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JNG30N120HS2
IGBT
Características
ÿ 1200V,30A
ÿ VCE(sat)(típ.)=2,2V@VGE=15V,IC=30A
ÿ Comutação de alta velocidade
ÿ Maior eficiência do sistema
ÿ Formas de onda de desligamento de corrente suave
Descrição geral
Os IGBTs JIAEN NPT oferecem menores perdas e maior eficiência
energética para aplicações como IH (aquecimento por indução), UPS,
inversor geral e outras aplicações de comutação suave.
Características térmicas
Símbolo Parâmetro Máx. Unidades
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JNG30N120HS2
Tensão limite da porta VGE(th) VCE, IC= 250uA 4.0 5,0 6,0V _
Tensão de saturação do coletor-emissor VCE (sat) VGE=15V, IC= 30A - 2.2 2,6 V
Cidades - 1600 -
Capacitância de entrada VCE=25V pF
Capacitância de saída de Coes VGE=0V - 270 -
pF
f = 1 MHz
Capacitância de transferência reversa Cres - 170 -
pF
EU
rr Corrente de recuperação reversa de pico de diodo SE = 30A - 13,75 A
Notas:
1. Classificação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura máxima da junção
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Figura 1: Corrente máxima do coletor DC VS. temperatura do caso Figura 2: Dissipação de energia VS. Temperatura da caixa
Figure 3: Reverse Bias SOA,TJ=125ÿ,VGE=15V Figura 4: Carga de porta típica VS. VGE,IC=30A
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Figura 5: Características típicas de saída IGBT, Figura 6: Características típicas de saída IGBT,
TC=25ÿ;tp=300us TC=150ÿ;tp=300us
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JNG30N120HS2
Figura 9: Perda de energia típica VS. RG, TC = 25 ÿ, Figura 10: Tempo de comutação típico VS. RG, TC = 25 ÿ,
L=100uH,VCE=600V,VGE=15V,IC=30A L=100uH,VCE=600V,VGE=15V,IC=30A
Figura 11: Perda de energia típica VS. CI,TC = 25 ÿ, Figura 12: Tempo de comutação típico VS. CI,TC = 25 ÿ,
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Figura 13: Diodo típico DI/DT VS. RG,TC=25ÿ Figura 14: Diodo Típico IRR VS. DI/DT,TC=25ÿ
VCC=600V, VGE=15V, SE=30A VCC=600V,VGE=15V, SE=30A
Figura 15: Diodo típico Qrr VS. DI/DT,TC=25ÿ Figura 16: Erro típico de diodo VS. DI/DT,TC=25ÿ
VCC=600V, VGE=15V, SE=30A VCC=600V, VGE=15V, SE=30A
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