Lista de exerccios 3:

(1) Obter os campos eltrico e magntico, (k), a velocidade de grupo e dn/d para um guia de
onda slab, para o primeiro modo TE par. Comente sobre a disperso. O slab deve ter ndice de
refrao n= 4 envolto por n = 1.5 e ter a espessura de 200 nm;
(2) Obter o espectro para uma cavidade ressonante Fabry Perot de 100 micrometros de
comprimento e ndice de refrao n = 4. Obtenha o espectro para diversos valores de
refletividade e perdas internas; Escolha uma frequncia e estude a variao de Q com um
possvel ganho na cavidade;
(3) Obtenha o strain entre In
1-x
Ga
x
As e GaAs em funo de x. Obtenha o quociente de Poisson em
funo de x. Obtenha a espessura crtica em funo de x (numericamente e interpolao).
Obtenha o comprimento de onda mais longo possvel num poo quntico de
In0,3Ga0.8As/GaAs (na temperatura ambiente).
(4) Considere um laser de semicondutor com largura de 5 micrmetros, comprimento de 300
micrmetros e espessura 0,3 micrmetros. O ganho em cm
-1
no material dado por g(n)=A (n-
ntr); onde ntr=5e
17
cm
-3
, A = 1e
16
cm
2
. Considerando que a taxa de recombinao radiativa
dada por Bn2, onde B = 1e-10 cm
3
/s e n a densidade de portadores no laser, obtenha:
(a) A corrente de limiar I
limiar
;
(b) A curva da densidade de ftons num certo modo em funo da corrente injetada;
(5) Resolva a equao de taxa do problema (4) dinamicamente obtendo a densidade de portadores
e a densidade de ftons em funo do tempo para uma corrente aplicada I=2x I
limiar
.