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02-EletPot Dispositivos Semicondutores
02-EletPot Dispositivos Semicondutores
Escola Politcnica
Departamento de Engenharia Eltrica
Aula 8
DEE
Sumrio
Diodos
Transistores
Tiristores
Aplicaes
DEE
2/80
1. Dispositivos Semicondutores
DEE
3/80
Diodo de Potncia:
Transistor Bipolar
de Potncia:
MOSFET de Potncia:
Tiristor (SCR):
TRIAC:
DEE
4/80
Os dispositivos so
escolhidos considerando a
potncia mxima e a
frequncia de chaveamento
necessrias para a
aplicao
DEE
5/80
2.Diodos de Potncia
DEE
6/80
Diodos de Potncia
Simbologia
Encapsulamentos
Curva Caracterstica
A -> Anodo
K -> Catodo
Quando:
VA > VK (VAK > 0) -> polarizao direta -> conduo
VA < VK (VAK < 0) -> polarizao reversa -> bloqueio
DEE
7/80
Diodos de Potncia
Regio de
depleo
DEE
8/80
Diodos de Potncia
Estrutura interna:
-
DEE
9/80
Diodos de Potncia
Caractersticas estticas:
r=
DEE
V
I
10/80
Diodos de Potncia
Caractersticas dinmicas:
Diodos de potncia
apresentam um tempo
finito (no-nulo) para passar
do estado desligado (pol.
reversa) para o estado
ligado (polarizao direta) e
vice-versa.
Sobre-tenso durante o
ligamento (VFP)!
DEE
11/80
Diodos de Potncia
Caractersticas dinmicas Transitrio p/ conduo:
DEE
12/80
Diodos de Potncia
Carac. dinmicas Transitrio p/ bloqueio:
sendo:
S=
t5
t4
Do grfico temos:
1
Qrr I rr t rr
2
ento:
diR t 2rr
Qrr =
dt 2 (S+ 1 )
Substituindo chega-se a:
trr =
DEE
2Qrr (S +1 )
diR / dt
I rr =
2Qrr diR / dt
S +1
13/80
Diodos de Potncia
Recuperao suave
Recuperao abrupta
Observao: ta=t4 e tb=t5
DEE
14/80
Perdas no chaveamento:
Total:
DEE
t ON
P Ligado= V F I F
T
tOFF
P Desligado= V R I R
T
PComutao =
fS
Sendo:
VF = tenso direta
IF = corrente direta
VR = tenso reversa
IR = corrente de fuga
fs = frequncia de chaveamento
15/80
Diodos de Potncia
Exemplo:
DEE
16/80
Diodos de Potncia
Exemplo:
diR t rr2
Qrr =
= 1 / 2 20 A / s ( 5 )2 = 50 C
dt 2
A
I rr = 2Qrr diR / dt = 20 2 50 C = 44,72 A
s
DEE
17/80
Diodos Schottky
DEE
18/80
Diodos Schottky
DEE
19/80
Diodos de Potncia
Circuitos snubber para diodos de potncia:
DEE
20/80
DEE
21/80
TBJ de Potncia
frequencias.
DEE
22/80
TBJ de Potncia
Estrutura orientada na
vertical maximiza a rea da
Simbologia
seo transversal.
As resistncias eltrica e
trmica so minimizadas.
Os nveis de dopagem e as
larguras das camadas
influenciam nas
caractersticas do dispositivo.
Estrutura interna
DEE
23/80
TBJ de Potncia
O coletor tem dois nveis de dopagem distintos (de modo semelhante ao diodo de
potncia).
DEE
NPN
ou
PNP:
24/80
TBJ de Potncia
Princpio de operao (tipo NPN):
base e o coletor.
Quando a juno B-E est diretamente polarizada (VBE > 0), um fluxo de portadores
de carga (eltrons e lacunas) estabelecido entre a base e o emissor.
Como a regio da base fina, os portadores acabam sendo atrados para a juno
coletor emissor que est inversamente polarizada (VBC > 0) e enfraquecendo a
regio de depleo.
DEE
25/80
TBJ de Potncia
Princpio de operao:
Como iE = iC+iB :
DEE
26/80
TBJ de Potncia
Curvas de operao
(emissor-comum):
DEE
27/80
TBJ de Potncia
Curvas de operao :
TBJ de potncia vertical
A regio de quase-saturao
s existe nos diodos de
DEE
28/80
TBJ de Potncia
ConexoDarlington:
= 1x 2 + 1 + 2
DEE
29/80
TBJ de Potncia
Regio de Operao Segura (Safety Operation Area SOA)
Indica os valores de tenso e corrente que podem ser aplicados ao dispositivo:
DEE
Polarizao
direta
Polarizao
reversa
30/80
TBJ de Potncia
Caractersticas
dinmicas: Carga
Resistiva
Sendo:
DEE
31/80
TBJ de Potncia
Caractersticas dinmicas: Carga Indutiva
DEE
32/80
TBJ de Potncia
Perdas:
chaveamento, durante a
conduo e no estado desligado
Pcomutao
DEE
VCC I C(MAX)
6
fS
TBJ de Potncia
DEE
34/80
TBJ de Potncia
Circuitos de acionamento da base:
Exemplo
DEE
35/80
TBJ de Potncia
Exemplo: Considerando que no circuito a seguir VCC=200V, RC=20 e
VCE(sat)=0,9V, encontre as perdas no TBJ para:
a)fs=120Hz, ton=1s e toff=1,5s
DEE
36/80
TBJ de Potncia
Exemplo: Considerando que no circuito a seguir VCC=200 V, RC=20 e
VCE(sat)=0,9V, encontre as perdas no TBJ para:
Resoluo:
Pcomutao
VCC I C(MAX)
6
fS
37/80
TBJ de Potncia
Exemplo:
IC =
ento:
VCC VCE(SAT)
RC
200 0,9
= 9,955A
20
I C( MAX ) =
DEE
VCC 200
=
= 10 A
RC
20
Pcomutao
VCC I C(MAX)
ento:
Pcomutao
fS
200 10
TBJ de Potncia
Exemplo: Total de perdas:
200 10
39/80
TBJ de Potncia
Aplicaes:
Acionamento de um
motor de corrente
contnua:
DEE
40/80
DEE
41/80
MOSFET de Potncia
DEE
42/80
Simbologia
MOSFET de Potncia
Canal-n
Caractersticas:
Estrutura interna de
um MOSFET canal-n
DEE
43/80
MOSFET de Potncia
Curvas de
Operao:
DEE
44/80
MOSFET de Potncia
Funcionamento:
Bloqueio
45/80
MOSFET de Potncia
Funcionamento:
Efeito de
campo.
Um capacitor
de alta
qualidade
formado.
DEE
46/80
MOSFET de Potncia
Funcionamento:
Conduo
47/80
MOSFET de Potncia
Transitrios de chaveamento:
DEE
48/80
MOSFET de Potncia
Transitrios de chaveamento:
Desligado Ligado:
DEE
49/80
P Ligado=
t ON
2
I D R DS(ON )
T
t OFF
P Desligado= V DS( MAX ) I DSS
T
PComutao =
fS
Perdas no chaveamento:
Total:
50/80
MOSFET de Potncia
DEE
51/80
MOSFET de Potncia
Ts = 1/fs = 25 s
Como o ciclo de trabalho d=0,5 -> tLigado = 0,5 x (25 0,1 0,2) = 12,35 s
62 0,3 12 , 35 10 6
PON =
= 5, 33 W
25 10 6
100 6 300 10 9
PCOMUTAO =
40 10 3= 1,2W
6
DEE
100 2 10 3 12 , 35 10 6
POFF =
= 0, 099 W
25 10 6
52/80
DEE
53/80
Mescla caractersticas de baixa queda de tenso no estado ligado (do TBJ) com o
excelentes caractersticas de chaveamento (do MOSFET).
Embora a velocidade de chaveamento dos IGBT seja maior que a dos TBJ, so
inferiores alcanada pelos MOSFET.
DEE
54/80
IGBT
Simbologia
Modelo equivalente
Estrutura interna
DEE
55/80
IGBT
Caractersticas estticas:
DEE
56/80
IGBT
Perdas:
Perdas no chaveamento:
Total:
DEE
fS
57/80
6. Tiristores
DEE
58/80
Tiristores
de anodo e catodo).
IA
VAK
-
IG
Simbologia
Estrutura
interna
DEE
59/80
Tiristores
Outros tiristores:
DIAC
DEE
60/80
Funcionamento Bsico
Sentido de
conduo
DEE
Modelo equivalente
com dois transistores
DEE
62/80
63/80
DEE
64/80
65/80
Associao de Tiristores
DEE
66/80
67/80
um dos tipos mais comuns de tiristor (em alguns casos os termos SCR
Encapsulamentos
DEE
68/80
Conduo
Desligamento
DEE
69/80
Desvantagens do GTO:
DEE
70/80
sentidos;
O disparo condicionado
aplicao de tenso no gate;
limitado a frequncias de
operao mais baixas.
Simbologia
Estrutura
interna
DEE
71/80
sentidos.
Curva Caracterstica
DEE
72/80
Estrutura
interna
nodo 1
nodo 2
Simbologia
DEE
73/80
Aplicaes (SCR)
Retificadores Controlados:
Retificador monofsico de
meia onda controlado
DEE
74/80
Conversor Abaixador
(Step-down ou Buck)
DEE
75/80
DEE
DEE
77/80
DEE
78/80
2.
Comente a respeito da estrutura interna de um diodo de potncia e dos seus efeitos nas caractersticas dinmicas do dispositivo.
3.
Considerando um circuito com um diodo de potncia em srie com um resistor de 100 sendo alimentado por uma fonte de tenso em onda
quadrada ( 300V) de frequncia igual a 1kHz e ciclo de trabalho 50%, sabendo que o tempo de recuperao reversa de 2 s, a taxa de subida
de corrente 40 A/micro s, a taxa de queda de corrente 30 A/s, calcule as perdas no dispositivo considerando que VF=1,1V e IR = 0,2 mA.
4.
5.
Comente a respeito da estrutura interna de um transistor bipolar de potncia e dos seus efeitos nas caractersticas dinmicas do dispositivo.
6.
Para o circuito da Figura 1, sabendo que VCC = 150 V, VCE (sat) = 0,9 V, VBE(sat) = 1,1 V, RC = 100 e RB = 1 k, sabendo que a tenso VB uma onda
quadrada simtrica, encontre o valor mximo necessrio para produzir a configurao de polarizao em saturao (conforme especificado).
7.
Para o transistor da questo 06, encontre a perda no dispositivo se a frequncia do sinal VB for 2 kHz e o ciclo de trabalho 60%. Considere que os
tempos de ligamento e desligamento do dispositivo so respectivamente 0,5 s e 0,9 s e que a corrente de fuga aproximadamente 0,1 mA.
8.
Comente a respeito da estrutura interna de um MOSFET de potncia e dos seus efeitos nas caractersticas dinmicas do dispositivo.
9.
Considerando que um MOSFET tem os seguintes parmetros: RDS(ON)=0,4 , ciclo de trabalho 80%, ID=7 A, VDS=170V, t(off-on)=130 ns e t(on-off)=150
ns e que a frequncia de chaveamento 30 kHZ, calcule as perdas no estado ligado e no chaveamento.
Figura 1
Figura 2
10. Repita a questo 09 para uma frequncia de chaveamento igual a 300 Hz e compare os resultados obtidos.
11. Comente a respeito da estrutura interna de um IGBT e dos seus efeitos nas caractersticas dinmicas do dispositivo.
12. No circuito da Figura 2, Vs = 220 V, RL = 10 , fs = 1 kHz e d= 0,6. Considerando as caractersticas do IGBT: tON = 2,5 s, tOFF = 1 s e VCE (sat) = 2 V,
determine:
a. A corrente mdia na carga.
b. As perdas no dispositivo.
DEE
79/80
+
Vs
-
14. Compare os diversos dispositivos tiristores estudados considerando a estrutura interna, o funcionamento, as curvas
caractersticas, etc.
15. Um SCR tem os seguintes valores nominais: tenso nodo-ctodo no estado ligado 1,5 V, tenso porta-ctodo no
estado ligado 0,6 V. Considerando o circuito da Figura 3 e que a tenso VIN = 4 V, determine a perda de potncia total no
estado ligado.
Figura 3
16. A perda de potncia durante o chaveamento num SCR pode ser estimada a partir de Pchav = (Vbloq x IDireta x tchav x fs)/6 .
Considerando ainda o circuito da Figura 3, se uma fonte em onda quadrada (Vs) de 100 V e frequncia 250 Hz
conectada ao resistor RL, estime as perdas de chaveamento sabendo que tON = 5 s, tOFF = 25 s e que o SCR disparado
uma vez a cada dois ciclos da tenso.
17. Esboce a forma de onda da tenso na carga do circuito da questo 16 sabendo que o SCR disparado com um atraso de
0,5 ms em relao subida da tenso de alimentao.
Leitura indicada:
Rashid, Muhammad H. Power Electronics Handbook, Devices, Circuits and Applications, Segunda Edio, Elsevier, 2007.
Mohan, Undeland and Robins, Power Electronics, Converters, Applications and Design, Wiley
Pomilio, Jos Antenor. Eletrnica de Potncia , Faculdade de Engenharia Eltrica e de Computao, UNICAMP, 1998,
Revisado em 2002.
80/80