Prof.

Alberto Correia
Tecnologia de Petrleo e Gs
Engenharia de Produo
Matemtica
Mestrado em Qumica UFRN
Esp. Eletrnica Industrial CIE/EUA
taneda.petroleo@gmail.com
Bases Tecnolgicas

Circuitos eltricos e retificadores de tenso

Teoria dos semicondutores e circuitos
eltricos

Circuitos amplificadores de sinais

Estabilizadores de tenso
Corrente contnua

Uma corrente considerada contnua quando
no altera seu sentido, ou seja, sempre
positiva ou sempre negativa.

A maior parte dos circuitos eletrnicos
trabalha com corrente contnua, embora nem
todas tenham o mesmo "rendimento", quanto
sua curva no grfico i x t, a corrente
contnua pode ser classificada por:

Diz-se que uma corrente contnua constante, se seu grfico for dado
por um segmento de reta constante, ou seja, no varivel. Este tipo de
corrente comumente encontrado em pilhas e baterias.
Embora no altere seu sentido as correntes contnuas pulsantes
passam periodicamente por variaes, no sendo necessariamente
constantes entre duas medidas em diferentes intervalos de tempo.
Observe que:
O valor negativo significa que a polaridade da tenso mudou. O
tempo que leva para repetir uma mesma situao 2s, sendo chamado
de perodo (T). O valor mximo da tenso 12V (com qualquer
polaridade, sendo chamado de valor de pico ou valor mximo V
M
). A
seguir estudaremos mais em detalhes a tenso senoidal.

Corrente Alternada
Dependendo da forma como gerada a corrente, esta invertida
periodicamente, ou seja, ora positiva e ora negativa, fazendo
com que os eltrons executem um movimento de vai e vem.
f (frequncia) = 1/ T
Isolantes, Condutores e Semicondutores
tomo isolado de Silcio

14 prtons e 14 eltrons.
rbitas estveis
Primeira: 2 eltrons.
Segunda: 8 eltrons.
Terceira (rbita externa ou rbita de valncia): 4 eltrons.
Eletricamente neutro.
tomo tetravalente, isto , 4 eltrons na rbita de valncia.
Cristais

Um tomo de silcio isolado possui quatro
eltrons na sua rbita de valncia, porm
para ser quimicamente estvel, precisa de
oito eltrons.

Combina-se ento com outros tomos de
forma a completar os outros eltrons na sua
rbita de valncia.
Quando os tomos de silcio se combinam entre
si para formar um slido, eles se arranjam numa
configurao ordenada denominada cristal.

As foras que mantm os tomos unidos so
denominadas ligaes covalentes.

No cristal, o tomo de silcio posiciona-se entre
outros quatro tomos de silcio, cada vizinho a
compartilhar um eltron com o tomo central.

O tomo central passa a possuir ento oito
eltrons na rbita de valncia.
Lacuna

Quando a energia externa eleva o eltron de
valncia a um nvel energtico mais alto
(rbita maior), o eltron que sai deixa uma
lacuna na rbita mais externa.
Banda de Energia no Semicondutor


Conduo no Semicondutor

A energia trmica quebra algumas ligaes
covalentes, isto , envia alguns eltrons da banda
de valncia para a banda de conduo.

Sob ao do campo eltrico, estes eltrons livres
movem-se para a esquerda e estabelecem uma
corrente.

Cada vez que um eltron bombeado para a
banda de conduo, cria-se uma lacuna na banda
de valncia.
Quanto mais alta a temperatura, maior o
nmero de eltrons de valncia empurrados
para a banda de conduo e maior a corrente.

temperatura ambiente (25C) a corrente
pequena demais para ser utilizvel.

essa temperatura um pedao de silcio no
bom isolante nem bom condutor, por esta
razo chamado semicondutor.
Corrente de Lacunas

Um semicondutor oferece dois trajetos para
corrente, um associado a eltrons na banda
de conduo e outro associado a eltrons na
banda de valncia.


Na Figura abaixo ilustra-se a conduo de lacunas em
termos de nvel de energia:

A energia trmica bombeia um eltron da banda de
valncia para a banda de conduo, abrindo-se uma
lacuna.

Com uma pequena variao de energia, o eltron de
valncia em A pode se deslocar para a lacuna.

Quando isto ocorre, a lacuna inicial desaparece e uma
nova lacuna aparece em A.

A seguir, um eltron de valncia em B pode se deslocar
para a nova lacuna com uma pequena variao de energia.
PARES ELTRON-LACUNA

A aplicao de uma tenso externa ao cristal fora os eltrons a deslocarem-se.

Na abaixo h dois tipos de eltrons mveis, os eltrons da banda de conduo e
os eltrons da banda de valncia.

O movimento para a direita dos eltrons de valncia indica que as lacunas esto a
se deslocar para a esquerda.

Num semicondutor puro, a existncia de cada eltron na banda de conduo
garante a existncia de uma lacuna na rbita de valncia de algum tomo.

Pode-se dizer que a energia trmica produz pares eltrons-lacuna.

As lacunas agem como se fossem cargas positivas e por esta razo so indicadas
pelo sinal de mais na figura.

RECOMBINAO

Ocasionalmente a rbita da banda de conduo de um tomo pode
interceptar a rbita da lacuna de um outro.

frequente ento que um eltron da banda de conduo passe para
uma lacuna.

Este desaparecimento de um eltron livre e de uma lacuna chamado
recombinao.

Quando ocorre a recombinao a lacuna desaparece.

A recombinao ocorre constantemente num semicondutor.

A energia trmica incidente mantm a produo de novas lacunas a
elevar os eltrons de valncia banda de conduo.
DOPAGEM

Um cristal de silcio puro um semicondutor intrnseco.

Para a maioria das aplicaes, no h eltrons livres nem
causas suficiente num semicondutor intrnseco para
produzir uma corrente utilizvel.

A dopagem significa introduzir tomos de impurezas num
cristal de modo a aumentar tanto o nmero de eltrons
livres quanto o nmero de lacunas.

Com a dopagem, o cristal passa a se chamar semicondutor
extrnseco.
Tipos de Semicondutores:

Tipo N - Na dopagem tipo N, o fsforo ou o arsnico
adicionado ao silcio em pequenas quantidades. O
fsforo e o arsnico possuem cinco eltrons externos
cada um, de forma que ficam fora de posio quando
entram no reticulado de silcio. O quinto eltron no
tem a que se ligar, ganhando liberdade de
movimento. Apenas uma pequena quantidade de
impurezas necessria para criar eltrons livres o
suficiente para permitir que uma corrente eltrica
flua pelo silcio. O silcio tipo N um bom condutor.
Os eltrons possuem uma carga negativa, da o nome
tipo N.


Num semicondutor tipo-n, os eltrons so denominados portadores
majoritrios e as lacunas de portadores minoritrios.
Os tomos pentavalentes so denominados doadores, pois fornecem
eltrons de banda de conduo.
Tipo P - Na dopagem tipo P, o boro ou
o glio o dopante. O glio e o boro
possuem apenas trs eltrons externos cada
um. Quando misturados no reticulado de
silcio, formam "buracos" ou "lacunas" na
trelia e um eltron do silcio no tem a que
se ligar. A ausncia de eltron cria o efeito de
uma carga positiva, da o nome tipo P.

Num semicondutor do tipo-p, as lacunas so os portadores majoritrios
enquanto que os eltrons da banda de conduo so os portadores
minoritrios.
tomos trivalentes so tambm conhecidos como tomos aceitadores
porque cada lacuna que eles fornecem pode aceitar um eltron durante a
recombinao.
RESISTNCIA DE CORPO

Um semicondutor dopado ainda possui
resistncia eltrica, denominada resistncia de
corpo.

Quando levemente dopado, possui resistncia
de corpo alta, a medida que a dopagem aumenta,
a resistncia de corpo diminui.

A resistncia de corpo tambm chamada
resistncia hmica, uma vez que obedece a lei de
Ohm.
O DIODO NO POLARIZADO

possvel produzir um cristal com dopagem parte tipo-p e parte
tipo-n, denominado diodo.

A figura mostra o cristal pn no instante de sua formao. O lado
p possui vrias lacunas (portadores majoritrios) e o lado n
possui vrios eltrons livres (tambm portadores majoritrios).
BARREIRA DE POTENCIAL

Alm de certo ponto, a camada de depleo age como
uma barreira a impedir o prosseguimento da difuso de
eltrons livres atravs da juno.
A intensidade da camada de depleo continua a aumentar
com cada eltron que atravessa a juno at que se atinja
um equilbrio.
Nesse ponto, a repulso interna da camada de depleo
interrompe a difuso dos eltrons livres atravs da juno.
A diferena de potencial atravs da camada de depleo
chamada de barreira de potencial.
A 25C, esta barreira de potencial aproximadamente
igual a 0,7V para os diodos de silcio (0,3V para os diodos
de germnio).

POLARIZAO DIRETA
A figura mostra um diodo ligado a uma fonte de
tenso cc em polarizao direta, isto , com o
terminal positivo da fonte ligado regio p e o
lado negativo da fonte ligado regio n.
A polarizao direta produz uma alta corrente direta.
Resumo:

A histria de vida de um nico eltron que se desloca
do terminal negativo para o terminal positivo da
fonte ento:

Depois de deixar o terminal negativo, entra pela
extremidade direita do cristal.
Atravessa a regio n como um eltron livre.
Prximo juno, recombina-se e torna-se um
eltron de valncia.
Atravessa a regio p com um eltron de valncia.
Depois de sair pela extremidade esquerda do cristal,
segue para o terminal positivo da fonte.
POLARIZAO REVERSA

Na polarizao reversa o terminal positivo da fonte
ligado regio n e o terminal negativo ligado regio p.
Resumo:

A polarizao reversa fora que os eltrons livres da
regio n se afastem da juno em direo ao terminal
positivo da fonte, as lacunas da regio p tambm se
deslocam da juno para o terminal negativo.

O afastamento dos eltrons e das lacunas deixam
mais ons positivos e negativos prximos juno,
respectivamente. Portanto, a camada de depleo fica
mais larga.

Quanto maior a polarizao reversa, maior torna-se a
camada de depleo.
CORRENTE DE PORTADORES MINORITRIOS

A energia trmica cria continuamente um nmero limitado de eltrons
livres e de lacunas de ambos os lados da juno. Por causa dos
portadores minoritrios aparece uma pequena corrente no circuito.

A corrente reversa produzida pelos portadores minoritrios chamada
corrente de saturao e designada por IS. O nome saturao relaciona-
se ao fato de que no h mais corrente que a produzida pela energia
trmica.

Somente um aumento de temperatura pode aumentar IS. Possui o seu
valor dobrado para cada aumento de 10C na temperatura.

Um diodo de silcio possui um valor de IS muito maior que um diodo de
germnio. uma das razes pelas quais o silcio domina o campo dos
componentes semicondutores.
CORRENTE DE FUGA SUPERFICIAL

Alm da corrente reversa h uma pequena corrente
na superfcie do cristal.

Esta outra componente da corrente reversa
denominada corrente de fuga superficial, simbolizada
por IFS. produzida por impurezas na superfcie do
cristal que criam trajetos hmicos para a corrente.

Da mesma forma que a corrente produzida
termicamente, a corrente de fuga superficial
extremamente pequena.
CORRENTE REVERSA

Os datasheets dos fabricantes de diodos
costumam englobar IS e IFS numa nica
corrente reversa IR, geralmente especificada
para um dado valor de tenso reversa VR e de
temperatura ambiente TA.

Exemplo: para o Diodo 1N914 IR = 25nA para
VR = 20V e TA=25C.
TENSO DE RUPTURA

Se a tenso reversa for aumentada at certo
ponto, atinge-se a tenso de ruptura do
diodo.

Para diodos retificadores, a tenso de ruptura
geralmente maior que 50V.

Atingida a tenso de ruptura, o diodo passa a
conduzir intensamente.
Como identificar se o diodo est polarizado diretamente ou indiretamente?
R chamado de resistor limitador de corrente.