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Tcnica Continuada
Esquemas de Aterramento
ndice
1.0
Introduo
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
5.0
6.0
5.1
Caractersticas........................................7
5.2
Conseqncias.......................................7
5.3
Projeto e operao..................................8
Implementao do sistema TN
6.1
Condies preliminares............................8
6.2
Condies impostas................................9
6.3
6.4
3.0
Esquema IT
6.5
6.6
Mtodo da composio..........................10
6.7
Mtodo convencional..............................10
7.0
8.0
Esquema TN-S
3.1
Caractersticas........................................5
3.2
Conseqncias.......................................5
3.3
Compatibilidade eletromagntica...............5
3.4
3.5
Projeto e operao..................................6
3.6
8.1
Condies preliminares..........................13
8.2
8.3
8.4
dispositivos...........................................13
Exemplos de equipamentos e
8.5
Implementao de dispositivos de
monitorao permanente de isolao
(PIM)....................................................14
4.0
Esquema TT
4.1
Caractersticas........................................6
4.2
Conseqncias.......................................6
1.0
1.1
Introduo
TN-C
TN-S
TN-C-S
1.2
Esquema TN-C
Caracterizao e objetivos
1.3
1.6
1.7
1.4
Esquemas TN
Esquema TN-S
Esquema TN-C-S
1.8
2.0
Na prtica todos os circuitos tm uma impedncia de
fuga para a terra j que nenhuma isolao perfeita. Em
paralelo com esta resistncia de fuga distribuda h uma
capacitncia distribuida e essas partes juntas
constituem a impedncia normal para a terra. Exemplo:
um sistema de baixa tenso, trifsico, 3 fios com um
quilmetro de cabo tem uma impedncia de fuga
equivalente a uma impedncia de terra do neutro Zct de
3.000 a 4.000 .
1.9
2.1
Esquemas TN-C
2.1.1
Caractersticas
n Mtodo de Aterramento:
2.1.2
Conseqncias
Sobretenses:
n durante uma falha na isolao de AT, ir
aparecer uma tenso de freqncia industrial
entre as partes metlicas expostas do
equipamento de baixa tenso e um terra
distante;
RnRn
n Mtodo de aterramento:
O ponto neutro do transformador (ou do sistema de
fornecimento se a distribuio usa um esquema TNC e a
instalao um sistema TN-S) aterrado somente uma
vez e na origem da instalao , as partes metlicas
externas do equipamento e as partes metlicas externas
ao equipamento so conectadas aos condutores de
proteo os quais por sua vez so ligados ao neutro do
transformador;
TNC
TNC
95mm
mm22
44xx95
16 mm
mm22
16
10 mm
mm22
10
2
66 mm
mm2
L1
L1
L2
L2
L3
L3
PEN
6 mm2
incorrect
incorrect
PEN connected to the neutral
PEN connected to the neutral
terminal
terminal
is prohibited
prohibited
correct
correct
3.2
PEN
2
66 mm
mm2
PEN
PEN
correct
correct
incorrect
incorrect
10mm
mm22
SS<<10
TNC
prohibited
TNC
prohibited
Conseqncias
n Sobretenses:
Sob condies normais o neutro do transformador, as
partes condutoras expostas e o eletrodo de terra esto
ao mesmo potencial ainda que fenmenos transitrios
no possam ser excludos e podem levar ao uso de
pra-raios entre os condutores fase, neutro e partes
metlicas externas;
3.0
Esquema TN-S
3.1
Caractersticas
n A continuidade do fornecimento, a
compatibilidade eltromagntica e o incndio:
os efeitos de faltas entre a alta e baixa tenso,
falhas na isolao de alta tenso e falhas na
isolao de baixa tenso so semelhantes
queles descritos para o sistema TN-C; em
particular a corrente nas falhas de isolao no
limitada por nenhuma impedncia do eletrodo
terra e por isso alta (vrios kA) (Veja pontos
2, 3 e 4 da parte correspondente ao esquema
TN-C);
n mtodo de Aterramento:
3.3
Compatibilidade Eletromagntica
4.0
Esquema TT
4.1
Caractersticas
n Mtodos de Aterramento
3.4
3.5
Projeto e operao
4.2
Os circuitos tm um comprimento mximo que no
pode ser excedido.
3.5
Conseqncias
n O ponto de neutro do transformador ligado
diretamente terra;
n As partes metlicas expostas do
equipamento so ligadas por condutores de
proteo ao eletrodo de terra da instalao o
qual geralmente independente do eletrodo de
terra do neutro do transformador;
n Sobretenses: ainda que, como no esquema
TN o potencial das partes metlicas expostas
e o eletrodo de terra sejam o mesmo isto pode
no ser verdade para o condutor neutro o qual
galvanicamente ligado a um eletrodo e partes
metlicas expostas distintas e, em alguns
casos, relativamente afastadas
(freqentemente o caso para quedas de raio
em reas rurais). Em reas industriais ou
urbanas este no geralmente o caso. O
acoplamento dos dois eletrodos de terra a
partir de um ponto de vista geral um
compromisso aceitvel. A instalao de praraios proporciona o nvel necessrio de
proteo;
n Compatibilidade Eletromagntica: no evento
de uma falta da isolao a corrente de falta
relativamente baixa. Por exemplo, com um
5.0
Esquema IT
5.1
Caractersticas
n mtodo de aterramento
o O neutro do transformador isolado da terra
ou aterrado atravs de uma impedncia e um
limitador de sobretenses. Sob condies
normais, seu potencial mantido perto daquele
das partes condutoras expostas pelas
capacitncias do equipamento e barramento.
5.2 Conseqncias
n mtodo de aterramento.
O neutro do transformador isolado da terra ou
aterrado atravs de uma impedncia e um limitador
de sobretenses. Sob condies normais , seu
potencial mantido prximo daquele das partes
condutoras expostas pelas capacitncias do
equipamento.
As partes condutoras expostas do equipamento e
partes condutoras estranhas do edifcio so ligadas
ao eletrodo de terra do edifcio:
n sobretenses:
5.3
Projeto e operao:
55
2
2
22
PEN
PEN
Implementao do sistema TN
6.1
Condies peliminares
PE N
PE N
44
TN-C
6.0
TN-C
TN-C-S
TN-C-S
RpnA
RpnA
6.2
Condies impostas
notas
(1) o esquema TN requer que o neutro da baixa tenso de um
transformador MT/BT, e as partes condutoras expostas da SE e da
instalao sejam todas aterradas em um sistema nico de
aterramento.
(2) quando a medio da SE for na baixa tenso, exigido um meio
de isolao (chave seccionadora, por ex. ) na origem da instalao
da BT que torne visvel a isolao.
(3) um condutor PEN no deve ser interrompido em nenhuma
circunstncia. Os dispositivos de controle e comando para os
diversos arranjos TN devem ser:
6.3
6.4
10
I = U/ ( R)
As recomendaes mais recentes da IEC para proteo
contra contatos indiretos somente em sistemas TN
relaciona os mximos tempos permissveis de disparo
com a tenso nominal do sistema. (vide tabela 13).
A razo embutida nestas recomendaes que, para
sistemas TN, a corrente que precisa passar para elevar o
potencial de uma parte condutora a mais de 50V to
alta que uma das duas possibilidades acontecer:
n o circuito de falta ser interrompido (por
ruptura do condutor) quase instantaneamente,
ou
n o condutor se soldar em uma falta slida e
proporcionar corrente adequada para operar
os dispositivos de sobrecorrente.
Para assegurar a operao dos dispositivos de
sobrecorrente no ltimo caso, necessria uma
avaliao razoavelmente precisa do nvel de corrente de
falta, na etapa de projeto.
Uma anlise rigorosa requer o uso das tcnicas das
componentes simtricas aplicadas individualmente a
cada circuito. O princpio correto, mas a quantidade de
clculo no considerada justificvel, especialmente
porque as impedncias de sequncia zero so
extremamente difceis de calcular com razovel preciso
em uma instalao mdia de BT.
So preferveis outros mtodos de preciso adequada.
Trs mtodos prticos so:
n o mtodo das impedncias , baseado na
soma de todas impedncias (somente as de
sequncia positiva) ao longo do lao de falta
para cada circuito,
n o mtodo da composio o qual uma
estimativa do nvel de corrente de curto circuito
em um terminal remoto do lao quando o nvel
de corrente de curto circuito no terminal
prximo do lao for conhecido,
n o mtodo convencional com o clculo dos
nveis mnimos de correntes de falta terra,
junto com o uso de tabelas para obteno
rpida dos resultados.
Estes mtodos somente so aplicveis nos casos em
que os cabos que constituem o lao de corrente de falta
esto prximos uns dos outros e no separados por
materiais ferromagnticos.
6.5
+ ( X)
6.6
Mtodo da composio
6.7
Mtodo convencional
B
A
PE
Id
SPE
Sph
C
11
R + 15%
R + 20%
R + 25%
i. ., h um
63
80
100 125 160 200 250 320 400 500 560 630 700 800 875 1000112012501600200025003200400050006300800010000
103
171
274
410
81
136
217
326
64
107
171
256
427
51
85
137
205
342
41
66
109
164
273
436
32
53
85
126
214
342
25
42
68
102
171
274
428
20
34
54
82
137
219
342
479
16
26
43
64
107
171
267
374
13
21
34
51
85
137
213
299
406
10
17
27
41
68
109
171
239
325
479
9
15
24
36
61
97
152
214
290
427
8
13
21
32
54
87
135
190
258
380
SPH
mm2
1.5
2.5
4
6
10
16
25
35
50
SPH
mm2
1.5
2.5
4
6
10
16
25
35
50
SPH
2.5
6
10
17
25
42
68
107
150
203
299
406
8
10
153 123
256 204
409 327
613 491
1022 818
8
77
128
204
307
511
818
6
10
16
23
39
62
98
136
185
274
371
469
5
8
14
20
34
55
85
120
162
239
325
410
446
8
12
18
30
49
76
107
145
214
290
366
398
471
13 16
94 77
157 128
252 204
377 307
629 511
1006 818
10 13
61 47
102 79
164 126
245 189
409 315
654 503
1022 786
16
38
64
102
153
256
409
639
894
7
11
16
27
44
66
96
130
191
260
328
357
422
5
8
13
21
34
53
75
101
150
203
256
279
329
410
20 25
61 49
102 82
164 131
245 196
409 327
654 523
1022 818
20
31
51
82
123
204
327
511
716
25
25
41
65
98
164
262
409
572
777
7
10
17
27
43
80
81
120
162
205
223
264
328
32
38
64
102
153
256
409
639
894
32
19
32
51
77
128
204
319
447
607
5
8
14
21
34
48
65
96
130
165
178
211
263
40
31
51
82
123
204
327
511
716
6
10
17
27
37
50
75
101
128
139
165
205
45
27
45
73
109
182
291
454
636
40
15
26
41
61
102
164
256
358
485
45
14
23
36
55
91
145
227
318
431
5
8
13
21
30
40
60
81
102
111
132
164
50
25
41
65
98
164
262
409
572
777
50
12
20
33
49
82
131
204
286
389
7
11
17
24
32
48
65
82
89
105
131
63
19
32
52
78
130
208
325
454
617
63
10
16
26
39
65
104
162
227
309
5
8
13
19
26
38
51
65
71
84
104
7
10
15
20
30
40
51
56
66
82
80
15
28
41
61
102
164
258
358
485
100
12
20
33
49
82
131
204
288
388
80
8
13
20
31
51
82
128
179
243
5
8
12
16
24
32
41
44
53
66
7
9
12
19
26
33
36
42
52
100
6
10
16
25
41
65
102
143
194
mm2 1
1.5
6
204
341
545
818
7
12
19
29
49
78
122
171
232
342
464
1.6 2
2.5 3
6.3 8
10
12.5 13
16
20
25
32
40
45
50
63
80
100
70
44
35
34
27
22
18
14
11
10
73
58
56
46
37
29
23
18
16
15
12
93
90
73
58
47
37
29
26
23
19
14
12
70
55
44
39
35
28
21
18
73
65
58
46
35
29
74
58
47
584 562 456 365 292 228 183 162 146 116 88
73
53
10
16
25
881 730
35
1022 818 786 639 511 409 319 258 227 204 162 123 102
50
867 692 558 432 347 308 277 220 174 139
12
RA1
RA 1
fator de correo
A tabela 42 indica o fator de correo a aplicar aos
valores dados nas tabelas 43 a 46 de acordo com a
relao Sph / SPE, o tipo do circuito e o material dos
condutores.
circuito
3P + N or P + N
metlico
material
cobre
alumnio
Uma instalao trifsica 4 fios (220/380 V) do tipo TNC. Um circuito protegido por um disjuntor de 63A e
possui cabos de alumnio com 50mm2 nos condutores
fase (Sph) e 25 mm2
(Spen) no condutor PEN.
Qual o mximo comprimento do circuito, abaixo do
qual a proteo das pessoas contra contatos indiretos,
assegurada pelo disparo do rel magntico instantneo
do disjuntor?
A tabela 44 d 617 metros, para o qual deve ser aplicado
o fator 0,42 (tabela 42 para cabo de alumnio e m=2). O
comprimento mximo do circuito ser: 617x0,42 =
259metros.
caso particular em que uma ou mais partes
condutoras expostas (so) aterrada(s) em um
eletrodo de aterramento separado
Precisa ser prevista proteo contra contatos indiretos
por um DCD na origem de qualquer circuito que
alimente um aparelho e ou grupo de aparelhos, cujas
RA2
RA 2
aadistant
distantlocation
location
7.0
13
Sugesto 1:
instalar um disjuntor que tenha um disparo magntico
instantneo com um nvel de operao menor que o
ajuste usual, por exemplo:
Sugesto 2:
instalar um DCD no circuito. O dispositivo no precisa
sensibilidade muito alta (HS) (vrios amperes a poucos
dezenas de amp.). Quando so envolvidas tomadas, os
circuitos precisam em qualquer caso ser protegidos por
DCD de alta sensibilidade (HS) ( 30 mA); geralmente
um DCD para cada tomada em um circuito comum.
Sugesto 3:
aumentar a bitola dos condutores PE ou PEN e/ou
condutores de fase, para reduzir a impedncia do lao.
Sugesto 4:
adicionar condutores equipotenciais suplementares. Isto
ter um efeito similar ao da sugesto 3. i ., uma
reduo na resistncia do lao de falta terra, enquanto
que ao mesmo tempo melhora as medidas existentes de
proteo contra tenses de toque. A eficincia desta
melhoria pode ser verificada pelo teste da resistncia
entre cada parte condutora exposta e o condutor de
proteo principal. Para instalaes TN-C, no so
permitidas interligaes como mostradas na fig. 52 e a
sugesto 3 no deve ser adotada.
8.0
Implementao do sistema IT
8.1
Condies preliminares
8.2
14
8.3
8.5
Implemtao de dispositivios de
monitorao permanente de isolao (PIM)
8.4
15