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JNG30N120HS2

IGBT
Características

ÿ 1200V,30A
ÿ VCE(sat)(típ.)=2,2V@VGE=15V,IC=30A
ÿ Comutação de alta velocidade
ÿ Maior eficiência do sistema
ÿ Formas de onda de desligamento de corrente suave

ÿ Square RBSOA usando tecnologia NPT

Descrição geral
Os IGBTs JIAEN NPT oferecem menores perdas e maior eficiência
energética para aplicações como IH (aquecimento por indução), UPS,
inversor geral e outras aplicações de comutação suave.

Avaliações Máximas Absolutas


Símbolo Parâmetro Valor Unidades

VCES Tensão Coletor-Emissor 1200 EM

VGES Tensão Gate-Emissor + 30 EM

Corrente Contínua do Coletor ( TC = 25 ÿ) 50 A


CI
Corrente Contínua do Coletor ( TC = 100 ÿ) 30 A

ICM Corrente Pulsada do Coletor (Nota 1) 90 A

SE Corrente direta contínua do diodo ( TC = 100 ÿ) 30 A

IFM Corrente direta máxima do diodo (Nota 1) 90 A

tsc Tempo de resistência a curto-circuito 10 nós

Dissipação Máxima de Potência ( TC = 25 ÿ) 260 EM


DP
Dissipação Máxima de Potência ( TC = 100 ÿ) 105 EM

TJ Faixa de temperatura de junção operacional -55~150 ÿ

TSTG Amplitude Térmica de armazenamento -55~150 ÿ

Características térmicas
Símbolo Parâmetro Máx. Unidades

Rth jc Resistência Térmica, Junção à caixa para IGBT 0,48 ÿ/ W

Rth jc Resistência Térmica, Junção à caixa para Diodo 0,83 ÿ/W

Rth e Resistência Térmica, Junção ao Ambiente 40 ÿ/ W

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Características elétricas (TC = 25 ÿ , salvo indicação em contrário)

Símbolo Parâmetro Condições de teste Min. Tipo. Máx. Unidades


Tensão de ruptura coletor-emissor BVCES VGE= 0V, IC= 250uA 1200 - - EM

CIEM Corrente de fuga coletor-emissor VCE= 1200V, VGE= 0V - - 250 uA

Corrente de fuga do portão, direto VGE=30V, VCE= 0V - - 100 nA


IGES
Corrente de fuga do portão, reversa VGE= -30V, VCE= 0V VGE= - - -100 nA

Tensão limite da porta VGE(th) VCE, IC= 250uA 4.0 5,0 6,0V _

Tensão de saturação do coletor-emissor VCE (sat) VGE=15V, IC= 30A - 2.2 2,6 V

Carga total do portão Qg - 165 nC


VCC=960V
Carga do emissor do portão Qge VGE=15V - 33 nC
CI=30A
Carga do coletor de portão Qgc - 70 nC

t d(on) Tempo de atraso na ativação - 25 - ns


t R Tempo de subida de ativação - 53 - ns
VCC=600V
t d(off) Tempo de atraso para desligar VGE=15V - 323 - ns
CI=30A
t- f Desligue o tempo de queda - 84 - ns
RG=15ÿ
Perda de comutação Eon Carga Indutiva - 1,72 - mJ
TC = 25 ÿ - -
Perda de comutação de desligamento Eoff 1,45 mJ
Ets Perda total de comutação - 3.17 - mJ

Cidades - 1600 -
Capacitância de entrada VCE=25V pF
Capacitância de saída de Coes VGE=0V - 270 -
pF
f = 1 MHz
Capacitância de transferência reversa Cres - 170 -
pF

Características elétricas do diodo (TC = 25 ÿ , salvo indicação em contrário)

Símbolo Parâmetro Condições de teste Min. Tipo. Máx. Unidades

FV Tensão direta do diodo SE=30A - 2.1 2.4 EM

t rr Tempo de recuperação reversa do diodo VCE = 600V - 488 ns

EU
rr Corrente de recuperação reversa de pico de diodo SE = 30A - 13,75 A

Qr r Carga de recuperação reversa de diodo dIF/dt = 375A/us - 2309 nC

Notas:
1. Classificação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura máxima da junção

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Características típicas de desempenho

Figura 1: Corrente máxima do coletor DC VS. temperatura do caso Figura 2: Dissipação de energia VS. Temperatura da caixa

Figure 3: Reverse Bias SOA,TJ=125ÿ,VGE=15V Figura 4: Carga de porta típica VS. VGE,IC=30A

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Figura 5: Características típicas de saída IGBT, Figura 6: Características típicas de saída IGBT,
TC=25ÿ;tp=300us TC=150ÿ;tp=300us

Figura 7: Tensão limite típica da porta Figura 8: Tensão direta típica vs IF

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Figura 9: Perda de energia típica VS. RG, TC = 25 ÿ, Figura 10: Tempo de comutação típico VS. RG, TC = 25 ÿ,
L=100uH,VCE=600V,VGE=15V,IC=30A L=100uH,VCE=600V,VGE=15V,IC=30A

Figura 11: Perda de energia típica VS. CI,TC = 25 ÿ, Figura 12: Tempo de comutação típico VS. CI,TC = 25 ÿ,

L=100uH, VCE=600V, VGE=15V,RG=15ÿ L=100uH,VCE=600V,VGE=15V,RG=15ÿ

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Figura 13: Diodo típico DI/DT VS. RG,TC=25ÿ Figura 14: Diodo Típico IRR VS. DI/DT,TC=25ÿ
VCC=600V, VGE=15V, SE=30A VCC=600V,VGE=15V, SE=30A

Figura 15: Diodo típico Qrr VS. DI/DT,TC=25ÿ Figura 16: Erro típico de diodo VS. DI/DT,TC=25ÿ
VCC=600V, VGE=15V, SE=30A VCC=600V, VGE=15V, SE=30A

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Figura 17: Impedância Térmica Transitória Normalizada, junção-caixa

Nota 1. Fator de serviço D=t1/t2 Nota2: pico TJ=PDM ×Zthjc + TC

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ESBOÇO DO PACOTE TO247

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