q 2 Ponto: Origem
Do ponto Q da reta de autopolarizao, obtm-se: V
GSQ
=-1V
Clculo de R
S
e R
D
:
R
S
=-V
GSQ
/ I
DQ
=-( -1 )/ 1*10
-3
R
S
=1K
R
D
=( V
DD
V
DSQ
+V
GSQ
) / I
DQ
=( 25 15 1 ) / 1*10
-3
=9K
D
=10K
O fato de o valor adotado para R
D
ser um pouco maior que o calculado, diminui V
DSQ
de
15V para 14V. Porm, as variaes de I
DQ
e V
GSQ
so desprezveis, pois o ponto
quiescente est na regio ativa.
Potncia dissipada pelo J FET :
__________________________________________________________________________________________
CST
46
P
D
=V
DSQ
* I
DQ
=14*1*10
-3
=14mW ( menor que P
Dmax
)
--------- /// ---------
Uma outra forma de se polarizar o J FET pela reta de autopolarizao, porm, sem a curva de
transferncia, utilizando os parmetros mximos e mnimos de I
DSS
e V
P
, fornecidos pelos
manuais:
Os dois pontos ( I
DSS
, -V
P
) e a origem definem uma reta de autopolarizao
aproximadamente no centro da curva de transferncia.
Assim, como os parmetros ( I
DSSmax
, -V
Pmax
) e (I
DSSmin
, -V
Pmin
) , calculam-se dois valores
para o resistor RS , sendo um para a parbola mxima e outro para a mnima:
R
Smax
=-V
Pmax
/ I
DSSmax
R
Smin
=-V
Pmin
/ I
DSSmin
Neste caso, um valor de R
S
intermedirio de R
Smin
e R
Smax
garante um ponto quiescente
prximo ao da parbola correspondente dos parmetros tpicos do J FET .
Para o J FET BF245A , o manual do fabricante fornece os seguintes parmetros :
min max
I
DSS
( mA ) 2,0 6,5
V
P
( V ) -0,5 -8,0
Clculo de R
S
:
R
Smax
=-V
Pmax
/ I
DSSmax
=-( -8 ) /6,5*10
-3
=1230
R
Smin
=-V
Pmin
/I
DSSmin
=-( -0,5 )/2*10
-3
=250
Portanto, pode-se utilizar R
S
=1K , como no exemplo anterior.
2.3 - Mosfet
O MOSFET um elemento largamente empregado na construo de circuitos integrados,
devido a caractersticas de construo.
__________________________________________________________________________________________
Senai
47
O MOSFET de canal n constitudo de um substrato tipo p no qual so difundidas duas
regies tipo n. Estas regies formam a fonte (S) e o dreno (D). A porta (G) formada por
uma camada de dixido de silcio (isolante), em cima da qual depositada uma placa de
metal.
A porta isolada do canal. O diodo PN que existe num FET de juno foi eliminado no
MOSFET.
Formao do canal no MOSFET
A porta (G) formada por uma camada de dixido de silcio (SiO
2
) na qual depositada uma
placa de metal. Quando colocamos a porta (G) em um potencial positivo em relao ao
substrato, haver ento acumulao de eltrons, formando o canal.
__________________________________________________________________________________________
CST
48
O MOSFET se subdivide em dois grupos: MOSFET tipo depleo e o MOSFET tipo
crescimento.
2.4 - Mosfet tipo depleo
O MOSFET tipo depleo tem seu aspecto tsico conforme a figura abaixo.
Este tipo de construo apresenta uma estreita camada tipo N que interliga a fonte (S) e que
permitir o fluxo de corrente mesmo quando nenhuma tenso for aplicada porta.
2.5 - Polarizao do Mosfet tipo depleo
Vamos considerar o circuito da figura abaixo:
Se a tenso V
GS
for igual a zero, ir circular uma corrente I
D
no circuito, uma vez que existe
canal para que essa corrente possa fluir. Sendo a porta (G) negativa em relao fonte (S),
teremos que a camada de metal fica negativa e polariza o isolante. Haver um estreitamento
do canal N, diminuindo a corrente I
D
no dispositivo.
__________________________________________________________________________________________
Senai
49
Este estreitamento do canal tanto maior, quanto maior for a polarizao negativa da porta
(G).
Se aplicarmos uma tenso positiva porta (G), haver um alargamento no canal, aumentando
a circulao da corrente I
D
.
O mesmo princpio aplicado ao MOSFET tipo depleo de canal P.
2.6 - Mosfet tipo crescimento
O funcionamento do MOSFET tipo crescimento semelhante ao MOSFET tipo depleo.
O aspecto fsico do MOSFET tipo crescimento est representado na figura abaixo.
__________________________________________________________________________________________
CST
50
Para este tipo de construo o canal de conduo da corrente I
D
s vai aparecer quando
houver tenso V
GS
.
2.7 - Polarizao do Mosfet tipo crescimento
Vamos considerar o circuito da figura abaixo:
No caso da figura acima em que o MOSFET de canal N, quando polarizamos a porta (G)
negativamente em rel
circular entre estes dois elementos ser funo da relao fonte (S), no haver conduo.
Fazendo a porta (G) positiva em relao fonte (S) e aumentando a tenso de V
GS
estabelecemos um contato entre a fonte (S) e o dreno (D), onde a corrente I
D
que agora
circular entre estes dois elementos ser funo da tenso positiva porta (G) que controlar
a largura do canal.
__________________________________________________________________________________________
Senai
51
V
GS

min
- Tenso de limiar
Tenso necessria para criar uma fina camada no material tipo N prximo do dixido de
silcio ligando a fonte ao dreno.
Para o MOSFET tipo crescimento de canal p, teremos uma mudana de polarizao.
__________________________________________________________________________________________
CST
52
CIRCUITOS BSICOS DE AMPLIFICADORES
1 - CIRCUITOS BSICOS DE AMPLIFICADORES
O amplificador linear um circuito eletrnico que multiplica a amplitude constante.
Para usarmos o transistor como amplificador de tenso ou corrente, do transistor. Essa
polarizao nos mostra em que regio o transistor. Essa polarizao nos mostra em que regio
o transistor est operando.
1.1 - Circuito simples de amplificao
Vamos considerar o circuito da figura abaixo.
No circuito acima, temos: E a bateria de polarizao; R
1
e R
2
so as resistncias de
polarizao e C
1
e C
2
so capacitores de acoplamento que permitem somente a passagem de
corrente alternada, bloqueando a corrente contnua.
A tenso de entrada (Vi) produz uma variao na tenso de base-emissor (V
BE
) que, por sua
vez, produz uma variao na corrente de base (I
B
) e esta produz uma variao de vezes na
corrente de coletor (I
C
), onde I
C
= I
B
, fazendo com que haja uma variao de tenso no
resistor R
2
. Como a tenso E constante, a tenso V
CE
variar de forma inversamente
proporcional variao da tenso em R
2
, produzindo a tenso de sada (Vo).
__________________________________________________________________________________________
Senai
53
Podemos representar as tenses de entrada e sada conforme figura abaixo.
As tenses de entrada (Vi) e sada (Vo) esto defasadas de 180. O ganho de tenso dado
por: Av =Vo
Vi
1.2 - Estrutura de circuito amplificador
Consideremos o circuito abaixo.
__________________________________________________________________________________________
CST
54
Como vemos no circuito anterior, o sinal que aplicamos na entrada uma tenso alternada, e
a polarizao
do transistor feita com uma tenso contnua.
Os capacitores de acoplamento C
1
e C
2
permitem a passagem de um sinal alternado,
bloqueando a corrente contnua.
Como a reatncia capacitiva (Xc) inversamente proporcional freqncia (Xc =1/2 f.c),
podemos considerar os capacitores C
1
e C
2
como curto-circuito para corrente alternada e um
circuito aberto para corrente contnua.
Baseado nesses conceitos, podemos escrever o circuito equivalente em corrente contnua, ou
circuito de polarizao, conforme figura abaixo.
Para corrente alternada, temos o circuito conforme a figura 5.
OBSERVAO:
A fonte E pode ser considerada como um curto-circuito para CA, devido sua pequena
resistncia interna.
NOTA:
Para evitar confuso entre as correntes e tenses contnuas e alternadas, usaremos letras e
ndices maisculos para corrente e tenses contnuas, e ndices minsculos para as correntes e
tenses alternadas,
ou seja:
I
E
,I
C
,I
B
para correntes contnuas
V
BE
, V
CE
, V
CB
para tenses contnuas
i
e
, i
c
, i
b
para correntes alternadas
V
be
, V
ce
, V
cb
para tenses contnuas
__________________________________________________________________________________________
Senai
55
Tipos de amplificadores
Os amplificadores podem ser divididos em vrias categorias:
Quanto amplitude dos sinais:
Amplificadores de pequeno sinal ou baixa potncia, cujos sinais de entrada so da
ordem de unidades de V a dezenas de mV , ou correntes de coletor da ordem de
unidades a centenas de mA , ou potncias de coletor de centenas de mW;
Amplificadores de mdia potncia, cujos sinais de entrada so da ordem de centenas de
mV , ou correntes de coletor da ordem de centenas de mA a unidades de Ampre, ou
potncias de coletor da ordem de centenas mW a unidades de Watt;
Amplificadores de potncia, cujos sinais de entrada so da ordem de centenas de mV,
ou correntes de coletor da ordem de unidades a dezenas de Ampre, ou potncias de
coletor da ordem de unidades a centenas de Watt.
Quanto frequncia dos sinais:
Amplificadores de baixa frequncia, que operam com frquncias entre 0,1Hz a
30KHz ( abaixo da faixa de udio at VLF ) ;
Amplificadores de mdia frequncia, que operam com frquncias na faixa de LF;
Amplificadores de alta frequncia, que operam com frequncias acima de LF ( sendo
classificados conforme a faixa de operao: VHF , UHF , microondas etc ) .
Obviamente, o principal determinante da faixa de operao de potncia e de frequncia de um
amplificador o transitor utilizado, sendo fabricados especialmente para cada uma delas.
Porm, para efeito de estudo dos amplificadores, eles podem ser divididos apenas em trs
categorias: amplificadores de baixa potncia e frequncia, amplificadores de potncia e
amplificadores de alta frequncia , uma vez que tais categorias englobam todos os
conceitos de amplificadores.
Observao : Faixas de frequncia
VLF Very Low Frequencies Frequncias Muito Baixas 3KHz a 30KHz
LF Low Frequencies Baixas Frequncias 30KHz a 300KHz
MF Medium Frequencies Mdias Frequncias 300KHz a 3MHz
HF High Frequencies Altas Frequncias 3MHz a 30MHz
VHF Very High Frequencies Frequncias Muito Altas 30MHz a 300MHz
UHF Ultra High Frequencies Frequncias Ultra Altas 300MHz a 3GHz
SHF Super High Frequencies Frequncias Super Altas 3GHz a 30GHz
EHF Extra High Frequencies Frequncias Extra Altas 30GHz a 300GHz
__________________________________________________________________________________________
CST
56
A faixa de frequncia de udio ( sinais audveis ou sonoros ) est compreendida entre
20Hz e 20KHz , ou seja, comea abaixo da faixa VLF e termina dentro desta faixa.
Entre 20KHz e 3MHz est a faixa denominada de ultra-som , compreendendo parte da
faixa VLF e totalmente as faixas LF e MF .
As frequncias denominadas microondas ocupam a faixa entre 3GHz e 300GHz , ou seja,
SHF e EHF .
Finalmente, acima de EHF , esto as frequncias pticas e os raios, na seguinte sequncia:
infravermelho, luz visvel, ultra violeta, raios X e raios gama.
__________________________________________________________________________________________
Senai
57
FONTES DE ALIMENTAO
Essencialmente todos os dispositivos eletrnicos requerem uma fonte de corrente contnua.
Chamamos de FONTE DE ALIMENTAO ao circuito eletrnico que retifica, filtra e
geralmente regula uma dada tenso alternada.
O diagrama em bloco de uma fonte segue abaixo:
1) RETIFICADORES :
a) Retificador de meia onda: a tenso de entrada varia de maneira senoidal . Como o diodo da
figura 02 s conduz quando polarizado diretamente (anodo (+) , catodo (-) ) somente no
semiciclo positivo haver corrente circulando pela carga. No semiciclo negativo o diodo
estar polarizado reversamente e portanto: i =0.
Diodo Ideal: Vm =V
2p
/
Diodo com V: V
2p
- V /
Im =Vm/ R
L
__________________________________________________________________________________________
CST
58
Ento, para que o diodo no queime, ele deve suportar tanto esta corrente mdia quanto a
tenso de pico reversa, ou seja:
I
DM
Im e V
Br
V
2p
Exemplo:
A figura abaixo mostra um transformador com tenso no secundrio de 12 Vrms ligado a um
retificador de meia onda (diodo de silcio) com uma carga de 10. Considerando o valor de
V do diodo (modelo 2), determinar:
Retificador de Meia Onda
a) Tenso mdia na carga:
A tenso de pico na sada do transformador vale:
V
2ms
=V
2p
/ 2 V
2p
=12* 2 V
2p
=17V
Considerando V, a tenso mdia na carga vale:
Vm =V
2p
- V / Vm =17 0,7/ Vm =5,2V
b) Corrente mdia na carga:
Im =Vm/ R
L
Im =5,2/ 10 Im =520mA
c) Especificao do diodo:
Como a corrente mdia no diodo igual da carga e como no semiciclo negativo toda a
tenso do transformador cai sobre o diodo, suas especificaes devem ser as seguintes:
I
DM
520mA e V
Br
17V
__________________________________________________________________________________________
Senai
59
d) Formas de onda na carga e no diodo:
b) Retificador de onda completa com CENTER TAP: o transformador com CENTER TAP do
retificador da figura 4 possui 2 secundrios iguais mas com tenses defasadas de 180.
Quando a tenso no enrolamento superior cresce, o diodo D
1
polarizado e conduz uma
corrente que passa por R. Ao mesmo tempo a tenso no enrolamento inferior diminui,
polarizando D
2
inversamente. Quando termina o semiciclo a situao se inverte, ou seja, D
2
fica polarizado diretamente, enquanto D
1
cortado. Assim, durante os dois semiciclos haver
corrente circulando pela carga.
Diodo Ideal: V
2p
/
Diodo com V : Vm =( V
2p
- 2V ) /
Im = Vm/ R
L
__________________________________________________________________________________________
CST
60
Em relao s especificaes dos diodos, tem-se uma grande vantagem neste circuito. Como
cada diodo conduz corrente somente num semiciclo, a corrente que eles devem suportar
corresponde metade da corrente mdia na carga. Por outro lado, a tenso reversa que os
diodos devem suportar a tenso total de pico secundrio j que suas duas metades somam-
se sobre os diodos quando estes esto cortados. Assim:
I
DM
Im/ 2 e V
Br
V
2p
Exemplo:
A figura abaixo mostra um transformador com derivao central e tenso total no secundrio
de 4Vrms ligado a um retificador de onda completa (diodos de silcio) com uma carga de
10. Considerando o valor de V do diodo (modelo 2), determinar:

Retificador de Onda Completa com Derivao
Central
V
2ms
=V
2p
/ 2 V
2p
=4* 2 V
2p
=5,66V
Considerando V
, a tenso mdia na carga vale:

Vm =V
2p
- 2V / Vm =5,66 1,4/ Vm =1,36V
Im =Vm/ R
L
Im =1,36/ 10 Im =136mA
c) Especificaes do diodo:
I
DM
68mA e V
Br
5,66V
d) Formas de onda na carga e nos diodos:
__________________________________________________________________________________________
Senai
61

c) Retificador de onda completa tipo ponte:
Durante o semiciclo positivo de Vi, h um potencial positivo aplicado ao nodo de D2 e ao
catodo de D1 e um potencial negativo aplicado ao catodo de D4 e ao nodo de D3. Desta
forma, D2 e D4 esto polarizados diretamente e permitem circular uma corrente pelo resistor.
Quando vi passar para o semiciclo negativo, a polarizao dos diodos se inverte e passando
agora a conduzir D1 e D3.
Com isso vemos que h sempre uma corrente circulando pelo resistor com uma mesma
polaridade.
__________________________________________________________________________________________
CST
62
Diodo Ideal: 2*V
2p
/
Diodo com V : Vm =2*(V
2p
- 2V) /
Im = Vm/ R
L
Em relao s especificaes dos diodos, como cada diodo conduz corrente somente num
semiciclo, a corrente que eles devem suportar corresponde metade da corrente mdia na
carga. Quanto tenso reversa, os diodos devem suportar a tenso de pico da tenso de
entrada. Assim:
I
DM
Im/ 2 e V
Br
V
2p
Exemplo:
A figura abaixo mostra um transformador com tenso no secundrio de 25rms ligado a um
retificador de onda completa em ponte (diodos de silcio) com uma carga de 10.
Determinar:
Retificador de Onda Completa em Ponte
__________________________________________________________________________________________
Senai
63
Como a tenso de entrada grande em relao a V, neste caso ser adotado o modelo do
diodo ideal.
V
2ms
=V
2p
/ 2 V
2p
=25* 2 V
2p
=35,4V
Assim, a tenso mdia na carga vale:
Vm =2*V
2p
/ Vm =2*35,4/ Vm =22,5V
Im =Vm/ R
L
Im =22,5/ 10 Im =2,25A
c) Especificaes do diodo:
I
DM
1,125A e V
Br
35,4V
d) Formas de onda na carga e nos diodos:

__________________________________________________________________________________________
CST
64
2-DOBRADORES DE TENSO:
a) Dobrador de tenso de meia onda:
O dobrador de tenso um circuito que retifica e filtra um sinal senoidal, dando na sada o
dobro do valor mximo desse sinal.
Funcionamento:
Durante o semiciclo negativo, o diodo D1 est conduzindo carregando assim o capacitor C1
com o valor mximo da tenso de entrada.
__________________________________________________________________________________________
Senai
65
- Durante o semiciclo positivo, o diodo D1 est cortado e D2 conduzindo. Desta maneira, a
corrente i circula por C1 e D2 carregando C2. Como o capacitor C1 estava carregado com a
tenso mxima de entrada, a sua polarizao faz com que C2 seja carregado com duas vezes a
tenso mxima de entrada. Portanto, teremos sobre a carga uma tenso mxima de 2 . 2 . E .
__________________________________________________________________________________________
CST
66
b) Dobrador de tenso de onda completa:
Este circuito, alm de dobrar a tenso de entrada, faz uma retificao de onda completa, e por
isso conhecido como dobrador de onda completa.
O seu funcionamento assemelha-se a uma onda.
3- FILTRO CAPACITIVO:
Para que a fonte de alimentao fique completa, falta ainda fazer a filtragem do sinal
retificado para que o mesmo se aproxime o mximo possvel de uma tenso contnua
constante.
A utilizao de um filtro capacitivo, com capacitor de filtro na sada em paralelo com a carga,
muito comum nas fontes de alimentao que no necessitam boa regulao, ou seja, que
podem Ter pequenas oscilaes na tenso de sada. Um exemplo o eliminador de bateria,
cujo circuito vem todo montado na caixinha que vai ligada rede eltrica.
__________________________________________________________________________________________
Senai
67
O valor de pico a pico do ripple pode ser calculado pela equao abaixo:
V
r
=V
mf
/ f.R
L
.C
Onde:
V
mf
=tenso mdia na carga aps a filtragem
f =frequncia da ondulao ( depende do tipo de retificador )
R
L
=resistncia da carga
C =capacitor de filtro
Assim, para o projeto de uma fonte de alimentao deve-se, antes, estipular a tenso mdia de
sada e o ripple desejados para, em seguida, calcular o capacitor necessrio para a filtragem,
as especificaes dos diodos e as especificaes do transformador.
Exemplo de aplicao: Projeto de uma fonte de alimentao
Projetar uma fonte com tenso de entrada de 110Vrms/60Hz e tenso mdia de sada de 5V
com ripple de 0,1V , para alimentar um circuito que tem uma resistncia de entrada
equivalente a 1K. Utilizar o retificador de onda completa em ponte.
O valor do capacitor de filtro pode ser calculado pela equao:
V
r
=V
mf
/ f.R
L
.C C =V
mf
/ f.
RL
.V
r
C =5 / 120*1000*0,1 C =417F
Neste caso, ser utilizado um capacitor eletroltico comercial de 470F, o que acarretar
numa pequena reduo do ripple, melhorando o desempenho da fonte.
Para definir as especificaes ( I
DM
e V
Br
) dos diodos, preciso calcular a corrente mdia
na carga e a tenso de pico no secundrio do transformador.
Assim, a corrente mdia na carga vale:
I
mf
=V
mf
/ R
L
I
mf
=5/1000 I
mf
=5mA
O valor da tenso de pico na carga pode ser aproximado para:
V
RLp
=V
mf
+Vr/2 V
RLp
=5 +0,1/2 V
RLp
=5,05V
Como a tenso de pico na carga relativamente baixa, deve-se considerar V , e como a
carga tem uma resistncia muito maior que a resistncia do diodo R
D
, esta pode ser
desprezada. Assim, o modelo 2 para os diodos perfeitamente adequado para os clculos
neste projeto.
__________________________________________________________________________________________
CST
68
No retificador em ponte, deve-se considerar, ento, uma queda de tenso de 2*V ( dois
diodos conduzindo em cada semiciclo ) . Assim, a tenso de pico no secundrio do
transformador dever ser de:
V
2p
=V
RLp
+2* V V
2p
=5,05 +2*0,7 V
2p
=6,45V
Portanto as especificaes dos diodos devero respeitar as seguintes condies:
I
DM
I
mf
/ 2 I
DM
5*10
-3
/ 2 I
DM
2,5mA
V
Br
V
2p
V
Br
6,45V
Finalmente, necessrio determinar as caractersticas do transformador.
A tenso eficaz no secundrio :
V
2rms
=V
2p
/!2 V
2rm
s =6,45 /!2 V
2rms
4,6V
O transformador tem que ser dimensionado para uma potncia maior que a de trabalho.
Como a corrente na carga praticamente constante j que o ripple pequeno, a potncia de
trabalho do transformador pode ser estimada por:
P
T
=V
2p
*I
mf
P
T
=6,45*5*10
-3
P
T
=32,25mW
Portanto, o transformador utilizado deve Ter as seguintes especificaes:
V
1
=110V ( rms ) V
2
=4,6V ( rms ) P > 32,25mW
Assim, o circuito da nossa fonte de alimentao fica como mostra a figura abaixo :
__________________________________________________________________________________________
Senai
69
DIODO ZENER
Simbologia:
__________________________________________________________________________________________
CST
70
Funcionamento:
O Zener um diodo semicondutor, construdo especialmente para trabalhar na regio da
ruptura, sem se danificar, o que no acontece com os diodos retificadores.
Podemos observar pela figura 15, que o Zener deve ser polarizado reversamente, para que
possa operar corretamente. Existe uma corrente mnima (I
zmin
), que deve ser mantida atravs
do dispositivo, para que este permanea na regio de ruptura.
I
zmax
determinado em funo da potncia do diodo (P =V
z
. I
zmax
).
Note que depois que a tenso no dispositivo atinge V
z
, a corrente varia por uma extensa faixa
de valores, limitada por I
zmax
, enquanto que a tenso praticamente constante.
Esta caracterstica encontra uma enorme aplicao nos reguladores de tenso.
Circuito regulador de tenso com carga
As aplicaes do circuito regulador de tenso so, principalmente:
Estabilizar uma tenso de sada para uma carga fixa a partir de uma tenso de entrada
constante;
Estabilizar uma tenso de sada para uma carga varivel a partir de uma tenso de
entrada constante;
Estabilizar uma tenso de sada para uma carga fixa a partir de uma tenso de entrada
com ripple;
Estabilizar uma tenso de sada para uma carga varivel a partir de uma tenso de
entrada com ripple.
As duas primeiras aplicaes visam, principalmente, a estabilizao num valor menor de
tenso de uma bateria ou de uma fonte de alimentao j estabilizada, e as duas ltimas
aplicaes visam, principalmente, a estabilizao de fontes de alimentao com ripple.
Ainda, pelas caractersticas da ltima aplicao acima, pode-se afirmar que se trata do caso
mais geral, pois tanto a tenso de entrada quanto a carga so variveis.
Fonte de Alimentao Estabilizada com Carga Varivel
__________________________________________________________________________________________
Senai
71
Assim, faz-se necessria uma anlise mais detalhada do circuito regulador de tenso quando
neste ligada uma carga.
Basicamente, o projeto de um regulador de tenso com carga consiste no clculo da
resistncia limitadora de corrente R
S
, conhecendo-se as demais variveis do circuito, a
saber: caractersticas da tenso de entrada ( constante ou com ripple ), caractersticas da carga
( fixa ou varivel ) , tenso de sada ( valor desejado ) e especificaes do diodo zener.
Este circuito possui trs equaes fundamentais:
Equao da corrente de entrada:
I
S
=I
Z
+I
RL
Equao da tenso de sada:
V
Z
=V
RL
=R
L
.I
RL
Equao de regulao:
V
E
=R
S
.I
S
+V
Z
Carga varivel e tenso de entrada com ripple
A figura abaixo mostra um circuito regulador de tenso com carga varivel e tenso de
entrada com ripple.
__________________________________________________________________________________________
CST
72
O valor do resistor R
S
deve satisfazer as condies dadas pela variao existente na tenso
de entrada ( ripple ), pela variao desejada para a carga e pelas especificaes do diodo
zener.
Corrente zener mnima Izm
Como R
L
e V
E
so variveis e V
Z
constante, esta condio mais crtica no caso em
que VE assume seu valor mnimo V
Em
e I
RL
seu valor mximo I
RLM
, ou seja, quando a
corrente I
S
mnima:
I
Sm
=I
Zm
+I
RLM
Esta condio limita R
S
a um valor mximo R
SM
:
V
Em
=R
SM
.( I
Zm
+I
RLM
) + V
Z
R
SM
=( V
Em
V
Z
) / ( I
Zm
+I
RLM
)
Corrente zener mxima I
ZM
:
Neste caso, esta condio mais crtica no caso em que V
E
assume seu valor mximo V
EM
e I
RL
seu valor mnimo I
RLm
, ou seja, quando a corrente I
S
mxima:
I
SM
=I
ZM
+I
RLm
Porm, esta condio limita R
S
a um valor mnimo R
Sm
:
V
EM
=R
Sm
.( I
ZM
+I
RLm
) + V
Z
R
Sm
=( V
EM
V
Z
) / ( I
ZM
+I
RLm
)
Assim, tem-se que R
S
deve ser:
R
Sm
R
S
R
SM
Exemplo de aplicao: Eliminao do ripple de uma fonte de alimentao para uma
carga varivel
Uma fonte de alimentao possui uma tenso mdia de sada de 30V com ripple de 3V.
Determinar R
S
do regulador de tenso que elimina o ripple desta fonte e estabiliza sua
tenso em 15V , sabendo-se que ela ser utilizada para alimentar cargas de 50 at 100K
e que o diodo zener do circuito tem as especificaes dadas abaixo :
__________________________________________________________________________________________
Senai
73

Especificaes do diodo zener:
V
Z
=15V
I
ZM
=700mA
I
Zm
=30mA
Condio de I
Zm
:
I
RLM
=V
Z
/ R
Lm
I
RLM
=15/50 I
RLM
=300mA
V
Em
V
E
Vr/2 V
Em
=30 3/2 V
Em
=28,5V
R
SM
=( V
Em
V
Z
) / ( I
Zm
+I
RLM
) R
SM
=( 28,5 15 )/( 30 +300 )*10
-3

R
SM
=41
Condio de I
ZM
:
I
RLm
=V
Z
/ R
LM
I
RLm
=15 / 100*10
3
I
RLm
=150A
V
EM
V
E
+Vr/2 V
EM
=30 +3/2 V
EM
=31,5V
R
Sm
=( V
EM
V
Z
)/( I
ZM
+I
RLm
) R
Sm
=( 31,5 15 )/( 700*10
-3
+150*10
-6
)
R
Sm
=24
Portanto, R
S
deve ser: 24 R
S
41
Valor comercial escolhido : R
S
=33
Fixado o valor de R
S
, pode-se calcular a potncia dissipada por ele no circuito no pior caso,
ou seja, quando a tenso V
E
mxima:
P
RSM
=V
RSM
2
/ R
S
P
RSM
=( 31,5 15 )
2
/ 33 P
RSM
=8,25W
Portanto, R
S
pode ser um resistor de 10W.
__________________________________________________________________________________________
CST
74
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS - GENERALIDADES
O nome Amplificador Operacional (A.0) deve-se ao fato do dispositivo ser empregado para
realizar operaes matemticas, como multiplicao, integrao, diferenciao e tambm para
uma infinidade de funes. 0 smbolo caracterstico do elemento, vem representado na figura
l.
AMPLIFICADOR OPERACIONAL IDEAL
Um amplificador operacional ideal deve apresentar as seguintes caractersticas:
a) Impedncia de Entrada Infinita
b) Impedncia de Sada Nula
c) Ganho Infinito
d) Atraso Nulo
e) Tenso de Sada igual a zero, para tenso no ponto 1 igual a do ponto 2.
f) Reduzida deriva de tenso de sada com a temperatura (drif-trmico) (Caso
ideal nula).
Aspectos Gerais sobre os Amplificadores Operacionais
Consideremos inicialmente a fig. 2
0 sinal de sada (es), proporcional a e
BA
, (e
B
- e
A
), sendo o mesmo independente de
eA e eB em separado.
Atravs de uma rpida anlise do circuito da figura 3, extrairemos algumas
consideraes vlidas para o emprego dos A.0 em diversos circuitos.
__________________________________________________________________________________________
Senai
75
Como sabemos, nosso elemento apresenta uma impedncia de entrada infinita, logo a
corrente I passar de Z
1
para Z
2
, de onde podemos tirar a relao.
Vi - Ve = - (Vs -Ve)
Z1 Z2
-Z2 = Vs - Ve (1)
Z1 V1 - Ve
Como A.0 apresenta um ganho , temos:
Vs =A . Ve A =
Ve =Vs Ve =0
A
Logo, a expresso (1) pode ser escrita como:
Vs =- Z2 ( - ) devido ao circuito da figura 3 ser um inversor
V1 Z1
OBS.:
a) O n B representado na figura 3, e denominado d ponto de terra virtual, pois para
grandes valores de A, se potencial se aproxima de zero.
b) Podemos aqui designar o ganho de malha aberta
A =- Vs
Ve
c) Podemos aqui designar como ganho de malha fechada (Amf) a relao:
Amf = - Z2
Z1
O AMPLIFICADOR OPERACIONAL REAL
Vamos aqui estabelecer em todos os itens um paralelo com o componente ideal, pois
ser a partir deste que chegaremos s correes a serem feitas no componente real visando
aproxim-lo do ideal.
a) Impedncia de Entrada e Sada
0 A.0 real apresentar na entrada, uma impedncia no infinita, e na sada uma impedncia
no nula.
b) Resposta em Freqncia
O A.0 real ter seu ganho reduzido em funo do aumento da freqncia, como mostra a
curva da figura 4, para um determinado A.0.
__________________________________________________________________________________________
CST
76
c) Deriva da Tenso de Sada com a temperatura. (Drift)
O ponto do quiescente do A.0 desloca-se em funo da temperatura, e do tempo de
funcionamento, sendo por conseguinte especificado em funo dessas duas variveis,
tempo e temperatura.
Devemos prover as entradas um e dois de nosso dispositivo, figura l, de uma necessria
polarizao, cuja finalidade a obteno de um ponto quiescente. Gostaramos de salientar,
que uma simetria em termos de polarizao (caso ideal) no alcanada, e as diferenas entre
tenso e corrente nas respectivas entradas recebem a denominao de tenso e corrente de
offset.
No caso ideal, figura 1, para V
1
=V
2
tnhamos V
0
=0, o que j no acontece com o
A.O. real, sendo o motivo a diferena de caractersticas apresentadas pelos transistores de
Entrada, pelos quais circularo diferentes correntes.
Para melhor entendimento, consideremos a figura 5.
d1) Corrente de Entrada de Offset
A corrente de entrada de offset (Iio) a diferena entre as correntes aplicadas aos
terminais de entrada para o balanceamento do amplificador.
IB
1
- IB
2
=> Vo =0
d2) Tenso de Entrada de Offset
Tenso de entrada offset(Vio) a tenso que devemos aplicar entre os terminais de
entrada para o balance mento do amplificador.
d3) Corrente de Entrada de Deriva de Offset
A corrente de entrada de deriva de offset a relao entre a variao da corrente de
entrada de offset..com a variao da temperatura, e expressa pela relao Iio
T.
__________________________________________________________________________________________
Senai
77
d4) Tenso de Entrada de Deriva de Offset
A tenso de entrada de deriva de offset 2 a relao entre a variao da tenso de
entrada de offset com a varia da temperatura, e expressa pela relao: Vio
T
d5) Tenso de Sada de Offset
A tenso de sada de offset, a diferena entre os nveis d.c. presentes aos terminais
de sada quando as entra l e 2 estiverem aterradas.
Obs.:
d1) Input Offset Current
d2) Inout Offset Voltage
d3) Input Offset Current Drift
d4) Input Offset Voltage Drift
d5) Output Offset Voltage
MTODOS PARA O BALANCEAMENTO DO OPERACIONAL
De acordo com o j exposto a respeito do A.0, faz-se necessrio seu balanceamento,
para tanto, fornecemos a seguir um circuito capaz de tal tarefa, balanceando a tenso de
offset.
Na figura 6, podemos atravs de R
4
, R
3
e R
5
corrigir a tenso de offset do circuito a
representado.
Daremos a seguir na figura 7, o mesmo tipo de correo apresentado, porm para um
circuito no inversor.
__________________________________________________________________________________________
CST
78
Para o amplificador operacional, necessitamos de uma fase diferente de 180 quando a
freqncia for igual a F, para evitarmos oscilaes do sistema.
Quando em malha aberta, dependendo dos elos de realimentao estabelecidos, o
sistema pode oscilar.
Causas que provocam a Instabilidade
a) Elementos Parasitrios
Para que melhor possamos compreender o j exposto, lancemos mo da figura 9.
A capacidade parasita entrada junto com a capacidade devido a fiao, provocam o
aparecimento de uma capacitncia em paralelo com a entrada, provocando uma defasagem no
elo de realimentao estabelecido, podendo conduzir o sistema a uma instabilidade. Podemos
como maneira corretiva, introduzir um capacitor no circulo (C
2
), para que possamos
compensar a defasagem introduzida por C
l
, logo podemos utilizar a seguinte expresso:
R
l
,C
1
=R
2
,C
2
, onde C
1
varia numa faixa de 20 a 40 pF.e: C
2
pode ser obtido com
facilidade a partir dos dados fornecidos .
__________________________________________________________________________________________
Senai
79
b) Malha de Realimentao Mal Projetada
APLICAES DO AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Daremos a seguir, algumas das aplicaes bsicas do operacional onde outras de
maior ou menor relevo basear-se- o nos aqui apresentados.
a) Circuito Inversor
Pela figura 10; temos que para R
1
=R
2
, o ganho do circuito ser de -1, logo um sinal
aplicado entrada do operacional, sofrer uma inverso de fase.
Obs.:
Caso desejemos uma inverso de fase com variao da amplitude do sinal aplicado, a
relao ( - R
1
/ R
2
), na figura 10, dever acompanhar tal variao solicitada.
Circuito no inversor:
Seguidor de Tenso ou Buffer:
__________________________________________________________________________________________
CST
80
b) Circuito Somador
Aplicando-se a Lei de Kircchoff ao n A da figura 11, temos.
i =i
1
+i
2
+.............................i
n
(1)
Podemos ainda reescrever a equao (1) de outra forma:
I =V
1
+ V
2
+....................... V
n
(2)
R
1
R
2
R
n
Para o caso particular R
1
=R
2
............................ R
n
=R, temos:
I =1 . (V
1
+V
2
+........................+ V
n
)
R
Como - V
0
=+R
0
.i, temos:
-V
0
=+R
0
, (V
1
+V
2
................+V
n
) (3)
R
Como podemos observar pela expresso (3), a sada proporcional soma das
entradas.
Subtrator:
__________________________________________________________________________________________
Senai
81
c) Diferenciador
Podemos isolar o valor de V
0
da expresso (1), e ficamos que - V
0
=+RC dv1 / dt, que indica
que o sinal de sada proporcional derivada do sinal de entrada (V
1
).
C.1) Fazendo um dos conceitos dados acima, podemos obter um circuito que faa a soma e
subtrao de derivadas, como o da figura 13.
__________________________________________________________________________________________
CST
82
OBS.:
Apesar de no se acharem inclusos na figura 13, os capacitores (C
1
e C
2
) devem ser
introduzidos por questes de estabilidade, conforme j discutido anteriormente.
d) Integrador
i
1
=i => V
1
= - C dvo
R dt
t
Dvo =- V
1
dt -V
0
= 1 v
l
dt (1)
RC RC
0
Para n entradas, figura 15, temos a expresso:
t
- V
0
=+1 (V
1
+V
2
+....................+Vin)dt
RC
0
__________________________________________________________________________________________
Senai
83
d.1) Fazendo uso do conceito acima, podemos obter um circuito que faa soma e subtrao de
integrais, conforme figura 16.
Obs.:
Para o caso de integradores, devemos inserir um resistor em paralelo com o capacitor
de integrao, para que tenhamos na sada uma resposta desejada, caso o contrrio o circuito
tenderia a saturao.
d.2) No caso de desejarmos fazer uma dupla integrao, podemos lanar mo do circuito da
figura 17.
__________________________________________________________________________________________
CST
84
Exemplo1 : No circuito a seguir, se R
1
=100 determinar o ganho do circuito e R
2
.
V
cc
= 15 V
A
v
=V
o
/ V
i
=- 12 / 1 =- 12
A
v
=- R
2
/ R
1
- 12 =- R
2
/ 100 R
2
=1200 ou 1,2K
Exemplo 2: No circuito a seguir, determine V
o
:
A
v
=V
o
/ V
i
=1 +R
2
/ R
1
V
o
/ 1 =1 +100 / 100
V
o
=1 +1
V
o
=2V
__________________________________________________________________________________________
Senai
85
Exemplo 3 : No circuito esquematizado a seguir pede-se:
a) a corrente na carga (I
L
) em mA;
b) o valor da carga (R
L
) em ;
Dado: Vce =0V Vbe =0V
O A. O. est sendo utilizado como um Buffer, ou seja, a tenso aplicada sua entrada ser
transmitida sada, sem sofrer qualquer alterao. O transistor no circuito tem a funo de
amplificar a corrente que sai do A.O.
A tenso de entrada A.O., a tenso que cabe sobre o diodo Zener logo:
Vi =Vz
Vi =5V
Mas: Vi =Vo, pois A.O. um Buffer
Portanto: Vo =5V
logo a tenso cobre RL =5V, pois a sada do A.O., por conseguinte o transistor s amplifica
a corrente, sem alterar o valor da tenso.
a) Como a queda de tenso em Vce =0. Ento podemos dizer que: I
C
=I
L
Vc =12 Vz =12 6 =6V
Logo: Ic =Vc / Rc
Ic =6 V / 500
Ic =12 mA
Portanto: I
L
=12 mA
b) R
L
=V
L
/ I
L
R
L
=6V / 12 mA
R
L
=500
__________________________________________________________________________________________
CST
86
TIRISTORES
1 - TIRISTORES
O tiristor um dispositivo de quatro camadas e membro da famlia dos semi-condutores que
tem dois estados estveis de operao: um estado apresenta corrente aproximadamente igual a
zero, e o outro tem uma corrente elevada; limitada apenas pela resistncia do circuito externo.
O tiristor pode ser considerado uma chave unidirecional que substitui, com vantagens, por
exemplo, contatores e rels de grande capacidade.
Tornou-se vantajoso no controle de grandes potncias, devido a diversos fatores: um
dispositivo leve, pequeno, confivel, de ao rpida; pode ser ligado com correntes muito
reduzidas e no apresenta problemas de desgaste mecnico porque no possui partes mveis.
1.1 - S.C.R. (Silicon Controled Rectifier)
a) smbolo de circuito equivalente:
b) Funcionamento
0 S.C.R. um .dispositivo de 4 camadas (PNPN) e 3 terminais como podemos observar na
figura 1. Para melhor entendermos o seu funcionamento, vamos utilizar o circuito equivalente
com os 2 transistores.
Aplicando-se uma tenso E [ (+) no anodo (A) e (-) no catodo (K)] veremos que o transistor
PNP e o NPN no conduzem porque no circula a corrente i
2
e a corrente i
1
. Aplicando agora
um pulso positivo no gate (G) em relao ao catodo, (o pulso deve ter amplitude maior que
0,7 V, pois entre G e K existe uma juno PN formando um diodo), vamos fazer circular a
corrente i
1
que far o transistor NPN entrar em conduo. Com isso i
2
tambm ir circular
fazendo com que o transistor PNP conduza.
Assim, sendo, o pulso no gate no mais necessrio pois o transistor PNP mantm o NPN
conduzindo e vice-versa.
Como podemos observar, esse estado de conduo permanecer indefinidamente. A nica
maneira de desligar o SCR fazer a tenso E (entre anodo e catodo) igual a zero.
__________________________________________________________________________________________
Senai
87
OBSERVAES:
1) No possvel simular um SCR com 2 transistores pois, a corrente i
2
(da base do transistor
PNP) ser muito pequena.
2) Ateno, para sempre colocar uma carga em srie com a alimentao quando for utilizar
um SCR.
c) Curva caracterstica da tenso de bloqueio:
Pela figura 2 observar que o SCR pode ser disparado tambm pela tenso VAK (VAK =E,
enquanto o SCR no est conduzindo).
Esta tenso chamada tenso de bloqueio, que a tenso mxima que o SCR admite ;entre
anodo e catodo, sem romper a barreira de potencial da juno NP (no centro), e entrar em
conduo,
Quanto maior a corrente I
g
, menor ser a tenso de bloqueio e consequentemente, o SCR ir
entrar em conduo com um tempo menor.
VRM - Tenso de pico repetitiva p/ estado desligado.
a tenso de pico mxima que pode ser aplicada entre o anodo e o catodo para o SCR
desligado. Se for aplicado tenso maior do que esta, pode ocorrer ruptura das junes
(breakdowm).
Relao critica de subida da tenso no estado desligado dv / dt - o menor tempo que um
pulso pode ter quando aplicado entre anodo e catodo. Caso contrrio a juno NP (do meio)
funcionando como um capacitor, far com que o SCR entre em conduo.
__________________________________________________________________________________________
CST
88
d) Caractersticas de conduo de um SCR
I - Caractersticas de Gate:
A curva da figura 3 ilustra a regio em que o disparo de SCR pelo Gate seguro e garantido.
Esta regio limitada pelas curvas de impedncia mxima e mnima, pelos valores de V
G
mximo e I
G
mximo e tambm pela curva de potncia mxima dissipada no gate (P
G
max).
Portanto, os valores de I
G
,e V
G
devem estar dentro da regio ACDB e com valores maiores
do que I
G
mnimo e V
G
mnimo.
A regio de disparo incerto, aquela em que o fabricante no garante que o SCR ser
disparado com valores menores do que I
G
mnimo e V
G
mnimo.
II - Caractersticas de comutao de desligado para ligado ( TURN-ON)
- Tempo de atraso (delay - time) - o tempo que SCR demora para reagir ao (gatilho)
recebido do gate.
- Tempo de subida (rise-time) - o tempo que o SRC gasta para sair do 0,9 (VDM-VT), at
atingir 0,1 (VDM-VT).
__________________________________________________________________________________________
Senai
89
III - Corrente de manuteno ( I
H
)
o valor mnimo de corrente capaz de manter o SCR no estado de conduo. Para SCRs de
35 A(RMS),por exemplo, a corrente I
H
est na faixa de 14 a 90 [mA]
(ex: 2N6173)
IV - Corrente de inicio de conduo (Latching Currente)
Existem casos em que cargas indutivas no circuito, faro com que a corrente, pelo SCR,
cresa mais lentamente.
Na subida, se aplicarmos pulsos no gate, ocorrero pulsos de conduo como mostrado na
figura 5. Isso ocorre porque necessrio que a corrente de conduo possa alcanar um valor
de 1,5 a 3 vezes I
H
para conseguir manter o SCR em conduo, quando for gatilhado; caso
contrrio vai conduzir e depois cortar enquanto a corrente de conduo no for maior do que
I
L
.
V - Corrente mdia de conduo:
- I
T
(AV) - o valor mdio mximo de corrente para um ngulo de conduo de 180.
__________________________________________________________________________________________
CST
90
Quando for usado um ngulo de conduo menor que 90 (1/2 onda), e o menor que 180
(onda completa) deve-se determinar novo valor de I
T
(AV).
Esse valor de I
T
(AV) ser tambm menor que o anterior.
O valor de I
T
(AV) para onda completa senoidal e diferente do valor de I
T
(AV) para meia
onda 1/2. O valor precisa ser determinado no grfico da figura 6 (a) e 7 (a).
O ngulo de conduo dado por: =
1
+
2
(onda completa).
- I
T
(RMS) - Valor da corente I
T
para corrente contnua.
I
T
(RMS) =/2 . I
T
(AV)
VI - Corrente de pico de curto-circuito (surge on-state current)
Valor mximo de corrente permitida que possa passar pelo SCR num perodo de 1 ciclo.
iguala aproximadamente 15 x I
T
(AV).
VII - Queda de tenso esttica direta (on state voltage)
a queda de tenso entre anodo e catoto quando SCR est em conduo.
__________________________________________________________________________________________
Senai
91
Normalmente na ordem de 1,5V.
VIII - Tempo de Desligamento (turn-off time)
Aps a tenso de alimentao atingir 0 volts, necessrio esperar um certo tempo para
aplicar novamente alimentao sem que o SCR entre em conduo. Isso ocorre porque,
mesmo quando a alimentao atingir 0 volts, internamente o SCR no atingiu 0 volts, e,
portanto, se for aplicado a alimentao logo depois ele ir conduzir.
E) Circuito de Proteo:
I - Circuito de Gate:
a) Funes de R
- Evitar gatilhamento por corrente de fuga devido a temperatura.
- Ajudar a evitar gatilhamento por dv/dt.
- Diminuir o tempo de turn-off time.
- Valor tpico: R =1 k.
b) Funo de C
- Retirar rudo de alta freqncia.
c) Funo de D.
- Evitar tenses negativas no Gate
II - Circuito para compensao de tenso indutiva da carga:
a) Funo de C.
- Compensar o efeito da indutncia no circuito.
b) Funo de R.
- Amortecer as oscilaes (tericas) devido indutncia e o capacitor C.
__________________________________________________________________________________________
CST
92
F) Funes Bsicas de um SCR:
1) Chave Esttica.
Vamos analisar o circuito da figura 10 quando a chave S esta fechada.
A tenso no Gate (G) vai aumentando proporcionalmente ao aumento da tenso de
alimetao. Quando atingir a tenso de disparo, o SCR entra em conduo e circula a corrente
pela carga. No smi-crculo negativo o SCR fica cortado s conduzindo quando for atingido o
valor de disparo (que positivo). O resistor R tem como finalidade limitar a corente de Gate.
Valor mxima de r =valor mximo da tenso de alimentao
Corrente permitida de Gate
O valor prtico de R pouco maior do que o valor mximo por motivo de segurana.
II) Controle do ngulo de conduo:
- ngulo de conduo de 180 a 90.
__________________________________________________________________________________________
Senai
93
Circuito da figura 11 tem o mesmo funcionamento do circuito da figura 10.
A nica diferena que temos agora o resistor R varivel, o que permite a mudana do
ngulo de conduo do SCR controlando o nvel de tenso de Gate (e consequentemente o
nvel da corrente I
G
). Pelas formas de onda da corrente G podemos notar que o valor de R
para curva (1 maior do que o da curva 2) que maior do que o do curva 3.
R
1
>R
2
>R
3
Assim sendo, podemos observar que o menor ngulo de conduo conseguido com esse
circuito de 90 (
1
). E a variao mxima de aproximadamente 180 a 90:
__________________________________________________________________________________________
CST
94
- ngulo de conduo de 180 a 0.
1 O capacitor C carregado atravs de D
2
.
2 O capacitor C se descarregado por R
1
e R
2
.
3 Descarga de C para R
2
maior.
4 Descarga de C para R
2
menor.
Para melhor compreendermos o funcionamento do circuito da figura 12 vamos partir do
ponto t =0, indicado na figura 13.
A partir deste instante o sinal de entrada inicia o semiciclo negativo polarizando o diodo D
2
diretamente e D
1
inversamente. Desta forma o capacitor C ir se carregar at que seja
atingido o valor mximo negativo.
__________________________________________________________________________________________
Senai
95
Quando a tenso sobre o capacitor atingir valor mximo, o diodo D
2
no estar mais
conduzindo. A partir deste instante o capacitor passa a se descarregar por R
1
+R
2
. O diodo
D
1
continua polarizado reversamente pois a tenso do capacitor negativa em relao a (d).
Depois que a tenso do ponto C atingir o valor positivo, D
1
ir conduzir disparando assim o
SCR.
Podemos perceber que variando o valor de R
2
varia-se tambm o tempo de descarga do
capacitor, mudando ento o ngulo de conduo do SCR.
G) Circuitos de Disparo:
I - Circuito oscilador UJ T. (unijuction transistor)
Transistor de Unijuno (UJ T)
O UJ T basicamente uma barra de slicio, tipo N, onde pressionado um emissor, tipo P,
mais perto da base 2. Desta forma obtm-se uma juno PN. Na figura 14 (a) podemos notar
que existe uma barreira de potencial devido a juno PN (regio (#)). Para melhor
compreendermos o funcionamento de UJ T, vamos analisar a curva caracterstica da tenso V
E
x I
E
, como mostrado na figura 15.
Existem 3 regies distintas na curva caracterstica da figura 15, a primeira a regio de corte
( de V
E
=0 at atingir V
P
), a segunda a regio de resistncia negativa (de V
P
at V
v
) e a
terceira a regio de saturao.
__________________________________________________________________________________________
CST
96
Quando a tenso de emissor se iguala a V
P
, a juno do emissor se torna polarizada
diretamente deixando circular uma pequena corrente de emissor que injeta um nmero
suficiente de portadores de corrente no material N, reduzindo R
B1
a um valor muito baixo. A
corrente de emissor cai do valor de pico (D
P
) para a tenso de vale (V
v
) a medida que sobre o
valor de I
E
.
Circuito oscilador UJ T
Vamos supor a condio inicial em que o capacitor esteja de descarregado (Vc =0). A partir
do instante em que o circuito for ligado, o capacitor C
E
comea a se recarregar atravs do
resistor R
E
, at atingir o valor de V
P
. A partir deste instante o UJ T comea a conduzir (pois o
ponto (a) tem potencial positivo em relao a base 1). Neste instante o valor da resistncia
R
B1
cai muito e a corrente de descarga do capacitor ser limitida praticamente por R
1
.
O UJ T continua conduzindo at que a tenso V
e
caia abaixo do valor da tenso de vale,
fazendo ento com que UJ T entre em corte novamente. A partir da, o capacitor comea a se
carregar novamente e o ciclo se repete e o circuito oscila.
O valor de V
p
dado por:
V
p
= . V
EE
+V
D
onde V
D
=0,6 [V] da juno PN
e V
EE
=tenso de alimentao
O valor de (relao intrseca de posio) constante e varia normalmente de 0,5 a 0,8.
O perodo de oscilao do circuito dado por:
T =R
E
. C
E
. ln (1/1-) =2,3 . R
E
.C
E
. log 1/1-
Se for igual a 0,63 teremos que:
T =R
E
.C
E
OBS.:
1 - Na forma de onda de V
B1
da figura 16 (b), est presente uma componente contnua.
__________________________________________________________________________________________
Senai
97
Isso se deve ao fato de que a resistncia entre B
2
e B
1
se finita, permitindo circular uma
corrente que provoca uma queda de tenso sobre R
1
.
2 - O valor de R
1
tem de ser pequeno ( R
1
<100) para que quando ligado ao Gate de SCR, a
queda de tenso sobre o mesmo, no venha a disparar o SCR.
3 - Devido ao pequeno valor de R
1
, o tempo de descarga do capacitor (Tempo de conduo
do UJ T) muito pequeno.
4 - Normalmente no necessrio utilizar o resistor R
2
, mas quando colocado no circuito,
serve como segurana evitando que a corrente de fuga aumente muito com o aumento da
temperatura.
II - Circuito de Disparo para SCR sincronizado com a rede:
Este circuito sincroniza o primeiro pulso para gatilhar o SCR na frequencia de alimentao
alternada. Sem o mesmo, o SCR seria gatilhado, em cada ciclo em tempos diferentes.
No circuito da figura 17 o diodo Zemer limita a tenso no semiciclo positivo em 12Volts. No
ciclo negativo, D
1
est polarizado reversamente. Portanto, a tenso Vab praticamente zero e
o oscilador no tem alimentao.
__________________________________________________________________________________________
CST
98
Durante o semiciclo positivo o oscilador se comporta como explicado anteriormente.
O resistor R
E
atua modificando o intervalo entre os pulsos permitindo um controle de
conduo de 180 a 0. Neste caso o primeiro pulso de gatilhamento ocorrer sempre em
sincronismo com a alimentao, pois, a cada semiciclo positivo, o primeiro pulso ocorrer
com o mesmo intervalo de tempo que o primeiro do semiciclo positivo anterior.
III - Transistor de Unijuno Programvel - PUT (Programable Unijunction Transistor)
O PUT, como o seu nome j diz, o componente que pode ser programado para disparar com
determinada tenso. Para compreendermos o seu funcionamento, vamos analisar o circuito
equivalente do PUT. (Figura 19 (c)).
Entre o anodo e o Gate temos a juno emissor-base do transistor PNP.
Como j sabemos, para que o transistor (PNP) conduza, potencial do emissor (anodo) tem
que ser 0,6Volts maior que o potencial da base (Gate). Desta forma, se aplicarmos uma
__________________________________________________________________________________________
Senai
99
determinada tenso no Gate (VG), o PUT conduzir quando o potencial do anodo for V
G
+
0,6 [V]. Assim sendo, possvel determinar o nvel de tenso para o disparo do PUT. Uma
vez conduzido o PUT se mantm, at que a tenso entre anodo e catoto cai abaixo do nvel de
vale (V
v
), quando ento entra em corte novamente. (Figura 19 (d)).
Circuito de Disparo com PUT
No circuito de disparo com PUT, a tenso no Gate definida pelo divisor de tenso formado
por R
1
e R
2
.
V
G
= R
2
. V
R
1
+R
2
e V
P
=V
G
+0,6 [V]
Quando a tenso do capacitor atingir V
P
(5,6[V], neste caso) o PUT conduzir descarregando
o capacitor C, produzindo um pulso na sada.
O intervalo de tempo entre cada pulso dado por:
T =R . C . ln (1 +R
2
)
R
1
h) Exemplo de circuitos.
__________________________________________________________________________________________
CST
100
I - Chave de Corrente contnua
Quando usamos o SCR como chave de C.C., ns nos deparamos com grande problema, que
o de desligar (cortar) o SCR , uma vez que este tenha sido disparado. O circuito da figura 21
nos permite ligar e desligar a alimentao da carga usando SCRs.
Vejamos como funciona:
- Com o circuito alimentado, movimentamos a chave S1 para aposio on (ligado). Desta
forma, aplicamos uma tenso no Gate, que dispara o SCR
1
, alimentando assim a carga.
Quando o SCR
1
conduz (SCR
2
est cortado) o potencial do ponto A vai praticamente a
zero, enquanto que o potencial do ponto B permanece com +V
cc
.
- Quando for necessrio desligar a alimentao da carga basta mudarmos a posio S
1
de
on para off (desligado). Quando ns fazemos isso, disparado o SCR
2
, pois, haver agora
a tenso no Gate de SCR
2
. Como a conduo de SCR
2
muito rpida o potencial no
ponto B passa rapidamente de +V
cc
para aproximadamente zero volts. Como ns
sabemos, um capacitor no muda instantaneamente a diferena de potencial entre suas
placas, portanto, como C tender a manter a mesma diferena de potencial entre A e B, e
B caiu de +V
cc
para zero, implica que A tambm cai de zero para -Vcc.
Esse pulso negativo no modo do SCR
1
suficiente para cort-lo, desligando assim a
alimentao da carga.
- Se quisermos ligar novamente a alimentao da carga, basta mudarmos S
1
para on, que o
SCR
1
conduzir provocando o mesmo efeito no capacitor (-V
cc
em B), desligando
SCR
2
.
Os valores de R
1
, R
2
e C, so calculados da seguinte forma:
R
1
>V
cc
/ I
Gm
R
2
<V
cc
/ I
H
C =K . t
q
. I / V
cc
Onde:
V
cc
- alimentao do circuito
I
Gm
- corrente de Gate mxima
__________________________________________________________________________________________
Senai
101
I
H
- corrente de conduo mnima
K - fator de segurana (1,5 a 2)
T
q
- turn-off time do SCR
I - corrente de carga do capacitor
II - Controle de velocidade de um motor
O motor universal pode funcionar com correntes contnuas ou alternadas. Devido a isso,
muito utilizada em enceradeiras, liquidificadores, mquinas de costura e furadeiras.
Quando alimentado com uma tenso Va, este ir girar com uma determinada velocidade. Se
retirarmos a alimentao ir aparecer entre os terminais A e B uma tenso V
b
produzida pelo
motor (como um gerador) e proporcional a velocidade do motor, contraria em sentido, a
tenso V
a
.
Funcionamento do circuito:
Vamos analisar o circuito da figura 22, no instante em que ligarmos a alimentao.
A situao inicial de que o SCR est cortado e o motor parado (consequentemente V
2
=0) o
pontencimetro R
2
est em sua posio intermediria.
__________________________________________________________________________________________
CST
102
- Sem o capacitor C
1
Os resistores R
1
e R
2
fomam um divisor de tenso do ciclo positivo do sinal de alimentao
(VAC). O diodo D
1
est conduzindo no semiciclo positivo e cortado no negativo. Desta
forma, a tenso V
1
ser sempre uma parcela do semiciclo positivo do sinal de entrada. Como
V
1
acompanha o sinal da alimentao, e V
2
inicialmente igual a zero, um pequeno valor de
V
1
proporcionar uma corrente de Gate que ir disparar o SCR logo no incio do semiciclo
positivo de VAC. O motor ter ento, alimentao durante todo o semiciclo (o que implica
dizer que fornecido maior potncia para a partida do motor). O motor comea a girar
provocando assim um valor de V
2
diferente de zero. Com a velocidade do motor estabilizada
teremos as formas de onda mostradas na figura 23 (a) . A alimentao do motor agora no
aplicada desde o incio do semiciclo. Isso acontece porque a tenso V
1
tem que ser maior que
V
2
para disparar o SCR. Vamos supor agora, que ser aplicada uma carga no motor, isso
provoca uma diminuio da velocidade do mesmo, e consequetemente V
2
ser menor. Se o
valor de V
2
diminui, o SCR ser disparado mais cedo, que implica em alimentaodurante
mais tempo sobre o motor (logo mais potncia) . Como foi fornecido maior potncia, o motor
tender a manter a velocidade constante . Assim sendo, podemos controlar a velocidade
domotor, variando o potencimetro R
2
que determina ao nvel de V
1
, e portanto, tambm
varia a velocidade domotor .
Com o capacitor C
1
Quando colocado o capacitor C
1
que tem um valor elevado de capacitncia (ex: 10F), a
tenso V
1
ter a forma mostrada na figura 23 (b). O valor de R
2
para V
1
(S) maior que o de
V
1
(R) e a defesagem de V
1
(S) para o sinal de entrada menor do que o de V
1
(R). Logo, V
1
atinge o valor de V
2
em tempos diferentes fazendo o circuito funcionar como explicado
anteriormente .
__________________________________________________________________________________________
Senai
103
III - Carregador de bateria
Vamos supor, inicialmente que SCR
1
esteja cortado e que a bateria esteja descarregada (V
BAT
=V
Bi
) .
O resistor R
2
e o diodo Zener (D
z
) definem o nvel de conduo de SCR
2
(V
1
).
Como a tenso da bateria est com um valor pequeno (V
Bi
) o SCR
2
no disparado.
__________________________________________________________________________________________
CST
104
Quando ligamos a alimentao, o potencial do ponto (C) ser prximo do potencial do ponto
(A) (devido ao SCR
2
estar cortado). Desta forma, quando o potencial do ponto (C).
Ultrapassar o potencial do ponto (B) (V
Bi
), o SCR
1
conduzir aplicando assim a alimentao
sobre a bateria . (figura 25(b))
Quando o potencial do ponto B ultrapassar o nvel de tenso de V
1
, o SCR
2
ser disparado
fazendo com que o potencial do ponto C seja dividido por 2. (para o SCR
2
conduzindo : V
C
=
R
3
/R
3
+R
3
. V
A
V
C
=V
A
/2 . (Figura 25(d))
A tenso de alimentao passa por um ponto mximo e depois decresce. A bateria aumenta
sua tenso pois recebeu carga. Com isso, quando a tenso cair a abaixo de V
BAT
, o potencial
do ponto (3) ser mantido pela bateria (figura 25 (d))
Para o semiciclo 2 (figura 25 (a) ) , tudo se repete, apenas a tenso V
BAT
ser maior e o tempo
de conduo de SCR
1
ser menor (figura 25 (c) ) .
No semiciclo 3, a tenso da bateria ultrapassa a tenso de V
1
isso indica que quando a
alimentao cair abaixo de V
1
, o SCR
2
continuar conduzindo, e tambm durante o semiciclo
4 . Com o SCR
2
conduzindo durante o semiciclo 4 , o potencial do ponto C no consegue
ultrapassar o potencial do ponto B, de maneira que SCR
1
no conduzir neste semiciclo.
Supondo que durante o semiciclo 4 a bateria possa ter descarregado um pouco por R
1
e R
2
de
modo que V
BAT
tenha cado um pouco abaixo de V
1
, para o semiciclo 5, teremos navamente o
funcionamento explicado para o semiciclo 3.
Desta forma, teremos carregado a bateria colocada no circuito.
OBSERVAO:
Na realidade uma bateria no adquiri carga com apenas 4 ou 5 semiciclo da alimentao. Para
melhor compreeno a explicao foi feita como se tudo ocorresse em apenas 4 semiciclos.
1.2 - TRIAC
O TRIAC funciona com 2 SCRs em paralelo (figura 26 (b)) com sentidos de conduo
contrrios. Esta a principal diferena do TRIAC para o SCR.
A figura 27 ilustra a curva caracterstica de um TRIAC.
__________________________________________________________________________________________
Senai
105
Existem 4 maneiras distintas para disparar um TRIAC com pulsos aplicados ao Gate.
- Modo 1: Pulso positivo no Gate com T
2
positivo;
- Modo 2:Pulso negativo no Gate com o T
2
positivo;
- Modo 3:Pulso negativo no Gate com T
2
negativo;
- Modo 4:Pulso positico no Gate com T
2
negativo.
Normalmente o modo 4 menos usado. Isso porque apresenta menor sensibilidade de Gate
(precisa de sinal maior no Gate para disparar).
1.3 - DIAC
Existem casos de utilizao de TRIACs em tenso alternada, que se torna conveniente a
utilizao de diodos com conduo controlada nos dois sentidos. Esses diodos so
denominados de DIACs, e so construdos como mostrados na figura 28. O DIAC
constitudo de duas sees PN e PN em anti - paralelo, o que permite fluir corrente nos dois
sentidos.
O DIAC no tem terminal de controle (Gate), tendo em vista que sua mudana de estado
controlada pela tenso aplicada entre seus terminais.
Os valores tpicos das tenses para ligar o DIAC esto entre 20 e 40 volts. A figura 28 (b) e
(c) mostram o seu smbolo e sua curva caracterstica.stica.
__________________________________________________________________________________________
CST
106
1.4 - Exemplos de circuito
a) Controle de intensidade de luz
Vamos supor que inicialmente o DIAC e o TRIAC esto cortados e a tenso VAC est no
incio do semiciclo positivo; o capacitor C ir se carregar atravs de R
1
e R
2
at que seja
atingida a tenso de conduo do DIAC. Com a conduo do DIAC o TRIAC recebe um
pulso no Gate e comea a conduzir permitindo assim, que circule corrente de alimentao
pela carga. O DIAC corta logo depois, porque com o disparo do capacitor se descarrega e a
tenso do capacitor (V
C
) cai para prximo de zero.
Quando a tenso de alimentao passar por zero. O TRIAC corta e s conduzir novamente
quando o DIAC for disparado no semiciclo negativo.
O valor mximo de R dado por:
R
max
=V
Rmax
/ I
Rmax
O valor mnimo dado por:
R
min
=V
Rmin
/ I
Rmin
__________________________________________________________________________________________
Senai
107
OBSERVAO:
Podemos observar pelas formas de onda da figura 30, que haver um efeito de histerese no
valor de conduo mnimo de TRIAC entre os sentidos de diminuio e aumento da
intensidade da luz. Isto , o valor de R para o limite de mnima conduo do TRIAC quando
diminumos a luz, maior do que o valor de R para o ponto de incio de conduo do TRIAC
quando comeamos a aumentar a intensidade da luz, logo, possvel obtermos menor
intensidades de luz do que quando comeamos a aumentar a luz.
__________________________________________________________________________________________
CST
108
No circuito da figura 29 estudamos o controle de luminosidade, mas com uma histerese entre
os valores para a conduo de TRIAC vamos agora verificar como esta histerese pode ser
diminuda .
Vejamos agora o funcionamento da figura 31. Vamos comear no semiciclo positivo. O
diodo D
1
conduz enquanto D
2
e D
3
esto cortados fazendo com que o capacitor C se carregue
por R
1
e R
2
. No instante ta, a tenso de um capacitor atinge a tenso de disparo do DIAC, e a
tenso do capacitor (V
C
) faz com que D
3
conduza . Desta forma, o capacitor C comea a se
descarregar por R
3
. A tenso no capacitor atinge (zero) 0 no instante t
b
. Este tempo
corresponde ao limite mnimo de conduo do TRIAC para o sentido de diminuio de
luminosidade (figura 32).
Para o sentido de aumento da luminosidade, quando a tenso do capacitor V
C
fica maior do
que a da entrada, o diodo D
3
comea a conduzir (semiciclo positivo) e o capacitor se
descarrega por R
3
e R
1
+R
2
.
V
C
atinge (zero) 0 V no instante t
c
. Apesar do valor de V
C
ser maior agora do que no caso
anterior, t
b
est bem prximo de t
c
, pois o resistor que descarrega C muito pequeno . Assim,
quase no haver histerese.
(Para um semiciclo negativo tudo acontece da mesma maneira, apenas quem ir conduzir
sero os diodos D
2
e D
4
e o resistor que o descarrrega C ser R
4
e R
1
+R
2
(que igual a R
3
e
R
1
+R
2
, pois R
3
=R
4
).
__________________________________________________________________________________________
Senai
109
c) Controle de luz com fotoresistor
- Fotoresistor - (ou LDR - Light Dependent Resistor)
Um fotoresistor um componente cuja resistncia eltrica tem seu valor modificado pela
ao da luz. Quando a luz incide seu valor de resistncia cai sensivelmente constituda de
uma fina camada semicondutora sensvel a luz geralmente fabricada de sulfito de cdmio se
for para ser usado na a faixa de radiaes visveis (ou sulfito de chumbo para radiaes
infravermelhas).
O fotoresistor possui as seguintes caractersticas
- A sua resistncia diminui proporcionalmente ao aumento da intensidade da luz;
- Suas caractersticas variam pouco com a variao de temperatura;
- Alta sensibilidade na faixa de luz visvel;
- Baixo custo.
Vamos partir da condio de que a luz incidindo sobre o fotoresistor. Desta forma, a
resistncia do fotoresistor baixa e a tenso no ponto B maior que a do ponto A (nesta
condio, A igual a aproximadamente 5,1[V] ). Com esta polarizao entre base e emissor o
transistor Tr
1
no conduzir. Fazendo com que Tr
2
tambm esteja cortado . Como Tr
2
est
cortado, a corrente I
2
no circula e, portanto, no h corrente no Gate do TRIAC mantendo-o
cortado (luz apagada). Quando a luminosidade sobre o fotoresistor dimimui, sua resistncia
aumenta isso faz com que a tenso no ponto B tambm diminua. Quando a tenso em B for
aproximadamente 4,5 [V] , Tr
1
ir conduzir fazendo com que Tr
2
tambm conduza.
Consequentemente o TRIAC entra em conduo acendendo a lmpada, pois a corrente I
2
pode agora circular.
Tr
3
tambm conduz curto-circuitando a resistncia de 470 e fazendo com que a tenso no
ponto A suba de 5,1 [V] para 6,8 [V] mantendo assim a conduo de Tr
1
conduzindo. Esta
condio de elevar o potencial para 6,8 [V] decorre da necessidade de eliminar a oscilao de
__________________________________________________________________________________________
CST
110
Tr
1
, quando ocorrem oscilaes em torno de 4,5 no ponto B. Aumentando novamente a
luminosidade sobre o fotoresistor, sua resistncia diminura novamente. Quando a tenso no
ponto B for maior que 6,8 [V], Tr
1
ir cortar o mesmo acontecendo com Tr
2
e Tr
3
. A corrente
I
2
cai para zero e consequentemente no prximo semiciclo do sinal de entrada, o TRIAC no
ter mais corrente no Gate e ficar cortado (lmpada apagada). Desta forma, temos o circuito
automtico que liga uma lmpada quando no houver luz incidindo sobre o fotoresistor.
d) Circuito utilizando o termistor:
- Termistor: um componente que varia a sua resistncia com a temperatura constitudo
de uma mistura de mangans, nquel, ferro, cobalto, cobre e outros, que forma uma
cermica .
Existem trs tipos de termistores :
1- NTC (Negative Temperature Coefficient) Termistor com coeficiente negativo de
temperatura, isto , sua resistncia varia de maneira inversa com a temperatura.
2- PTC (Negative Temperature Coefficient Termistor com coeficiente positivo de
temperatura, isto , sua resistncia varia proporcionalmente com a temperatura.
3- CTR (Critical Temperature Resistor) Termistor com coeficiente crtico de temperatura,
isto , em uma determinada temperatura a resistncia abaixa rapidamente.
Funcionamento :
Para melhor compreendermos o circuito vamos verificar primeiramente alguns pontos:
- Circuito de pulso para gatilhamento do TRIAC
__________________________________________________________________________________________
Senai
111
No circuito da figura 35, para ser possvel variar a freqncia dos pulsos na sada de 0,3 a
8,33 ms (T =meio perodo de 60 hertz ) precisaramos de um valor de R
3max
=27 . R
3min
para
o controle automtico, fica muito difcil obter uma variao de R
3
, portanto, vamos verificar
uma maneira de conseguirmos obter esta variao com modificaes no circuito.
Este circuito apresenta alto ganho, o que no permite um controle de freqncia dos pulsos na
sada. Uma pequena variao de R (no sentido de 0% a 100%), provoca um valor mximo na
sada, isto , freqncia mxima de pulso .
Portanto, este circuito ainda no permite obtermos um bom controle.
- Circuito, rampa e pedestal
Neste circuito, a tenso sobre o capacitor sobe rapidamente at atingir V pedestal (V pedestal
menor que V
P
). Quando a tenso no capacitor V pedestal - 0,6 [V], o diodo D
1
no conduz
__________________________________________________________________________________________
CST
112
mais e o capacitor se carrega atravs de R1 (cujo tempo de carga (inclinao) depende do
valor de R
1
).
Desta forma podemos Ter o controle da variao da freqncia de pulso de 0,3 a 8,33 ms,
como desejado.
Depois que estudarmos um circuito para controle linear de freqncia de pulsos, vamos
passar agora para o estudo do circuito da figura 34.
Este circuito controla a alimentao sobre a carga, atravs do tempo de conduo do TRIAC .
O tempo de conduo do TRIAC depende da freqncia de pulsos aplicados ao Gate.
A freqncia de pulsos funo do resistor R
1
e do termistor do circuito, rampa e pedestal
que est no circuito da figura 34.
Desta forma, supondo que a carga seja um aquecedor e que o termistor esteja dentro do
ambiente aquecido pela carga, o circuito ir controlar a alimentao sobre o aquecedor pela
variao do valor da resistncia do termistor.
Com isso, no exemplo, obtemos um controle automtico de temperatura.
OBSERVAO:
O resistor R
1
no est ligado ao resistor de 4,7k (figura 34) , como foi mostrado no circuito
rampa e pedestal. Isso se deve ao fato de que esta ligao permite uma melhor linearidade no
controle da temperatura.
__________________________________________________________________________________________
Senai
113
EXERCCIOS
1. O que recombinao e por que ela ocorre?
2. O que camada de depleo e como ela se forma?
3. O que barreira de potencial e qual o seu valor para os diodos de silcio e germnio?
4. O que acontece com os portadores majoritrios na polarizao direta?
5. Por que os portadores no circulam pelo diodo na polarizao reversa?
6. O que corrente de fuga?
7. Explique quais so as principais especificaes do diodo semicondutor, destacando-se na
sua curva caracterstica.
8. Determine a reta de carga, o ponto quiescente e a potncia dissipada pelo diodo no
circuito abaixo, dada a sua curva caracterstica.
9. Esquematize os trs modelos do diodo do exerccio anterior, calculando, inclusive, o
valor de R
D
e determine os pontos quiescentes resultantes com uma anlise dos
resultados.
10. O circuito abaixo apresenta um problema. Identifique-o, propondo uma soluo.
__________________________________________________________________________________________
CST
114
11. Identifique a condio das lmpadas (I, II ou III) no circuito abaixo:
Condies:
I - Lmpada acende
II - Lmpada no acende
III - Lmpada acende com sobrecarga de tenso podendo danificar.
Especificaes das lmpadas:
V
L
=6V
P
L
=120m!
12. Determine Eo na figura abaixo:
__________________________________________________________________________________________
Senai
115
13. Determine Eo na seguinte figura:
14. A figura abaixo mostra um transformador com relao de espiras N
1
/N
2
=55 e com
tenso no primrio de 110V(rms) ligado a um retificador de meia onda (diodo de germnio)
com uma carga de 40. Considerando o valor de V
do diodo (modelo 2), determine:

a) As formas de onda das tenses na carga e no diodo com suas respectivas amplitudes;
b) A tenso mdia da carga;
c) A corrente mdia na carga;
d) As especificaes do diodo.
15. A figura mostra um transformador com tenso no secundrio de 30V(rms) ligado a um
retificador de onda completa com derivao central (diodo de silcio) com uma carga de
300W. Utilizando o modelo 1 para os diodos, determine:
__________________________________________________________________________________________
CST
116
a) As formas de onda das tenses na carga e nos diodos com suas respectivas amplitudes;
b) A tenso mdia na carga;
c) A corrente mdia na carga;
d) As especificaes do diodo.
16. Refaa o exerccio proposto 15, utilizando um retificador de onda completa em ponte.
Compare e analise os resultados.
17. Explique o efeito avalanche no diodo e justifique por que no diodo zener no ocorre a
ruptura da juno PN.
18. Dados o circuito abaixo e a curva caracterstica do diodo zener, trace a reta de carga,
determine o ponto quiescente e calcule a potncia dissipada pelo diodo zener.
19. O que acontece quando a resistncia limitadora de corrente do circuito do exerccio
proposto 18 dobra de valor?
20. Determine analiticamente o ponto quiescente e a potncia dissipada pelo diodo zener no
circuito a seguir.
__________________________________________________________________________________________
Senai
117
21. Qual o problema apresentado pelo circuito abaixo e que soluo a mais adequada?
22. Determine os valores mximo e mnimo da resistncia limitadora de corrente para que o
diodo zener funcione corretamente.
23. Determine R
S
dos reguladores de tenso a seguir:
__________________________________________________________________________________________
CST
118
24. Determine os valores mximo e mnimo da tenso de entrada, do circuito abaixo para que
o diodo zener funcione corretamente.
25. Um transistor na configurao EC tem as seguintes curvas caractersticas:
Completar a tabela a seguir (com valores aproximados), para cada uma das situaes:
__________________________________________________________________________________________
Senai
119
26. Polarize o transistor ( =150) do circuito a seguir no ponto quiescente: V
CEQ
=7V, I
CQ
=50mA e V
BEQ
=0,7V.
27. Determine R
B
e os demais valores do ponto quiescente do transmissor do circuito a
seguir, de forma que a tenso entre coletor e emissor seja metade da tenso de alimentao.
28. O potencimetro R
B
foi ajustado para que o ampermetro e o voltmetro marquem,
respectivamente, 320A e 4V. Determine :
__________________________________________________________________________________________
CST
120
a) Reta de carga V
CEQ
=V
CC
/2;
b) Corrente de Saturao;
c) e do transistor .
29. Mostre na curva caracterstica de sada do exerccio anterior. O que acontece com o ponto
quiescente, quando o transistor impe as correntes de base de 400A e de 160A.
30. Polarize o transistor ( =180) do circuito a seguir no ponto quiescente V
CEQ
=V
CC
/2,
I
CQ
=40mA e V
BEQ
=0,68V. Utilize os valores comerciais mais prximos para os resistores.
V
RB
=Vcc/10
31. Polarize o transistor PNP ( =220) do circuito a seguir no ponto quiescente V
ECQ
=
V
CC
/4, I
EQ
=55mA e V
EBQ
=0,7V. Utilize os valores comerciais mais prximos para os
resistores.
V
RB
=Vcc/10
__________________________________________________________________________________________
Senai
121
32. Determine os resistores de polarizao do transistor ( =120) do circuito a seguir no
ponto quiescente V
CEQ
=V
CC
/3, I
CQ
=18mA e V
BEQ
=0,7V. Utilize os valores comerciais
mais prximos para os resistores.
V
RB
=Vcc/10
I
RB1
=10* I
B
33. Qual o equivalente Thvenin do circuito do exerccio anterior?
34. Um transistor tem a curva caracterstica de sada mostrada a seguir. Deseja-se polariz-lo
com I
BQ
=20A e V
BEQ
=0,7V. Determine:
a) V
CEQ
, I
CQ
e I
EQ
;
b) e do transistor;
c) Relao entre R
B1
e R
B2
.
__________________________________________________________________________________________
CST
122
35. Polarize um transitor num circuito com divisor de tenso na base, sendo: V
CC
=12V,
V
CEQ
=V
CC
/2, I
CQ
=150mA, V
BEQ
=0,7V e =200. Adote V
RE
=V
CC
/10.
36. Qual a funo dos capacitores C
1
, C
2
e C
3
no esquema abaixo?
37. Como feito e qual a importncia do casamento de impedncias entre uma fonte de sinal
AC e um amplificador?
38. A figura a seguir, representa um amplificador. Determine v
L
, i
1
, i
L
, A
p
(dB) e A
i
.
39. Classifique os amplificadores A
1
, A
2
e A
3
quanto amplitude e freqncia dos sinais,
baseando-se nos seguintes dados:
A
1
: v
BE
=2mV; i
C
=50mA; v
CE
=5V; f =10KHz
A
2
: p
C
=20W; f =500MHz;
A
3
: i
C
=2A; f =120KHz
__________________________________________________________________________________________
Senai
123
40. Calcular o ganho do A.O. realimentado:
41. No circuito a seguir, o A.O. ideal, calcular o ganho.
42. No circuito a seguir, sabe-se que V
1
=0,5V e V
o
=10V e o A.O. ideal. Calcule o ganho
de dB.
43. No exerccio anterior se adotarmos R
1
=220, qual dever ser o valor de R
2
, sem que
alteremos o valor do ganho?
__________________________________________________________________________________________
CST
124
44. No circuito a seguir, determine o valor de V
o
em Volts.
45. Calcule o valor de V
o
, no esquema a seguir:
46. No circuito esquematizado a seguir, pede-se:
a) A corrente na carga mA;
b) O valor da carga RL em
__________________________________________________________________________________________
Senai
125
47. No circuito esquematizado, qual o valor de V
o
?
48. Determine o valor de R que Vo =-5V, no circuito esquematizado a seguir:
49. Projete um circuito que execute a funo:
f (x, y, z) =5x +2z +4y
Utilizar um amplificador operacional.
50. No circuito a seguir esboce Vo x t.
51. Apresentar um circuito que sintetize a funo
f (x, y, z) =6x - 8y +2z
__________________________________________________________________________________________
CST
126
52. A figura 21-29a mostra um smbolo alternativo para um diac. O diac MPT32 se
interrompe quando a tenso do capacitor atinge 32V. O capacitor leva exatamente uma
constante de tempo para atingir essa tenso. Quanto tempo depois da chave estar fechada o
triac se liga? Qual o valor ideal da corrente da porta quando o diac se interrompe ? Qual o
valor da corrente de carga depois do triac ter sido fechado?
53. A freqncia da onda quadrada na figura 21-29b de 10kHz. O capacitor leva exatamente
uma constante de tempo para atingir a tenso de interrupo do diac. Se o MPT32 se
interromper em 32V, qual o valor ideal da corrente da porta no instante em que o diac se
interrompe ? Qual o valor da corrente de carga ideal?
54. O UJ T da figura 21-30a tem um de 0,63. Permitindo uma tenso de 0,7V atravs do
diodo emissor, qual o valor de V necessrio apenas para ligar o UJ T?
55.A corrente de vale do UJ T da figura 21-30a de 2mA. Se o UJ T for chaveado, temos que
reduzir V para obter o desligamento por baixa corrente. Fazendo 0,7V passar atravs do
diodo emissor, qual o valor de V necessrio apenas para abrir o UJ T?
56. A razo de afastamento intrnseca do UJ T da figura 21-30b de 0,63. Desprezando a
queda atravs do diodo emissor, quais as freqncias de sada mnima e mxima?
__________________________________________________________________________________________
Senai
127

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, a tenso mdia na carga vale:

do diodo (modelo 2), determine:

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