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Criterios Resistencia
Criterios Resistencia
Engenharia Mecnica
Resistncia dos Materiais II
Critrios de Resistncia
Coeficiente de segurana
Tenso equivalente
Seja um ponto qualquer,
pertencente a um corpo em
equilbrio, submetido a um estado
de tenses cujas tenses principais
esto representadas na figura 1.
Chama-se de coeficiente de
segurana (s) ao nmero, maior
que a unidade, que ao multiplicar o
estado de tenses provoca a runa
do material.
Assim, para
dimensionamento:
executar
eq s r
ou
eq
r
s
Chama-se
de
Tenso
equivalente (eq) uma tenso de
trao simples que multiplicada pelo
mesmo coeficiente de segurana do
estado de tenso leva o material
runa por trao
Deve-se,
estabelecer
uma
Prof. Jos Carlos Morilla
entretanto,
forma
de
Critrios de Resistncia II
Critrios de
Dimensionamento.
Vrios critrios diferentes, a
respeito da runa dos materiais,
foram propostos ao longo do tempo:
1. Teoria da mxima tenso
normal proposta por Rankine;
2. Teoria
da
mxima
deformao normal, proposta
por Saint-Venant;
3. Teoria da mxima tenso de
cisalhamento, proposta por
Coulomb em 1773 e por
Tresca em 1868;
4. Teoria do atrito interno,
desenvolvida por Mohr e por
Coulomb;
5. Teoria da mxima energia de
deformao, proposta por
Beltrami em 1885;
6. Teoria da mxima energia de
distoro, desenvolvida por
Huber em 1904; Von Mises
em 1913 e Hencky em 1925;
7. Teoria da tenso octadrica
de cisalhamento de Von
Mises e Hencky.
2 1
3 2
eq
1 3
2
mx =
A igualdade
expresses fornece:
eq
das
(1)
duas
1 3 eq
=
2
2
eq = 1 3
As experincias feitas em
tempos recentes mostram que,
entre as teorias apresentadas,
algumas so equivalentes e outras
so apenas de interesse histrico,
j que no apresentam resultados
compatveis com os obtidos.
(2)
mx
mx
Critrios de Resistncia II
1+
(1 2 )2 + (1 3 )2 + ( 2 3 )2
U=
6 E
Critrio de Coulomb-Mohr.
Este
critrio
trao
e
compresso.
Este
tipo
de
comportamento,
em
geral,
(3)
onde E o mdulo de elasticidade
do material e o coeficiente de
Poison.
O mesmo fato acontece com
a tenso equivalente j que nesta
situao 1= eq e 2 = 3 =0. Para
a tenso equivalente, a energia de
distoro fica:
U=
1+
2 2eq (4)
6E
Compresso
Trao
Igualando-se as expresses
3 e 4 tem-se:
ou seja:
(1 2 )2 + (1 3 )2 + ( 2 3 )2 = 2 2eq
(1 2 )2 + (1 3 )2 + ( 2 3 )2
= eq
(5)
onde
eq = 1 k 3
k=
T
C
(6)
(7)
Critrios de Resistncia II
A figura 6 um grfico
comparativo entre os critrios de
resistncia apresentados.
No ponto A, indicado na
seo, atuam a mxima tenso
normal (mx) e a mxima tenso de
cisalhamento (mx) que valem:
mx =
M
W
mx =
T
Wt
(8)
Uma
aplicao
muito
importante do que foi apresentado,
at
agora,
est
no
dimensionamento de eixos.
Observando-se a figura 8,
nota-se que o plano Q um dos
planos principais. Isto fato j que
a tenso de cisalhamento resultante
no plano igual a zero.
* = O =
T
(10)
Wt
Critrios de Resistncia II
Plano (Q):
Q = 0
2 = 0
Q = 0
(11)
3 = O Raio = O o + 2o
2
2
2
Plano
(13)
eq =
+ Raio O RAIO
2
2
eq = 2 Raio
(14)
Plano
o/2
eq
O
= 2 o + o2
2
eq = 02 + 4 o2 (15)
Quando se substitui as
expresses 9 na expresso 15, se
obtm:
Raio
eq
(16)
RAIO = o + o2 (12)
2
d3
d3
W=
e Wt =
W t = 2W
32
16
(17)
1 = O + Raio = O + o + 2o
2
2
2
T
M
= + 4
W
Wt
possvel escrever:
Critrios de Resistncia II
M
T
eq = + 4
W
2W
2
eq
eq =
M T
= +
W W
eq
eq
M2 + T 2
=
W
M2 + T 2
d3
32
eq =
eq
32 M2 + T 2
=
d3
2
2 O + 6(RAIO)
2
2
= O
2
2
+ 3(RAIO)
(21)
Quando se substitui, na
expresso 21 a expresso 12, se
encontra:
eq = O
2
+ 3 O
2
+ O2
(18)
eq = O + 3 O2
2
O dimensionamento feito
limitando-se a tenso equivalente
ao valor da tenso admissvel
trao; assim, se obtm:
Quando se substitui as
expresses 9 na expresso 22, se
obtm:
32 M2 + T 2
d3
d3
32 M2 + T 2
eq
(19)
Ao se substituir o contedo
das expresses 13, se obtm:
eq =
(23)
eq
M
T
= + 3
W
2W
2
eq
3 T
M
= +
4W
W
(20)
Quando so efetuados os
produtos
apresentados
na
Prof. Jos Carlos Morilla
possvel escrever:
d3
d3
W=
e Wt =
W t = 2W
32
16
(17)
(1 2 )2 + (1 3 )2 + ( 2 3 )2
2
+ RAIO + (2 RAIO) + O RAIO
2
2
T
M
= + 3
W
Wt
Quando o dimensionamento
feito pelo critrio de Von Mises, a
tenso equivalente fica:
eq =
(22)
eq =
6
M2 +
W
3 2
T
4
Critrios de Resistncia II
eq =
M2 +
3 2
T
4
d3
32
Vasos Cilndricos
eq =
3 2
T
4
32 M2 +
necessrio
que
apaream tenses na parede do
vaso cujas direes so a do
comprimento (2) e a da tangente
ao permetro mdio da seo (1).
(24)
d3
Lembrando, mais uma vez,
que o dimensionamento feito
limitando-se a tenso equivalente
ao valor da tenso admissvel
trao; assim, se obtm:
32 M2 +
d3
3 2
T
4
32 M2 +
3 2
T
4
(25)
2
1
A figura 12 mostra um
diagrama de corpo livre para um
tubo de parede fina que possui uma
presso interna p.
Aplicao em vasos de
presso de parede fina
Os vasos de presso so
considerados de parede fina
quando a espessura da parede for
to pequena em relao ao seu
dimetro que a distribuio de
tenses
normais
num
plano
perpendicular superfcie lateral
deste vaso uniforme ao longo da
espessura da parede. Um bom
exemplo deste tipo de equipamento
so os vasos de presso para
Prof. Jos Carlos Morilla
Critrios de Resistncia II
mx
3
Assim, tem-se:
p d l = 2 (1 e l )
1 =
maneira,
eq = 1 3
d2
2 d = p
4
2 =
pd
(26)
2e
Da mesma
possvel escrever:
eq = 1 =
pd
(28)
2e
pd
(27)
4e
eq =
(1 2 )2 + (1 3 )2 + ( 2 3 )2
eq =
(1 2 )2 + ( 1 )2 + ( 2 )2 (29)
2
eq =
(2 2 2 )2 + (2 2 )2 + ( 2 )2
2
eq = 2 3
eq =
Vasos Esfricos
pd
3 (30)
4e
Critrios de Resistncia II
mx
2 1
3
figura 15 tenses na parede de um vaso
de presso esfrico.
d = p
=
d2
4
eq = =
pd
(32)
4e
pd
(31)
4e
eq =
(1 2 )2 + (1 3 )2 + ( 2 3 )2
2
eq =
(1 )2 + ( 2 )2 (33)
2
eq =
2( 1 )
2
eq =
eq =
pd
(34)
4e
Critrios de Resistncia II