Lista de exerccios 2:

(1) Uma juno de GaAs tem num lado N

A
=4x10
18
e N
D
=10
16
/cm
3
. Obtenha:
a. V
bi
, x
n
e X
P
e W e o campo eltrico mximo.
b. A corrente de saturao devido aos eltrons e aos buracos;
c. A resistncia dinmica em V=0
d. Um grfico da capacitncia DC para tenses negativas e positivas.
(2) Considerando o diodo acima, faa um estudo de curvas I vs. V considerando diferentes Rs1, Rs e
Rp, conforme descritos na pgina 19 do tpico 4. (obtenha diversas curvas e discuta sobre os
efeitos)
(3) Um transistor bipolar de silcio p-n-p tem dopagens N
AE
=4x10
18
e N
DB
=10
16
/cm
3
N
AC
=4x10
17
.
Obtenha curvas de , o e | em funo da espessura da base. Obtenha as curvas na configurao
de base comum para este transistor. Faa uma tabela de V
CB
e I
E
em funo de pares I
C
, I
B
(Veja
p. 21 do tpico 5). Com os valores de I
E
obtenha V
BE
. Faa curvas para o caso de emissor comum.
(4) Considere um juno Si/Ti.
a. Faa um esboo do diagrama de banda e obtenha |
B
.
b. Obtenha V
b
i em funo de =E
c
-E
f
;
c. Obtenha a capacitncia em funo da tenso reversa na juno;
d. Obtenha a expresso da probabilidade de tunelamento para um eltron com energia
E=Ec em funo de /kT.
e. Resolva o item d numericamente e faa um grfico;
(5) Repita o desenvolvimento da juno metal isolante semicondutor (pp 25 a 36) , tpico 6
(incluindo grficos de Qs vs +s) para o semicondutor tipo n. (Eu posso passar os arquivos do
Power point e do Excel para vocs editarem. Portanto, s precisa saber o que est fazendo e
explicar.