Circuito de Interface para Ligação de Painel Fotovoltaico A Cargas

Circuito de Interface para Ligao de Painel Fotovoltaico a Cargas
Universidade do Minho iii

Agradecimentos
Ao Professor Doutor Manuel Joo Seplveda Mesquita de Freitas, meu orientador
pela sua orientao, disponibilidade, dedicao e pelas vrias sugestes dadas durante
esta dissertao.
Vera Figueiredo, minha namorada por todo o apoio que me deu ao longo de
todo o curso, pacincia e compreenso.
Aos meus colegas de laboratrio Alcides Gonalves, Carlos Silva e Daniel Santos,
pela convivncia harmoniosa e divertida, pela ajuda e motivao demonstrada ao longo
de todo este trabalho.
A todos meus outros colegas que directa ou indirectamente contriburam para a
concluso desta tese.
Aos tcnicos das oficinas Sr. Carlos, Sr. Joel e Sra. ngela pelos servios e
simpatia demonstrada.
Aos meus pais Manuel e Maria e irm Susana por todo o apoio, amor, pacincia
demonstrada ao longo da minha vida.
A todas as empresas que contriburam para a concluso desta tese, com o envio de
amostras, uma ajuda bastante importante, contribuindo desta forma para conhecer novos
produtos e novas tecnologias.

Universidade do Minho iv

No h nada bom nem mau a no
ser estas duas coisas: a sabedoria que um
bem e a ignorncia que um mal.
Plato
Universidade do Minho v

Resumo
As actuais preocupaes ambientais e econmicas suscitam uma procura urgente
de alternativas energticas economicamente mais rentveis, menos lesivas ao ambiente,
que promovam um mercado de energia sustentvel, capaz de impulsionar o crescimento
econmico, reduzir a dependncia energtica face ao exterior, e assegurar a equidade
intergeracional. O objectivo desta dissertao prende-se em demonstrar as
potencialidades que a energia elctrica fotovoltaica acarreta, tais como diminuir a
dependncia do consumidor face aos fornecedores de energia e a produo elctrica em
locais remotos.
Actualmente as fontes de energia renovveis, em particular a fotovoltaica, no
podem ser directamente ligadas aos receptores elctricos pois estes requerem uma
tenso de 230V a uma frequncia de 50Hz. Para tal, so necessrios circuitos de
interface entre a fonte de energia renovvel e os receptores elctricos. A presente
dissertao, pretende demonstrar a construo de um sistema electrnico de potncia,
capaz de fazer o interface entre um painel solar fotovoltaico de baixa potncia e
respectivos receptores elctricos, ou seja, converter a tenso de sada de um painel
fotovoltaico numa tenso alternada monofsica (230V/50Hz), optimizando a potncia
que o painel pode fornecer a cada instante.
Foi desenvolvido um sistema, que permite extrair a mxima potncia, designado
por MPPT (Maximum Power Point Tracking). A extraco do ponto de mxima
potncia efectuada atravs de um conversor de tenso DC/DC designado Step-Up, ou
seja a tenso de sada sempre superior tenso de entrada. Para efectuar o controlo do
MPPT utilizou-se o mtodo da Perturbao e Observao. A converso de tenso
contnua para tenso alternada efectuada por um inversor monofsico de dois nveis
em ponte completa. O controlo do sistema efectuado por um microcontrolador da
famlia PIC

e a linguagem de programao utilizada foi a C.
Palavras-Chave: Painel Fotovoltaico, Energia Solar Fotovoltaica, MPPT,
Conversor DC/DC, Step-Up, PIC18F4431, Inversor monofsico de ponte completa.
Universidade do Minho vi

Abstract
The current environmental and economic concerns raise an urgent demand for
alternative energy more profitable, less affecting the environment, to promote a
sustainable energy market, capable of boosting economic growth, reduce energy
dependency, and to ensure intergenerational equity. The objective of this dissertation
focus in demonstrating the potential of the photovoltaic energy, such as reducing the
dependence of the consumer against energy suppliers and electricity production in
remote locations.
Currently the renewable energy sources, in particular the photovoltaic may not be
directly linked to the electrical receivers because these require a voltage of 230V and
50Hz. It is therefore essential to develop technology capable of solving this issue. For
such, interface circuits between the renewable source and the electrical receivers are
necessary. This dissertation intended to demonstrate the construction of a power
electronic system able to make the interface between a photovoltaic panel and their
electrical receptors, and to convert the output voltage of a photovoltaic panel into
(230V/50Hz), optimizing the power that the panel can delivered in each instant.
A system designated by MPPT (Maximum Power Point Tracking) was developed.
The extraction of maximum power point is carried out through a DC/DC converter
designated Step-up, where output voltage is always higher than the input voltage. The
method perturb and observe is used for the control of MPPT. The conversion of DC into
AC voltage is carried out by a single phase full-bridge inverter. The control of the entire
system is carried out by a PIC microcontroller and the C programming language was
used.
Keywords: Photovoltaic Panel, Photovoltaic Energy, MPPT, DC/DC Converter,
Step-Up, PIC18f4431, Single phase full-bridge inverter
Universidade do Minho vii

ndice
Captulo 1 - Introduo ........................................................................................... 1
1.1 Identificao do Problema ......................................................................... 1
1.2 Motivaes ................................................................................................. 5
1.3 Panorama da Energia Solar no Mundo ...................................................... 6
1.3.1 Panorama da Energia Solar em Portugal .......................................... 6
1.4 Objectivos do Trabalho .............................................................................. 8
1.5 Organizao da Tese .................................................................................. 9
Captulo 2 - Sistema Fotovoltaico ......................................................................... 11
2.1 Conceito e Resenha Histrica .................................................................. 11
2.2 Sistema Fotovoltaico ................................................................................. 13
2.2.1 Sistemas fotovoltaicos isolados ...................................................... 15
2.2.2 Sistemas hbridos ............................................................................ 16
2.2.3 Sistemas ligados rede elctrica ..................................................... 17
2.3 Clulas Fotovoltaicas ................................................................................ 18
2.3.1 Tipos de Clulas fotovoltaicas ........................................................ 20
2.3.2 Clulas de silcio cristalino ............................................................. 21
2.3.3 Clulas fotovoltaicas de filme de fino ............................................ 22
2.3.4 Outros tipos de clulas .................................................................... 23
2.4 Modelo matemtico de uma clula fotovoltaica ...................................... 23
2.5 Curva caracterstica do mdulo fotovoltaico ............................................ 29
2.6 Ponto de potncia mxima (MPP) ............................................................ 31
2.7 Seguidor do ponto de mxima potncia (MPPT) ..................................... 32
2.8 Aplicaes do seguidor do ponto de mxima potncia (MPPT) .............. 33
2.9 Mtodos de busca do ponto de mxima potncia .................................... 34
2.9.1 Mtodo da Perturbao e Observao ............................................. 35
Universidade do Minho viii

2.9.2 Mtodo da Condutncia Incremental .............................................. 36
2.9.3 Mtodo da Tenso Constante .......................................................... 37
Captulo 3 Circuitos Electrnicos de Interface .................................................. 39
3.1 Introduo ................................................................................................ 39
3.2 Conversor de tenso DC/DC .................................................................... 39
3.3 Conversor DC/DC Step-Up ..................................................................... 39
3.3.1 Modo de Conduo Contnua ......................................................... 40
3.3.2 Limite da conduo continua .......................................................... 43
3.3.3 Modo de conduo descontnua ...................................................... 44
3.3.4 Ripple da tenso de sada ................................................................ 47
3.3.5 Clculo da indutncia crtica ........................................................... 47
3.3.6 Clculo da capacidade crtica .......................................................... 48
3.3.7 Controlo do Step-Up ....................................................................... 48
3.4 Transformador.......................................................................................... 49
3.5 Inversor monofsico................................................................................. 50
3.5.1 Inversores de ponte completa.......................................................... 51
3.5.2 Comando por modulao de largura de impulso ............................ 52
3.5.3 Comando por PWM Bipolar ........................................................... 53
3.5.4 Comando por PWM Unipolar ......................................................... 54
3.5.5 Filtro LC.......................................................................................... 56
Captulo 4 - Simulaes ........................................................................................ 57
4.1 Introduo ................................................................................................. 57
4.2 SimPowerSystems ..................................................................................... 57
4.3 Simulao do Conversor de Tenso (Step-Up) ......................................... 58
4.4 Simulao do Inversor Monofsico .......................................................... 61
Captulo 5 - Implementao .................................................................................. 63
5.1 Introduo ................................................................................................. 63
Universidade do Minho ix

5.2 Microcontrolador ...................................................................................... 63
5.3 Semicondutor de potncia ......................................................................... 65
5.4 Placa electrnica de interface do conversor Step-Up ................................ 66
5.5 Controlo do conversor de tenso Step-Up ................................................. 68
5.6 Placa de controlo do Inversor Monofsico ............................................... 70
5.7 Controlo do inversor monofsico .............................................................. 72
Captulo 6 - Resultados ......................................................................................... 75
6.1 Introduo ................................................................................................. 75
6.2 Ensaio ao painel solar ............................................................................... 75
6.3 Ensaio ao conversor de tenso Step-Up .................................................... 78
6.4 Ensaio ao Inversor de Tenso ................................................................... 78
Captulo 7 - Concluses ........................................................................................ 83
7.1 Concluses ............................................................................................... 83
7.2 Propostas de trabalho futuro .................................................................... 85
REFERNCIAS .............................................................................................. 87
ANEXOS ........................................................................................................ 91

Universidade do Minho x

ndice de Figuras

Figura 1-1 Evoluo mundial do preo dos derivados do petrleo ......................... 2
Figura 1-2 Evoluo das emisses de CO2, cenrio de referncia 1990-2030 ....... 3
Figura 1-3 Dependncia energtica do exterior, em 2003 . .................................... 4
Figura 1-4 Insolao global anual em Portugal ..................................................... 7
Figura 2-1Diagrama de blocos de um sistema fotovoltaico isolado .................... 15
Figura 2-2 Diagrama de blocos de um sistema fotovoltaico hbrido ................... 16
Figura 2-3Diagrama de blocos sistema fotovoltaico ligado rede elctrica ....... 17
Figura 2-4 Cristais de silcio ................................................................................ 18
Figura 2-5 Movimento dos electres juno P-N ................................................ 19
Figura2-6 Converso directa da radiao solar em electricidade ......................... 20
Figura 2-7 Produo de clulas fotovoltaicas ...................................................... 21
Figura2-8 Clula Fotovoltaica ............................................................................. 21
Figura 2-9 Aplicao de painis de silcio amorfo .............................................. 23
Figura2-10 Circuito elctrico equivalente de uma clula fotovoltaica ................ 24
Figura 2-11 Curva I - u ....................................................................................... 25
Figura 2-12 Curvas caractersticas mdulo fotovoltaico ..................................... 30
Figura2-13 Curva I - u BP2150S ........................................................................ 31
Figura2-14 Ponto de potncia mxima ................................................................ 32
Figura 2-15 Diagrama de blocos de um MPPT tpico ......................................... 33
Figura 2-16 Diagrama de blocos carregamento de baterias ................................. 33
Figura 2-17 Diagrama de blocos Sistemas ligados rede e sistemas isolados .... 34
Figura 2-18 Diagrama de blocos Sistema de bombagem de gua ....................... 34
Figura 2-19 Algoritmo Perturba e Observa .......................................................... 35
Figura 2-20 Mtodo da condutncia incremental ................................................. 37
Figura 3-1 Conversor de tenso Boost ................................................................. 40
Figura 3-2 Formas de onda da tenso e corrente no modo contnuo ................... 41
Figura 3-3 Estado de funcionamento ON ............................................................. 41
Figura 3-4 Estado de funcionamento OFF .......................................................... 42
Figura 3-5 Formas de onda do Step-Up no limite da conduo contnua ............ 43
Figura 3-6 Curvas de IoB com Vo constante ........................................................ 44
Universidade do Minho xi

Figura 3-7 Forma de onda na bobina no modo descontnuo ................................. 45
Figura 3-8 Curva caracterstica do Step-Up tendo Vo constante .......................... 46
Figura 3-9 Ripple da tenso de sada no Step-Up ................................................. 47
Figura 3-10 Circuito tpico de controlo por PWM ................................................ 49
Figura 3-11 Inversor monofsico em meia ponte ................................................. 51
Figura 3-12 Inversor monofsico em ponte completa .......................................... 51
Figura 3-13 Modulao de largura de impulso modo bipolar ............................... 53
Figura 3-14 Modulao de largura de impulso modo bipolar ............................... 54
Figura 3-15 Modelao de largura de impulso modo unipolar ............................. 54
Figura 3-16 Modulao de largura de impulso modo unipolar ............................. 55
Figura 4-1 Ambiente Simulink/SimPowerSystems .............................................. 58
Figura 4-2 Modelo simulado em Simulink ........................................................... 58
Figura 4-3 Forma de onda da tenso de sada (Vo=36V). .................................... 59
Figura 4-4 Forma de onda da corrente .................................................................. 59
Figura 4-5 Forma de onda da tenso no mosfet. ................................................... 60
Figura 4-6 Modelo do inversor monofsico simulado .......................................... 61
Figura 4-7 Formas de onda da tenso e corrente sada ...................................... 62
Figura 4-8 Formas de onda (moduladora e portadora) ......................................... 62
Figura 4-9 Forma de onda da tenso sem filtro .................................................... 62
Figura 5-1 Diagrama dos pinos PIC18F4431 ....................................................... 63
Figura 5-2 Etapas de programao ........................................................................ 64
Figura 5-3 PICkit 2 ............................................................................................... 65
Figura 5-4 Comparao diversos semicondutores de potncia ............................. 65
Figura 5-5 Esquema elctrico NTY100N10 ......................................................... 66
Figura 5-6 Diagrama de blocos da placa de controlo do conversor de tenso ...... 67
Figura 5-7 Esquema do acoplador ptico 6N136 .................................................. 67
Figura 5-8 Algoritmo de controlo do conversor Step-Up ..................................... 69
Figura 5-9 Diagrama de blocos da placa de controlo inversor monofsico .......... 70
Figura 5-10 Circuito drive mosfets NCP511 ........................................................ 72
Figura 5-11 Modo contador Up/Down .................................................................. 73
Figura 5-12 Algoritmo de controlo do inversor monofsico ................................ 74
Figura 6-1 Curva I*U ............................................................................................ 77
Figura 6-2 Curva da potncia ................................................................................ 77
Figura 6-3 Forma de onda da tenso no mosfet .................................................... 78
Universidade do Minho xii

Figura 6-4 Forma de onda da tenso de sada ....................................................... 78
Figura 6-5 Formas de onda da tenso ................................................................... 79
Figura 6-6 Espectro da tenso de sada ................................................................. 79
Figura 6-7 Forma de onda da tenso ensaio em carga .......................................... 80
Figura 6-8 Forma de onda da tenso no ensaio ..................................................... 81
Figura 7-1 Placa de aquisio de dados ................................................................ 96
Figura 7-2 Placa de controlo do inversor .............................................................. 97

Universidade do Minho xiii

ndice de Tabelas
Tabela 2-1 Dados fornecidos pelo fabricante ....................................................... 26
Tabela 6-1 Caractersticas elctricas BP2150S .................................................... 75
Tabela 6-2 Resultados experimentais ................................................................... 76
Universidade do Minho 1
Captulo 1
Introduo
1.1 Identificao do Problema
A escassez e o preo de recursos fsseis como o petrleo, o gs natural e o carvo,
aliados ao elevado nvel das emisses de gases poluentes, o aquecimento global da
Terra e os problemas sociais que advm do no acesso, ou acesso precrio energia
elctrica so elementos de referncia do actual cenrio energtico e ambiental
internacional. A complementar com a constante instabilidade dos mercados de recursos
fsseis, o aumento galopante do consumo de energia, o agravamento da dependncia
energtica, as recentes e cada vez mais frequentes catstrofes climatricas, o problema
do isolamento de populaes desfavorecidas e o clima de instabilidade poltica dos
pases produtores de combustveis fsseis. Todo este cenrio requer uma actuao
concertada, pensada, rpida e estruturada por parte dos governos, universidades,
investigadores e populao em geral [1].
De acordo com a Agncia de Informao Energtica (AIE) dos EUA, no perodo
compreendido de 2005 a 2030 prev-se um crescimento na ordem dos 71% do consumo
de energia a nvel mundial. Actualmente, os maiores consumidores energticos so os
pases da OCDE, no entanto, os que mais contribuiro para este crescimento so os
actuais pases em vias de desenvolvimento em especial a China e a ndia. Contudo,
pases do Mdio Oriente, Amrica Latina e pases Africanos, tero um papel
significativo neste crescimento. O agravamento na procura de energia ser
acompanhado por um aumento do preo dos combustveis fsseis [2].
Como pode-se constatar na Figura 1-1, o preo por barril do crude, mais do que
duplicou, passando dos 50 dlares por barril para mais de 120 dlares, prev-se ainda
que este comportamento manter-senos prximos anos.
No entanto, devido crise econmica mundial tem-se assistido a uma descida da
procura e consequentemente no preo. Contudo a Agncia de Informao Energtica
dos EUA prev que seja pontual esta descida, e que o preo do crude e dos seus
derivados tendero a subir acentuadamente.
2 Universidade do Minho
Figura 1-1 Evoluo mundial do preo dos derivados do petrleo [3]

Todavia, a situao energtica mundial ir continuar a ser dominada pelos
combustveis fsseis, que em 2030 representaro quase 90% do aprovisionamento
energtico total e o petrleo continuar a ser a principal fonte de energia com 34%. A
Comisso Europeia, no seu Relatrio Energia, tecnologia e poltica climtica:
perspectivas mundiais para 2030, revela que as reservas mundiais de petrleo
conhecidas chegam para satisfazer a procura at 2030, contudo aos nveis de consumo
espectveis atingir-se- um declnio preocupante das mesmas, no garantindo o
abastecimento posterior a 2030 [4].
No menos preocupante o prognstico da situao ambiental, a mesma fonte,
prev que em 2030 as emisses mundiais de CO
2,
mais do que duplicaro relativamente
ao ano de referncia 1990.
Os maiores contribuidores das emisses mundiais CO
2
, so os pases no
membros da OCDE, uma vez que so os principais consumidores de energia com base
em combustveis fsseis, devido ao acentuado e rpido crescimento econmico das
novas economias emergentes [3].
Estima-se que os pases membros da OCDE vo estabilizar o seu nvel de
emisses, tal deve-se a uma maior consciencializao e nveis de desenvolvimento
destes pases [5].
Figura 1-2 Evoluo das emisses de CO2, cenrio de referncia 1990-2030 [3]

A distribuio de energia elctrica no um bem/servio de acesso a todos. A
populao mundial ronda os 6,7 mil milhes de habitantes e, segundo o Prof. Dr.
Miguel Brito da Universidade de Lisboa, cerca de 1,6 mil milhes de pessoas ou 24%
da populao mundial no tm acesso a servios de energia elctrica, e
aproximadamente 2,6 mil milhes de pessoas, o que corresponde a 39,4%, utilizam
sistemas de energia tradicionais, pouco eficientes, demasiado afastados de centrais
elctricas convencionais, o que leva, a preos incomportveis no acesso e na
distribuio elctrica.
As populaes que no tm acesso rede elctrica, ou com um acesso deficitrio
sofrem de problemas de excluso social, isolamento, subdesenvolvimento e fraca
qualidade de vida. Estes problemas afectam transversalmente quer pases desenvolvidos
quer os pases menos desenvolvidos, contudo a definio das prioridades por parte dos
pases so diferentes. Nos pases do terceiro mundo a prioridade o acesso e a
distribuio rede elctrica, enquanto os pases mais desenvolvidos pretendem reduzir a
dependncia energtica, e com isso a factura, apostando simultaneamente na melhoria
das condies ambientais.
Portugal no alheio a estes problemas. A grande dependncia energtica em
relao aos combustveis fsseis e, em particular, em relao aos derivados do petrleo,
tem consequncias muito negativas para o pas, nomeadamente o agravamento do dfice
da balana comercial e efeitos nocivos sobre o meio ambiente que se traduzem em
externalidades negativas [5].
Portugal um dos pases com menor eficincia energtica da UE gastando 0,88
barris de petrleo por cada mil euros de PIB. O valor mdio na Unio Europeia de
0,65 barris por cada mil euros e o pas mais eficiente a Dinamarca onde o valor de
0,41 [3].
De acordo com a Avaliao do desempenho do XVII Governo Constitucional no
fim do terceiro ano da Legislatura, Portugal tem assistido a um aumento considervel do
consumo de energia elctrica. Assim, o pas tem de recorrer importao de 85% da
energia que consome.

Figura 1-3 Dependncia energtica do exterior, em 2003 [3]

Todos os factores anteriores tm ganho relevncia nos ltimos meses, com o
crescente aumento dos preos do petrleo, fruto da diminuio das reservas e da
especulao. O que contribui para um reanimar da discusso em torno das energias
renovveis, estas sim uma aposta de futuro, porque tm impactos ambientais
negligenciveis e, como o prprio nome indica, so renovveis.
As energias renovveis so formas de energia inesgotveis e ou com elevada
capacidade de renovao no poluentes. Caracterizam-se, tambm, pelo seu carcter
endgeno e descentralizado, contribuindo desta forma para a reduo das importaes
de combustveis, para o aumento da segurana do abastecimento energtico e para a
criao de riqueza em zonas economicamente deprimidas [6].
As energias renovveis permitem reduzir significativamente as emisses de CO
2
,
reduzem a dependncia energtica da nossa sociedade face aos combustveis fsseis e
conduzem investigao em novas tecnologias, que permitem obter uma melhor
eficincia energtica.
As mesmas podem no seu conjunto solucionar ou minimizar alguns dos
problemas mencionados, e ajudar os pases a cumprirem as metas impostas pela
conjuntura internacional, como o caso do Protocolo de Quioto. As energias renovveis
so fundamentais para o desenvolvimento sustentado.
O protocolo de Quioto um tratado internacional, com compromissos mais
rgidos para a reduo da emisso dos gases que provocam o efeito estufa, considerados,
de acordo com a maioria das investigaes cientficas, como causa principal do
aquecimento global. Por ele prope-se um calendrio pelo qual os pases desenvolvidos
tm a obrigao de reduzir a emisso de gases do efeito estufa em, pelo menos, 5,2%
em relao aos nveis de 1990 durante o perodo entre 2008 e 2012. Em virtude da
adeso ao Protocolo de Quioto, Portugal para o perodo de 2008-2012, tem de restringir
o aumento das emisses de CO
2
at 27% relativamente a 1990. Uma vez que esse limite
j foi ultrapassado, o nosso pas tem de comprar licenas de emisso de CO
2
o que
acarreta custos para as empresas e, consequentemente, para os consumidores [7].
1.2 Motivaes
A energia solar fotovoltaica apresenta grandes vantagens a nvel econmico,
ambiental e social para os pases que optem por utilizar cada vez mais este tipo de fonte
energtica em detrimento das fontes de energias convencionais. Portugal encontra-se
localizado numa zona geogrfica privilegiada para explorar este tipo de recurso. A
explorao desta fonte de energia em Portugal comea a dar os primeiros passos, o
Governo atravs da construo de duas grandes centrais fotovoltaicas nomeadamente
em Serpa e em Moura, deu o impulso inicial para que o pblico se familiarize com esta
tecnologia e a adopte. No entanto a explorao da energia solar fotovoltaica ainda se
encontra numa fase embrionria da sua potencialidade, ou seja, ainda existe um vasto
campo de investigao e desenvolvimento (I&D) a percorrer, onde as universidades
tero um papel importantssimo a desempenhar neste campo. Com o desenvolvimento
da tecnologia fotovoltaica possvel levar energia elctrica at pontos que de outra
forma estavam privados desta, e assim desenvolver toda uma regio e uma sociedade.
Actualmente as fontes de energia renovveis, em particular a fotovoltaica no
podem ser directamente ligadas aos receptores elctricos pois estes requerem uma
tenso de 230V a uma frequncia de 50Hz e os painis fotovoltaicos produzem corrente
contnua.
portanto fundamental desenvolver tecnologia capaz transformar corrente
continua em corrente alternada. Para tal, necessrio um circuito de interface entre a
fonte de energia renovvel e os receptores elctricos. A presente dissertao pretende
demonstrar a construo de um sistema electrnico de potncia capaz de fazer o
interface entre um painel solar fotovoltaico de baixa potncia e respectivos receptores
elctricos.
1.3 Panorama da Energia Solar no Mundo
O Mercado da energia solar encontra-se em constante crescimento. No final de
2007 a capacidade instalada a nvel mundial, dos sistemas solar fotovoltaico atingiu o
patamar 9,200MW. Comparando com apenas 1,200MW nos finais de 2000, temos que a
instalao deste tipo de sistemas a nvel global tem vindo a crescer a uma taxa de mais
de 35% ao ano. Como consequncia deste crescimento, actualmente este mercado est
avaliado em mais de 13 mil milhes de euros por ano. O sector fotovoltaico ser
tambm o responsvel pelo crescimento de economias locais. O nmero de empregados
no sector, a trabalhar no fabrico, instalao e manuteno dos painis, pode crescer dos
actuais 120 mil para 10 milhes no mundo em 2030 [8].
1.3.1 Panorama da Energia Solar em Portugal
Portugal um dos pases mais ricos da Europa em termos de energia solar. A
insolao em Portugal Continental varia entre 1800 e 3100 horas de sol por ano [9].
Privilegiado pela riqueza soalheira, Portugal aguarda que a indstria e a
comunidade cientfica respondam ao desafio de aproveitar o sol para fins energticos,
nomeadamente atravs da adopo massiva de sistemas fotovoltaicos.
Para aproveitar este recurso esto a ser investidos quase 600 milhes de euros na
vertente solar fotovoltaico. Portugal ter de investir 6,4 mil milhes de euros at 2010, o
equivalente a mais de 4% do PIB, em recursos para produo de electricidade a partir de
energias renovveis, se quiser cumprir as metas previstas no Livro Branco Energia
para o Futuro: Fontes de Energia e Renovveis [10].
No caso da Directiva 2001/77/CE, Portugal assume o compromisso de produzir
em 2010 39% da sua electricidade com origem em fontes de energia renovveis, o
terceiro objectivo mais ambicioso da UE. Tendo em conta a evoluo da energia
consumida a partir de fontes de energia renovveis, que segundo dados da Direco
Geral de Energia e Geologia, passou de 27,7% (2004) para 36% (2007), o Governo
reviu esta meta em 2007 para 45%.

Figura 1-4 Insolao global anual em Portugal [9]

O presidente da Associao Europeia da Indstria Fotovoltaica (EPIA) afirmou
que o mercado portugus da energia solar fotovoltaica pode valer 1.000 milhes de
euros por ano, se forem instalados 200 MW de potncia anualmente, o mesmo prev
que ser Portugal um dos pases europeus a impulsionar o mercado solar, no obstante
ter uma meta fixada de 150 MW at 2010 e ter j atribudo 126 MW. Esse impulso ser
dado, fundamentalmente, pela microgerao, pequenas centrais de produo de
electricidade descentralizadas, em casas privadas e ao nvel dos municpios. [11]

Exemplos de microgerao em Portugal:
- Vale da Rosa: uma aldeia isolada no concelho de Alcoutim, que abastecida
de energia elctrica atravs de uma instalao fotovoltaica autnoma.
- Substituio de geradores diesel na Berlenga por sistemas fotovoltaicos.
- Sinalizao martima (bias e faris).
- Electrificao e iluminao pblica em Castro Daire.
1.4 Objectivos do Trabalho
O objectivo desta dissertao centra-se na concepo prtica e terica de um
circuito electrnico de interface, capaz de estabelecer a ponte entre a fonte de energia
renovvel (fotovoltaica) e os receptores elctricos (cargas) com o menor encargo
econmico possvel.
Os painis fotovoltaicos disponveis no mercado actualmente apresentam tenses
de sada entre 12V a 68V e correntes entre 0,5A e 8A. Estes produzem corrente
contnua, e a generalidade das cargas elctricas disponveis consomem corrente
alternada. Tal implica que, para aproveitar a energia solar fotovoltaica e alimentar a
maioria dos equipamentos/edifcios/aplicaes comuns, seja necessrio converter a
corrente continua em alternada, sendo necessrio um circuito electrnico de interface.
Para a concretizao do circuito electrnico de interface foram definidos vrios
objectivos especficos, nomeadamente:
1.Teste a um painel fotovoltaico BP 2150S com 150W de potncia mxima, com
o intuito de traar a curva caracterstica do painel ( I u).
2. Desenvolvimento de um inversor electrnico de potncia capaz de converter a
sada do painel num sistema alternado monofsico 230V, 50Hz, maximizando a
potncia disponibilizada pelo painel.
3. Implementao de um sistema de controlo e respectivas interfaces.
4. Teste do sistema completo em diversas condies de operao.
Foram efectuados testes a um painel solar de 150W de forma a traar a curva
caracterstica do mesmo. Numa fase posterior procedeu-se a uma simulao
computacional de dois elementos fundamentais neste sistema, nomeadamente do
conversor e inversor de tenso, ambos em ambiente Matlab.
Relativamente ao conversor de tenso optou-se por utilizar a configurao
elevadora de tenso designada por Step-Up. No que se refere ao inversor de tenso
adoptou-se a configurao inversor monofsico de dois nveis em ponte completa.
Finalizadas as simulaes implementou-se fisicamente o sistema. Para tal,
projectaram-se as cartas electrnicas dos circuitos de potncia e de controlo e em
simultneo dimensionou-se e construiu-se as indutncias para o circuito Step-Up e
filtro LC. Para efectuar o controlo do sistema completo utilizou-se o microcontrolador
PIC18F4431. Os resultados obtidos sero discutidos nos captulos seguintes.
1.5 Organizao da Tese
A presente dissertao encontra-se dividida em 7 captulos. O captulo 1
intitulado Introduo, identifica o problema, estabelece os objectivos e revela as
motivaes. Aborda o panorama actual dos mercados energticos, e de como isso afecta
a economia global, enquanto os combustveis fsseis forem a principal fonte de energia,
assim como, aborda a forte dependncia energtica de Portugal face aos combustveis
fsseis, e apresenta como possveis solues desta dependncia as energias renovveis,
onde Portugal, um privilegiado em relao a outros pases europeus, devido sua
excelente posio geogrfica. Tambm aborda um importante tema, que o do fraco
acesso rede elctrica/ acesso deficitrio que atinge uma grande parte da populao
mundial, em especial dos pases em vias de desenvolvimento. Por fim, define os
objectivos do trabalho a desenvolver.
O captulo 2 apresenta-se, como um captulo de conceitos tericos, onde se iro
abordar os sistemas fotovoltaicos, nomeadamente a constituio destes e tipos de
aplicaes.
No captulo 3 so apresentados os circuitos electrnicos de interface. feita uma
anlise ao funcionamento do conversor de tenso Step-Up e ao inversor de tenso
monofsico. So abordados os vrios modos de funcionamento assim como os sistemas
de controlo de ambos os circuitos.
O captulo 4 o captulo das simulaes computacionais, onde primeiramente
feita uma breve apresentao ao simulador utilizado, e em seguida so apresentadas as
simulaes efectuadas. Foram simulados um conversor Step-Up, e um inversor de
tenso monofsico em ponte completa. Onde so apresentadas as principais formas de
onda que caracterizam o comportamento dos circuitos.
No captulo 5 abordado o tema da implementao, so apresentadas as
topologias dos circuitos Step-Up e inversor de tenso monofsico que foram escolhidos,
assim como os algoritmos de controlo dos mesmos.
O captulo 6 o captulo dos resultados. Neste so apresentadas, e discutidas as
medies que foram efectuadas aos circuitos electrnicos implementados, assim como
ao ensaio efectuado ao painel solar fotovoltaico.
As concluses so apresentadas no captulo 7, para alm das concluses sobre o
trabalho efectuado, tambm proposto como trabalho futuro um conjunto de inovaes,
com vista a serem implementadas no trabalho.

Captulo 2
Sistema Fotovoltaico
2.1 Conceito e Resenha Histrica
Devido sua natureza abstracta, o conceito de energia um conceito difcil de
compreender. A energia aparece de diferentes formas e de distintos tipos: calor, luz,
mecnica, elctrica, qumica, nuclear, pode ser transferida ou convertida de uma forma
para outra, mas nunca criada ou destruda.
Numa vertente econmica pode afirmar-se: A energia o sangue dos sistemas
scio-econmicos e, por isso, vital para o progresso, o desenvolvimento e o bem-estar
dos cidados. Mas isso no significa que consumir mais energia represente, por si
mesmo, melhores condies de produo e de conforto, de bem-estar e de qualidade de
vida para os cidados [12].
Energia uma palavra que tem origem no grego energeia e que pode-se traduzir
por fora em aco. A primeira fonte de energia utilizada pelos seres humanos foi a
sua prpria fora muscular, no entanto, desde ento apareceram diversas formas de
aproveitamento de energia, como exemplo o domnio do fogo, a domesticao de
animais, a utilizao da fora da gua. No menos importante a utilizao do vento,
atravs dos moinhos. A utilizao da energia solar existe desde que h memria, quer
para aquecimento dos espaos onde vivemos, secagem de produtos agrcolas, secagem
de peixe, ou at da prpria roupa.
O Sol o elemento mais importante do nosso sistema solar. A energia solar
cria-se no seu interior, onde a temperatura ronda os 15.000.000C e a presso cerca de
340 mil vezes a do ar da terra ao nvel do mar, provocando autnticas reaces
nucleares. Destas reaces, em que a massa expulsa em forma de energia e conduzida
para a superfcie do Sol, resulta a converso por segundo de 700 milhes de toneladas
de hidrognio. Converter o calor, a radiao e a energia do Sol em energia til o um
desafio [13].
O termo fotovoltaico deriva da palavra photo, originria do grego phos que
significa luz e do sufixo voltaic, relacionado com a diferena de potencial gerada, que
advm do nome de Alessandro Volta, um pioneiro no estudo na electricidade. A energia
fotovoltaica a transformao da energia recebida pelo Sol em energia elctrica, graas
ao Efeito Fotovoltaico a energia contida nos fotes da luz solar pode ser convertida
directamente em energia elctrica [14].
O Sol fornece anualmente, para a atmosfera terrestre, uma quantidade avultada de
energia (1,5 x 10
18
kWh), o que se traduz em cerca de 10.000 vezes o consumo mundial
de energia para igual perodo. A energia fotovoltaica uma fonte de energia inesgotvel
e que est democraticamente distribuda por todo o planeta, ao contrrio dos
combustveis fosseis que esto concentrado em algumas regies [15].
O comissrio europeu Janez Potocnik define a tecnologia fotovoltaica como a
produo da electricidade a partir da luz, ou seja, a energia solar gerada por clulas
fotoelctricas, capazes de transformar a luz em electricidade.
A electricidade solar, tradicionalmente chamada energia fotovoltaica, uma
fonte limpa de energia que tem, j hoje, o potencial para contribuir para o
desenvolvimento ambientalmente sustentado dos pases em desenvolvimento. Pode
tambm contribuir, de uma maneira muito significativa, para os esforos do primeiro
mundo no sentido de cumprir os compromissos assumidos em Quioto. [16].
Os conhecimentos embrionrios relacionados com energia fotovoltaica surgem
nos anos de 1839 com o fsico francs Edmund Becquerel, que descobriu o chamado
efeito fotovoltaico num electrlito, atravs da constatao de que alguns materiais em
contacto com luz produziam pequenas quantidades de corrente elctrica. S cerca de 34
anos depois em 1873, que ocorreram desenvolvimentos nesta rea, graas a
Willoughby Smith que descobriu o mesmo efeito mas num material semicondutor, o
selnio. Adams e Day em 1876 construram a primeira clula fotovoltaica. No entanto,
durante as dcadas sobrejacentes ocorreram vrios progressos nesta rea, tendo Albert
Einstein em 1920 recebido o prmio Nobel pelos trabalhos desenvolvidos no mbito do
efeito fotoelctrico.
Na dcada de 40 e 50 aprofundou-se o mtodo Czochralski, que surgiu em 1918
com o cientista polaco Czochralski. Este permite obter de silcio de elevado grau de
pureza, sob a forma de lingote monocristalino para fins industriais. Em 1954 os
laboratrios Bell desenvolveram a primeira clula fotovoltaica de silcio cristalino, onde
o rendimento desta rondava 4% a 6%. Ainda em meados da dcada de 50 ocorreram as
primeiras aplicaes terrestres da energia fotovoltaica, nomeadamente, iluminao de
bias de navegao e na rea das telecomunicaes.
Em 1958 a energia fotovoltaica teve um grande impulso tecnolgico, uma vez
nesta data ocorreram as primeiras aplicaes a nvel espacial. Esta energia considerada
bastante promissora a este nvel, uma vez que aparece como uma soluo inovadora e
mais eficiente no abastecimento de energia elctrica no espao. So exemplos o Satlite
Vanguard-1, posteriormente Explorer-6 e a nave espacial Nimbus.
Na dcada de 70 com a crise petrolfera assistiu-se ao despoletar de interesses na
tecnologia fotovoltaica, como soluo para os problemas energticos existentes. Foram
criados vrios programas de investigao, que tinham fundamentalmente dois
objectivos: aumentar o rendimento da clula fotovoltaica e reduzir o custo de produo.
No entanto, o factor impulsionador para o crescimento da energia fotovoltaica
inverteu-se na dcada de 80, com a estabilizao dos mercados petrolferos, a falta de
investimento em investigao neste tipo de tecnologia, fez com que esta estagnasse.
Contudo, na mesma dcada foram dados os primeiros passos experimentais no
que concerne s aplicaes domsticas. Em meados da dcada de 90, fruto de
catstrofes ambientais, surgiu uma nova consciencializao a nvel global que foi, a
necessidade de diminuir drasticamente as emisses de gases poluentes para a atmosfera.
O conhecimento que a queima dos combustveis fsseis so uma das principais causas
para este fenmeno, tornou urgente encontrar alternativas energticas amigas do
ambiente, as chamadas energias renovveis. A partir dessa altura e at a actualidade a
investigao e divulgao em energias renovveis, nomeadamente a energia solar
fotovoltaica tem crescido exponencialmente [17].
2.2 Sistema Fotovoltaico
Um sistema fotovoltaico todo um conjunto de equipamentos necessrios para
extrair e acomodar a energia elctrica extrada dos painis fotovoltaicos. A constituio
tpica de um sistema fotovoltaico a seguinte: [18]
Painis solares
Conversor de tenso (DC/DC)
Baterias
Inversor de tenso (DC/AC)
Transformador monofsico
O aproveitamento da energia solar pode-se fazer de duas formas possveis, atravs
do aproveitamento passivo e atravs do aproveitamento activo [19].

Aproveitamento passivo: este tipo de aproveitamento no requer nenhum
dispositivo para captar energia solar, utiliza antes a arquitectura dos edifcios. Estes so
projectados com grandes janelas orientadas para o sol, aproveitando as radiaes solares
durante o dia. Outra aplicao pode ser, por exemplo, o stio onde se coloca a roupa a
secar. Este tipo de aproveitamento apresenta inmeras vantagens, onde se destaca a
poupana energtica obtida nos edifcios onde se aplica este tipo de aproveitamento.

Aproveitamento activo: este tipo de aproveitamento do sol possibilita a produo
calor ou energia elctrica. A produo de calor atravs da energia solar, possvel
atravs do aproveitamento solar trmico, neste caso, o sol aproveitado para aquecer
gua potvel, piscinas, para auxiliar o aquecimento central, entre outros. A produo de
energia elctrica atravs da energia solar denominada por efeito solar fotovoltaico.
Segundo Rui M.G. Castro pode-se dividir as aplicaes fotovoltaicas em trs
grupos distintos:
Aplicaes de alta potncia
Grandes centrais solares fotovoltaicas com potncia de algumas dezenas de MW
Aplicaes de mdia potncia
Electrificao rural: abastecimento de cargas domsticas em locais remotos sem
rede, bombagem de gua e irrigao, complemento de abastecimento de locais
remotos com ou sem rede
Produo descentralizada ligada rede
Aplicaes de pequena potncia
Relgios e calculadoras
Acessrios de veculos automveis, por exemplo, alimentao de ventoinhas
para refrigerao de automveis estacionados, ou carregamento de baterias em
veculos de campismo
Sinais rodovirios (mveis e estticos) e parqumetros
Telefones de emergncia, transmissores de TV e de telemvel
Nesta dissertao as aplicaes de mdia potncia vo ser alvo de um estudo mais
aprofundado, uma vez que onde se insere a temtica do trabalho a desenvolver. Este
tipo de aplicaes divide-se em trs grupos, consoante a utilizao que se pretende obter
para o efeito, que so as seguintes:
2.2.1 Sistemas fotovoltaicos isolados
Este tipo de aproveitamento solar bastante til e utilizado em regies remotas,
que se encontram afastadas da rede elctrica, como o exemplo sistemas de vigilncia
nas auto-estradas, sistemas de vigilncia das matas, entre outros. O painel fotovoltaico
o principal constituinte deste sistema, sendo o responsvel pela transformao da
energia solar em energia elctrica. Como durante a noite no existe radiao solar, h a
necessidade de ter-se instalado no sistema um banco de baterias para armazenar energia
durante o dia, para a fornecer durante a noite, ou em dias com pouca luminosidade.
necessrio ainda ter instalado um regulador de carga, para monitorizar a carga e
descarga correcta das baterias, no permitindo que exista um descarregamento profundo
ou sobretenses sobre as baterias. Para alm disso dever impedir que as baterias
durante a noite enviem energia para os painis, danificando-os. Caso existam cargas AC
(alternated current) necessrio ter instalado um inversor DC/AC, onde DC (direct
current), que transforma a tenso DC proveniente das baterias em tenso AC.
Figura 2-1Diagrama de blocos de um sistema fotovoltaico isolado [55]

Legenda da Figura 2-1:
1: Painel Fotovoltaico
2: Regulador de Carga
3: Inversor
4: Baterias
5: Monitorizao do Sistema
6: Equipamento de Consumo Elctrico
2.2.2 Sistemas hbridos
Este tipo de sistema fotovoltaico normalmente constitudo por vrias fontes de
energia renovvel, como sistemas fotovoltaicos e sistemas elicos. Associadas a estas
esto ligadas fontes de produo elctrica convencional, como sistemas de gerao a
diesel. Estes sistemas de gerao a diesel tm a funo de auxiliar a produo elctrica,
para as alturas em que o consumo energtico elevado, ou quando a gerao elctrica a
partir das fontes de energia insuficiente para satisfazer o consumo elctrico.
Figura 2-2 Diagrama de blocos de um sistema fotovoltaico hbrido [55]
1: Gerador elico
3: Regulador de Carga
4: Inversor
5: Baterias
6:Gerador a diesel
2.2.3 Sistemas ligados rede elctrica
Este tipo de sistema conta actualmente com bastantes utilizadores, devido em
grande parte aos incentivos financeiros que tm sido promovidos pelos Governos para
quem opte por instalar este tipo de sistema. Uma vez que possvel vender a energia
gerada entidade fornecedora de energia elctrica, com tarifas bastante atractivas e
rentveis. O principio de funcionamento deste sistema assenta no pressuposto, que a
energia gerada ou consumida pelo utilizador ou injectada na rede para ser vendida, o
que ajuda a amortizar o custo da instalao inicial do sistema. Neste sistema no
necessrio instalar um banco de baterias, reduzindo assim o custo final deste.

Figura 2-3Diagrama de blocos sistema fotovoltaico ligado rede elctrica [55]

2: Inversor
3: Contador de energia
5: Rede elctrica

2.3 Clulas Fotovoltaicas
A clula fotovoltaica o elemento mais pequeno do sistema fotovoltaico. A
funo de uma clula consiste em converter directamente a energia solar em
electricidade. Grande parte das clulas fotovoltaicas constituda por silcio, sendo este
um semicondutor. O silcio o segundo elemento mais abundante da crosta terrestre,
representando 27% da sua possvel massa. Podemo-lo encontrar na natureza de diversas
formas, normalmente como areia, mas nunca como silcio puro, na Figura 2-4 pode
observar-se cristais de silcio [20].
Figura 2-4 Cristais de silcio [25]

O tomo de silcio contm catorze electres, tendo na ltima camada quatro
electres. Estes esto compartilhados por ligaes covalentes, e portanto, no tm
liberdade de movimentar-se pelo cristal. Sendo assim, o silcio cristalino no um bom
condutor de electricidade, por isso submetido a um processo de dopagem, onde so
adicionadas impurezas que vo alterar as propriedades elctricas deste. Estas impurezas
podem pertencer ao grupo III ou V da tabela peridica, de que so exemplo, o boro e o
fsforo, respectivamente.
O boro uma das impurezas normalmente utilizadas para dopar o silcio, o tomo
do contm trs electres na ltima camada. Quando o silcio dopado com boro
formam-se lacunas devido ao facto, de o tomo ter menos um electro na banda de
valncia que o de silcio, obtm-se assim um material com dfice de electres, ou seja
um semicondutor do tipo P.
O fsforo outra das impurezas utilizadas para dopar o silcio, este pertence ao
grupo V da tabela peridica, o tomo de fsforo contm cinco electres na ltima
camada. Quando o silcio dopado com fsforo, quatro dos seus electres so
compartilhados, restando apenas um electro que no faz parte da ligao covalente,
mas que ainda assim atrado pela carga positiva do ncleo do fsforo, obtm-se desta
forma um semicondutor do tipo N.
Unindo estas duas camadas obtm-se uma juno P-N, que gera um campo
elctrico, esta juno comporta-se como um dodo e por essa razo frequentemente
representada por um dodo. este mesmo campo que faz com que os electres saltem e
os disponibiliza ao circuito elctrico exterior sob a forma de corrente elctrica. No
mesmo instante, as lacunas movem-se na direco oposta, ou seja para a superfcie
positiva onde as esperam os electres para se recombinarem.
Na zona da juno P-N verifica-se que os electres que se encontram livres no
semicondutor do tipo N, combinam-se com as lacunas do semicondutor do tipo P,
levando a que exista um excesso de cargas positivas na zona tipo N e um excesso de
cargas negativas na zona tipo P.
Quando os electres deixam a zona tipo N ocorre o surgimento de um excesso de
cargas positivas na fronteira juno P-N, da mesma forma ocorre um excesso de cargas
negativas na zona tipo P. Este desequilbrio de cargas que ocorre na fronteira da juno
P-N responsvel pelo surgimento de um campo elctrico que se ir opor ao fluxo dos
electres e lacunas, e assim uma situao de equilbrio atingida, ou seja a energia que
os electres dispem no suficiente para que estes venam a barreira de potencial da
juno. No silcio a energia que um electro deve adquirir para passar da banda de
valncia para a banda de conduo 1,12 eV [21].
Figura 2-5 Movimento dos electres juno P-N [22]
No momento em que luz incide sobre a clula fotovoltaica, ocorre um fenmeno
muito importante, a barreira de potencial da juno ultrapassada. A luz constituda
por fotes. Quando esta incide sobre a clula, alguns fotes vo ser absorvidos na
juno P-N, esta situao vai provocar com que os electres saltem da banda de
valncia onde se encontram, para a banda de conduo

tornando-se electres livres, que
vo aparecer na zona abrangida pelo campo elctrico da juno P-N.
A zona do tipo N vai atrair os electres livres, uma vez que, esta zona se encontra
com uma baixa concentrao de cargas negativas, surgindo desta forma lacunas, que
viro mais tarde a ser ocupadas por outros electres dando assim origem a pares
electro-lacuna na zona do tipo P.
Este movimento de electres responsvel pelo aparecimento de uma corrente da
zona do tipo N para a zona do tipo P, utilizando um condutor externo, liga-se a camada
positiva camada negativa e gera-se ento uma corrente elctrica, correspondente ao
fluxo de electres na ligao. Esta corrente vai existir enquanto incidir luz na clula, e
ser proporcional intensidade dessa incidncia da luz [22].
Figura2-6 Converso directa da radiao solar em electricidade [56]

2.3.1 Tipos de Clulas fotovoltaicas
As clulas fotovoltaicas so a parte mais importante do sistema fotovoltaico,
convertendo a energia solar em energia elctrica. Actualmente podemos encontrar no
mercado vrios tipos de clulas. As que tm um maior peso no mercado so as clulas
de silcio cristalino, seguidas depois das clulas de pelcula fina, como se observa na
Figura 2-7.
Figura 2-7 Produo de clulas fotovoltaicas [21]
2.3.2 Clulas de silcio cristalino
As clulas de silcio cristalino tm dominado a indstria fotovoltaica desde o
inicio desta. uma tecnologia bastante conhecida e fivel, no sendo por isso de
estranhar que seja lder mundial com cerca de 90% de cota do mercado e com um
crescimento estimado nos ltimos 5 anos de mais de 50%. Com o seu preo cada vez
mais atractivo, devido ao mercado em franco crescimento, que se deve s inmeras
politicas de incentivo instalao de sistemas fotovoltaicos [21].
Figura2-8 Clula Fotovoltaica [25]
Tipo de clulas
Clulas mono-cristalinas: Estas clulas possuem um rendimento elctrico que ronda os
24,7% em laboratrio e cerca de 16% em produo industrial. As tcnicas utilizadas
para a produo deste tipo de clulas so complexas e caras, devido grande quantidade
de energia consumida durante o seu fabrico, assim como a necessidade de utilizar-se
materiais em estado muito puro cerca de 98% a 99% o que reflecte-se no preo final
elevado ao consumidor [22].

Clulas poli-cristalinas: Estas clulas possuem um rendimento elctrico de cerca de
13%. O processo de fabrico destas no to complexo como o das mono-cristalinas, em
grande parte, devido ao facto de o silcio utilizados nestas clulas conter imperfeies,
resultante do seu processo de fabrico. O custo de produo inferior ao das clulas
mono-cristalinas, por necessitarem de menos energia durante o seu fabrico, so as
clulas que apresentam uma melhor relao preo/rendimento sendo por isso bastante
utilizadas [23].
2.3.3 Clulas fotovoltaicas de filme de fino
As clulas solares de pelcula fina, so constitudas por finas pelculas de silcio,
que justamente pela sua reduzida espessura, utilizam muito menos silcio e permitem
que o preo final seja muito mais atractivo, do que clulas de silcio cristalino. Alm
disso o seu processo de fabrico apresenta um baixo consumo de energia. A grande
desvantagem das clulas solares de pelcula fina que estas tm um baixo rendimento,
convertendo entre 8% a 10% da luz solar em electricidade.
Actualmente em ambiente laboratorial j se alcanam cerca de 25% de
rendimento. Este ltimo factor aliado ao preo reduzido faz com que este tipo de
tecnologia tenha tudo para tornar-se uma das principais tecnologias a serem utilizadas
[24].
Tipo de clulas
Clulas de silcio amorfo: Estas clulas so construdas por finas camadas de silcio. A
base de deposio destas camadas produzida com produtos de baixo preo, como o
plstico, vidro entre outros, disto resulta um baixo preo na construo, que se reflecte
no preo final das clulas. Em contrapartida apresentam um rendimento elctrico
bastante reduzido entre 8% a 10%. As clulas de silcio amorfo so pelculas muito
finas, o que possibilita serem utilizadas como material de construo exemplo: telhas
em habitaes, como se v na figura 2-9. Desta forma consegue-se obter grandes reas
de exposio solar, e assim combater o baixo rendimento das clulas [22].

Figura 2-9 Aplicao de painis de silcio amorfo [26]
2.3.4 Outros tipos de clulas
Para alm das clulas fotovoltaicas baseadas em silcio, existem outras que aos
poucos vo sendo desenvolvidas, estando principalmente a sua utilizao confinada a
laboratrios ou aplicaes especiais. Destas clulas salientam-se CIS (Copper Indium
Deselenid), Cd-Te (Cadmium telluride), Dye-sensitized, GaAs (Gallium arsenide), nano
clulas e Clulas Orgnicas. Como estas no foram utilizadas, nem se enquadram na
presente dissertao, fica aqui apenas uma breve referncia a elas.
2.4 Modelo matemtico de uma clula fotovoltaica
O modelo equivalente de uma clula de silcio, pode ser descrito atravs do
circuito elctrico representado na Figura 2-11 [18] [27]. Este o modelo mais simples
que se pode analisar. Sendo que existem outros modelos mais completos, onde so
adicionadas duas resistncias ao modelo, uma em serie com a carga e outra em paralelo
com o dodo. Com estas duas resistncias obtm-se um modelo mais exacto, mas
tambm de anlise mais complicada, sendo que foi optado efectuar a anlise do modelo
sem incluir as duas resistncias, uma vez que a complexidade da anlise, no
justificada por uma melhoria nos resultados obtidos.
O circuito da Figura 2-10 constitudo por uma fonte de corrente, um dodo e
uma carga. A corrente Is, representa a corrente elctrica gerada por um determinado
nvel de insolao ao atingir a superfcie activa da clula. O dodo representa a juno
P-N que atravessada por uma corrente ID, que depende da tenso existente nos
terminais da clula. A corrente I representa a corrente fornecida carga e a tenso V
representa a tenso aplicada a carga.
Figura2-10 Circuito elctrico equivalente de uma clula fotovoltaica [27]

A seguinte anlise tem como base os artigos de Castro, Rui; Energias
Renovveis e Produo Descentralizada Introduo Energia Fotovoltaica [18]; e o
artigo de Silva, Marco Faustino; Impacto da Microgerao Fotovoltaica na Rede de
Distribuio utilizando o Trnsito de Energia Trifsico [27].
Atravs de uma anlise Figura 2-10 temos que a corrente que atravessa a carga
Z dada por:
I = Is -I (2.1)
A corrente no dodo
I = Iu[c
v-q
m-k-T
-1 (2.2)
ID Corrente que atravessa o dodo;
I0 Corrente inversa mxima de saturao do dodo;
V Tenso aos terminais da clula;
T Temperatura de funcionamento da clula em Kelvin;
k Constante de Boltzman (k=1.38*10
-23
J/K);
q Carga do electro (q=1.6*10
-19
C);
m factor de idealidade do dodo (dodo ideal: m = 1; dodo real: m > 1);
A corrente que atravessa a carga fica ento combinando (2.1) e (2.2):
I = Is -Iu[c
v-q
m-k-T
-1 (2.3)
Analisando a equao (2.3), verifica-se que se desconhece os parmetros Is, I0 e
m, como tal e para se conseguir determinar esses mesmos parmetros necessrio
conhecer os dados que os fabricantes fornecem nas folhas de especificaes tcnicas,
nomeadamente os valores das tenses e correntes na carga nos trs principais pontos de
funcionamento de uma clula. A Figura 2-11 apresenta a curva da caracterstica
elctrica de uma clula fotovoltaica. Atravs da anlise da curva I - u possvel
visualizar os trs principais pontos de funcionamento da clula que so: o circuito
aberto, curto-circuito e o ponto de mxima potncia:

Figura 2-11 Curva I - u [18]

Os dados presentes na Tabela 2-1 so fornecidos pelos fabricantes para, que seja
possvel calcular os parmetros do modelo em estudo. Os dados fornecidos pelos
fabricantes, so obtidos atravs de testes efectuados em condies STC, ou seja,
1000W/m
2
de potncia luminosa incidente total, com uma distribuio espectral,
conhecida como massa de ar 1.5 (air mass 1.5 ou AM 1.5) e temperatura das clulas de
25C, conseguindo-se assim desta forma uma uniformizao nos dados.
Tabela 2-1 Dados fornecidos pelo fabricante

Situao de curto-circuito:
A tenso na carga zero, e a corrente de curto-circuito, Icc, o valor mximo de
intensidade de corrente que atravessa a carga. O seu valor caracterstico da clula,
sendo que este fornecido pelos fabricantes nos dados tcnicos da clula para condies
padro de teste (STC ou standard test condition), como se observar na Tabela1.
V=0 (2.4)
I
r
c = I
r
cc (2.5)
Situao de circuito-aberto:
Em circuito-aberto a intensidade de corrente que atravessa a carga zero, a tenso
em vazio Vca o maior valor que a tenso toma aos terminais da clula, o seu valor
caracterstico da clula e fornecido pelo fabricante nas condies STC.
V = Vca (2.6)
I = 0 (2.7)
Logo fica:
I
0
=
I
c
r
c
v
cc
r
-q
m-k-T
r
-1
=
I
cc
r
c
v
cc
r
-q
m-k-T
r
-1
(2.8)

Podemos simplificar a equao (2.8) assumindo que a funo exponencial muito
maior do que um. Assim sendo temos:
I
o
=
I
cc
r
c
v
cc
r
-q
m-k-T
r
(2.9)
Pontos de
Funcionamento
Parmetros Simbologia
Curto-Circuito Intensidade de
corrente na carga
I
r
cc
Circuito-Aberto Tenso na Carga V
r
ca
Ponto de Potncia
Mxima
Tenso na Carga V
r
mpp
Intensidade de corrente
na carga
I
r
mpp
Para se conseguir determinar o parmetro m, recorre-se s condies de potncia
mxima da clula fotovoltaica.
Situao de potncia mxima:
neste ponto de funcionamento que a clula fornece a carga a mxima potncia
para um determinado instante de tempo.
Tenso na carga: I
mux

Intensidade de corrente na carga: I
mux

Assim a equao (2.3) fica:
I
mux
= I
c
r
-I
o
r
- _c
v
mcx
r
-q
m-k-T
-1] I
cc
r
-I
o
r
- _c
v
mcx
r
-q
m-k-T
] (2.10)

Substituindo o valor de I
0
da equao (2.9) na equao (2.10) podemos assim

calcular o calor do parmetro m.
m
=
v
mcx
r
-v
cc
r
k-T
r
q
-In_1-
I
mcx
r
I
cc
r
]
(2.11)
A potncia mxima da clula calculada atravs de (2.12):
P
mux
= I
mux
- I
mux
(2.12)
Os parmetros acima calculados foram determinados em concordncia com as
condies STC, o que significa que estes parmetros foram calculados para condies
ideais de funcionamento, tanto de temperatura como de radiao incidentes. Na
realidade o que acontece muito diferente, pois as clulas fotovoltaicas so sujeitas a
condies climatricas imprevisveis. Os parmetros calculados anteriormente no STC,
vo agora ser novamente calculados, excepto o parmetro m pois este considerado
constante, para qualquer condio climatrica, ou seja, para qualquer temperatura e
radiao.
Situao de Curto-Circuito:
A equao (2.5) fica:
V = 0 I
s
= I
cc
(2.13)

A equao (2.8) fica:
I
0
=
I
s
c
v
cc
-q
m-k-T
-1
=
I
cc
c
v
cc
-q
m-k-T
-1
(2.14)
A corrente em curto-circuito proporcional radiao solar:
I
s
= I
cc
=
u
u
r
I
cc
(2.15)
Para a situao de Circuito-Aberto temos:
I = Ico (2.16)
I = u (2.17)
u = Is -Iu[c
v
m-vT
-1 (2.18)

Is
I0
= [c
v
m-vT
-1 (2.19)
ln[
Is
I0
+1 =
vcu
m-v1
(2.20)
Ico = m - II - ln [
Is
I0
+1 (2.21)
A corrente inversa de saturao pode ser obtida atravs das caractersticas do
material e da temperatura:
Iu = I
u
r
- [
1
1
r
3
c
e-q
m-k
[
1
T
r
-
1
T
(2.22)
Onde:
m- factor de qualidade equivalente (m=m/Nsm), Nsm o nmero de clulas em srie.
Band Gap do silcio (=1,12eV)
Atravs da equao (2.22) possvel calcular a corrente de saturao para
qualquer valor de temperatura.
O ponto de mxima potncia como j foi referido na equao (2.12) o ponto
onde a clula fornece a mxima potncia sua sada.
P
mux
= I
mux
- I
mux
(2.23)
De referir que I
mux
e I
mux
so a tenso e corrente no ponto de mxima e no a
tenso e corrente mxima da clula. Utilizando a equao (2.23) e a equao que rege o
circuito equivalente (2.3), obtm-se a equao da potncia mxima, para uma
determinada temperatura e radiao solar.
P
mux
= I
mux
- jIs -Iu[c
v
mcx
-q
m-k-T
-1 [ (2.24)
A potncia mxima obtm-se derivando a equao (2.24) em ordem a I
mux
, uma
vez que se desconhece o valor dos parmetros P
mux
e I
mux
, para assim desta forma
obterem-se os valores dos mesmos parmetros. Ento igualando a derivada a zero e
depois de alguns clculos, fica:
c
v
mcx
-q
m-k-T
=
I
s
I0
+1
1+
v
mcx
-q
m-k-T
(2.25)
A equao (2.25) transcendente, o que significa que necessrio aplicar um
mtodo numrico, para a resolver, recorrendo ao mtodo iterativo de Newton possvel
ento possvel determinar o valor I
mux
. Arranjando a equao (2.25) para facilitar os
clculos e tambm a percepo da mesma fica a equao (2.26) em que V=I
mux
.
(I) =
m-k-1
q
ln_
Is
I0
+1
1+
v-q
m-k-T
_ -I (2.26)
Para o clculo de I
mux
necessrio encontrar o valor de V=I
mux
, quando a
funo (2.24) for igual a zero. Ento derivando (2.26):

d](v)
dv
= -_
1
1+
v-q
m-k-T
+1_ (2.27)
Aplicando agora a (2.27) o mtodo iterativo de Newton:
I
mux
(k+1)
= I
mux
(k)
-[I
mux
(k)
- _[
d](v)
dv

v
mcx
(k)
]
-1
(2.28)
A primeira iterao efectuada numa estimativa de I
mux
(0)
, como valor de tenso
no ponto de mxima potncia fornecida pelo fabricante, como primeira estimativa de
Vmax. Quando por fim se atinge a convergncia, fica-se com o valor de tenso no ponto
de mxima potncia, sendo que assim s falta calcular o valor da potncia e da corrente,
com base nas equaes anteriores.
2.5 Curva caracterstica do mdulo fotovoltaico
A curva I-V de um mdulo fotovoltaico est representada na Figura 2-13, curva
azul, depende essencialmente da temperatura, irradiao solar e o material que constitui
as clulas fotovoltaicas. Esta curva obtm-se para um determinado instante de tempo,
com uma dada temperatura e irradiao solar, mas altera-se constantemente ao longo do
dia, dependendo dos parmetros anteriores. Nesta curva fornecido o ponto de mxima
potncia, sendo ainda possvel observar a dualidade de comportamento do painel,
esquerda como fonte de corrente e direita como fonte de tenso [28]. Os fabricantes
fornecem essas curvas caractersticas dos mdulos fotovoltaicos, sendo que os pontos
mais importantes dessas curvas so:
Vca: tenso em circuito-aberto
Icc: tenso em curto-circuito
Vmpp: Tenso de mxima potncia
Impp: Corrente de mxima potncia

Figura 2-12 Curvas caractersticas mdulo fotovoltaico [31]

O clima afecta de forma natural a performance e rendimento dos mdulos
fotovoltaicos. A potncia que o mdulo gera, proporcional quantidade de luz solar
que incide sobre o mesmo, por isso nuvens ou poluio atmosfrica, vo afectar o
rendimento deste.
Assim, para permitir o mximo aproveitamento, os painis so instalados com
uma inclinao e uma direco pr-determinadas, relativamente zona em que estes se
encontram [29]. Observando a Figura 2-13 possvel concluir que a potncia de um
mdulo fotovoltaico e a temperatura de funcionamento esto interligadas, ou seja, existe
uma relao de causa/efeito. O painel debita uma maior potncia quando a temperatura
menor. A temperatura um elemento muito importante, ao contrrio do que a maioria
das pessoas pensa, os mdulos fotovoltaicos geram uma maior potncia, quando se
encontram a temperaturas mais baixas. Isto porque as clulas fotovoltaicas so
componentes electrnicos que geram electricidade atravs da luz e no atravs do calor,
como a maior parte dos aparelhos electrnicos, as clulas solares funcionam mais
eficientemente a temperaturas baixas [30].
Figura2-13 Curva I - u BP2150S [32]

2.6 Ponto de potncia mxima (MPP)
O ponto de potncia mxima (MPP-Maximum Power Point) de um painel
fotovoltaico o ponto da curva tenso vs corrente de sada do painel, em que se obtm a
potncia mxima gerada. A curva caracterstica da Figura 2-14 mostra, que existe
apenas uma tenso e somente uma corrente, para a qual a potncia mxima pode ser
extrada.
A potncia mxima altera-se com as condies ambientais (temperatura e
radiao), idealmente o painel, devia funcionar sempre potncia mxima. Mas tal no
acontece, devido a diversos factores: posio do sol, alterao no nvel de radiao
solar, variaes de temperatura, poluio atmosfrica e ao prprio envelhecimento. Uma
vez que o ponto tende a deslocar-se em funo de vrios factores, necessrio um
sistema para seguir o ponto, de forma a colocar o mdulo a funcionar potncia
mxima [28].

Figura2-14 Ponto de potncia mxima [33]
2.7 Seguidor do ponto de mxima potncia (MPPT)
O seguidor do ponto de mxima potncia comummente designado por MPPT
(Maximum Power Point Tracker), este um sistema electrnico que opera no painel
fotovoltaico, para que este, seja capaz produzir a mxima potncia num dado instante.
O MPPT no um sistema mecnico que move fisicamente os painis, para estes
estarem posicionados directamente para o sol, pelo contrrio, um sistema electrnico
que altera o ponto de funcionamento electrnico dos painis, para que estes sejam
capazes de fornecer a potncia mxima [34].
As principais dificuldades para se conseguir obter o MPP prendem-se com o facto
de este no ser constante, ou seja, o ponto est constantemente a alterar-se devido a
alteraes da temperatura e da radiao, que incidem sobre o painel fotovoltaico. O
outro factor relativo necessidade de alterar a tenso do painel, para o processo de
busca do ponto e ao mesmo tempo, conseguir fornecer uma tenso constante carga.
Como soluo utiliza-se um conversor de tenso DC/DC que funciona como um
interface, entre o painel e a carga, ou banco de baterias. Alterando-se o duty-cycle do
conversor, consegue-se obter a mxima potncia sada do painel
Para se perceber o funcionamento de um MPPT, primeiramente necessrio
perceber como funcionam os controladores de carga convencionais. Quando estes
controladores carregam uma bateria, eles simplesmente ligam os painis directamente s
baterias. Isto fora os painis a operarem tenso das baterias, que tipicamente no a
tenso ideal de operao, para a qual os painis conseguem fornecer a mxima potncia.
Logo com este tipo de controladores, no se consegue obter o melhor
desempenho por parte dos mdulos fotovoltaicos, portanto o MPPT trabalha em
conjunto com um conversor DC/DC, tipicamente um conversor do tipo Buck ou do tipo
Boost, como se pode observar na Figura 2-15, e um algoritmo de controlo que permite
encontrar e manter o painel no ponto de mxima potncia [35].
Figura 2-15 Diagrama de blocos de um MPPT tpico [36]
2.8 Aplicaes do seguidor do ponto de mxima potncia
(MPPT)
Os seguidores do ponto de mxima potncia so utilizados maioritariamente em
sistemas, onde as fontes de energia no so lineares. Como so exemplos os painis
solares ou geradores elicos. Os MPPT so utilizados em aplicaes solares, tais como
carregadores de baterias e sistemas isolados/ligados rede elctrica [36].
Carregamento de baterias: O MPPT permite controlar o carregamento das
baterias tpicas, evitando que estas tenham um descarregamento profundo e sobrecargas,
prolongando desta forma a vida til das mesmas. Este controlo efectuado por um
controlador de carga que existe na maioria dos MPPT.
Figura 2-16Diagrama de blocos carregamento de baterias [36]

Sistemas ligados rede e sistemas isolados: neste tipo de sistemas, o painel
solar fornece energia rede ou s cargas, um conversor DC/DC utilizado de forma a
transformar os nveis de tenso nos desejados. Um outro conversor desta vez DC/AC
utilizado para converter corrente continua para alternada, de forma a poder-se efectuar a
ligao rede ou alimentar cargas elctricas, como se observa na Figura 2-17.

Figura 2-17 Diagrama de blocos Sistemas ligados rede e sistemas isolados [36]

Sistemas de bombagem de gua: os painis fotovoltaicos podem ser usados,
para fazerem funcionar motores elctricos em aplicaes agrcolas, que ficam em locais
distanciados da rede elctrica, nomeadamente para bombagem de guas de regadio.
Usando-se um MPPT consegue-se obter um aumento no fluxo de gua bombeada.
Figura 2-18 Diagrama de blocos Sistema de bombagem de gua [36]

2.9 Mtodos de busca do ponto de mxima potncia
Existem actualmente inmeros artigos tcnicos, relativos a tcnicas de busca do
MPP, em virtude do rpido crescimento da tecnologia fotovoltaica, assim como de toda
a tecnologia que lhe est associada. Contudo existem trs mtodos que esto largamente
estudados e aplicados que so: Perturbao e Observao, Incremental da Indutncia e
Tenso Constante [37].
2.9.1 Mtodo da Perturbao e Observao
Este o mtodo de procura mais utilizado, devido sua fcil implementao. O
mtodo efectua mediaes de tenso e de corrente do painel, calculando assim a
potncia que est a ser gerada. A forma mais bsica deste mtodo opera da seguinte
forma: o duty-cycle do conversor de tenso alterado, criando uma perturbao na
potncia de sada do painel. Em seguida esta medida e guardada, para servir de
comparao com o prximo valor medido. Se a potncia gerada aumentar depois da
alterao do duty-cycle, ento este vai ser alterado outra vez na mesma direco. Se pelo
contrrio a potncia gerada pelo painel diminuir, o duty-cycle vai ser alterado na
direco oposta, na Figura 2-19 possvel observar um algoritmo tpico deste tipo de
mtodo.
Este comportamento vai causar com que a potncia oscile em torno do ponto de
mxima potncia. Uma vez atingido este ponto, e para conseguir-se manter baixa a
variao de potncia, a alterao do duty-cycle tambm bastante baixa [38].
Figura 2-19 Algoritmo Perturba e Observa [39]

2.9.2 Mtodo da Condutncia Incremental
Este mtodo baseia-se na condutncia do painel, ou seja no facto de a derivada da
potncia de sada do painel, em relao tenso ser zero no ponto de mxima potncia,
ou seja, uma evoluo do mtodo da Perturbao e Observao. Este usa a equao da
potncia P = I - I, onde P a potncia do painel, V a tenso do painel e I a corrente,
derivando a equao anterior em ordem a V e temos:

dP
dv
= I +I
dI
dv
(2.29)
Fazendo:

dP
dv
= u c
dI
dv
= -
I
v
(2.30)
Se o ponto de operao est direita da curva de potncia, fica:

dP
dv
< u c
dI
dv
<
I
v
(2.31)
Se o ponto de operao est esquerda da curva de potncia:

dP
dv
> u c
dI
dv
>
I
v
(2.32)
O mtodo vai procurar o ponto da tenso, onde a condutncia igual
condutncia incremental ou seja:

dI
dv
= -
I
v
(2.33)
Se esta condio no atingida, a direco da perturbao tem de ser calculada
novamente, usando a relao anterior, se
dP
dv
< u ento o MPPT est direita do ponto
de mxima potncia, se
dP
dv
> u, o MPPT est esquerda do ponto de mxima
potncia. Este mtodo apresenta vrias vantagens sobre o mtodo da perturbao e
observao, nomeadamente consegue determinar exactamente quando se atinge o ponto
de mxima potncia, enquanto o outro oscila em torno do ponto de mxima potncia.
Para alm disso, consegue rapidamente atingir o MPP, em condies climatricas
instveis, com uma preciso bastante superior ao mtodo da perturbao e observao.
A desvantagem mais significativa deste mtodo, quando comparado com outros o seu
grau de complexidade [37]. Na Figura 2-20 est representada o mtodo da condutncia
incremental.
Figura 2-20 Mtodo da condutncia incremental [36]

2.9.3 Mtodo da Tenso Constante
O principio de funcionamento deste parte do principio que o MPP do mdulo
fotovoltaico atingido por volta dos 75% da tenso de circuito aberto do painel. Ento
medindo a tenso em circuito aberto, obtm-se uma tenso de referncia que vai ser
utilizada para colocar o mdulo no MPP. Um problema desta tcnica que a tenso em
circuito aberto, do mdulo, varia com a temperatura. Assim, com o aumento da
temperatura a tenso de circuito aberto vai alterar-se ao longo do tempo, sendo
necessrio por isso efectuar medies constantes desta. Podem por isso, ocorrer
situaes em que o painel no esteja realmente a operar prximo MPP. Nestas medies
a carga precisa ser desligada do painel, e portanto a potncia nesse instante no vai ser
utilizada, perdendo-se eficincia deste modo [37].


Captulo 3
Circuitos Electrnicos de Interface
3.1 Introduo
Neste captulo feita uma anlise terica aos circuitos electrnicos de interface
utilizados, nomeadamente ao conversor de tenso DC/DC e ao inversor de tenso
monofsico. Em relao ao conversor DC/DC e ao inversor de tenso, foram analisados
os modos de funcionamento e os respectivos sistemas de controlo destes.
3.2 Conversor de tenso DC/DC
O conversor de tenso DC/DC uma fonte comutada, onde se consegue obter
uma tenso regulada sada. No circuito MPPT, o conversor DC/DC uma parte
essencial, pois atravs dele que feita a alterao da tenso do painel. Quando se
pretende uma tenso contnua de sada, diferente daquela que fornecida, pelas baterias
e pelos painis, pode ser utilizado o conversor DC/DC. Este conversor serve tanto para
elevar, como para diminuir a tenso. Neste tipo de aplicao frequente utilizarem-se
dois tipos de conversores de tenso, que so o conversor Step-Down e o conversor Step-
Up. Em relao a este ltimo ir ser feita, uma anlise em pormenor ao seu
funcionamento, uma vez que foi o circuito utilizado. Como j foi antes referido, os
controladores de carga ao carregarem uma bateria, simplesmente ligam os painis
directamente s baterias, isto fora os mdulos a operarem tenso da bateria, que
tipicamente no a tenso ideal de operao, para a qual os painis conseguem fornecer
a mxima potncia. Logo com este tipo de controladores, no se consegue obter o
melhor desempenho, por parte dos painis fotovoltaicos. Por essa razo imperativo o
uso de conversores DC/DC para se obter um sistema eficiente [40].
3.3 Conversor DC/DC Step-Up
A seguinte anlise tem como base o livro Power Electronics: Converters,
Applications, and Design [43]. O conversor Step-Up, tambm conhecido por conversor
Boost uma topologia no isolada, ou seja, a tenso de entrada e a tenso de sada
partilham a mesma massa. Este tipo de conversor apresenta uma tenso de sada, igual
ou superior tenso de entrada. Observando a Figura 3-1 tem-se que o semicondutor de
potncia M normalmente um mosfet de canal n, a bobina L em conjunto com o
condensador C formam um filtro sada, a resistncia R representa a carga. Durante o
funcionamento normal do Step-Up, M repetidamente ligado e desligado, durante o
tempo ON e o tempo OFF, tempo este que governado pelo circuito de controlo do
conversor, tema que ir ser abordado mais frente.
Quando o M liga a corrente flui, atravs o bobina L desde a fonte de alimentao
carregando L. Ao mesmo tempo a carga recebe energia, atravs do condensador de
sada C. Quando M desliga, a corrente flui desde a fonte de energia, atravs L e do
dodo para assim recarregarem o condensador de sada, e simultaneamente alimentarem
a carga. S depois de o dodo estar em conduo, que o filtro de sada composto por L

e C criado. Este filtro vai ser responsvel por filtrar a sequncia de impulsos e assim
produzir a tenso de sada [41].
Figura 3-1 Conversor de tenso Boost [44]

3.3.1 Modo de Conduo Contnua
O conversor Boost pode operar no modo de conduo contnua, ou descontnua.
No modo de conduo contnuo (i
L
(t)>0), a corrente circula continuamente em L. Na
situao de conduo contnua o Step-Up engloba dois estados por ciclo, o estado ON e
o OFF. No estado ON, M

est a conduzir enquanto o dodo

no, no estado OFF, M

no
conduz e o dodo conduz [42].
Figura 3-2 Formas de onda da tenso e corrente no modo contnuo [43]

Estado ON:
O tempo de durao do estado ON, Figura 3-3, onde D o duty-cycle I0N = -
Is. Durante este estado a tenso fica Ip -(IS +RI - II), onde a carga alimentada
pelo condensador C.
II = I -
dL
dt
- Il =
vL
L
- I (3.1)
II(+) =
vd-(vS+RL-IL)
L
- I0N (3.2)

Figura 3-3 Estado de funcionamento ON [44]

Estado OFF:
O estado de durao do estado OFF, Figura 3-4, TOFF onde:
I0FF = (1 -) - Is = Is - ( - Is) = Is - I0N (3.3)


Figura 3-4 Estado de funcionamento OFF [44]

Quando M

est desligado, este apresenta uma grande impedncia entre a drain e a
source, como tal a corrente deixa de passar por M

e comea a fluir pelo dodo. A
corrente em L diminui, e a tenso inverte a polaridade at, que o dodo entre em
conduo. Durante este estado
,
a tenso em L

constante e igual a:
(Io + I + R I x II) IJ (3.4)
A corrente que flui atravs de L, decresce durante este perodo.
II(-) =
(vo+v+RL-IL)-vd
L
- I0FF (3.5)
Em regime permanente o aumento da corrente, IL (+) durante o tempo ON e o
decrscimo da corrente, IL (-) durante o estado OFF so iguais. Como tal pode-se
obter a relao de tenso do modo de conduo contnuo da seguinte forma:
Io = (IJ -RI - II) - [1 +
10N
10PP
-I -IS - (
10N
10PP
) (3.6)
Io =
vd-RL-IL
1-
-I -IS -

1-
(3.7)
A tenso Vo pode ser ajustada, uma vez que o duty-cycle D varia entre 0% e
100%. Se se considerar VDS, Vd e RL aproximadamente zero, fica:
Io =
vd
1-
(3.8)
Pode verificar-se, e como j foi mencionado, a tenso de sada Vo controlada
pelo tempo em que o mosfet de potncia se encontra a conduzir TON. A relao entre o
valor mdio da corrente na bobina IL versus Id e a corrente na sada Io :

O valor mdio de VL zero:
IJ - ton + (IJ -Iu) - to = u (3.9)
Resolvendo:

v0
vp
=
1s
to]]
=
1
1-
(3.10)
Desprezando as perdas PJ = Po:
IJ - IJ = Io - Io (3.11)
Sendo assim a relao entre corrente de entrada e corrente de sada dada por:

Io
Id
= 1 - (3.12)
3.3.2 Limite da conduo continua
Por definio neste modo, a corrente em L vai a zero durante no final do intervalo
off.

Figura 3-5 Formas de onda do Step-Up no limite da conduo contnua [43]

O valor mdio da corrente na bobine no limite da conduo contnua :
IIB =
1
2
iI, mox =
1
2
vd
L
ton (3.13)
=
1s-vo
2L
(1 -), usando a equao (3.10) (3.14)
A corrente que passa em L, igual corrente de entrada, utilizando (3.12) e
(3.14), obtemos a corrente mdia de sada, na situao de limite da conduo continua
IoB =
1s-vo
2L
(1 -)
2
(3.15)
Figura 3-6 Curvas de IoB com Vo constante [43]

A maioria das vezes a tenso de sada do Step-Up precisa ser constante. Na Figura
3-6 podemos ver as curvas de IoB com Vo constante, para diversos valores de
duty-cycle. Mantendo Vo constante e alterando o duty-cycle, implica que a tenso de
entrada varie. Analisando a Figura 3-6 verifica-se que IIB, mox atinge o mximo
quando D=0.5:
IIB, mox =
1s-vo
8L
(3.16)
Os valores mximos de IoB atingido quando D=0,333 logo:
IoB =
21s-vo
27L
= u,u74
1s-vo
L
(3.17)
Em termos de valores mximos IIB e IoB podem ser expressos como:
IIB = 4(1 -)IIB, mox (3.18)
IoB =
27
4
(1 -)
2
IoB, mox (3.19)
Para um determinado valor de duty-cycle e Vo constante, se a corrente na carga
baixar para alm de IoB, o conversor entra no modo de conduo descontnua.
3.3.3 Modo de conduo descontnua
Durante o modo de conduo descontnua, a corrente em L zero durante uma
parte do ciclo de trabalho do mosfet. A corrente comea em zero, atinge o seu valor de
pico e retorna a zero ainda durante esse ciclo. Quando a corrente de sada Io desce
abaixo de um dado valor crtico, a corrente IL vai-se anular durante um intervalo de
tempo de Ts. Isto acontece quando a corrente IL vai para zero e o ciclo seguinte comea
imediatamente a seguir a essa mesma corrente atingir o zero.
No Step-Up a corrente IL atinge valores menores do que zero, logo acaba por ser
zero, devido ao sentido nico da corrente no dodo, e mantm-se l at ao comeo do
novo ciclo. A Figura 3-7 mostra essa situao.
Figura 3-7 Forma de onda na bobina no modo descontnuo [43]

Observando a Figura 3-7:
Ion = - Is (3.20)
Io = 1 - Is (3.21)
Is -Ion -Io = 2 - Is (3.22)
A tenso em L

fica:
IJ - - Is + (IJ -Iu) - 1 - Is = u (3.23)
Reorganizando a equao:

vd
v0
=
1+
1
(3.24)
e
I0
Id
=
1
1+
Se Pd=P0 (3.25)
O valor mdio da corrente de entrada:
IJ =
vd
2L
- - Is( +1) (3.26)
O valor mdio da corrente de sada utilizando (3.25):
Io =
1s-vd
2L
- - 1 (3.27)
O duty-cycle em funo de Vo e da corrente de carga utilizando as equaes
(3.24), (3.27) e (3.17):
= _
4
27
[
vo
vd
[
vo
vd
-1
Io
IoB,mux
(3.28)
Em conduo descontnua, se Vo no for controlado, em cada perodo de
comutao transferida para a sada uma potncia dada por:

L
2
iImox
2
=
(vd--1s)
2
2L
(3.29)
Se a carga no for capaz de absorver toda esta energia, o nvel da tenso sada
Vo vai aumentar at a potncia estabilizar. Se a carga diminuir bastante, a subida de Vo
poder levar a uma tenso de sada demasiado elevado, podendo causar a destruio do
condensador de sada.
Figura 3-8 Curva caracterstica do Step-Up tendo Vo constante [43]
3.3.4 Ripple da tenso de sada
Figura 3-9 Ripple da tenso de sada no Step-Up [43]

A ondulao pico a pico Vo, Figura 3-9, assumindo a corrente de sada
constante, expressa por:
Iu =

C
=
Io--1s
C
=
vo--1s
R-C
(3.30)
O valor relativo do ripple de sada:

vo
v0
=
-1s
R-C
(3.31)

vo
vo
=
-1s
:
, Sendo que = R - C (3.32)
3.3.5 Clculo da indutncia crtica
O Step-Up pode ser dimensionado para funcionar no modo contnuo, para
correntes de carga Io acima de um valor, normalmente 5 a 20 % da corrente de carga
mxima. O valor mnimo de indutncia L, para se manter no modo contnuo calcula-se,
definindo um valor para Io crtico com o valor mnimo de Io.

Imin
vo-1s
16-Ioct
(3.33)
3.3.6 Clculo da capacidade crtica
Para o clculo do condensador, deve-se considerar a forma de onda da corrente de
sada. Admitindo-se a hiptese, que o valor mnimo instantneo atingido por esta
corrente, maior que a corrente mdia de sada, Io, o condensador carrega-se durante a
conduo do dodo, fornecendo toda a corrente de sada durante a conduo de M.
ic = C
d
dt
(3.34)
Cmin
c-to]]
(3.35)
3.3.7 Controlo do Step-Up
Nos conversores DC-DC, necessrio controlar a tenso de sada para, que esta
atinja o valor pretendido. Este tipo de conversor utiliza semicondutores de potncia,
normalmente mosfets, para que atravs das comutaes destes seja possvel transformar
um nvel de tenso contnua noutro nvel de tenso. Controlando a durao dos tempos
de comutao on e off (duty-cycle), consegue-se controlar o nvel da tenso de sada,
para um dado valor da tenso entrada [45]. Um dos mtodos mais utilizados para
efectuar este tipo de controlo, chamado Modulao por Largura de Impulso, com a
sigla PWM. Neste mtodo temos uma frequncia de comutao fixa, onde o tempo de
um perodo Ts. Ajustando-se o tempo de durao de on e off, consegue-se controlar a
tenso de sada. Na Figura 3-10 ilustrado o circuito tpico deste controlo a azul.
O controlo por PWM retira uma amostra da tenso de sada, e subtrai esta a uma
tenso de referncia (Vref). Vref o valor de tenso que se pretende ter sada, sendo
que da subtraco resulta um sinal de erro (Verro). Verro ento comparado com um
sinal de dente de serra (Vserra), tendo este um valor mximo conhecido e frequncia
constante. Esta frequncia toma valores na ordem das dezenas at s centenas de kHz,
gerando o PWM que ir controlar as comutaes do mosfet. Quando Verro maior do
que o valor da onda dente de serra (Vserra), o sinal de PWM alto, ou seja, encontra-se
no estado on, ou pelo contrrio Verro menor que Vserra, o sinal encontra-se no estado
off. Esta constante alterao dos tempos on e off, ou seja, alterao do duty-cycle faz
com que a exista uma diminuio do sinal Verro, completando assim o controlo do
conversor [43].


Figura 3-10 Circuito tpico de controlo por PWM [44]
3.4 Transformador
O transformador uma mquina de corrente alternada, que transforma uma
tenso alternada numa outra tambm alternada, de valor eficaz normalmente diferente
e com a mesma frequncia. Quando eleva o nvel de tenso, tem o nome de
transformador elevador, quando pelo contrrio baixa tem o nome de transformador
redutor. O interesse prtico do transformador reside precisamente nesta elevada
capacidade e flexibilidade, em permitir modificar o nvel de tenso rapidamente para o
valor que desejamos, com um rendimento elevado, isto , com perdas energticas
mnimas. Os grandes transformadores, ou transformadores de elevada potncia,
chegam a atingir rendimentos superiores a 99%, faceta que no atingido por
nenhuma outra mquina elctrica.
Os transformadores so bastante utilizados, no transporte de energia, em linhas
de Alta Tenso, onde funcionam como elevadores de tenso; na distribuio de
energia para os aglomerados populacionais, em redes de Mdia Tenso e Baixa
Tenso, onde funcionam como redutores de tenso; na alimentao de toda uma
diversidade de equipamentos e receptores elctricos/electrnicos, funcionando como
redutores de tenso [46].
O transformador foi utilizado para elevar a tenso sada do inversor
monofsico de tenso, de forma a adequar-se os nveis de tenso necessrios para
efectuar a ligao s cargas elctricas que necessrio alimentar. A tenso que se
obteve sada do inversor foi uma tenso alternada sinusoidal de 36 volts de valor
eficaz e com frequncia de 48,8Hz. Como o pretendido eram 230 volts, utilizou-se o
transformador para elevar-se a tenso para os nveis desejados.
3.5 Inversor monofsico
A tenso de sada dos painis fotovoltaicos uma tenso continua. No entanto a
tenso da rede uma tenso alternada com uma frequncia de 50Hz. Para adaptar as
duas tenses, necessrio aplicar no sistema um dispositivo que converta as
caractersticas da tenso, esse dispositivo o inversor de tenso. Este tipo de dispositivo
largamente utilizado na indstria, servios, habitaes, nas mais variadas situaes,
que vo desde circuitos de drive para motores de corrente alternada, fontes de tenso
reguladas, UPS, etc. Existem vrios tipos de topologia de inversores DC/AC, estes
podem ser monofsicos ou trifsicos, e consoante o tipo de alimentao podem ser
ainda VSI (Voltage Sourge Inverter) ou CSI (Current Source Inverter). A topologia
utilizada foi a VSI, onde o principal objectivo destes inversores produzir uma tenso
de sada alternada com uma dada frequncia, ambas controladas [47].
Os inversores VSI esto divididos em 3 categorias distintas:
Inversores de PWM: neste tipo inversor, a tenso de entrada contnua e
constante em magnitude. O inversor controla a magnitude da tenso de sada assim
como a frequncia, a forma de onda da tenso de sada desejada o mais aproximado a
uma onda sinusoidal.
Inversores de onda quadrada: neste tipo de inversor a tenso de entrada
controlada, com o objectivo de controlar a magnitude da tenso de sada, assim sendo o
inversor apenas tem de controlar a frequncia da tenso de sada.
Inversores monofsicos com tenso de cancelamento: Este tipo de inversor
apenas permite topologias monofsicas e no trifsicas. Este tipo de inversor combina
as caractersticas dos dois inversores referidos anteriormente.
O tipo de inversor utilizado nesta dissertao, foi um inversor monofsico de
PWM em ponte completa, como tal ir ser feita uma anlise, mais detalhada a este tipo
de inversor.
3.5.1 Inversores de ponte completa
O estudo que efectuado a este tipo de inversor, assim como as tcnicas de
controlo, so baseados no livro Power Electronics: Converters, Applications, and
Design [43]. A topologia do inversor de tenso escolhida recaiu sobreo inversor
monofsico de ponte completa, Figura 3-12. Este inversor tem a particularidade, de ser
constitudo por 2 inversores monofsicos de meia ponte, Figura 3-11. Escolheu-se o
inversor de ponte completa, porque o inversor de meia ponte utilizado em aplicaes
de baixa potncia, enquanto o de ponte completa utilizado em aplicaes de maior
potncia.
Este inversor constitudo por dois inversores de meia ponte. Quando se aplica o
mesmo valor de tenso contnua, entrada do inversor de meia ponte e do em ponte
completa, obtm-se sada uma tenso mxima, no inversor de ponte completa, que
dobro da tenso que se obteria no inversor de meia ponte. Sendo assim, para o mesmo
nvel de potncia, a corrente de sada e as correntes nos semicondutores de potncia, so
metade do valor no inversor em ponte completa, isto particularmente til em nveis de
potncia elevados.
Figura 3-11 Inversor monofsico em meia ponte [43]
Figura 3-12 Inversor monofsico em ponte completa [43]

3.5.2 Comando por modulao de largura de impulso
Para controlar a comutao dos mosfets, que constituem o inversor, foi escolhido
o mtodo da modulao de largura de impulso. Este mtodo fornece um sinal alternado
de baixa frequncia, atravs da modulao em alta frequncia. Permite obter uma onda
alternada com contedo harmnico conhecido sada do inversor.
Os sinais de controlo dos mosfets so obtidos atravs da comparao de um sinal
de controlo sinusoidal (Vcontrol) com uma onda triangular (Vtri). Vcontrol sinal com
uma frequncia f1, tambm chamada de frequncia da onda moduladora. Vtri uma
onda triangular, que deve ter uma frequncia mnima 20 vezes superior mxima
frequncia da onda f1, esta onda tambm chamada de portadora. A frequncia desta
onda (Vtri) vai estabelecer a frequncia de comutao fs, do inversor.
A tenso sada do inversor formada por uma sucesso de ondas rectangulares
de amplitude igual tenso de alimentao e de durao varivel. Aps efectuar-se a
filtragem destas ondas obtm-se, uma sinuside. Esta no ser perfeita, uma vez que
contm componentes harmnicos frequncia f1.
Define-se como amplitude de modelao a grandeza dada por:
mo =
vcontoI
vt
(3.36)
A partir da interseco da onda triangular, com a onda de controlo sinusoidal, vo
surgir impulsos com uma durao varivel, que tero uma sinuside como componente
fundamental, como se pode observar na Figura 3-13.
Figura 3-13 Modulao de largura de impulso modo bipolar [43]

A modulao de frequncia dada por:
m =
]s
]1
(3.37)
Existem dois tipos de comando por modelao de largura de impulso, que so o
unipolar e o bipolar que vo ser discutidos mais frente.
3.5.3 Comando por PWM Bipolar
No PWM bipolar, quando ocorre uma comutao, a tenso de sada varia entre
+:J c -:J, como se observa na Figura 3-14 Neste tipo de PWM a forma de onda da
sada, idntica sada do inversor em meia ponte, ou seja, a forma de onda resulta da
comparao entre vcontrol e vtri. A sada do brao B, o inverso da sada do brao A,
quando T
A+
e T
B-
esto ligados, IAu = +
1
2
:J c IBu = -
1
2
:J.
Fica ento:
IBu(t) = -IAu(t) (3.38)

Logo:
Iu(t) = IAu(t) -IBu(t) = 2IAu(t) (3.39)
Figura 3-14 Modulao de largura de impulso modo bipolar [43]

3.5.4 Comando por PWM Unipolar
No PWM unipolar, quando ocorre uma comutao, a tenso de sada, varia entre,
0 e + Vd ou entre 0 e Vd como se observa Figura 3-16. As comutaes, nos braos do
inversor em ponte completa, no so feitas em simultneo, neste os braos so
controlados de forma independente, comparando vtri com vcontrol e com -vcontrol
como se pode observar na Figura 3-15.
Figura 3-15 Modelao de largura de impulso modo unipolar [43]


Assim vo resultar os seguintes sinais de controlo do brao A:
:control > Itri IA +ligoJo c IAN = IJ

:control < Itri IA -ligoJo c IAN = u

Da mesma forma os sinais de controlo do brao B vo ser:
(-:control) > Itri IB +ligoJo c IBN = IJ

(-:control) < Itri IB -ligoJo c IBN = u
Figura 3-16 Modulao de largura de impulso modo unipolar [43]

As formas de onda da figura anterior, mostram que existem quatro combinaes,
possveis de comutao dos mosfets e trs nveis possveis de tenso:

IA +c IB -esto ligauos: IAN = IJ, IBN = u; Iu = IJ
IA -c IB +esto ligauos: IAN = u, IBN = IJ; Iu = -IJ
IA +c IB +esto ligauos: IAN = IJ, IBN = IJ; Iu = u
IA -c IB -esto ligauos: IAN = u, IBN = u; Iu = u

Quando os dois mosfets da parte superior ou inferior so ligados simultaneamente,
a tenso sada zero.
3.5.5 Filtro LC
Como foi visto antes, a forma de onda sada do inversor monofsico de tenso,
formada por uma sucesso de ondas rectangulares, de amplitude igual tenso de
alimentao. Para se obter uma onda sinusoidal, necessrio aplicar um filtro sada do
inversor, para assim filtrar as componentes harmnicas, provenientes das comutaes do
inversor, a partir sensivelmente de uma dcada abaixo, da frequncia de comutao.
Sendo que a frequncia de comutao do inversor monofsico foi de 10kHz a
frequncia de corte do filtro :
wu = 2n
]cq.comutuo
10
(3.40)
wu =
1
LC
(3.41)
No Anexo D tem-se o filtro LC que foi implementado durante esta dissertao.

Captulo 4
Simulaes
4.1 Introduo
Este captulo dedicado a simulaes computacionais do sistema em estudo.
Actualmente prtica comum utilizar-se ferramentas de simulao, quando se pretende
estudar o comportamento de um determinado circuito. Uma das grandes vantagens no
uso de ferramentas de simulao, prende-se com o facto de possibilitar o estudo do
comportamento de um circuito, assim como prever resultados sem ser necessrio
implementar um prottipo. Reduz-se assim desta forma o custo, o risco, o tempo de
projecto, assim como permite melhorar e aperfeioar o mesmo. Outra vantagem prende-
se com o facto de possibilitar o estudo do comportamento de um circuito em condies
extremas de funcionamento, ou seja, para alm dos limites estabelecidos pelo projecto.
Permite tambm fornecer, uma percepo global do funcionamento e
comportamento do sistema real, ou seja, atravs da anlise do sistema simulado, vamos
compreender de uma forma mais clara o funcionamento do sistema real. A ferramenta
de simulaes utilizada foi o MatLab/Simulink, mais especificamente a toolbox
SimPowerSystem.
4.2 SimPowerSystems
O SimPowerSystems uma toolbox, Figura 4-1, dedicada exclusivamente,
simulao de sistemas de energia/electrnica de potncia. Atravs dela possvel,
simular sistemas de corrente contnua e sistemas de corrente alternada. uma
ferramenta de simulao grfica, ou seja, atravs da juno de blocos, possvel criar o
circuito pretendido, sendo desta forma, bastante fcil e intuitiva a utilizao desta. A
biblioteca do SimPowerSystems, parte de electrnica de potncia, apresenta-se bastante
completa, estando disponveis, vrios blocos frequentemente utilizados, como o caso
de dodos, IGBTs, mosfets, entre outros. Relativamente parte de electrnica mais
comum, existem entre outros, os blocos de condensadores, bobines, cargas de vrios
tipos (R, RL, RLC) e fontes de alimentao.
Figura 4-1 Ambiente Simulink/SimPowerSystems
4.3 Simulao do Conversor de Tenso (Step-Up)
Na Figura 4-2 est representado o modelo do conversor Step-Up em Simulink. O
conversor foi simulado de forma a permanecer no modo de conduo contnua, ou seja,
a corrente na bobina nunca zero.
O modelo constitudo por componentes ideais; uma fonte de tenso contnua,
uma bobine, um semicondutor de potncia, um dodo, um condensador e uma carga. A
fonte entrada do conversor simula, a tenso do painel fotovoltaico, esta fonte tem uma
tenso de 20V contnuos.
Figura 4-2 Modelo simulado em Simulink
O bloco do PWM est configurado, para gerar uma frequncia de 40kHz, com um
duty-cycle de 47%. A bobina tem um valor de 126H, o dodo apresenta uma queda de
tenso de 0,7V e filtro de sada constitudo por um circuito paralelo RC, onde a
resistncia toma o valor de 20 e o condensador de 150F.
Utilizou-se o bloco Scope, que permite visualizar vrios sinais em simultneo.
Desta forma, foram efectuadas leituras nas principais formas de onda, deste conversor.
Como se pode observar nas Figuras 4-3 a 4-5.

Figura 4-3 Forma de onda da tenso de sada (Vo=36V)

Figura 4-4 Forma de onda da corrente

Figura 4-5 Forma de onda da tenso no mosfet

Nas figuras anteriores, esto representadas as principais formas de onda, que
permitem compreender o funcionamento do conversor Step-Up. Na Figura 4-3 pode
ver-se a forma de onda da tenso de sada, verificando-se que nos primeiros instantes,
ocorre um pico de tenso, que ultrapassa os 60V, mas passado este curto intervalo de
tempo a tenso vai estabilizar em torno dos 36V, e assim continua ao longo do tempo.
Na Figura 4-4 observa-se a forma de onda da corrente, que atravessa a bobina.
Como se pode verificar, apresenta as caractersticas do modo de conduo contnua, ou
seja, a corrente nunca zero, e apresenta valor mdio igual a prximo de 1,8A. A Figura
4-5representa a forma de onda da tenso no mosfet, esta tenso apresenta uma
frequncia de 40kHz.

4.4 Simulao do Inversor Monofsico
Na Figura 4-6 est representado o modelo do inversor monofsico simulado. O
modelo formado pelo inversor e pelo sistema de controlo deste. O sistema de controlo
baseia o seu funcionamento no PWM bipolar, como mostra a Figura 4-9. O sistema de
controlo do inversor funciona da seguinte forma: o bloco Sine Wave onde se cria a
sinuside frequncia de 50 Hz, sendo que esta vai servir de onda de referncia. No
bloco Repeating Sequence criada a onda triangular, com uma frequncia de 10kHz.
Em seguida, estes dois sinais vo ser comparados no bloco Relational Operator. Vai ser
comparado quando que o valor da onda sinusoidal menor do que o valor da onda
triangular, como mostra a Figura 4-8. A partir desta comparao, vo surgir impulsos
com uma durao varivel, Figura 4-9. Estes impulsos vo ser os responsveis pela
comutao dos mosfets do inversor. sada do inversor vo surgir impulsos resultantes
das comutaes, com uma amplitude igual da fonte de tenso continua. Estes impulsos
depois de filtrados, pelo filtro de sada, vo assemelhar-se a uma onda sinusoidal,
devido sua componente fundamental ser uma sinuside, como se pode observar na
Figura 4-7, a azul tem-se a forma de onda da tenso e a verde a forma de onda da
corrente, sendo que se simulou o comportamento do inversor com uma carga resistiva.
Figura 4-6 Modelo do inversor monofsico simulado

Figura 4-7 Formas de onda da tenso e corrente sada

Figura 4-8 Formas de onda (moduladora e portadora)

Figura 4-9 Forma de onda da tenso sem filtro

Captulo 5
Implementao
5.1 Introduo
Neste captulo, vo ser apresentados os circuitos que constituem este trabalho.
Tambm feito neste captulo, uma descrio do microcontrolador utilizado, assim
como, o ambiente de programao e compilador utilizados. Neste captulo da
implementao, vo ser explicados os motivos que levaram adopo e aplicao dos
mtodos de controlo e utilizao das diferentes topologias, utilizadas nos circuitos.
5.2 Microcontrolador
O controlo do conversor Step-Up, como do inversor monofsico efectuado
atravs de um microcontrolador da famlia PIC, mais especificamente o PIC18F4431. A
escolha deste microcontrolador, recaiu no facto de este em particular, ser dotado de um
mdulo ADC, capaz de recolher 200 mil amostras por segundo e portos PWM
extremamente rpidos, quando comparados com outros existentes no mercado. Na
Figura 5-1 v-se o diagrama dos pinos do PIC18F4431, onde fcil localizar os portos
do ADC e PWM.
Figura 5-1 Diagrama dos pinos PIC18F4431 [48]

Estes microcontroladores so distribudos de forma gratuita aos estudantes e
investigadores. Como o controlo do Step-Up e inversor monofsico, baseiam-se
essencialmente em, realizar leituras analgicas e gerar PWM, esta foi a escolha mais
correcta, visto que o PIC18F4431 um microcontrolador bastante verstil.
A programao do PIC foi efectuada em linguagem C, devido a esta ser uma
linguagem de alto nvel, e bastante aplicada no meio acadmico. O ambiente de
programao utilizado foi o MPLAB IDE V8.0, e o compilador de C foi o C18 Student
Edition. Ambas as ferramentas so distribudas, de forma gratuita pela empresa
Microchip.
Para enviar o cdigo do compilador para o micro, necessrio um dispositivo,
que permita escrever este na memria do microcontrolador, possibilitando assim, que
este funcione autonomamente. O microcontrolador no seu funcionamento, no utiliza as
instrues tal como foram escritas no programa em C, mas sim o respectivo opcode. Na
Figura 5-2 v-se o diagrama de bloco que descreve as vrias etapas da programao de
um microcontrolador.
Figura 5-2 Etapas de programao [49]

Existem no mercado, vrios gravadores para os PIC, o escolhido foi o PICkit2 da
Microchip, este de baixo custo e de fcil utilizao, permitindo a gravao dos
microcontroladores, sem os retirar do circuito (ICSP - In-Circuit Serial Programmer). O
PicKit2 funciona integrado no ambiente de desenvolvimento MPLAB, e ligado ao PC
atravs da porta USB, na figura 5-3 tem-se o aspecto fsico do programador utilizado
[48].
Figura 5-3 PICkit 2
5.3 Semicondutor de potncia
O mosfet um dos componentes fundamentais, devido a ter sido utilizado em
vrios dos circuitos que foram utilizados nesta dissertao. A escolha do mosfet, em
relao aos outros semicondutores de potncia, disponveis no mercado recaiu sobre os
limites de tenso e de corrente deste. Os mosfets possuem uma faixa de valores de
potncia que se adaptam perfeitamente ao trabalho desenvolvido, quando comparados
com os transstores bipolares e o IGBTs. A escolha dos mosfets deveu-se ao facto de os
fabricantes de semicondutores, os disponibilizarem de forma gratuita a estudantes e
investigadores, enquanto cobram pelos IGBTs e transstores bipolares
Outro factor a ter em ateno, aquando da escolha de semicondutores de potncia,
prende-se com as perdas no componente devido s comutaes. O mosfet apresenta uma
melhor performance, para frequncias superiores a 40kHz, sendo que para frequncias
inferiores a estas, tanto o IGBT como o transstor bipolar obtm um comportamento
satisfatrio, como se tem na Figura 5-4 [50].
Figura 5-4 Comparao diversos semicondutores de potncia [43]
O mosfet escolhido, foi o NTY100N10 (100V/123A) do fabricante On
Semiconductor, este um mosfet de potncia de canal n. A vantagem em utilizar um
mosfet de canal n, reside no facto de este apresentar um baixo valor de RDS (ON),
quando comparado com o de canal p. Este mosfet est indicado para aplicaes de
controlo de motores por PWM, para ser utilizado em conversores de tenso e fontes de
alimentao. Na Figura 5-5 est representado o esquema elctrico do NTY100N10.
Figura 5-5 Esquema elctrico NTY100N10 [51]

5.4 Placa electrnica de interface do conversor Step-Up
Foi desenvolvida uma placa electrnica, em ambiente UtilBoard,

que permitiu
adquirir os dados relativos ao conversor de tenso, nomeadamente tenso de sada, e
efectuar o controlo do mesmo, controlando o duty-cycle do conversor.
A placa desenvolvida foi elaborada para ser robusta e simples. Uma das principais
preocupaes foi a de isolar o microcontrolador de rudos externos, provenientes das
comutaes do mosfet do conversor. Para esse efeito foi adicionado um acoplador
ptico, que efectua o isolamento do sinal, que sai do microcontrolador e que entra na
gate do mosfet. Foi tambm, colocado um condensador na entrada de alimentao do
microcontrolador, para filtrar a tenso de entrada, uma vez que este bastante sensvel,
a variaes de tenso de entrada. A tenso mxima que o porto do ADC admite 5,5V,
por isso foi necessrio dimensionar um divisor de tenso, uma vez que a tenso sada
do conversor, ronda os 36V. O diagrama de blocos do circuito final desenvolvido
encontra-se na Figura 5-6, enquanto no Anexo C encontra-se o esquema elctrico da
placa desenvolvida e no Anexo G encontra-se o circuito implementado.
Figura 5-6 Diagrama de blocos da placa de controlo do conversor de tenso
Acoplador ptico
Acopladores pticos so componentes electrnicos, que permitem a transferncia
de um sinal de controlo, de um circuito para outro, sem a necessidade de acoplamento
elctrico. Este sinal transferido por um feixe de luz, gerado por um led emissor, e
recebido por um transstor fotodetector. Como no existe contacto fsico entre o emissor
e o receptor, existe um isolamento entre os dois componentes.
Figura 5-7 Esquema do acoplador ptico 6N136 [52]
O acoplador ptico foi utilizado, para fazer o isolamento entre o microcontrolador
e o conversor Step-Up, encontra-se representado na Figura 5-7. O conversor funciona
atravs de impulsos de alta frequncia, que so aplicados ao mosfet. Estes impulsos de
controlo do conversor, por sua vez tm de passar atravs do acoplador ptico, sendo
que, uma das mais importantes caractersticas, quando se escolhe um acoplador ptico,
o seu tempo de reaco. Este o tempo de subida e o tempo de descida que o
acoplador apresenta quando atravessado por um sinal. Caso estes tempos sejam
demasiado lentos, o sinal que se pretende isolar vai perder informao, que pode causar
o mau funcionamento de todo o sistema.
5.5 Controlo do conversor de tenso Step-Up
Como j foi referido, a principal tcnica de controlo do conversor Step-Up a
tcnica por modelao por largura de impulso, como tal esta foi adoptada para efectuar
o controlo do Step-Up implementado. Ao invs de implementar-se o circuito fsico de
controlo que foi anteriormente apresentado na Figura 3-10, optou-se por efectuar este
controlo atravs da programao de um microcontrolador. Foi desenvolvido um
algoritmo que permitisse estabelecer o comportamento do controlo.
O algoritmo desenvolvido est representado na Figura 5-8. Foram adicionados a
este excertos do cdigo efectuado, dando assim uma perspectiva mais abrangente ao
algoritmo. A verso final do cdigo implementado encontra-se nos anexos, como o
nome de step.c. Este algoritmo bastante simples, primeiramente foram definidos os
parmetros iniciais, que vo reger o controlo do Step-Up, ou seja, foi definida uma
tenso de referncia. Esta tenso um valor numrico, que vai ser subtrado ao valor da
tenso que lido pelo ADC sada do conversor, e a partir dessa subtraco vai ser
estabelecido um valor de erro. Consoante este valor seja maior ou menor que zero, o
duty-cycle do conversor alterado, efectuando-se assim o controlo da tenso de sada.
So configurados os registos do mdulo do ADC e PWM. No mdulo do ADC
configurado o pino de leitura e o tipo de leitura a ser efectuada. No mdulo do PWM
definida a frequncia de comutao do mosfet, definido o valor inicial do duty-cycle e
definida a porta de sada do PWM. Depois de definidos estes parmetros, so
chamadas as funes do ADC e do PWM, efectuada a leitura e converso da tenso de
sada lida pelo ADC e ainda calculado o valor de erro.

Figura 5-8 Algoritmo de controlo do conversor Step-Up
5.6 Placa de controlo do Inversor Monofsico
Na placa de controlo do inversor monofsico os principais componentes
utilizados, foram o microcontrolador 18F4431, circuito acoplador ptico 6N136 e o
circuito de drive NCP511. Esta placa foi desenvolvida, para controlar o inversor
monofsico em ponte completa, sendo por isso, necessario acondicionar os os vrios
sinais de controlo.Na Figura 5-9 tem-se o diagrama de blocos da placa de controlo, na
qual tem-se dois acopladores pticos que efectuam o isolamento de ruidos e dois
circuitos de drive que efectuam a correcta activao dos mosfets. No Anexo D encontra-
se a placa electronica desenvolvida e no Anexo H tem-se a placa de controlo
implementada.
Figura 5-9 Diagrama de blocos da placa de controlo inversor monofsico

Circuito de drive:
Para um mosfet entrar em funcionamento, a tenso da gate tem de ser superior
tenso da source. Uma caracterstica do mosfet de potncia, este apresentar uma
capacidade, entre a gate e os outros terminais. Esta capacidade tem um efeito prejudicial
no funcionamento do mosfet, ou seja, quando um impulso de comando chega gate,
este vai primeiro carregar a capacidade, antes que a tenso na gate atinja o nvel
necessrio, para o mosfet entrar em conduo. Para solucionar este problema recorre-se,
frequentemente insero de um circuito drive.
O circuito de drive necessrio, uma vez que o nvel de tenso, sada do
microcontrolador no ultrapassa os 5V. O mosfet no consegue entrar em conduo,
com tais nveis de tenso, assim a principal funo deste circuito, a de converter o
sinal de controlo, proveniente do microcontrolador, num sinal que permita ao mosfet
entrar em funcionamento. Estes circuitos conseguem isso, principalmente atravs de
duas abordagens, na primeira o circuito de drive fornece uma determinada quantidade
de corrente, num breve instante de tempo, para que a capacidade que existe entre a gate
e os outros terminais, seja rapidamente carregada, esta quantidade de corrente chega por
vezes, a atingir valores da ordem dos amperes. A segunda abordagem consiste no
fornecimento, de nveis de tenso adequados, para a entrada em funcionamento do
mosfet.
Neste trabalho foi utilizado o circuito de drive NCP5111 da On Semiconductor,
para accionamento dos mosfet do inversor de tenso. Este drive tem a particularidade,
de ser desenhado especificamente, para inversores com a configurao em meia ponte,
onde utiliza a tcnica bootstrap, para permitir o correcto funcionamento, da parte alta da
configurao em meia ponte, como se pode observar na Figura 5-10. O circuito
bootstrap constitudo, essencialmente por um dodo e por um condensador, com um
valor de capacidade bastante superior ao condensador existente entre a gate e a source
do mosfet, Para que desta forma, os dois condensadores quando so ligados, a energia
utilizada para carregar o condensador de menor valor seja desprezvel, face energia
contida no condensador de maior capacidade.
A configurao do inversor em meia ponte, tem a particularidade, de a parte alta
da montagem, encontrar-se com massa flutuante, enquanto na parte baixa a source est
ligada massa. Esta situao leva a um incorrecto funcionamento do mosfet. Para
solucionar este problema, o circuito de drive tem um pino (Bridge), que estabelece um
ponto de referncia, para o mosfet da parte alta, permitindo assim o correcto
funcionamento do inversor [53].

Figura 5-10 Circuito drive mosfets NCP511 [51]
5.7 Controlo do inversor monofsico
Para se conseguir sintetizar uma onda de tenso sinusoidal, com uma frequncia
de 50Hz, sada do inversor de tenso monofsico, foi utilizado o PIC18f4431. Foi
calculada uma tabela de senos com 200 valores, ou seja, com estes valores possvel
sintetizar uma onda bastante prxima a uma sinuside. Para se conseguir sintetizar a
onda, foi necessrio recorrer aos registos do mdulo PWM do microcontrolador. Foram
utilizados os seguintes registos: PTCON0, PTCON1, PWMCON0, PWMCON1,
DTCON, OVDCOND, OVDCONS, PTPERL, PTPERH.
Os registos PTCON0 e PTCON1, so os registos de controlo do tempo do PWM,
onde se efectuam as escolhas sobre o modo e controlo dos tempos do PWM de sada, foi
seleccionado o modo contador Up/Down. Os registos PWMCON0 e PWMCON1, so
os registos de controlo do PWM, onde foi seleccionado o modo de operao
complementar dos pinos PWM0 e PWM1. O registo DTCON o registo de controlo do
Dead-Time. Os registos PTPERL e PTPERH so os registos onde se define a frequncia
do PWM.
O controlo do inversor monofsico efectuado da seguinte forma: a tabela de 200
valores de senos inicializada, aps isto, configurado o PWM para operar a uma
frequncia de 10kHz no modo Up/Down. Em seguida executado um ciclo de 200
iteraes; durante as 200 iteraes o valor do seno correspondente vai sendo actualizado
para a sada, sempre que a contagem decrescente atinja o final, como se pode ver na
Figura 5-11, criando desta forma os impulsos sada do inversor. Foi configurado o
dead time para se evitar que dois mosfets acidentalmente entrem em conduo,
causando um curto-circuito. O dead time foi calculado segundo a expresso:
coJ Iimc =
coJ Iimc :oluc
[
Fosc
Prcscolcr

Onde:
Dead Time value - valor que carregado no registo DTCON
Fosc Frequncia do cristal
Prescaler Contador/ Base tempo do registo PWM

Figura 5-11 Modo contador Up/Down [48]

Na Figura 5-12 tm-se o algoritmo de controlo do inversor monofsico. Este algoritmo
contm excertos de cdigo para se melhor compreender o funcionamento deste. No
anexo A encontra-se o cdigo implementado para controlo do inversor monofsico
como o nome de Sinuside.c

Figura 5-12 Algoritmo de controlo do inversor monofsico

Captulo 6
Resultados
6.1 Introduo
Neste captulo so apresentados os resultados obtidos nos diversos ensaios
efectuados aos circuitos desta dissertao. Foram efectuados testes de carga para traar
as curvas caractersticas do painel fotovoltaico, assim como, foram igualmente
elaborados ensaios ao conversor de tenso Step-Up e ao inversor monofsico de tenso,
com o objectivo de registar as principais formas de onda, bem como efectuar
comentrios aos resultados apresentados.
6.2 Ensaio ao painel solar
O painel solar utilizado nesta dissertao constitudo por 72 clulas de silcio
monocristalino e apresenta uma potncia de 150W com uma tenso de sada de 24 volts.
A Tabela 6-1 salienta as principais especificaes tcnicas do painel,
nomeadamente as caractersticas elctricas.

Tabela 6-1 Caractersticas elctricas BP2150S [32]

BP 2150S
Potencia Mxima (Pmax) 150W
Tenso na Pmax (Vmp) 34V
Corrente na Pmax(Imp) 4.45A
Mnima Pmax garantida 140W
Corrente curto-circuito (Isc) 4,75A
Tenso circuito-aberto (Voc) 42,8V
Coeficiente de temperatura de Isc
(0,065
+
-
u,u1S)%/C
Coeficiente de temperatura de Voc
-(160
+
-
2u)mV/C
Coeficiente de temperatura da potncia
-(0,5
+
-
u,uS)%/C
NOCT
47
+
-
2C
Tenso mxima do sistema 600V
No ensaio verificou-se uma radiao solar de cerca de 180W/m
2
, uma
temperatura ambiente de 37C, enquanto a do painel rondava os 60C. Os testes
consistiram em aplicar ao painel fotovoltaico cargas puramente resistivas, e registar o
comportamento deste. Foram igualmente efectuados testes em circuito aberto e em
curto-circuito. Na tabela 6-2 mostra-se os valores obtidos para as diversas cargas
aplicadas.
Tabela 6-2 Resultados experimentais

Carga () Corrente (A) Tenso (V) Potncia (W)
0 4,37 0,00 0,00
1 4,35 4,96 21,58
3 4,35 13,76 59,86
5 4,27 22,15 94,58
6 4,16 25,75 107,12
7 3,97 28,56 113,14
8 3,71 30,31 112,45
9 3,43 31,51 108,08
10 3,18 32,43 103,13
11 2,95 33,06 97,53
12 2,74 33,54 91,90
13 2,56 33,94 86,78
14 2,43 34,22 82,13
15 2,25 34,46 77,53
20 1,69 34,65 58,47
25 1,38 35,16 48,52
30 1,16 35,51 41,19
40 0,88 35,89 31,58
Aberto 0 37,03 0,00

Aps a obteno dos resultados do ensaio em carga, procedeu-se ao seu
tratamento. Para uma melhor anlise foram inseridos numa tabela do Excel, do
Microsoft Office. A partir desta tabela foram criados grficos para melhor ilustrar o
comportamento do painel. Atravs dos dados inseridos traaram-se as curvas I - u,
assim como a da potncia, tal como, se demonstra na Figuras 6-1 e na Figura 6-2.

Figura 6-1 Curva I*U

Figura 6-2 Curva da potncia

Como se observa nas figuras anteriores, a potncia real que se consegue obter do
painel bastante inferior quela que o fabricante refere. Existem vrios factores que
justificam esta situao, entre os quais, se destacam a alta temperatura a que se
encontrava o painel no dia do ensaio, assim como, as condies meteorolgicas
existentes durante esse ensaio, como foi o caso do aparecimento de nuvens que
condicionaram a exposio solar. Estes foram os factores mais relevantes para que o
painel no conseguisse atingir um nvel de potncia mais elevado.
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
5
0 5 10 15 20 25 30 35 40
C
o
r
r
e
n
t
e
(
A
)
Tenso(V)
6.3 Ensaio ao conversor de tenso Step-Up
Este ensaio permitiu observar o funcionamento do conversor Step-Up. Foi
utilizada uma fonte de corrente contnua de 20V, para emular a tenso do painel
fotovoltaico. A Figura 6-3 mostra, a tenso no Drain do mosfet, estando aplicada ao
mosfet uma frequncia de comutao de 40kHz com um duty-cycle 47,8%.
Figura 6-3 Forma de onda da tenso no mosfet
A tenso sada do conversor apresenta uma tenso de 36,74V e apresenta um
reduzido ripple, como se pode observar na Figura 6-4.
Figura 6-4 Forma de onda da tenso de sada
6.4 Ensaio ao Inversor de Tenso
Para ensaio ao inversor de tenso foram efectuados trs testes: o primeiro em
vazio, o segundo com uma carga resistiva e o terceiro com um carregador de telemvel,
onde comportamento o tpico de uma fonte de alimentao comutada.
Na figura 6-5 so apresentadas as medies efectuadas tenso de sada do
transformador, para o teste em vazio.
Figura 6-5 Formas de onda da tenso
Como se observa na Figura 6-5, a tenso apresenta um valor eficaz de
aproximadamente 230V, com uma frequncia de 48,8Hz. A frequncia inferior
permitida por lei, uma vez que a frequncia da rede elctrica de 50Hz, apresentando
uma baixa tolerncia. Foi portanto, necessrio descobrir a razo para se estar a obter um
valor to distanciado daquele que era esperado. Analisando-se o sistema, chegou-se
concluso que o problema foi originado por uma falha durante a programao do
sistema de controlo do inversor de tenso. Aquando da programao para se gerar a
sinuside, foi calculada uma tabela de senos com 200 valores. Sendo que cada um
desses valores devia ser inserido com uma cadncia de 0,02s, o que d uma frequncia
de insero de 10kHz. Na realidade a frequncia a que o microcontrolador estava a
inserir os valores era ligeiramente inferior, cerca de 9,8kHz, ou seja, no final da insero
das 200 amostras, obtm-se uma frequncia prxima dos 49Hz e no dos 50Hz como
seria esperado. Na figura 6-6 est representado o contedo harmnico da forma de onda
de tenso, onde o THD atinge um valor de 4,2%, com componentes harmnicos de
terceira e quinta ordem.
Figura 6-6 Espectro da tenso de sada
Na figura 6-7 apresentam-se as formas de onda e o espectro da tenso de sada
para o teste em carga. Neste teste foi utilizado uma lmpada de incandescncia como
carga, esta tem uma potncia de 25W.
Figura 6-7 Forma de onda da tenso ensaio em carga
Como se observa na figura 6-7, a tenso apresenta um valor eficaz de 226,7V,
uma frequncia de 48,78Hz e um THD de 4% com componente harmnica de terceira
ordem. Este valor de tenso deve-se ao facto de quando se efectua a ligao entre o
sistema e a carga verifica-se uma diminuio do valor eficaz da tenso sada do
transformador. Esta descida de tenso origina tambm uma descida de tenso no
conversor de tenso DC/DC. Este problema de fcil soluo, uma vez que a tenso
sada do conversor de tenso controlada, ou seja, existe uma monitorizao da tenso
de sada. Quando a tenso superior ou inferior a um determinado nvel, neste caso
cerca de 36V, o sistema atravs da variao do duty-cycle efectua uma compensao da
tenso de sada, que vai afectar a tenso sada do transformador.
Na Figura 6-8 observa-se a forma de onda da tenso de sada assim como a
percentagem do THD para o ensaio com o carregador do telemvel. Esta carga foi
escolhida devido ao facto, de este equipamento electrnico caracterizar vrias cargas
largamente utilizadas. Como se constata na Figura 6-8, a forma de onda apresenta as
caractersticas tpicas de uma fonte de alimentao, ou seja, um achatamento na crista
da sinuside e encontramos componentes harmnicas de terceira e quinta ordem.
Figura 6-8 Forma de onda da tenso no ensaio


Captulo 7
Concluses
7.1 Concluses
Com este trabalho refora-se a ideia de que a energia fotovoltaica, assim como
todas as energias renovveis, possibilitam e promovem a investigao acadmica. Em
Portugal existe nos meios acadmicos uma importante fora impulsionadora na rea da
investigao, pelo que no ser surpreendente, os avanos que se iro atingir, na
vanguarda da tecnologia relativamente s energias renovveis.
Presentemente em Portugal, a energia renovvel onde se efectuam os maiores
investimentos sem dvida a energia elica, devido a esta encontrar-se numa fase mais
madura da sua tecnologia, relativamente solar fotovoltaica. Ao contrrio da energia
elica, ainda bastante caro instalar campos de extraco de energia elctrica solar
fotovoltaica. Uma das principais razes deve-se ao preo de fabrico das clulas
fotovoltaicas, sendo que o processo de fabrico ainda se revela bastante complicado e
requer instalaes com equipamentos de ltima gerao. No entanto, j se deslumbra a
curto prazo, uma reduo no preo de fabrico das clulas fotovoltaicas, em grande parte,
graas implementao de novas tcnicas na produo destas, assim como devido
descoberta de novos materiais capazes de substituir as actuais clulas.
Este trabalho apresentou como objectivo principal a elaborao um circuito de
interface entre um painel fotovoltaico de baixa potncia e as cargas elctricas que iro
ser alimentadas por este. O circuito de interface particularmente til em aplicaes
remotas, ou seja, aplicaes que se encontram distanciadas da rede elctrica.
Ultimamente este tipo de aplicao tem registado grande crescimento entre ns, sendo
possvel ver exemplos destas aplicaes nas auto-estradas, nomeadamente nos sistemas
de vigilncia e sistemas S.O.S., tambm bastante comum encontrar-se em antenas dos
sistemas de telecomunicao.
O circuito de interface constitudo por um conversor de tenso DC/DC Step-Up,
um inversor de tenso DC/AC monofsico e por um transformador para elevar a tenso
para 230V. Antes de se iniciar a construo do circuito de interface, foi efectuado um
teste de carga a um painel solar fotovoltaico de 150W, com o intuito de traar a curva
caracterstica deste. Aps de efectuado o teste chegou-se concluso, que potncia de
sada do painel bastante inferior quela que os fabricantes anunciam. Sendo que a
potncia anunciada nos dados tcnicos obtida em ambiente controlado, ou seja,
condies atmosfricas que na realidade dificilmente ocorrero. Durante o ensaio o
painel atingiu uma temperatura bastante superior quela que referenciada nos dados
tcnicos, assim como a radiao solar durante o ensaio no constante. Por estes
motivos, no se consegue obter a mxima potncia do painel fotovoltaico.
No se conseguindo obter uma potncia suficientemente satisfatria para o painel,
surgiu a questo de se conseguir obter o mximo de potncia, que o painel consegue
fornecer a cada instante. Assim concluiu-se, que j existem bastantes estudos sobre este
tema, o que torna a soluo deste problema bastante simples. Essa soluo passa por
integrar no sistema de controlo do conversor de tenso DC/DC Step-Up, um algoritmo
que permita extrair a mxima potncia. Este algoritmo para alm de extrair a mxima
potncia vai tambm regular a tenso sada do painel fotovoltaico, para um nvel pr-
definido. Dos vrios algoritmos existentes, aquele que mais utilizado, devido sua
simplicidade e eficcia, o algoritmo da perturbao e observao. Este baseia o seu
princpio de funcionamento, na introduo de uma perturbao no duty-cycle do
conversor de tenso, sendo que desta forma a potncia de sada do painel varia.
Consoante a variao de potncia a perturbao vai ser repetida, para que se consiga
obter sada uma potncia mais elevada. Este algoritmo aplicado atravs de um
microcontrolador que controla o conversor de tenso. A escolha do microcontrolador
recaiu sobre o PIC18F4431, devido a este ser distribudo de forma gratuita e satisfazer
os requisitos necessrios para a aplicao.
Em relao topologia adoptada para o conversor de tenso DC/DC, foi escolhida
a configurao Step-Up. Este conversor permite obter uma tenso de sada mais elevada
do que a tenso que o painel fotovoltaico fornece. Com isto, vai existir um menor nvel
de corrente a fluir pelo circuito do conversor. Em relao ao inversor de tenso DC/AC,
foi escolhida a topologia em ponte completa, sendo que, constitudo por quatro
mosfets de canal n, divididos em dois braos. As comutaes dos mosfets so
controladas pelo PIC18F4431 de forma a obter-se na sada uma sequncia de impulsos.
Estes, depois de filtrados originam uma forma de onda de tenso bastante prxima com
uma sinuside frequncia de 50Hz.
A principal dificuldade durante a elaborao desta dissertao deu-se com a
escolha do microcontrolador e durante a programao deste. A escolha do
microcontrolador PIC18F4431 deve-se ao facto de este conter todos os elementos
necessrios concretizao deste trabalho. Uma vez que o PIC18F4431 j fabricado
com mdulo de PWM e mdulo de ADC. Sendo que desta forma, despende-se menos
tempo na montagem de circuitos externos (circuitos de ADC e PWM). Visto ser a
primeira vez que se trabalhou com este microcontrolador, foi necessrio estuda-lo,
assim como as ferramentas necessrias para a sua programao.
Em relao ao desenvolvimento do trabalho, de referir os seguintes aspectos: o
painel fotovoltaico s foi utilizado aquando do ensaio para traar a curva caracterstica,
sendo que, a partir da foi substitudo por uma fonte de tenso DC uma vez que no
possvel colocar o painel em correcto funcionamento, dentro de um gabinete. A
construo do filtro LC revelou ser um processo complexo, visto que a construo de
uma bobina um processo moroso, uma vez que enrolar fio de cobre implica alguma
percia por parte de quem o faz. O condensador devido s caractersticas para este tipo
de aplicao bastante caro, e difcil de encontrar nas lojas da especialidade. Assim foi
necessrio recorrer a um condensador de arranque de um motor, visto as caractersticas
serem deste serem semelhantes ao condensador do filtro LC.
Numa anlise global os objectivos propostos foram atingidos, uma vez que, o
sistema construdo demonstrou atravs dos vrios ensaios efectuados funcionar dentro
da normalidade. O comportamento obtido foi o esperado, face s limitaes do mesmo
sistema, ou seja, este apenas foi dimensionado para alimentar cargas de baixa potncia.

7.2 Propostas de trabalho futuro
Como proposta para trabalho futuro e numa perspectiva enriquecedora do trabalho
j efectuado, sugere-se a elaborao de um circuito de interface, para se proceder
injeco de energia na rede elctrica, assim como a introduo de um banco de baterias
com o respectivo controlo de carga. A ligao deste tipo de sistema rede elctrica, tem
ganho nos ltimos anos grande destaque no mercado das energias renovveis, uma vez
que o Estado tem promovido tarifas atractivas para os produtores deste tipo de energia.
Sendo que estas tarifas permitem aos produtores amortizar mais rapidamente o
investimento inicial. Em relao ao banco de baterias este de extrema importncia em
aplicaes afastadas da rede elctrica, uma vez que permite o armazenamento de
energia elctrica. Assim, em alturas em que no exista sol, pode-se recorrer ao banco de
baterias para se obter energia elctrica. Para uma boa utilizao do banco de baterias
necessrio controlar o ciclo de carga e descarga, com o objectivo de prolongar a vida
til das mesmas.

REFERNCIAS
[1] Vasconcellos Gomes, Daniela; Algumas consideraes sobre o
desenvolvimento sustentvel e a necessria preocupao com os recursos
naturais; 2006
[2] Energy for a Changing World; European Commission; 2007.
[3] International Energy Outlook 2008, Energy Information Administration,
September 2008
[4] Energia, tecnologia e poltica climtica: perspectivas mundiais para 2030,
mensagens-chave; Comisso Europeia; 2003.
[5] Unidade de Coordenao do Plano Tecnolgico, Energia, Documento de
trabalho n10.
[6] Pgina consultada em 28 de Setembro de 2008 <http://www.mineconomia.pt
/innerPage.aspx?idCat=51&idMasterCat=13&idLang=1>
[7] Europa admite punir Portugal por no cumprir metas de Quioto pgina
consultada em 18 de Novembro de
2008<http://dn.sapo.pt/2006/02/16/sociedade/europa_admite_punir_portugal_
nao_cum.html>
[8] Vento e sol podem garantir energia para 2/3 da populao mundial Pgina
consultada a 18 de Novembro de 2008 <http://www.ecoblogue.net /index.
php?option=com_content&task=view&id=2147&Itemid=1>
[9] Portugal VerdePgina consultada a 10 de Novembro de 2008
<http://sol.sapo.pt/ blogs /energia /archive/tags/solar/default.aspx>
[10] Energia para o Futuro: Fontes de Energia e Renovveis; Livro Branco.
[11] Energia Mercado portugus da energia solar fotovoltaica vale 1000 milhes
de euros por ano. Pgina consultada em 23 de Outubro de 2008
<http://jn.sapo.pt/PaginaInicial/Interior.aspx?content_id=674618>
[12] Fernandes, Eduardo de Oliveira; VIII congresso ibrico de energia solar,
Energia solar e qualidade de vida, Porto, Maio de 1997.
[13] Eloy, Antnio; Energias Sem-fim, Manual Pedaggico, 2006
[14] A Vision for Photovoltaic Technology, Report by the Photovoltaic
Technology Research Advisory Council (PV-TRAC), 2005.
[15] Energia solar. Pgina consultada a 23 de Outubro de 2008
<http://www.dgge.pt/aaaDefault.aspx?f=1&back=1&codigono=63636442644
4AAAAAAAAAAAA>
[16] Brito, Miguel Centeno; Electricidade Solar, 2001
[17] Brito, Miguel Centeno; Vallra, Antnio; Meio sculo de histria
fotovoltaico; 2006
[18] Castro, Rui; Energias Renovveis e Produo Descentralizada Introduo
Energia Fotovoltaica; Maio 2007.
[19] Camus, Cristina; Eusbio, Eduardo; Gesto de energia solar; Maro 2006.
[20] Silcio - do gro de areia ao circuito de computador. Pgina consultada a 2
de Outubro de 2008 <http://www.quiprocura.net/elementos/silicio.htm>
[21] A Vision for Photovoltaic Technology, Report by the Photovoltaic
Technology Research Advisory Council (PV-TRAC), 2005.
[22] Camus, Cristina; Eusbio, Eduardo; Gesto de energia solar; Maro 2006.
[23] Centro de Referncia para Energia Solar e Elica Srgio de Salvo Brito;
Energia solar princpios e aplicaes.
[24] European Photovoltaic Technology Platform; A Strategic Research Agenda
for Photovoltaic Solar Energy Technology.
[25] PORTFOLIO Pgina consultada a 15 de Outubro de 2008. <http: //www.
paul-langrock.de /docs/portfolio.htm>
[26] Solar Dude Pgina consultada a 15 de Outubro de 2008
<http://www.solardude.org/>
[27] Silva, Marco Faustino; Impacto da Microgerao Fotovoltaica na Rede de
Distribuiao utilizando o Trnsito de Energia Trifsico; Julho 2008
[28] Abu Tariq, Associate Member, IEEE; M.S. Jamil Asghar, Member, IEEE;
Development of Microcontroller-Based Maximum Power Point Tracker for a
Photovoltaic Panel; 2006
[29] K. Agbossou, Senior Member, IEEE; T.Tafticht; Institut de Recherch sur
I'Hydroghe, Universit de Qubec Trois-Rivsres; Dveloppement d'une
mthode MPPT pour les systmes photovoltaiques; 2004;
[30] SMM Wolf; JHR Enslin; Department of Electrical and Electronical
Engineering, University of Stellenbosch; ECONOMICAL, PV MAXIMUM
POWER POINT TRACKING REGULATOR WITH SIMPLISTIC
CONTROLLER; 1993.
[31] Guillermo Martn-Segura; Joaquim Lpez-Mestre; Miquel Teixid-Casas;
Antoni Sudri-Andreu; Development of a Photovoltaic Array Emulator
System based on a Full-Bridge Structure
[32] 150-Watt Monocrystalline Photovoltaic Module Documento consultado a
12 de Outubro de 2008. <www.bpsolar.com>
[33] Trishan Esram; Patrick L. Chapman; Comparison of a Photovoltaic Array
Maximum Point Tracking Techniques
[34] Wernher Swiegers; Johan H.R. Enslin; Department of Electrical Engineering
University of Stellenbosch; An Integrated Maximum Power Point Tracker for
Photovoltaic Panels; 1998
[35] Florent Boico; Brad Lehman; Northeastern University; Study of Different
Implementation Approaches for a Maximum Power Point Tracker; 2006.
[36] Vikrant.A.Chaudhari; Deemed University; Automatic Peak Power Tracker
for Solar PV Modules Using dSPACER software; 2005.
[37] D. P. Hohm; M. E. Ropp; John Wiley & Sons, Ltd.; Comparative Study of
Maximum Power Point Tracking Algorithms; Published online 22 November
2002.
[38] S.ARMSTRONG; W.G.HURLEY; Self-Regulating Maximum Power Point
Tracking For Solar Energy Systems.
[39] Joe-Air Jiang; Tsong-Liang Huang; Ying-Tung Hsiao; Chia-Hong Chen;
Maximum power tracking for photovoltaic power systems; 2004.
[40] Rosemback, Ricardo Henrique; Conversor CC-CC Bidirecional Buck-Boost
atuando como Controlador de Carga de Baterias em um Sistema Fotovoltaico;
2004.
[41] Pomilio, Jos Antenor; Fontes Chaveadas Cap. 1 Topologias bsicas de
conversores CC-CC no-isolados; 2000.
[42] Martins, Antnio e Rodrigues, Ricardo (2002); Sistema de Alimentao a
Energia Solar; Faculdade de Engenharia da Universidade do Porto.
[43] Mohan, Underland and Robins (1995); Power Electronics: Converters,
Applications, and Design; John Wiley & Sons, Ltd.
[44] Mineiro S Junior, Edilson; Sistema Fotovoltaico para Iluminao Pblica
em Horrio de Ponta; 2004.
[45] MAXIM; Application note 2031, DC-DC converter tutorial; 2000.
[46] Matias, Jos (1997); Tecnologias da Electricidade; Didctica Editora.
[47] Muhammad, H. Rashid; Power Electronics Handbook; http://books.google.pt
[48] PIC18F2331/2431/4331/4431 Data Sheet; Microchip.
[49] Francisco, Antonio; Microcontroladores PIC; 2008.
[50] Blake, Carl; Bull, Chris; IGBT or MOSFET: Choose Wisely; International
Rectifier
[51] NTY100N10 Data Sheet; On Semiconductor
[52] 6N136 Data Sheet, QT Optoelectronics
[53] MAXIM ;125V/3A, High-Speed, Half-Bridge MOSFET Drivers;2008.
[54] NCP511 Data Sheet; On Semiconductor
[55] Energias Renovveis Pgina consultada a 15 de Outubro de 2008
<www.futersolutions.pt>
[56] Australian CRC for renewable energy


ANEXOS
Anexo A - Cdigo de controlo do inversor monofsico:
Inversor.c
#include<p18f4431.h>
#include<stdio.h>
#pragmaconfigOSC=HS
#pragmaconfigWDTEN=OFF
#pragmaconfigDEBUG=ON
#pragmaconfigLVP=OFF
nearrominttabela[201]=
{0x1FF,0x209,0x214,0x21F,0x229,0x234,0x23F,0x249,0x254,0x25E,0x268,0x273,0x27D,0x287,0x291,0x2
9A,0x2A4,0x2AD,0x2B6,0x2BF,0x2C8,0x2D1,0x2D9,0x2E1,0x2E9,0x2F1,0x2F9,0x300,0x307,0x30E,0x314,
0x31A,0x320,0x326,0x32B,0x330,0x335,0x339,0x33D,0x341,0x345,0x348,0x34B,0x34D,0x34F,0x351,0x3
53,0x354,0x355,0x355,0x356,0x355,0x355,0x354,0x353,0x351,0x34F,0x34D,0x34B,0x348,0x345,0x341,0
x33D,0x339,0x335,0x330,0x32B,0x326,0x320,0x31A,0x314,0x30E,0x307,0x300,0x2F9,0x2F1,0x2E9,0x2E
1,0x2D9,0x2D1,0x2C8,0x2BF,0x2B6,0x2AD,0x2A4,0x29A,0x291,0x287,0x27D,0x273,0x268,0x25E,0x254,
0x249,0x23F,0x234,0x229,0x21F,0x214,0x209,0x1FF,0x1F4,0x1E9,0x1DE,0x1D4,0x1C9,0x1BE,0x1B4,0x1
A9,0x19F,0x195,0x18A,0x180,0x176,0x16C,0x163,0x159,0x150,0x147,0x13E,0x135,0x12C,0x124,0x11C,
0x114,0x10C,0x104,0xFD,0xF6,0xEF,0xE9,0xE3,0xDD,0xD7,0xD2,0xCD,0xC8,0xC4,0xC0,0xBC,0xB8,0xB5,0
xB2,0xB0,0xAE,0xAC,0xAA,0xA9,0xA8,0xA8,0xA8,0xA8,0xA8,0xA9,0xAA,0xAC,0xAE,0xB0,0xB2,0xB5,0xB8
,0xBC,0xC0,0xC4,0xC8,0xCD,0xD2,0xD7,0xDD,0xE3,0xE9,0xEF,0xF6,0xFD,0x104,0x10C,0x114,0x11C,0x12
4,0x12C,0x135,0x13E,0x147,0x150,0x159,0x163,0x16C,0x176,0x180,0x18A,0x195,0x19F,0x1A9,0x1B4,0x
1BE,0x1C9,0x1D4,0x1DE,0x1E9,0x1F4,0x1FE,};
voidpwm_config(void)
{
PTCON0=0b00000010;//countinuousUP/DownCountmode
PTCON1=0b00000000;
PWMCON0=0b00110000;
PWMCON1=0b00000000;
DTCON=0b00111111;
OVDCOND=0b11111111;
OVDCONS=0b00000000;
FLTCONFIG=0b00000000;
//Frequencia
PTPERL=0xFF;
PTPERH=0x00;
}
voidpwm_start(void)
{
PTCON1bits.PTEN=1;
}
voidadc_config(void)
{
ADCON0=0b00010001;
ADCON1=0b00010000;
ADCON2=0b11000010;
ADCON3=0b11000000;
ADCHS=0b00000000;
ANSEL0=0b00000011;
ANSEL1=0b00000000;
}
voidadc_start(void)
{
ADCON0bits.GO=1;
}
voidmain(void)
{
inti=0,aux;
inta=0;

pwm_config();
pwm_start();
adc_config();
TRISAbits.TRISA0=1;
LATAbits.LATA0=1;
while(1)
{
while(PTCON1bits.PTDIR==1)
{}
PWMCON1bits.UDIS=0;
PDC0H=tabela[a]/256;
PDC0L=tabela[a];
PWMCON1bits.UDIS=0;
while(PTCON1bits.PTDIR==0)
{}
a++;
if(a==201){a=0;}
}
}

Anexo B - Cdigo de controlo do conversor Step-Up:
Step.c
#include<p18f4431.h>
#include<delays.h>
#include<stdio.h>
voidpwm_variavel(void)
{
inti;
TRISC=0;
PR2=124;//~20k
T2CON=0b00000100;
CCP1CON=0b00011101;
CCPR1L=0x01;
}
voidinc_duty(void)
{
CCPR1L++;
}
voiddec_duty(void)
{
CCPR1L;
}
voidadc_config(void)
{
//76543210
ADCON0=0b00010001;
ADCON1=0b00010000;
ADCON2=0b11000010;
ADCON3=0b11000000;
ADCHS=0b00000000;
ANSEL0=0b00000011;
ANSEL1=0b00000000;
}
voidadc_start(void)
{
ADCON0bits.GO=1;
}
voidmain(void)
{
intulidoh,ulidol,vout1,ilidoh,ilidol;
intverro;
floatvout;
intvref=50;//46
TRISD=0x00;
TRISB=0x00;
PORTD=0x00;
adc_config();
TRISAbits.TRISA0=1;
LATAbits.LATA0=1;
TRISAbits.TRISA1=1;
LATAbits.LATA1=1;
pwm_variavel();
while(1)
{
adc_start();
while(ADCON0bits.GO==1)
ulidoh=ADRESH;
ulidol=ADRESL;
ilidoh=ADRESH;
ilidol=ADRESL;
vout=(256*ulidoh)+ulidol;
vout=(vout*5)/1023;
vout1=vout*10;
verro=vrefvout1;
if((verro)>0)
{
inc_duty();
Delay10KTCYx(1000);
}
if((verro)<0)
{
dec_duty();
Delay10KTCYx(1000);
}}}
Anexo C - Placa de controlo Step-Up:

Figura 7-1 Placa de aquisio de dados

Legenda da Figura:
1: Microcontrolador 18F4431
2: Acoplador ptico
3: Divisor de tenso
4: Condensador

Anexo D - Placa de controlo do inversor monofsico:

Figura 7-2 Placa de controlo do inversor
Legenda da Figura:
1: Microcontrolador 18F4431
2: Acoplador ptico
3: Circuito de drive

Anexo E - Inversor monofsico implementado:

Anexo F Circuito Step-Up implementado:

Anexo G - Placa de controlo Step-Up implementada:

Anexo H - Placa de controlo do inversor monofsico
implementada:

Anexo D Filtro LC implementado:

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da equao (2.9) na equao (2.10) podemos assim

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