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Um transístor bipolar (com polaridade NPN ou PNP) é constituído por duas
junções PN (junção base-emissor e junção base-colector) de material
semicondutor (silício ou germânio) e por três terminais designados por
Emissor (E), Base (B) e Colector (C).

Altamente Menos Menos

Camada Altamente Camada
dopado dopado que dopado que
mais fina dopado mais fina
o Emissor e o Emissor e
e menos e menos
mais dopado mais dopado
dopada dopada
que a Base que a Base

N ± Material semicondutor com excesso de electrões livres

P ± Material semicondutor com excesso de lacunas

   

Munção PN Munção PN Munção PN Munção PN

base - emissor base - colector base - emissor base - colector

6

   
Para que o transístor bipolar conduza é necessário que seja aplicada na
Base uma corrente mínima (VBE • 0,7 Volt), caso contrário não haverá
passagem de corrente entre o Emissor e o Colector.

! transístor não conduz

IB = 0 (está ao corte)

Se aplicarmos uma pequena corrente na base o transístor conduz e

pode amplificar a corrente que passa do emissor para o colector.

Uma pequena corrente «origina uma grande corrente

entre a base e o emissor« entre o emissor e o colector

d
 

! transístor bipolar pode ser utilizado:

M como interruptor electrónico.

M na amplificação de sinais.
M como oscilador.


 
Para o transístor bipolar poder ser utilizado com interruptor, como amplificador ou como
oscilador tem que estar devidamente polarizado através de uma fonte DC.

9
o t
to
et
co

ect ete pol
 o ju

o 9 b e ± eo
eve
e
pol
  
ect ete e ju
o b e ± colecto
eve e
pol
 
ve
 ete.

Reg
p
tc
! •  P  
    

   

    


 
 P  
   

   

   


!  P  
   

 
 
 

    



Emissor Base Colector Emissor Base Colector

P N P N P N
+ - - - + +

m

Emissor Base Colector Emissor Base Colector

P N P N P N
+ - - - + +
Æ à
› ›

Rb ± Resistência de polarização de base

›
›

Rc ± Resistência de colector ou resistência de carga

à Æ

×

         
©
± Tensão colector - emissor
©B
± Tensão base ± emissor
© B ± Tensão colector - base

I ± Corrente de colector
IB ± Corrente de base
I
± Corrente de emissor

©R
± Tensão na resistência de emissor

©R ± Tensão na resistência de colector

î
   
à

›
Considerando o sentido convencional da corrente e
aplicando a lei dos nós obtemos a seguinte relação
›
das correntes num transístor bipolar
I
IB

I
= I  IB

I


    
Utilizando o código alfanumérico do transístor podem-se obter as suas
características técnicas por consulta de um data book ou de um data sheet do
fabricante.
IC É a máxima corrente de colector que o transístor pode suportar. Se
este parâmetro for excedido o componente poderá queimar.
VCE! Tensão máxima colector ± emissor com a base aberta.
VCB! Tensão máxima colector ± base com o emissor aberto.
VEB! Tensão máxima emissor ± base com o colector aberto.
hFE ou a anho ou factor de amplificação do transístor.
hFE = IC : IB
Pd Potência máxima de dissipação.
fT Frequência de transição (frequência para a qual o ganho do transístor
é 1 ou seja, o transístor não amplifica mais a corrente).

       
 !"  

M Num circuito não se pode substituir um transístor de
silício por um de germânio ou vice ± versa.

M Também não se pode trocar directamente um transístor

NPN por um PNP ou vice ± versa.

M A letra (A, B, C«) que pode aparecer no fim do código

alfanumérico indica sempre aperfeiçoamentos ou
melhorias em pelo menos um dos parâmetros, limites ou
características do transístor.
Exemplo: ! BC548A substitui o BC548.
! BC548A não substitui o BC548B


&
  
! uso de
dissipadores ou
radiadores
externos de calor
são quase que
obrigatórios nos
transístores que
trabalham com
potências
elevadas de modo
a evitar o
sobreaquecimento
do componente e
a sua possível
destruição.

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