FOTOTRANSISTOR DE SILCIO

PHFT580/A/B

VALORES MXIMOS ABSOLUTOS (T=25oC)

VCEO (tenso coletor-emissor)
VECO (tenso emissor-coletor)
IC
(corrente de coletor)
PD
(potncia de dissipao)
Top
(temperatura de operao)
Tstg (temperatura de armazenagem)
Tsd (temperatura de soldagem)(t=5s)

30
5
100
100
- 50 a + 100
- 50 a + 100
260

CARACTERSTICAS ELTRICAS E TICAS (T=25oC)

mn
(corrente de coletor no escuro)
(VCE=10V , E=0)
Ica
(corrente de coletor iluminado)
(VCE= 5V , Ee= 1mW/cm2, =940nm)
PHFT580
PHFT580A
PHFT580B
p
(sensibilidade de pico)
VCEsat (saturao coletor-emissor)
(IC= 0,5mA , Ee= 20mW/cm2)
VBRceo (ruptura coletor-emissor) (IC= 1mA)

V
V
mA
mW
oC
oC
oC

tp

ICEO

CARACTERSTICAS DE CHAVEAMENTO
(VS= 30V , IC= 800A , RL= 1k
)
tr
tf
DIMENSES FSICAS (em mm)

Especificaes Tcnicas phft580 - 09/99

1
1
1

mx

unid.

100

nA

mA
mA
mA
nm

3
5
880
0,4

30

5
5

V
V

s
s