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Sen Sores
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IE763
Departamento de Eletrnica e Microeletrnica - Demic Prof.: Elnatan Chagas Ferreira Fone: 2397500 e-mail: elnatan@fee.unicamp.br Homepage: Http://www.demic.fee.unicamp/~elnatan
ndice
Pag.
Prefcio
1) Sensores Trmicos 1.1) Introduo........................................................................................... 1.2) Definio de temperatura................................................................... 1.2.1) Energia Trmica...................................................................... 1.2.2) Temperatura........................................................................... 1.3) Sensores Resistivos............................................................................ 1.3.1) Detetores RTD......................................................................... 1.3.2) Termistores.............................................................................. 1.4) Termopares........................................................................................ 1.5) Outros Sensores Trmicos.................................................................. 1.6) Sumrio 1.7) Sites relacionados 2) Sensores Mecnicos 2.1) Introduo.............................................................................................. 2.2) Sensores de deslocamento e de posio.................................................. 2.2.1) Potenciomtrico......................................................................... 2.2.2) Capacitivo................................................................................. 2.2.3) Indutivo..................................................................................... 2.2.4) Relutncia varivel.................................................................... 2.3) Sensor de Nvel...................................................................................... 2.4) Sensores de Tenso................................................................................ * 2.5) Sensores de Movimento......................................................................... * 2.6) Sensores de Presso................................................................................ 2.7) Sites relacionados .................................................................................... 3) Sensores pticos 3.1) Introduo............................................................................................ 3.2) Fundamentos da Radiao.................................................................... 3.2.1) Natureza da Radiao eletromagntica ...................................
3.3) Sensores pticos................................................................................... 3.3.1) Caractersticas e Classificao dos Detetores de radiao....... 3.4) Sites relacionados 4) Condicionamento de Sinais Analgicos 4.1) Introduo........................................................................................... 4.2) Princpios de condicionamento de sinais analgicos............................. 4.3) Consideraes sobre amplificadores operacionais - Tecnologias.......... 4.3.1) Tecnologia Bipolar ................................................................ 4.3.2) Tecnologia Bifet ................................................................... 4.3.3) Tecnologia CMOS ................................................................ 4.3.4) Macro modelos de dispositivos e Simulaes ........................ 4.4) Aplicaes DC ................................................................................... 4.4.1) Projeto de preciso DC .......................................................... 4.4.2) Range dinmico e Bits de preciso ..................................... 4.4.3) Alguns exemplos de projeto DC............................................. 4.5) Aplicaes AC ................................................................................... 4.5.1) Projeto de preciso AC ......................................................... 4.5.2) Range dinmico e Bits de preciso ..................................... 4.5.3) Consideraes sobre rudo .................................................... 4.5.4) Alguns exemplos de projeto AC............................................. 5) Converso de dados 5.1) Introduo.......................................................................................... 5.2) Selecionando um AD para o seu sistema.............................................. 5.3) Projetando com converso de dados.................................................... 5.3.1) Funo de transferncia ideal................................................. 5.3.2) Fontes de erros estticos........................................................ 5.3.3) Erro de abertura..................................................................... 5.3.4) Efeitos de quantizao........................................................... 5.3.5) Amostragem ideal.................................................................. 5.3.6) Amostragem real.................................................................... 5.3.7) Efeitos de `aliasing`............................................................... 6) Transmisso de Dados 6.1) Introduo ............................................................................................... 6.2) Interface RS-232....................................................................................... 6.3) Interface RS-485.........................................................................................
Bibliografia:
I. "Instrumentation for Enginnnering Measuments", 2 Edio, Jmaes W. Dallly, William F. Riley e Kenneth G. Mc.Connell, Jonh Wiley & Sons, Inc. New York, 1993; II. "Process Control Instrumentation Technology", 4 Edio, Curtis Jonhson, Prentice Hall Career & Technology, New Jersey, 1993; III. "Tranducers in Measurements and Control", Peter H. Sydenham, (ISA) Instrument Society of America, North Carolina, 1978; IV. "Interface Sensors to IBM PC", Willis, J. tompkins, Jonh G. Webster, Prentice Hall, New Jersey, 1988; V. "Sensors", Vol. 1, Vol. 4 Vol.6 e Vol. 7, Editados por W. Gpel, J. Hesse, J. N. Zemel, VCH; VI. "Tranducers for biomedical Measuments", Cobbold, R. S. C. , Wiley Interscience, 1976. VII. Data sheet de componentes . VIII. Data Book de fabricantes.
Prefcio
1) Sensores Trmicos
1.1) Introduo
O Controle de Processo o termo utilizado para descrever qualquer condio, natural ou artificial, pelo qual uma quantidade fsica regulada. No existe uma evidencia maior de tais controles de aquela associadas com temperatura e outros fenmenos trmicos. A regulaco ou o controle de temperatura no meio industrial tem sempre sido de fundamental importncia e se tornado ainda mais com o avano da tecnologia disponvel. Nas sees que seguem ns procuramos esclarecer os princpios da energia trmica e temperatura e logo adiante apresentaremos vrios sensores trmicos para medida de temperatura.
formas randnicas ao longo do material, e a velocidade com que se movem a medida da energia trmica. Gs Um posterior aumento na energia trmica do material intensifica a velocidade das molculas at que finalmente estas ganham energia suficiente para conseguir escapar complemente da atrao das outras molculas. Esta condio manifestada pela ebulio do lquido. Quando um material consistido de tais molculas movendo randnicamente atravs de um volume contido, ns chamamos este material de gs. A velocidade mdia das molculas novamente a medida da energia trmica do gs. objetivo dos sensores trmicos esta associado com a medida da energia trmica do material ou de um ambiente contendo diferentes materiais.
1.2.2) Temperatura
A medida da energia trmica mdia por molcula de um material, expressa em joules, poderia ser usada para definir energia trmica; mas isto no tradicionalmente feito. Ao invs disso um conjunto especial de unidade , cujas origem esto contida na histria de medidas de energia trmica, empregado para definir a energia trmica de um material. Ns escolhemos as trs mais comuns unidade. Ao diferentes conjuntos de unidades so chamados de escalas de temperatura. Calibrao Para definir as escalas de temperatura, um conjunto de pontos de calibrao utilizado; para isto, a energia trmica mdia por molcula definida atravs da condio de equilbrio existente entre os estados slido, lquido e gasoso de vrios materiais puros da natureza. Alguns destes pontos de calibrao padro so:
1. 2. 3. 4.
Oxignio: equilbrio lquido/gs gua: equilbrio slido/lquido gua: equilbrio lquido/gs Ouro: equilbrio slido/lquido
Escalas de temperatura absoluta Uma escala de temperatura absoluta aquela que associa um zero a unidade de temperatura para um material que no tenha energia trmica. A escala kelvin em kelvin (K) a mais comumente utilizada (fala-se kelvin e no grau kelvin). A tabela 1.1 mostra os valores de temperatura em kelvin de vrios pontos de calibrao.
Pontos de calibrao Energia trmica zero Oxignio: lquido/gs gua: slido/lquido gua: lquido/gs Ouro: slido/lquido K 0 90,18 273,15 373,15 1336,15
Escala de temperatura relativa As escalas de temperatura relativas diferem da escalas absoluta apenas no deslocamento do zero. Assim quando estas escalas indicam um zero na temperatura, no significa zero na energia trmica do material. Estas duas escalas so Celsius e Fahrenheit com as temperatura indicadas por C e F respectivamente. A tabela 1.1 mostra vrios pontos de calibrao desta escalas. A quantidade de energia representada por 1C a mesma que 1K, apenas com o zero deslocado na escala Celsius, de modo que
(1)
(2)
(1.3)
onde
1 , 2 , ... N = so os coeficientes de resistividade de temperatura R0 = a resistncia do sensor na temperatura T0. (normalmente T0 = 0C)
o nmero de termos relacionado na equao 1.3) para qualquer aplicao depende do material usado no sensor, do intervalo de temperatura, e da preciso desejada na medida. As caracterstica de dependncia resistncia x temperatura para platina, nquel e cobre mostrada na figura 1.1. Para um intervalo pequeno de temperatura, a equao 1.3) adquire uma forma linear expressa por
R/R0 = 1 (T - T0)
(1.4)
R e s 6 i s t 4 n c i a 2 R/R0
0 -200 0
Nquel
Cobre
Platina
200
400
600
800
1000
Temperatura (C)
Se uma preciso maior exigida uma aproximao de segunda ordem necessria, de maneira que a equao 1.3 torna-se R = R0 ( 1 + 1 T + 2 T2)
(1.5)
A equao acima mais complicada de trabalhar, mas fornece uma maior preciso para maiores intervalos de temperaturas . Os elementos sensvel disponveis so muitos variados. Um dos sensores bastante utilizado consiste de fio de platina com pureza 4 noves (99,99) envolto sob um invlucro de cermica e hermeticamente selado em uma capsula de cermica. O sensor de platina utilizado pela sua preciso. Ele resiste a corroso e contaminao, e sua propriedades mecnicas e eltricas so estvel por um longo perodo. O drift normalmente menor 0.1C quando so utilizados no seu limite superior de temperatura. Os RDT de platina so construdos com tecnologia de filmes espessos ou filmes finos . Este filmes so depositados em um substrato fino e plano de cermica e encapsulados com vidro ou cermica. Ambos estes mtodos de fabricao de filmes finos permite que a resistncia (tpica 100 Ohms) do sensor com uma pequena massa e volume. Como resultado, o tempo de resposta de um RDT de filme seja reduzida de forma aprecivel, como mostra a figura 1.2).
100
75
Filme fino
50
Fio
25
0 0 .2 .4 .6 .8 1.0 1.2
Fontes de erros
Os erros comumentes encontrados quando os RTD so utilizados para medida de temperatura so: 1) 2) 3) 4) Efeitos dos fios de ligao; Estabilidade; Auto aquecimento e, Sensibilidade a presso.
1) Efeitos dos fios podem ser minimizados fazendo os fios de ligao to curtos quanto possveis. Uma regra prtica usar uma fio de ligao que apresente uma resistncia menor do 1 por cento da resistncia do sensor. O efeito da resistncia dos fios de ligao aparecia como um offset e uma reduo na sensibilidade. Os erros causados pela variao das resistncia dos fios de ligao por temperatura devem e podem ser eliminados por arranjo adequado do circuito condicionador.
Exerccio:
Sensores e Condicionamento de Sinais 12 1) Afim de eliminar erros causados pelo fio de ligao de um sensor RTD, sugira um ou mais arranjos na forma de ponte de Wheatstone de forma a minimizar estes erros. 2) A estabilidade do sensor pode se tornar uma fonte de erro quando o limite superior de temperatura suportado pelo o sensor excedida ou por acidente ou por erro de projeto. Sempre que o limite superior de temperatura for excedido , nova medidas de temperatura devem ser repetidas at que uma leitura repetitvel for obtida. 3) Erro devido ao auto aquecimento so produzido quando a voltagem ou a corrente de excitao so usada no condicionamento do sinal. Normalmente no existe razo para excitao com altos valores, desde que um RTD produz uma alto sada (um valor tpico cerca de 1mV/(V.C) para um RDT de platina). O auto aquecimento ocorre por causa da potncia dissipada no sensor. Esta potncia PT e dada pela expresso PT = i2 RT
(1.6)
Por exemplo, a potncia dissipada por um RDT em uma ponte de Wheatstone com resistncia iguais a RT, excitada com uma voltagem VS PT = V2S /4RT
(1.7)
aumento da temperatura
TS = FS PT
(1.8)
Exerccio: O fabricante de um sensor RTD de fio de platina fornece no data sheet um fator de auto aquecimento igual a 0.5 C/mW no ar. Se este sensor (RT = 100Ohms) for utilizado em uma ponte de quatro braos iguais com uma fonte de alimentao de 1V, qual o erro na medida da temperatura causada pelo o auto aquecimento.
Estes erros pode ser minimizados limitando-se a dissipao de potncia no sensor para menos de 2mW. 4) Os sensores RDT so sensvel s presses aplicada sobre os mesmos. Felizmente, a sensibilidade a tenses pequena quando comparada com a sensibilidade temperatura. A menos que os sensores sejam submetido a forte presses, esta fonte de erro pode ser ignorada.
1.3.2) Termistores
Os termistores so resistores sensvel a temperatura fabricados de material semicondutor, tais como xido de nquel, cobalto, ou magnsio e sulfeto de ferro, alumnio ou cobre. xido semicondutores, diferente dos metais, pode exibe uma resistncia que decresce com a temperatura, so os chamados NTC (do ingls, negative temperature coeficiente). A relao para um termistor deste disso pode ser expressa por ln (R/R0) = (1/T- 1/T0) ou
(1.9)
R = R0exp[(1/T- 1/T0)]
(1.10)
onde R a resistncia do termistor na temperatura T R0 a resistncia do termistor na temperatura T0 a constante do material (3000 - 5000 K)
(1.11)
Para = 4000 K e T = 298 K, a sensibilidade igual a -0.045/K, que cerca de uma ordem de grandeza maior do que a sensibilidade de um sensor RDT de platina (S=0.0035/K). A equao (1.10) indica que a resistncia R de um termistor decresce exponencialmente com a temperatura. Uma curva de resposta tpica de um termistor mostrada na figura (1.3). Desde que a sada do termistor no linear, uma medida precisa de temperatura deve ser feita usando uma tabela de calibrao. Esta linearidade pode ser melhorada pelo uso de circuito linearizadores com, por exemplo um resistor em srie no caso de um termistor PTC, ou em paralelo para o NTC. O intervalo de medida de temperatura com termistores na prtica esta limitado a 100C, devido a estabilidade pobre do sensor quando submetido a altas temperaturas. A preciso na medida depende da tcnica empregada para medida de R/R e a calibrao do sensor. Com o uso de uma tcnica apropriada, temperaturas de 125C pode ser medida com uma preciso de 0,01C, e o drift de longo termo melhor do que 0,003C/ano.
Sensores e Condicionamento de Sinais 14 Se o sinal de temperatura lido atravs de um sistema de aquisio de dados, mais adequada realizar a linearizao da medida aps a converso analgica-digital no microprocessador. Para isto pode se utilizar a relao de Steinhart-Hart que aproxima precisamente a equao (1.9), e dada por:
1 = A + B ln R + C (ln R)3 T
(1.12)
Exerccio:
1.3) Mostre que possvel linearizar em primeira ordem uma curva de um termistor NTC, num certo intervalo, simplesmente colocando-se um resistor de valor apropriado e encontre este valor .
R a z o d e
102
101
R = R0exp[(1/T- 1/T0)]
1
350
Temperatura C Figura 1.3) Resistncia como funo da temperatura para termistor tipo NTC
Vrios tipos de termistores com vrios tipos de formatos esto disponveis comercialmente que varia de algumas dezenas de Ohms a vrios megaOhms. Com o avano acelerado da tecnologia de materiais necessrio uma constante atualizao, e agora, com a revoluo da Internet, isto tornou-se menos desgastante , desde que voc se pluge. Atravs da rede mundial de informao praticamente toda informao necessria para especificao do seu sensor est prontamente disponvel.
1.4) Termopares
Um termopar um simples sensor de temperatura que consiste de dois materiais diferentes em contato trmico. O contato trmico, chamado de juno pode ser feito por feito pela fuso ou solda de dois materiais diferente. A figura 1.4a) mostra um termopar de uma simples juno. A operao de um termopar baseado na combinao de efeitos termoeltrico que produz uma voltagem de circuito aberto quando duas junes so mantidas em temperaturas diferente. O diagrama clssico de um circuito de um termopar de duas junes mostrado na figura 1.4b), onde as junes J1 e J2 so mantidas nas temperatura T1 e T2 respectivamente. A voltagem termoeltrica
Sensores e Condicionamento de Sinais 16 uma funo no linear com a temperatura que pode ser representada por uma equao emprica na forma V0 = C1 (T1 - T2) + C2 (T21- T22)
(1.13)
Material A
Material B
Material A
T1
V0
T2
Material B
Material B
A gerao da voltagem V0 devido ao efeito Seebeck, que produzido pela difuso de eltrons atravs da interface entre os dois materiais. O potencial do material aceitador de eltrons torna-se negativo na regio de interface e o material doador torna-se positivo. Assim um campo eltrico formado pelo fluxo de eltrons na interface. A difuso continua at uma condio de equilbrio seja alcanada pela ao do campo eltrico sobre os eltrico (mecanismo semelhante a
Sensores e Condicionamento de Sinais 17 formao do potencial de barreira na juno PN). Desde que as foras de difuso so dependente da temperatura, o potencial eltrico desenvolvido na juno fornece uma medida desta temperatura. Alm do efeito Seebeck, dois outros efeito termoeltricos bsicos ocorrem no circuito do termopar. Estes so: 1) Efeito Peltier 2) Efeito Thompson
O efeito Peltier ocorre quando passa um fluxo de corrente no circuito de termopar. Este efeito consiste na transferna de calor na presena da corrente i .Esta quantidade de calor, em watts dada por
qP = AB .i
(1.14)
onde qP a quantidade de calor transferida em watts AB o coeficiente de Peltier de A para B da juno AB deve-se notar que a equao (1.14) vetorial, isto , o coeficiente de Peltier muda de sinal com o sentido da corrente. (AB = -BA). A figura 1.5) ilustra este efeito e seu comportamento dual.
qT
Material A
i
T2 J2 qP Material B
J1 qP T1 vs
Material B
Sensores e Condicionamento de Sinais 18 O efeito Thompson o efeito termoeltrico que afeta o circuito do termopar. Novamente este efeito involve a gerao ou absoro de calor qT sempre que existe um gradiente de temperatura e h corrente num material. A figura 1.5) ilustra este efeito. A quantidade de calor transferida dada pela equao qT = i(T1 - T2) onde o coeficiente de Thompson que depende do material condutor. Ambos estes efeito produzem (erros) voltagem equivalente que na sada do circuito do termopar e afetam a preciso da medida de temperatura, e portanto devem ser minimizados, limitamdo-se a corrente que flui atravs da juno durante a medida de v0. O circuito de termopar da figura 1.4 b) usado para medir uma temperatura desconhecida T1, enquanto a juno J2 mantida em uma temperatura referncia conhecida, T2. Desta forma possvel determinar a temperatura T1 pela medida da voltagem v0. A experincia mostra que a equao 1.13) no suficiente para representar com preciso a curva caracterstica voltagemXtemperatura de um termopar. Na prtica utilizar-se tabelas (lookup tables) ou um polinmio de alta ordem na forma T1 - T2 = a0 +a1 .v0 + a2 .v02 + ...+an . v0n
(1.15)
(1.16)
1) Um circuito de termopar deve conter no mnimo dois materiais diferentes e no mnimo duas junes (fig. 1.5 a) ). 2) A voltagem de sada de um circuito de termopar depende somente da diferena entre as temperaturas de juno (T1 - T2) e independente da temperatura ao longo do material, desde que no flua nenhuma corrente pelo circuito (fig. 1.5 b) ). 3) Se um terceiro material C inserido ao longo do material A ou B, a voltagem de sada v0 no afetada, desde que a temperatura nas duas novas junes sejam as mesma (fig. 1.5 c) ).
4) A insero de um material C na juno J1 ou J2 , na afeta a voltagem de sada v0, desde que as duas novas junes AC ou CB sejam mantidas na mesma temperatura (fig. 1.5 d) ). 5) Um circuito de termopar com temperatura T1 e T2 produz na voltagem (v0)1-2 = f(T1- T2), e se exposta numa temperatura T2 e T3 produz uma voltagem de de sada sada
Sensores e Condicionamento de Sinais 19 (v0)2-3 = f(T2- T3). Se o mesmo circuito exposto a temperatura T1 e T3, a voltagem de sada ser (v0)1-3 = (v0)1-2 + (v0)2-3 (fig. 1.5 e) ). 6) Se um circuito de termopar fabricado com materiais A e C gera uma sada (v0)AC quando exposto a temperatura T1 e T2, e um circuito similar fabricado com materiais C e B gera uma sada (v0)CB, ento se um termopar fabricado com materiais A e B gerar uma sada (v0)AB = (v0)AC + (v0)CB )fig. 1.5 f) ).
Material A i T1
Material A
T3
i T5 V0 b)
T4
J1
V0 a)
J2
T2
T1
J1
T6
J2
T2
Material B
Material B
Material B
Material B
Material C Material A T1 Ti i Tj T2
Material A T1 Material C T1 T3 i
J2
V0 d)
T2
J1
V0 c)
J2
Material B
Material B
Material B
Material B
M aterial A i T1
M aterial A i T1
Material A i
J1
(V0)1-3
J2
T3
J1
(V0)1-2 e)
J2
T2
T2
J1
(V0)2-3
J2
T3
M aterial B
M aterial B
M aterial B
M aterial B
Material B
Material B
M aterial A i T1 T3
Material A i T3 T1
M aterial C i T3
J1
(V0)AB
J2
T1
J1
(V0)AC f)
J2
J1
(V0)CB
J2
M aterial B
M aterial B
Material C
Material C
M aterial B
M aterial B
Figura 1.5) Situaes tpicas encontrada no uso de termopares. a) Circuito de termopar bsico. b) Dependncia de v0 somente de (T1 - T2). c) Metal intermedirio no circuito. d) Metal intermedirio na juno. e) Adio da voltagem de sada para diferentes temperatura. f) Adio da voltagem de sada para diferentes termopares para temperaturas idnticas.
Sensores e Condicionamento de Sinais 20 Estes seis princpios so importantes porque fornece a base para o projeto de circuito de medida de temperatura. O primeiro princpio formaliza a observao experimental que um circuito de termopar deve ser fabricado com dois material diferente de modo que duas junes so formadas. A voltagem de sada v0 tem sido observada se uma funo no linear da diferena de temperatura (T1 - T2) nessa duas junes. Para um fluxo de corrente num sentido mostrado na figura 1.5 a), esta voltagem pode ser expressa por
v0 = eBA . T1 + eAB . T2
(1.17)
onde eBA eAB o potencial da juno por unidade de temperatura na juno quando uma pequena corrente flue do material B para o material A. o potencial da juno por unidade de temperatura na juno quando uma pequena corrente flue do material A para o material B.
Desde que eBA = - eAB a equao (1.14) pode ser escrita na forma j vista
(1.18)
O segundo princpio indica que a voltagem de sada v0 do circuito de termopar no influenciada pela a distribuio de temperatura ao longo do material exceto nos pontos onde as coneces so feitas para formar as junes. Este principio garante na prtica que v0 independente dos comprimentos dos fios de ligao.
Exerccio:
Faa uso do primeiro e segundo princpio de operao do termopar e prove os quatro princpios restantes.
Materiais Termoeltricos
O efeito termoeltrico ocorre sempre se um circuito de termopar fabricado com dois metais diferentes; portanto uma grande quantidade de materiais so adequado para uso em termopares. Entretanto, estes materiais so selecionados tendo em vista algumas propriedade desejveis listadas abaixo: 1) Estabilidade de longo tempo (long-term stability) em temperaturas elevadas. 2) Compatibilidade com a instrumentao disponvel. 3) Custo reduzido. 4) Mxima sensibilidade sobre todo o intervalo de operao
Sensores e Condicionamento de Sinais 21 As sensibilidades de vrios materiais em combinao com a platina so apresentada na tabela 1.1). Os valores desta tabela permite que a sensibilidade S 0C de um termopar fabricado com qualquer material listado na tabela possa ser determinado, como feito no exerccio abaixo.
Exerccio:
Determinar a sensibilidade 0C de um termopar de Cromel-Alumel a partir dos valores listados na tabela 1.1).
Tabela 1.1) Sensibilidade S de Alguns materiais combinados com platina 0C. Sensibilidade S Material Bismuto Constantan? Nquel Alumel? Nisil? Platina Mercrio Carbono Alumnio Chumbo Prata Cobre Ouro Tungstnio Nicrosil? Ferro Cromel? Germnio Silcio Telrio Selnio V/C -72 -35 -15 -13,6 -10,7 0 0,6 3,0 3,5 4,0 6,5 6,5 6,5 7,5 15,4 18,5 25,8 300 440 500 900 V/F -40 -19,4 -8,3 -7,6 -5,9 0 0,3 1,7 1,9 2,2 3,6 3,6 3,6 4,2 8,6 10,3 14,3 167 244 278 500
Vale lembrar que a sensibilidade S uma funo no linear da temperatura; de maneira que para todo o intervalo de temperatura de operao do termopar os valores de setes materiais mais usados so mostrado na tabela 1.2).
Sensores e Condicionamento de Sinais 22 Tabela 1.2) Sensibilidade S em funo da temperatura para os sete tipos de termopar. Temperatura (C) -200 -100 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 E 25,1 45,2 58,7 65,7 74,0 77,9 80,0 80,9 80,7 79,9 78,4 76,7 74,9 J 21,9 41,1 50,4 54,3 55,5 55,4 55,1 56,0 58,5 62,2 K 15,3 30,5 39,5 41,4 40,0 41,4 42,2 42,6 42,5 41,9 41,0 40,0 39,8 N 9,9 20,9 26,1 29,7 33,0 35,4 37,0 R 5,3 7,5 8,8 9,7 10,4 10,9 11,3 11,8 12,3 12,8 13,2 S 5,4 7,3 8,5 9,1 9,6 9,9 10,2 10,5 10,9 11,2 11,5 T 15,7 28,4 38,7 46,8 53,1 58,1 61,8 -
As letras E, J, K, N, R, S, e T so projetadas pelo padro ANSI (America National Society Instrument - PADRO MC 96.1-1975) e os pares de materiais usados nestes termopares so definidos na tabela 1.3).
Tabela 1.3) Materiais empregados nos termopares padro. Tipo E J K N R S T Material positivo Cromel Ferro Cromel Nicrosil Platina 13% Rdio Platina 10% Rdio Cobre Material negativo Constantan Constantan Alumel Nisil Platina Platina Constantan
A voltagem de sada v0 em funo da temperatura para vrios tipos de mais comuns de termopar mostrado na figura 1.6) . Como podemos observar na figura, o termopar tipo E (Cromel-constantan) gera uma maior sada para uma dada temperatura; mais infelizmente, a sua maior temperatura de operao de 1000 C. O intervalo de temperatura e as sadas de voltagem , para os tipos mais comuns de termopar mostrado na tabela 1.4)
60
40
Tipo N Nicrosil-nisil
20
2000
2500
3000
Temperatura (C)
Figura 1.6) Voltagem de sada v0 versus temperatura T Tabela 1.3) Intervalo de temperatura e voltagem de sada para vrios termopares. Intervalo de temperatura Tipos Cobre-constantan Ferro-constantan Cromel-Alumel Cromel-constantan Nicrosil-Nisil Platina -10% Platina/rdio Platina -13% Platina/rdio Platina -30% Platina/rdio Platinel 1813 - Platinel 1503 Irdio- 60% rdio- 40% irdio Tungstnio 3% rniotungstnio 25% rnio Tungstnio-tungstnio 25% rnio Tungstnio 5% rniotungstnio 26% rnio C -185 400 -185 870 -185 1260 0 980 -270 1300 0 1535 0 1590 38 1800 0 1300 1400 1830 10 2200 16 2800 0 2760 F -300 750 -300 1600 -300 2300 -32 1800 -450 2372 32 2800 32 2900 100 3270 32 2372 2552 3326 50 4000 60 5072 32 5000 Voltagem de sada (mV) -5,284 20,805 -7,52 50,05 -5,51 51,05 0 75,12 -4,345 47,502 0 15,979 0 18,636 0,007 13,499 0 51,1 7,30 9,55 0,064 29,47 0,042 43,25 0 38,45
Sensores e Condicionamento de Sinais 24 A estabilidade de longo tempo (long-termo stability) uma propriedade importante do termopar se a temperatura deve ser monitorada por um longo tempo. Um relativamente novo tipo de termopar foi recentemente desenvolvido, tipo N (nicrosil-nisil) que apresenta uma estabilidade termoeltrica muito elevada. Instabilidade trmica de vrios termopares padro ocorre a partir de 100 1000 h de exposio a temperatura. O erro mais importante introduzido pelos efeitos da instabilidade trmica o gradual e acumulativo drift na voltagem de sada durante a longa exposio do termopar temperaturas elevadas. Este efeito devido a mudana na composio na juno causada pela oxidao interna e externa. O termopar tipo N foi desenvolvido para eliminar as oxidaes internas e minimizar as oxidaes externas. O drift de longo tempo na sada de termopares tipos N, E, J, e K mostrado na figura 1.7) como funo do tempo de exposio a uma temperatura constante de 777 C. como podemos observar o drift do termopar tipo J fabricado com fio AWG N.14 excessivo aps um somente 100 a 200 h . Aumentando o fio para AWG N.8 melhora-se a estabilidade mais ainda inadequado para aplicaes de longo tempo. Somente os termopares tipo K e N exibem uma estabilidade necessria para medida de temperatura de at 777 C e no mnimo 1500 h.
D r i f t e m v0
(V)
-1000
#8 J
Tempo de exposio em horas 777 C Figura 1.7) Drift da sada v0 para diferentes tipo de termopar em funo do tempo de exposio a uma temperatura constante de 777 C.
No primeiro mtodo insere-se a juno fria numa garrafa trmica com a mistura gua/gelo, tampada para evitar perdas e gradientes de temperatura. A gua deve ser removida periodicamente e o gelo deve ser adicionado para manter a temperatura constante. Esta mistura mantm a temperatura da juno 0.1C. O segundo mtodo faz uso do refrigerador de Peltier. O termopar acondicionado num reservatrio contendo gua deionizada e destilada mantida 0C. As paredes externas do reservatrio so resfriadas pelos elementos de refrigerao termoeltrica at que a gua comece a congelar. O aumento do volume da gua quando ela comea a congelar sobre as paredes do reservatrio que expande um fole, que contm uma microchave desativa os elementos de refrigerao. O ciclo de congelamento e descongelamento do gelo nas paredes do reservatrio mantm a temperatura da gua precisamente 0C. O terceiro mtodo consiste em monitorar a temperatura do ambiente atravs de um RDT gerar uma voltagem de sada que igual e oposta a voltagem do circuito do termopar devido a mudana em T2. A figura 1.8) ilustra este mtodo.
T2
v0
Sensores e Condicionamento de Sinais 26 O quarto mtodo simplesmente baseia-se no fato que mais fcil o aquecimento ao resfriamento para trabalhar numa temperatura controlada de juno fria mais elevada e que a temperatura ambiente. A tabela voltagem-temperatura do termopar deve ser deslocada em tenso para corregir a temperatura de juno fria diferente de 0C. Finalmente, o quinto mtodo que elimina a necessidade de correo da temperatura de juno, emprega dois aquecedores em diferentes temperaturas para emular uma temperatura de referencia de 0C (figura 1.9) . Na figura 1.9) cada uma das duas junes (Cromel-Alumel) no primeiro aquecedor produz uma voltagem de 2.66mV na temperatura do aquecedor de 65.5 C. Esta voltagem total de 2x2.66 = 5.32mV cancelada pela dupla juno de Alumel-cobre e cobreAlumel no segundo aquecedor que esta a 130 C. O efeito lquido das quatro junes nos dois aquecedores produzir uma equivalente termoeltrico com uma simples juno fria 0C.
Alumel Cromel T1
Cobre
Fios de ligao
O material usado para fornecer isolao para os fios de ligao determinado pela mxima temperatura que o termopar estar sujeito. Os tipos de isolao e seus limites de temperatura esto mostrado na tabela 1.4) Em aplicaes de alta temperatura, os fios de ligao so disponvel com uma isolao de cermica tendo de uma blindagem metlica. Em alguma aplicaes faz-se necessrio separar a medida e a juno fria por uma distancia aprecivel. Nestas circunstncias, fios especiais, conhecidos como fios de extenso, so inseridos entre a juno quente e a juno fria. Os fios de extenso so feitos do mesmo material da juno do termopar e portanto exibe aproximadamente as mesma propriedades termoeltricas. A principal
Sensores e Condicionamento de Sinais 27 vantagem do fio de extenso a melhora nas propriedades do fio. Por exemplo cachos de fios de menor dimetro com isolao de PVC de fcil instalao podem ser usados em sistemas de baixo custo.
Tabela 1.4) Caractersticas de isolao de fios de ligao de termopar Temperatura (0C) Max. Min. 105 75 150 200 260 200 1204 482 871 316 -40 -75 -55 -200 -267 -75 -17 -75 -75 -267
Material
Resistncia de abraso Boa Boa Excelente Excelente Excelente Regular Regular Ruim Ruim Excelente
Flexibilidade Excelente Excelente Boa Boa Boa Excelente Boa Boa Boa Boa
Extenso XA
Cobre
Material A T1
Conector isotrmico
Fontes de erros
Vrios tipos de erros podem ser introduzido durante a medida de temperatura com o uso de termopares. Erros devidos a carregamento do circuito do termopar (j descrito) , preciso na leitura, rudo e resposta dinmica devem ser minimizados afim de alcanar preciso desejada. Existe ainda outro tipo de erro inerente a sensores de temperatura, o chamado erro de insero. O erro de insero o resultado do aquecimento ou resfriamento da juno que muda a temperatura da juno T do meio na temperatura Tm . Este erro classificado em trs tipos:
1) Erro de conduo 2) Erro de recuperao 3) Erro de radiao O primeiro erro devido a transferncia ou absoro de calor por conduo para o ambiente atravs do contato do termopar com o corpo a ser monitorado. Este erro mais significante quando a massa trmica do termopar comparvel com a do sistema. O segundo erro acontece sempre que um termopar inserido no meio de um gs movimentando-se alta velocidade, resultando na estagnao do gs prximo ao probe de medida. Finalmente, o terceiro erro devido a perdas por radiao de calor. Este erro mais significante em altas temperaturas.
1.5) Outros sensores trmicos Outros tipos de sensores trmico so disponveis no mercado. Dentre estes podemos citar o sensor de temperatura semicondutor na forma de circuito integrado, que fornece normalmente uma sada em corrente proporcional a temperatura absoluta, quando uma voltagem entre 4 e 30 V aplicado nos seus terminais. Este tipo de sensor de temperatura um regulador de corrente constante sobre uma temperatura de -55 a 150 C. O sensor apresenta uma sensibilidade de corrente nominal Si de 1 A/K. As caractersticas corrente de sada versus voltagem de entrada para vrias temperaturas so mostradas na figura 1.11).
O sensor de temperatura integrado ideal para aplicaes remota desde que ele age como fonte de corrente constante e como resultado, a resistncia dos fios de ligao no afeta a medida. Vrios problemas encontrado nos sensores RTD, termistores e termopares no esto presente neste sensor. A voltagem de sada v0 do circuito do sensor de temperatura controlado por uma resistncia colocada em srie, como mostrado na figura 1.12). Desde que o sensor serve como fonte de corrente, a voltagem de sada pode ser expressa por
v0 = i . Rs = Sin. T . Rs = ST . T
(1.19)
100 0
(A) 0
10
30
Figura 1.11) Caractersticas de um sensor integrado de dois terminais onde Si a sensibilidade do sensor em corrente Rs a resistncia srie na qual a voltagem de sada medida T a temperatura absoluta i a corrente de sada na temperatura T ST a sensibilidade do sensor em volts
RL vs RS RL Senso r
V0
1.6) Sumrio
Os diferentes tipos de sensores disponveis para medidas de temperatura, incluem principalmente RTD (resistance-temperature-detectors), termistores, termopares e Sensores integrados. Cada um destes apresenta suas vantagens e desvantagens; a escolha do sensor apropriado para uma aplicao particular normalmente baseada nas seguintes consideraes:
Sensores e Condicionamento de Sinais 30 As vantagens e desvantagens dos quarto mais populares sensores para medidas de temperatura so mostradas na figura?. importante notar que com o rpido avano em tecnologia de novos material pode modificar as vantagens e desvantagens destes sensores, de maneira que uma constante atualizao faz-se necessrio.
Termopares
RTD
Termistores
Sensores integrados
V o l t a g e m
R e s i s t e n c i a
Temperatura
Temperatura
R e s i s t e n c i a
V o l t. o u c o r r e.
V ou i
Temperatura
Temperatura
V a n t a g e n s D e s v a n t a g e n s
Auto excitado Mais estvel Simples Mais preciso Robusto Mais linear termopar Baixo custo Grande variedade Grande intervalo de operao No linear Baixa sensibilidade Voltagem de referncia necessria Menos estvel Baixa voltagem
Alta Mais linear sensibilidade Maior sada que Rpido Baixo custo Medida com dois fios
No linear Pequeno intervalo de temperatura Frgil Fonte de corrente necessria Auto aquecimento
Temperatura <200 0C Fonte de potncia Necessria Lento Auto aquecimento Configuraes limitadas
2) Sensores Mecnicos
2.1) Introduo
Como sensores mecnicos podemos entender todos aqueles dispositivos que realizam a transduo de uma grandeza mecnica em um sinal eltrico. Uma enorme variedade de sensores disponvel para medidas de quantidades mecnicas, e a descrio detalhada de cada um destes sensores demandaria um tempo razovel, e foge ao objetivo deste curso. Apesar disso, procuramos apresentar de uma maneira breve, e sempre que possvel completa, os princpios de funcionamentos dos principais tipo de sensores.
2.2.1) Potenciomtrico
O tipo mais simples de sensor potenciomtrico de posio mostrado de forma esquemtica na figura 2.1). Este tipo de sensor bastante utilizado em impressoras jato de tinta para controle do posicionamento do carro que contm os cartuchos de tinta. O sensor consiste de um resistor de fio ou filme deslizante de comprimento l e sobre o qual aplica-se uma voltagem vi. A relao entre a voltagem de sada v0 e a posio x do contato deslizante ct , quando este move-se ao longo do comprimento do fio, pode ser expresso por
v0 = x/l . vi
ou
x = v0/vi . l
(2.1)
assim , a posio ou deslocamento pode ser medido. Os resistores de fio rgido no so possveis de serem usados em muitas aplicaes, pois a resistncia de um fio curto baixa e isto implica em um excessivo consumo de potncia da voltagem vi. Para contornar esta dificuldade, estes tipos de sensores so obtidos enrolando-se um fio de alta resistncia sobre um material isolante de formato adequado, como mostra a figura 2.2). Tcnicas mais recentes permitem construir sensores potenciomtricos atravs da deposio de filmes sobre pelcula flexveis de material isolante. A resistncia destes filmes exibe uma alta
Sensores e Condicionamento de Sinais 32 resoluo, baixo rudo , e longo tempo de vida. Por exemplo, uma resistncia de 50 a 100 Ohms/mm pode ser obtida e resoluo to alta quanto 0.001 mm pode ser alcanada. Estes sensores apresentam um baixo custo e so usados intensivamente. (figura 2.3).
Resistncia de fio
ct vi l x v0
Resistncia de fio
ct vi l x v0
Sensores e Condicionamento de Sinais 33 Sensores potenciomtricos de formato cilndrico, similares aqueles ilustrados na figura 2.2), so usado para medida de deslocamento ou posio angular. O valor da resistncia deste tipo de sensores situa-se na faixa de 10 a 106 Ohms, dependendo do tipo , dimetro e comprimento utilizado. O range do sensor de posio linear depende do comprimento l. Os sensores lineares podem ser encontrados at o limite de 1 m. O range do sensor de posio angular pode ser extendido arranjando-se um sensor no formato helicoidal. Potencimetros Helicoidal (Helipot) so disponveis comercialmente com 20 voltas; portanto deslocamentos angulares de at 7200 grau pode ser medidos facilmente. O contato ct quando em movimento normalmente exibe rudo. Este rudo pode ser minimizado garantindo-se que o contato esteja limpo e livre de oxido.
2.2.2) Capacitivo
Sensor de posio capacitivo utilizado para medida de posio de at algum milmetro e bastante utilizado em medida de vibraes relativas. Um sensor tpico capacitivo ilustrado na figura 2.4) e consiste de uma placa alvo e uma segunda placa chamada de cabea do sensor. Estas duas placa so separadas por um gap de ar de espessura h e forma os dois terminais de um capacitor, que apresenta uma capacitncia C dada por
C = k K A/h
(2.2)
onde C a capacitncia em picofarads (pF) A a rea do cabea do sensor ( . D2/4) K a constante dieltrica do meio (K = 1 para o ar) k uma constante de proporcionalidade; k = 0.225 para dimenso em polegada e 0.00885 para dimenso em milmetro)
h
Anel de Guarda
a)
b)
Figura 2.4) Sensor capacitivo. a) sem anel de guarda b) com anel de guarda
Sensores e Condicionamento de Sinais 34 Se a separao entre a cabea e o alvo se altera por uma quantidade Dh, ento a capacitncia C torna-se C + C = k * K * A 1 (h + h) (2.3)
Este resultado mostra que (C/C) no linear, devido ao termo (h+h) no denominador da equao (2.4). Para evitar a dificuldade de se usar um sensor capacitivo com sada no linear, a variao na impedncia antes que a capacitncia medida. Usado o fato que Zc = j C (2.5)
Zc + Zc =
(2.6)
(2.7)
Zc h = Zc h
(2.8)
Sensores e Condicionamento de Sinais 35 Da equao (2.8) claro que a impedncia capacitiva linear com h e o um mtodo de medida de impedncia de Zc permitir, atravs de duas placas simples (O alvo com terra e a cabea do sensor com terminal positivo), a medida do deslocamento h. A cabea do sensor normalmente tem um formato cilndrico e a equao (2.8) vlida desde que 0 < h <D/4 onde D o dimetro da cabea do sensor. O intervalo de linearidade pode ser estendido para h D/2 se um anel de guarda ao redor do sensor usado, como mostra a figura 2.4 b). A sensibilidade do sensor obtida com ao auxlio das equaes (2.2), (2.5) e (2.8) e expressa por 1 1 Zc Zc = = = .C .h .k .K . A h h
S=
(2.9)
Como pode ser observado a sensibilidade pode ser melhorada pela reduo da rea A do sensor; entretanto, como foi visto anteriormente, limitada pela linearidade. De maneira que claramente existe um compromisso entre sensibilidade e linearidade. Da mesma forma existe um compromisso entre a sensibilidade (aumenta quando diminui) e a resposta em freqncia do sensor (aumenta quando aumento). O sensor capacitivo tem vrias vantagens . Ele realiza uma medida sem nenhum contato e pode ser usado com qualquer material para o alvo, desde que este apresente uma resistividade menor do que 100 Ohms-cm. O sensor robusto e pode ser sujeito a choque operar em ambiente de muita vibrao. Pela o exame da equao (2.9) para sensibilidade S, mostra que a constante dieltrica K somente o parmetro que pode mudar com a temperatura. Desde que K constante para o ar para um grande intervalo de temperatura, o sensor de capacitivo tem excelente caractersticas de temperatura. A mudana da impedncia capacitiva ZC normalmente medida com o circuito mostrado na figura 2.5). A cabea, a blindagem e o anel de guarda so alimentado com uma fonte de voltagem AC com corrente constante. Um oscilador digital fornece uma freqncia constante em 15.6 kHz utilizado para alimentar esta fonte e como referncia de freqncia para o detector sncrono. A queda de voltagem atravs da cabea sentida com o um pr-amplificador de baixa capacitncia . O sinal do pr-amplificador ento amplificado com um ganho fixo por um amplificador de instrumentao. O sinal do amplificador de instrumentao retificado e fornecido ao detetor sncrono . Aps a filtragem (para eliminar riple de alta freqncia) e linearizao adequadas o sinal entregue ao circuito de sada com ajustes de ganho e de off-set).
Pr amplificador
Probe
Detetor Sncrono
Filtro
Circuito de Linearizao
Amplificador de sada
Ganho
Oscilador de referncia
Fonte de Alimentao
Offset
Figura 2.5) Diagrama esquemtico de um sistema de medida para uma sensor capacitivo
2.2.3) Indutivo
Outro sensor bastante utilizado para medida de pequenas distncias o sensor baseado nas correntes de Eddy que so induzidas numa superfcie condutora quando as linha de fluxo magntico interceptam com a superfcie condutora, como ilustrado na figura 2.6).
Alvo Bobina inativa Demodulador de ponte de impedncia e Fonte de alimentao de alta freqncia Sada
A magnitude das corrente de Eddy produzidas na superfcie do material condutor uma funo da distancia da bobina ativa e a superfcie. As corrente de Eddy aumentam quando a distncia diminui. A mudana nas corrente de Eddy so sentidas com uma ponte de impedncia. As duas bobinas formam os dois braos da ponte. Os outros dois braos so referncia de impedncia do circuito de condicionamento. A primeira bobina no sensor (bobina ativa) que muda a sua
Sensores e Condicionamento de Sinais 37 indutncia com o movimento do alvo, ligada no brao ativo da ponte. A segunda bobina ligada no brao oposto da mesma ponte. A sada da ponte demodulada e fornece um sinal analgico que linearmente proporcional a distancia do sensor ao alvo. A sensibilidade do sensor fortemente dependente do material do alvo, onde uma alta sensibilidade est associado com materiais de alta condutividade. A sada do sensor indutivo normalizado com relao ao alumnio para os principais elementos normalmente presente no alvo mostrado na figura 2.6). Para um alvo de alumnio a sensibilidade tpica de 4V/mm.
S a d a c o m r e l a o a o a l u m n i o
Prata
1.2 1.0
Alumnio
Cobre Ouro Magnsio Estanho Fsforo Bronze Sada para materiais no magnticos 80%Ni-Fe Condutor perfeito (=0)
.8 .6
Nquel
Ao 1030 Ao 416
Resistividade em microhms-cm Figura 2.6) Sada relativa de um sensor de corrente de Eddy como funo da resistividade do material do alvo.
A influncia da temperatura na sada do sensor pequena devida ao arranjo diferencial proporcionado pelas duas bobinas . A maior causa dessa dependncia devido ao fato de a resistividade do material do alvo varia com a temperatura. Para o alumnio como alvo, o sensor apresenta uma sensibilidade temperatura de 0.0022%/C. Da mesma forma que o sensor indutivo, o intervalo de operao do sensor depende do dimetro da bobina ativa. A relao intervalo/dimetro normalmente igual 0.25 e a resposta em freqncia da ordem de 20-50 Khz.
ac
Ncleo
Bobina central
v0
Quando uma voltagem de excitao AC aplicada na bobina central, voltagens so induzidas nas bobinas laterais. As bobinas laterais so ligadas em srie e de fase oposta, como mostra a figura 2.8). Quando o ncleo est centrado entre as duas bobinas laterais, a voltagem induzida nestas so iguais e de fase oposta, de maneira que a voltagem de sada v0, como tomada do arranjo em srie-oposta das bobinas, ser nula. Quando o ncleo movido do sua posio central , ocorre um descasamento na indutncia mtua entre a bobina central e as bobinas laterais e uma sada diferente de zero aparecer em v0. A voltagem de sada e linear para o intervalo de operao do LVDT, que na prtica se situa entre 2 mm, para os chamados short-stroke LVDTs de alta sensibilidade (0.2 V/mm por volts de excitao), e 150 mm, para os chamados long-stroke LVDTs de baixa sensibilidade (0.02 V/mm por vots de excitao). As freqncias de excitao se situam entre 50 Hz e 25 KHz. Para aplicao de alta resposta em freqncia deve se usar uma freqncia de excitao de no mnimo 10 vezes maior de que a freqncia de deslocamento a ser medida. A tabela 2.1) mostra as caractersticas tpicas de alguns LVDT.
Primrio
vs
N c l e o
Secundrio
v1
v0
Secundrio
v2
Voltagem de sada
A O B
Ncleo em A
Ncleo em O
Ncleo em B
Figura 2.9) Voltagem de sada em funo da posio do ncleo Desde o LVDT um sensor passivo este requer uma fonte de excitao em uma determinada freqncia diferente da fonte de alimentao, um circuito condicionador de sinais necessrio para sua operao. Uma configurao tpica de um circuito condicionador mostrado na figura 2.10) O LVDT tem vrias vantagens quando comparado com os outros mtodo de medida de deslocamento. Uma delas no contato entre o ncleo e as bobinas, eliminando, portanto, as frices e histereses. Isto permite um maior estabilidade e um maior tempo de vida para o sensor. E ainda a pequena massa do ncleo associada a ausncia de frices proporciona uma resposta mais rpida. Outra vantagens a no limitao mecnica de final de curso, o que permite ao sensor que uma medida atinja eventualmente um valor em excesso, sem danos para o mesmo.
Modelo
Intervalo Linear
Linearidade %
Percentagem do fundo de escala 50 100 125 150
Sensibilidade
mV/V.mil ** mV/V.mm
(pol.) (mm)
050 HR 100 HR 200 HR 300 HR 400 HR 500 HR 1000 HR 2000 HR 3000 HR 4000 HR 5000 HR 0.050 0.100 0.200 0.300 0.400 0.500 1.000 2.000 3.000 4.000 5.000 1.25 2.50 5.00 7.50 10.00 12.50 25.00 50.00 75.00 100.0 125.0
Impedncia () Primrio Secundrio 430 1070 1150 1100 1700 460 460 330 115 275 310 4000 5000 4000 2700 3000 375 320 330 375 550 400
0.10 0.10 0.10 0.10 0.15 0.15 0.25 0.25 0.15 0.15 0.15
0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25
0.25 0.25 0.25 0.35 0.35 0.35 1.00 0.50 * 0.50 * 0.50 * 1.00 *
0.50 0.50 0.50 0.50 0.60 0.75 1.30 * 1.00 * 1.00 * 1.00 * -
6.30 4.50 2.50 1.40 0.90 0.74 0.39 0.24 0.27 0.22 0.15
248.0 177.0 100.0 55.0 35.0 30.0 15.0 10.0 11.0 10.0 6.0
Fonte de Alimentao
Gerador de Freqncia
LVDT
Demodulador
Amp. DC
Figura 2.10 Diagrama de bloco de uma circuito tpico de condicionamento de sinal de LVDT
Boia
Sensor de deslocamento
Lquido
Eltrico Existem vrios mtodos de puramente eltricos para medida de nvel. Por exemplo, um mtodo pode usar a condutividade especfica do lquido ou slido para variar a resistncia vista de um probe colocado no material. Outra tcnica comum ilustrada na figura 2.11). Neste caso dois cilindros concntricos so inserido no lquido. O nvel do lquido cobre parcialmente o espao entre os dois cilindros e restante fica preenchido com ar. Este dispositivo configurado desta forma funcionar como dois capacitores em paralelo, senso um deles com uma constante dieltrica do ar ( 1) e o outro com a constante dieltrica do lquido. Desta forma, uma variao do nvel do lquido causar uma variao na medida da capacitncia eltrica entre os dois cilindros. O circuito de condicionamento deste sistema muito simples e fcil de ser implementado, pois a capacitncia a ser medida apresenta uma grande variao, dispensando, desta forma, circuitos mais complexos de ponte capacitiva.
Cilindros
Lquido
Figura 2.11) Medida de nvel atravs de dois capacitores concntricos Ultrasnico O uso da reflexo ultrasnica para medida de nvel favorvel por esta uma tcnica no evasiva, isto , ela no envolve em colocar nenhuma parte no material. A figura 2.12 a) e a figura 2.12 b), mostram as tcnicas interna e externa. obvio, que a tcnica externa mais adequada para a medida de nvel de material slido. Em ambos os casos a medida depende do tempo gasto na reflexo do pulso ultrasnico na superfcie do material.
Lquido Lquido
T a) b)
Presso A medida de nvel tambm possvel ser feita sem contato se a densidade do material conhecida. Este mtodo baseado na relao bem conhecida entre a presso na base de uma
Sensores e Condicionamento de Sinais 43 reservatrio e a altura do lquido. Esta presso depende somente da altura do lquido e da densidade do lquido (massa por unidade de volume). Em termos de uma equao, se um lquido est contido em um reservatrio, ento a altura da base do reservatrio a superfcie do lquido pode ser expressa por
h=
p g
(2.10)
onde h = altura do lquido em m = densidade em Kg/m3 g = acelereao da gravidade (9.8 m/s2) p = presso em Pa (pascal) Desta forma atravs de um sensor de presso colocado na base do reservatrio pode de medir o nvel do lquido com o uso da equao (2.10). A figura 2.13) ilustra uma sistema de medida de nvel atravs de medida de presso.
Lquido
Altura h ou nvel
Sensor de presso
Definies
Os slidos so aglomerados de tomos no qual a espaamento atmico tem se ajustado para manter o mesmo em equilibrio com todas as foras aplicadas. Estes espaamento determina as dimenses fsicas do slido. Se as foras aplicadas mudam os tomos do objeto se arranjam novamente para outra condio de equilbrio, resultando numa mudana das dimenses fsicas que referida como deformao do slido. O efeito das foras aplicadas referida como presso (stress) e a deformao resultante como tenso (strain). Para facilidade de um tratamento analtico apropriado do assunto, presso e tenso so cuidadosamente definidos para enfatizar as propriedades do material sob stress e o tipo especfico de presso aplicada. A seguir mostraremos as trs definies mais importantes.
Tenso e Presso de trao Na figura 2.14), a natureza de uma fora de trao mostrada como uma fora aplicada ao material de modo a alonga-lo ou separa-lo. Neste caso, a presso de trao definida como
Presso de trao = F/A onde F = fora aplicada em N A = rea da seo transversal da barra em m2
(2.11)
Ns observamos que a unidade da presso de trao N/m2 no SI de unidade ( ou lb/in2 na unidade Inglesa) A tenso neste caso definida como a mudana relativa no comprimento da barra Tenso de Trao () = l/l onde l = variao no comprimento em m (in) l = comprimento original em m (in) Assim a tenso uma quantidade adimensional.
(2.12)
Tenso e Presso de compresso Na figura 2.15), a natureza de uma fora de compresso mostrada como uma fora aplicada ao material de modo a separa-lo. Neste caso, a presso de compresso definida como
Presso de Compresso = F/A onde F = a fora aplicada em N A = a rea da seo transversal da barra em m2
(2.13)
Novamente a tenso (strain) de compresso definida como a mudana relativa do comprimento da barra Tenso de Compresso () = l/l onde l = a variao no comprimento em m (in) l = o comprimento original em m (in)
(2.14)
Tenso e Presso de ciso Na figura 2.16), a natureza de uma fora de ciso mostrada como uma fora aplicada ao material de modo a parti-lo . Neste caso, a presso de ciso definida como
Presso de ciso = F/A onde F = a fora aplicada em N A = a rea da seo ciso em m2 A tenso neste caso definida como uma variao Tenso de ciso () = x/l
x F rea A l F
(2.15)
(2.16)
Curva presso x tenso Se uma amostra especfica de um certo material sujeita a uma tenso num certo intervalo de valores, um grfico semelhante ao mostrado na figura 2.17) resulta. Este grfico mostra que a relao entre tenso e presso linear at um certo valor de presso aplicada. Neste intervalo linear o material est na sua regio elstica, de maneira que, retirando-se a presso aplicada as deformao desaparece totalmente. Aps este intervalo alguma deformao permanecem mesmo sem a presso aplicada. Se a presso continuar aumentando, existir um certo valor que o material de quebra ou cisalha.
T e m s o Presso
Regio linear
Figura 2.17) Curva tpica de tenso x presso Unidades de tenso Embora tenso seja uma grandeza adimensional, comum expressar a tenso como a razo de duas unidades de comprimento, por exemplo, como m/m ou in/in; como os valores prticos de tenso so pequenos , tambm comum utilizar o prefixo micro (). Neste sentido uma tenso de 0.001 ser expressa por 1000 m/m ou 1000 in/in. Em geral, o menor valor de tenso encontrado na prtica situa-se na faixa de unidades de m/m. Como a tenso adimensiaonal, no h necessidade de converso de unidade.
R= onde
L A
(2.17)
(2.18)
O termo dA/A representa a variao relativa na rea da seo transversal do condutor devido a tenso exercida sobre o mesmo. Para o caso de uma tenso de trao axial, temos que a = L/L = dL/L e t = - a = - dL/L
(2.19)
onde a = tenso axial no condutor t = tenso transversal no condutor = razo de Poisson do metal usado no condutor
Se de dimetro do condutor d0, antes da aplicao da tenso, ento o dimetro do condutor sob tenso df df = d0 (1- dL/L) da equao (2.20) fcil verificar que dA/A = - 2 dL/L + 2 ( dL/L)2 -2 dL/L e, finalmente, substituindo a equao (2.21) na equao (2.18), vem dR/R = d/ + dL/L(1+2)
(2.20)
(2.21)
(2.22)
que pode ser escrita como Sa (dR/R)/ a = d/( a ) + (1+2) onde a quantidade Sa definida com a sensibilidade do metal ou liga usada no condutor. A equao (2.23) mostra que a sensibilidade do metal ou da liga o resultado da mudana nas dimenses do condutor , como expresso pelo o termo (1+2), e pelo mudana na resistncia especfica, como expresso pelo termo d/( a ). Estudo experimentais mostram que a sensibilidade Sa, apresentam valores na faixa de 2 4 para a maior parte das ligas metlicas usadas na fabricao de strain gauge. Alm disso a quantidade (1+2) aproximadamente igual 1.6 para a maior parte destes materiais, o que significa que o termo d/( a ) contribui com um valor entre 0.4 2.4. O aumenta na resistncia especfica resultado da variao do nmero de eltrons livres e na sua mobilidade com a tenso aplicada. Uma lista da ligas mais comum empregadas na fabricao de SG, juntamente com a sua sensibilidade, mostrado na tabela 2.2). Os SG mais comuns so fabricados com liga de cobrenquel como Constantan. A maior parte dos SG so do tipo filme metlico com dobras (veja a figura 2.18) ), onde este formato feito com processos de foto corroso (photoetching). Como este processo verstil , uma grande quantidade de formatos est disponvel para as mais variadas aplicaes. O SG mais curto disponvel da ordem de .2mm; e o mais longo cerca de 100mmm. Os valores de
(2.23)
Sensores e Condicionamento de Sinais 49 resistncias padres so de 120 e 350 Ohms. Outros valores para aplicaes especiais de 500, 1000, e 5000 Ohms so tambm disponveis. Um SG exibe uma variao na resistncia R/R que relacionada com a tenso aplicada pela expresso R/R = Sg . (2.24)
onde Sg o fator de gauge ou a constante de calibrao do SG. O fator de gauge Sg sempre menor do que a sensibilidade da liga metlica devido ao formato de construo do SG (veja figura 2.18) ). Tabela 2.2) Sensibilidade a tenses Sa para as ligas mais comuns.
Material
Constantan Nicromo V Isoelstico Karma Armour D Platina-tungstnio
Composio(%)
45 Ni, 55 Cu 80 Ni, 20 Cu 36 Ni, 8 Cu, 0.5 Mo, 55,5 Fe 74 Ni, 20 Cr, 3 Al 3Fe 70 Fe, 20 Cr, 10 Al 92 Pt, 8 W
SA
2.1 2.1 3.6 2.0 2.0 4.0
Sensvel
axial
T r a n s v e r s a l
Insensvel
Strain Gauge de semicondutor so tambm disponvel. Estes apresentam uma alta sensibilidade negativa (isto , a resistncia diminui com a tenso aplicada) Sg , da ordem de -50 -200, mas por outro lado, so altamente no linear.
Fator de Cross-sensibilidade
Como vimos anteriormente, a sensibilidade de um condutor de comprimento uniforme foi definida como
Sa = dR/(.R) R/(.R)
(2.25)
Em um SG tpico, o condutor tem um formato na forma de dedos (ver fig.2.18) afim de manter o comprimento do condutor pequeno. Alm disso, o condutor no uniforme em todo o seu comprimento. Isto resulta no fato de que a sensibilidade do condutor no igual a constante de calibrao do SG, Sg (fator de gauge). Para um melhor compreenso da resposta de um SG, vamos supor que este esteja sujeito a tenso biaxial (axial e transversal). Nesta situao, temos R/R = Sa . a + St . t + Sc . c onde a t c Sa St Sc = a tenso (strain) ao longo do eixo axial do SG = a tenso (strain) ao longo do direo transversal do SG = a tenso (strain) de ciso associada as direo a e t = a sensibilidade do SG tenso axial = a sensibilidade do SG tenso transversal = a sensibilidade do SG tenso de ciso
(2.26)
O terceiro termo no segundo membro da equao (2.26) ( Sc . c ), muito pequeno pode ser desconsiderado. Entretanto, a sensibilidade do SG a tenses transversais, St, no pequena e no pode ser desprezada; portanto os fabricantes fornecem um fator de sensibilidade transversal ou fator de cross-sensibilidade, Kt para cada SG, que definido como
Kt = St / Sa
(2.27)
(2.28)
e como a sensibilidade do SG expressa em termos de um fator de gauge Sg , como visto anteriormente R/R Sg a (2.29)
O fator de gauge determinado pelo fabricante pela medida R/R para uma amostra de SG extrada de cada lote de produo. No processo de calibrao, as amostras so montada sobre um eixo com razo de poisson conhecida e igual 0 = 0.285. Uma tenso axial a conhecida aplicada ao eixo que produz uma tenso transversal t dada por t (2.31) Assim, substituindo a equao (2.31) na equao (2.30), resulta oa
Sg = Sa (1-o Kt)
(2.32)
A forma simplificada de R/R versus a indicado pela equao (2.24) normalmente usada para o clculo da resposta do SG. importante notar que esta equao aproximada a menos que Kt ou t seja igual a zero. Exerccio: Calcule o erro cometido na valor verdadeiro de a em considerar Sg =Sa e em no levar em conta a tenso transversal t no SG que apresenta um fator de cross-sensibilidade igual Kt.
3) Sensores pticos
3.1) Introduo
A tecnologia tica um tema bastante vasto cobrindo assuntos que vo de ptica geomtrica , incluindo lentes, prismas, grades de difrao at tica fsica com laser, giroscpio de fibra tica, converso de freqncia, e fenmenos no lineares. Estes assuntos so muitos interessantes, mas no momento o nosso interesse familiarizar-mos com os princpios ticos e o conhecimentos de uma transduo especifica com o uso de sensores ticos. Antes de falarmos sobre sensores ticos propriamente , faremos um breve resumo de alguns conceitos relacionados com a medidas de grandezas ticas ou genericamente falando, de radiao em geral.
Velocidade de propagao
a radiao EM propaga-se pelo vcuo com uma velocidade independente da freqncia e do comprimento de onda. Neste caso, a velocidade dada por c = . f
(3.1)
Sensores e Condicionamento de Sinais 53 onde c = 2.999 x 108 m/s 3 x 108 m/s = velocidade da radiao EM no vcuo = comprimento de onda em metros f = freqncia em hertz (Hz) Quando tal radiao move-se atravs de meio que no o vcuo, a velocidade de propagao reduzida para um valor menor de que c. A nova velocidade est relacionado com o ndice de refrao do meio que definido por n= onde n = o ndice de refrao do meio v = a velocidade da radiao EM no meio. Unidade de comprimento de onda A descrio mais consistente da radiao EM via a sua freqncia ou o seu comprimento de onda. Para muitas aplicaes, esta especificao feita atravs da freqncia da radiao, como em um sinal de 100 MHz de rdio ou de 1 GHz de microonda. Por conveno, entretanto, tem se tornado mais comum descrever a radiao EM pelo seu comprimento de onda. Isto particularmente verdadeiro perto da banda visvel. A unidade usada metros com os prefixos associados. Assim, por exemplo, um sinal de 10 GHz descrito por um comprimento de onda de 30 mm. Outra unidade comumente encontrada o Angstrom (A), definido como 10-10 m. assim, a luz vermelha descrita como uma radiao EM como tendo um comprimento de onda de 0.7 m ou 7000 A. Espectro da radiao EM O espectro da radiao EM mostrado na figura 3.1). Este espectro vai desde ondas longas de rdio ao raios csmicos de onda extremamente curta. O estudo das propriedades e caractersticas destas radiaes, como elas interagem com os dispositivos, e as caractersticas das fontes e receptores de radiao, chamado de Radiometria. Na radiometria, ns medimos radiaes com dispositivos eletrnicos, e o resultados dessas medidas so expressadas em unidade da fsica (como, watts, watts/m2, etc). A cincia da radiometria relativamente nova. Ela nasceu com o surgimento da tecnologia eletrnica no comeo do sculo. O espectro do radiometria inclui comprimentos de onda de 400 a 700 nm, o intervalo da luz visvel. A grande maioria dos dispositivos optoeletrnicos operam neste intervalo cujo o principal objetivo interagir e comunicar com os seres humanos. Portanto, o receptor final o olho humano. A cincia que trata com a luz visvel e sua percepo com a viso humana chamada de Fotometria. c v (3.2)
(m)
106 105
Regio Espectral
Audio
Rdio
102 101
107 108 1m
9 GHz 10
Infravermelho
VHF (very high frequency) UHF (ultra high frequency)
Televiso
10
-1
700 nm
SHF (super high frequency)
Radar
10
10
650 nm
INFRAVERMELHO
10-5
10-6
Iluminao
ULTRAVIOLETA
R a d i o m e t r i a
F o t 550 nm o m e t 500 nm r i a
450 nm
600 nm
RAIO-X
400 nm
RAIOS GAMMA
ULTRAVIOLETA
10-13 1022
RAIOS CSMICOS
Sensores e Condicionamento de Sinais 55 A fotometria, ao contrrio da radiometria, uma cincia antiga, criada por cientistas e artistas no sculo dezenove. Existem diferenas fundamentais entre a radiometria e a fotometria. A mais significante involve o dispositivo receptor ou de medida. Na radiometria, as medidas so feitas com dispositivos eletrnicos objetivos; na fotometria, a medida feita pelo o olho humano. Outra diferena, que, na fotometria as unidades de medidas usadas so diferentes: a potncia de luz (fluxo luminoso) medida em lmens (1 watts = 683 lmens) , ao invs de watts, e a densidade de potncia medida em lux, ao invs de watts/m2.
RE =
V0 I
ou
I0 I
(3.1)
onde RE V0 I0 I = = = = a responsividade (V/W), (V/l), (A/W),ou (A/lm) a voltagem de sada do detetor (V) a corrente de saida do detetor (A) a radiao ou o fluxo luminoso aplicado (W), (lm)
A responsividade pode ser especificada (calculada) para um comprimento de onda especfico ou integrada para um intervalo de comprimento de onda.
Potncia de rudo equivalente (NEP) - uma figura de mrito de um detetor e descreve o menor nvel de radiao detectvel. De forma mais precisa o NEP a potncia de radiao de entrada que produz na sada do detetor uma razo sinal/rudo igual a 1 ou 0 dB.
Sensores e Condicionamento de Sinais 56 Assim, admitindo que a corrente de rudo (ou tenso) igual a IN (rms) o NEP pode ser calculado como segue temos S/N = 1 = I0/IN = RE x NEP/ In logo NEP = IN/RE onde NEP = a potncia de rudo equivalente (W) RE = a responsividade (A/W) ou (V/W) IN = a corrente ou voltagem de rudo (a) ou (V) (3.3) (3.2)
O NEP depende da rea do detetor e da largura banda de freqncia. Um menor NEP indica que o detetor capaz de medidas mais sensveis. Desde que ns estamos acostumados a usar maior nmero para maior figura de mrito, comum o uso do termo detectividade. Detectividade - o recproco de NEP:
D = 1/NEP = RE/IN
(3.4)
Um detetor mais sensvel que pode detectar um menor nvel de radiao tem uma maior detectividade que um menos sensvel. A detectividade, assim como NEP, tambm depende da largura de banda e da rea do detetor. Para eliminar esta dependncia , uma figura de mrito normalizada usada. D* (pronuncia-se d estrela) - a detectividade normalizada para um detetor de rea igual 1 cm2 e largura de banda de rudo igual a 1 Hz:
D = D AD f = AD f onde
1 NEP
(3.5)
D* = a detectividade normalizada (cm x Hz1/2/W) AD = a rea do detetor (cm2) f = largura de banda de rudo (hz)
Eficincia quntica - Descreve a eficincia intrnseca de um detetor. a razo do nmero de fotoeltrons gerados com um nmero de ftons incidentes, em um dado comprimento de onda. Um detetor ideal com uma eficincia de 1 produz 1 eltron por 1 fton incidente. A eficincia quntica pode ser calculada da responsividade pelo seguinte equao:
= 1.24 103 RE
onde
(3.6)
= a eficincia quntica RE = a responsividade no comprimento de onda (A/W) = o comprimento de onda da radiao (nm).
Tempo de resposta - um fator crtico para muitos detetores, especialmente aqueles usados em comunicao. Este pode ser expresso de duas maneira, como uma constante de tempo ou como um tempo de subida e descida (rise-and-fall time). A constante de tempo usada quando a resposta exponencial, que normamente o caso com detetores trmicos. Este o tempo que o detetor requer para alcanar (1-1/e), ou 63%, do seu valor final. O tempo de subida e descida o tempo requerido para alcanar de 10% a 90% da resposta final. A figura 3.2) ilustra este termos. O tempo de subida e descida determina a maior freqncia do sinal que o detetor responde. Uma boa aproximao do ponto -3dB da resposta em freqncia e o tempo de subida expresso pelo seguinte equao:
f-3dB = 0.35/tR
(3.7)
onde f-3dB = ponto -3dB da reposta em freqncia do detetor (Hz) tR = o tempo de subida (s).
100%
63%
Tempo de subida
Tempo de descida
a)
b)
Sensores e Condicionamento de Sinais 58 Rudo no detetor - A eletricidade (fluxo de eltrons) e a radiao (fluxo de ftons) so de natureza discretas. O fluxo destes portadores nestes fenmenos no constante mas exibe uma variao randnicas. Desta forma, todo portadora de sinal nestes meios sempre contm uma componente de freqncia randnica, chamada rudo. O rudo um fator crtico no projeto de sistemas de deteco de baixo nvel. O rudo mascara o sinal de baixo nvel fazendo sua deteco impossvel. Assim, a compreenso da natureza do rudo e a sua origem essencial para estes sistemas. O rudo no sistema pode ser gerado nas fontes de radiao, no detetor e tambm no circuito de condicionamento do sinal. Vrios tipos rudo ento presentes no sinal, entre estes podemos citar:
Branco
Rudo trmico, Nyquist ou Johnson ----------- sempre presente no resistor Branco Rudo Shot ------------------------------------------- sempre presente no semicondutor Branco Rudo de gerao e recombinao --------------- sempre presente no semicondutor 1/f Rudo 1/f ou Flicker ---------------------------------sempre presente no semicondutor e carbono
Rudo trmico (Itrms) - causado pelo movimento trmico de partculas carregadas num elemento resistivo. Este rudo gerado em todo resistor, no importando o tipo a construo. A voltagem ou corrente de rudo depende do valor da resistncia da temperatura e da largura de banda do sistema. (tabela 3.1) Rudo Shot (Isrms) - gerada num fotodetetor (semicondutor), causada pelo natureza discreta dos fotoeltrons gerados. A corrente de rudo depende da corrente mdia que passa atravs do fotodetetor e da largura de banda do sistema. (tabela 3.1) Rudo de gerao e recombinaao (IGRrms) - gerada num fotocondutor (semicondutor), causada pelas flutuaes na taxa de gerao, de recombinao , ou de armadilhas dos portadores de correntes no fotocondutor ou semicondutor. Este tipo de rudo predominante em detetores fotocondutivos operando no infravermelho. (tabela 3.1) Rudo 1/f ou flicker (Ifrms) - gerado em todos condutor no metlico, por exemplo em semicondutores e carbono . At hoje, no existe uma boa explicao para a sua origem. Este depende do material semicondutor usado e seu tratamento da superfcie. Tambm, no existe uma equao exata para calcular o rudo, mas este segue uma relao mostrada na tabela 3.1). Este rudo apresenta uma importante caracterstica: a densidade epectral de potncia do rudo inversamente proporcional a freqncia. Normalmente este rudo predominante em freqncia abaixo de 100Hz e existe em todo semicondutor que necessita de uma corrente de polarizao para sua operao. O rudo equivalente total (INeq) pode ser calculado pela adio de todas as corrente ou voltagem de rudo, como mostrado abaixo:
I Neq =
(3.8)
Circuito
ITrms
VTrms = 4 kTRf
Frmula
I Trms =
ou
4kTf R
a I Frms = C I DC
f fb
Parmetros
k = constante de Boltzmann (1.38x10-23) T = temperatura absoluta f = largura da banda do sistema R = valor da resistncia
q =carga do eltron Imdia= corrente mdia que atravessa o fotodetetor f = larg. da banda do sistema
q =carga do eltron G = n de eltrons gerado/n de foton =eficincia qun. E =radiao incid. A = rea do detetor f = larg da banda do sistema
C, a,b = constante arbitrria IDC = Corrente mdia atravs do con. f = freqncia de operao f = larg. da banda do sistema
Classificao
Os detetores de radiao podem ser classificados em dois tipos, dependendo da sua resposta espectral (O intervalo de comprimento de onda ou freqncia que o detetor responde). Estes tipos so: a) Detetor de banda larga; b) Detetor de banda estreita.
Com relao ao princpio de operao os detetores podem ser divididos em vrios grupos. A figura 3.3) mostra os vrios grupos de detetores segundo o princpio de operao. Os dois grupos mais importante so: a) Detetores Trmicos; b) Detetores Fotoeltricos.
Detetores Trmicos
Detetores Pneumticos
Detetores Fotoeltrico
Detetores Qumicos
Detetores Biolgicos
Golay
Filme Fotogrfico
Olho humano
Termopar Termopilha
Bolometro
Piroltico
Fotoclula Vcuo
Foto multiplicador
Multiplicador microcanal
Fotodetetor de juno
Fotocondutor
Fotodetetores amplificados
Fotodetetores no amplificados
FotoTRIAC FotoSCR
Fototransistor
FotoFET
CCD
Clula solar
Fotodiodos
Sensor
Condicionamento do sinal
Converso do Sinal
Sada digital
Figura 4.1) Condicionamento do sinal Ns quase sempre descrevemos o efeito do condicionamento de sinais pelo termo funo de transferncia. Assim, um simples amplificador de voltagem tem uma funo de transferncia uma constante que, quando multiplicado pelo sinal de entrada, dar o sinal de sada.
Sensores e Condicionamento de Sinais 62 possvel categorizar um condicionamento de sinais em vrios tipos, como veremos a seguir, estes principais tipos so: 1) 2) 3) 4) 5) 6) Mudana no nvel; Linearizao; Converso; Isolao; Filtragem e Casamento de impedncia.
Mudana no nvel
O deslocamento de nvel o mtodo mais simples e mais usado condicionamento de sinais. Um exemplo tpico a necessidade de amplificar ou atenuar um nvel de voltagem. Geralmente , em aplicaes de controle de processo resulta em sinais que variam lentamente com o tempo (baixas freqncias), onde amplificadores DC ou de baixas freqncias podem ser utilizados. Um fator importante na escolha destes amplificadores a sua impedncia de entrada. Em controle de processo os sinais so sempre representativos de alguma varivel do processo, e qualquer efeito de carregamento afetar o correspondncia entre o sinal medido e o valor da varivel. Em alguns casos , tais como acelermetros ou detetores pticos, a resposta em freqncia muito importante.
Linearizao
Como foi visto, o projetista tem pouca escolha sob a caracterstica de sada do sensor versus varivel de processo. Normalmente a dependncia que existe entre a entrada de a sada no linear. At mesmo aqueles dispositivos que so aproximadamente linear podem apresentar problemas quando necessrio uma medida precisa de uma varivel. Uma das funes do condicionamento de sinais a de linearizao da resposta do sensor. Atualmente, com o surgimento de processadores de sinais digitais, os chamados DSP, faz com que o projetista do sistema, em algumas aplicaes resolva por linearizar o sinal aps a converso do mesmo no DSP. A linearizao pode se realizada por uma amplificador cujo o ganho funo do nvel de voltagem de entrada. Um exemplo de linearizao ocorre freqentemente para um sensor cujo a sada uma funo exponencial de alguma varivel de dinmica de processo. A figura 4.2) ilustra este tipo de comportamento onde a voltagem do sensor assumida ser exponencial com relao a intensidade de luz I. Isto pode ser expresso por VI = VO exp(-I ) onde VI V0 I = a voltagem de sada na intensidade I = a voltagem de sada na intensidade zero = a constante exponencial = a intensidade de luz
(4.1)
Sensores e Condicionamento de Sinais 63 Para linearizar este sinal, ns empregamos um amplificador cuja sada varia no logartmico natural ou inverso do sinal de entrada. Isto na prtica poderia ser implementado com um diodo colocado na malha de realimentao de um amplificador operacional. Feito isto a sada pode ser expressa por
VA = K ln(Vin) onde VA = a voltagem de sada do amplificador K = a constante de calibrao Vin = a voltagem de entrada do amplificador = VI [da equao (4.2)]
(4.2)
VI V0
V o l t a g e m d e s a d a
Varivel dinmica
Substituindo a equao 4.1) na equao 4.2) e sendo Vin = VI, resulta VA = Kln( VO ) KI
(4.3)
onde todos os termos j foram definidos Desta forma a sada do amplificador variar linearmente com a intensidade e tendo uma voltagem de offset Kln(Vo) e um fator de escala -K como mostrado na figura 4.3). Um condicionamento de sinal posterior pode ser realizado para eliminar a tenso de offset.
VA
V o l t a g e m d e s a d a
Figura 4.3) Sada linearizada Converses Freqentemente, o condicionamento de sinais usado para converter um tipo de variao eltrica em outra. Assim, como vimos anteriormente, uma grande quantidade de sensores fornece mudana na resistncia quando a varivel dinmica muda. Neste caso, necessrio projetar um circuito que converte variao de resistncia em sinal de corrente ou tenso. Quando a variao pequena isto normalmente feito com um circuito na forma bem conhecida de ponte. Ou atravs de um amplificador cujo ganho depende deste resistor, quando a variao for grande. O circuito de ponte extremamente utilizado e por isso, mais adiante, faremos uma descrio deste mais detalhada. Outros tipos de converso so necessria devida a imposies do sistema, como por exemplo, quando o sinal da varivel dinmica de interesse monitorada a distancia. Nestes caso, comum converter o sinal em corrente no padro conhecido como 4-20mA. Nestes circuitos conversores corrente x tenso e tenso x corrente so utilizados. Quando a distancia maior ainda o uso da telemetria (medidas remotas de variveis dinmicas) sem fio utilizada, e a converso do sinal numa forma de fcil propagao (modulao AM, FM, etc.) feita. Outra forma de converso comum em algumas aplicaes onde uma preciso, apenas moderada exigida, converter o sinal em um sinal digital de intervalo de tempo, ou um em sinal digital PWM (pulse width modulated). Desta forma possvel eliminar uma possvel converso AD, e assim reduzir custos.
Sensores e Condicionamento de Sinais 65 Isolao Em alguma situaes na prtica possvel que o sinal do sensor contenha uma voltagem de modo comum muito acima do valor mximo tolervel do circuito de condicionamento de sinal. Nesta situao faz-se o uso de amplificadores isolados para interfaciar este sinal ao circuito de condicionamento e aquisio de sinal.
Filtragem
Outra forma de condicionamento de sinal consistem em filtragem do sinal. Freqentemente, sinais esprios de considervel intensidade esto presente em ambiente industrial, tais como sinais da linha de 60 Hertz, transientes de motores e outros sinais indesejveis. Em muitas situaes necessrio a utilizao de filtros passa altas, passa baixa ou rejeita faixa para eliminar ou minimizar este sinais indesejveis. Estes filtro podem ser implementados apenas com elementos passivos, como resistores, capacitores ,indutores, ou filtros ativos, com o uso de amplificadores realimentados.
Casamento de impedncia
O casamento de impedncia uma caracterstica importante na interface entre sistemas, quando um a impedncia interna do sensor ou a impedncia da linha podem causar erro na medida da varivel dinmica. Neste caso, tanto malhas ativas ou passivas podem ser empregadas para realizar tal casamento.
Sensores e Condicionamento de Sinais 66 e desvantagem com relao aos outros dispositivos projetados com tecnologias, Bifet e Cmos. Na tabela 3.1 ns mostramos um resumo das principais vantagens e desvantagens, alm de alguns valores tpicos de parmetros e a lista dos principais fabricantes.
Vantagens
Baixa e estvel correntes de offset Baixa voltagem de rudo Alto ganho e preciso Fonte simples ou bipolar Correntes de bias estveis
Desvantagens
Altas correntes de bias e de offset Desempenho AC limitado
Fabricantes
Sensores e Condicionamento de Sinais 67 apresentam uma menor voltagem de rudo entre dispositivos disponveis comercialmente. A voltagem de rudo de amplificador bipolar devido principalmente ao rudo trmico da resistncia de spreading (rbb) de base e da resistncia de pequeno sinal (re = 1/gm) de emissor. Estes, e outros fatores, podem ser otimizados para conseguir Op. Amp. com voltagem de rudo to baixa quanto 2nV/Hz. Este desempenho impossvel de ser alcanado com amplificadores com transistores FET de entrada. Quando interfaciando com fontes de sinal de alta impedncia entretanto, estes amplificadores tornam-se inferior ao projeto com CMOS, devido a sua alta corrente de rudo. Alto ganho A transcondutncia, gm, do transistor bipolar do estgio de entrada alta e portanto o ganho de malha aberta relacionado tambm alto. Isto possibilita que projeto de circuito sejam mais precisos que aqueles com Bifet e Cmos. O alto ganho, entretanto, significa uma malha de compensao necessria para garantir estabilidade, o que no acontece com JFETs, permitindo alcanar maior slew rate.
As principais desvantagens do amplificador operacional bipolar so: Alto offset e correntes de bias (polarizao DC)
Devido ao estgio de entrada bipolar, as correntes de bias (efetivamente as correntes de base dos transistores de entrada), so altas. O uso de vrias tcnicas tais como, uso de transistores NPN superbeta, circuitos de cancelamento de corrente de bias, podem ser usadas para reduzir estas correntes, entretanto ser muito difcil para o transistor bipolar competir com projetos FET a temperatura ambiente (as corrente de estgios com FET dobram a cada 10 C). As correntes de bias de projetos bipolares so, entretanto, muito mais estveis que a de projetos com entrada FET. Em alta temperatura possvel at que as corrente de estgio com FET sejam mais elevadas que com bipolar, particularmente com superbeta. PNPs de baixo desempenho Os transistores PNPs laterais so mais lentos ( e mais ruidoso) que os transistores NPNs no mesmo processo. Uma tecnologia tpica bipolar produz PNPs com FT (largura de banda do transistor) de 3 MHz, enquanto os NPNs tem FT de 150 MHz. Como muito difcil projetar um dispositivo sem fazer uso de transistores PNPs, o desempenho AC global do amplificador severamente limitado. Para fugir desta imposio muito fabricantes desenvolveram tecnologias bipolar complementar que tem PNPs verticais rpido com FTs similares aos do NPNs. O resultado que Op. Amp. bipolar com produto ganho x banda do ordem de 1 Giga Hertz podem ser alcanado. A Texas Instruments possui um processo bipolar chamado Excalibur que alm de possuir PNPs de alto desempenho inclui outras caractersticas necessrias para o desenvolvimento de amplificadores de alta performance.
Vantagens
Baixa correntes de bias e de offset Baixa corrente de rudo Bom desempenho AC
Desvantagens
Pobre e instvel voltagem de offset Somente fonte bipolar Baixo ganho Alta voltagem de rudo Fabricantes
Sensores e Condicionamento de Sinais 69 correntes de bias extremamente baixas. Isto acarreta vantagens significantes para muitas aplicaes incluindo integradores, sample-hold e circuito tipo filtros. Entretanto, um cuidado especial deve ser tomado em aplicaes envolvendo altas temperaturas, pois as correntes de bias destes Op. Amp. dobram a cada 10 C com o aumenta da temperatura. Desempenho AC melhorado Quando os JFETs so utilizados na entrada de um Op. Amp., o resultado um que o ganho diferencial do estgio de entrada ser bastante reduzido com relaco ao estgios com bipolar. Portanto, o capacitor de compensao (que fornece estabilidade ao dispositivo) pode ser reduzido resultando num aumento significativo no Slew rate . Para uma mesma corrente de alimentao um Op. Amp. Bifet pode facilmente ter um Slew rate cerca de 5 (cinco) vezes maior do que o equivalente bipolar. Corrente de rudo reduzida A corrente de rudo de entrada de Op. Amp. Bifet determinada pela rudo shot da corrente de porta, que muito baixa a temperatura ambiente. Isto significa em baixa corrente de rudo de entrada , que muito importante quando a impedncia da fonte de sinal muito elevada.
Vantagens
Baixas correntes de bias e corrente de rudo Preciso Chopper Fonte simples e bipolar
Desvantagens
Fabricantes
As principais vantagens do amplificador operacional CMOS so: Operao com fonte simples
De longe a principal vantagem do uso de Op. Amp. CMOS sua excelente operao em aplicaes em fonte simples. O uso de transistores PMOS no estagio de entrada e NMOS no
Sensores e Condicionamento de Sinais 71 estgio de sada possvel conseguir amplificadores com intervalo de tenso modo comum que incluem os valores limites da fonte de alimentao e o estgio de sada pode atingir o extremo inferior da fonte de alimentao. Esta caracterstica juntamente com o seu baixo consumo obviamente o torna ideal para aplicao com baterias.
As principais desvantagens do amplificador operacional CMOS so: Intervalo de voltagem de alimentao limitada
Embora ideal para aplicao com fonte simples, a maior parte de transistores CMOS no opera com tenso de alimentao maior que 16 V. Esta uma limitao para o uso deste amplificadores em aplicao em instrumentao.
Ama 1 + Ama .
(4.4)
o ganho de malha fechada (Vout/Vin) o ganho de malha de malha aberta o ganho da malha de realimentao (V-/Vout) a entrada no inversora do Op. Amp.
Usando o modelo acima aumenta consideravelmente a preciso do modelo mas pode aumentar a complexidade de anlise, especialmente em sistemas com muitos Op. Amp. Com o advento do Computador Pessoal (Personal Computer , PC), um modo muito simples de fazer anlise de circuitos com Op. Amp. se fez possvel: Macro modelos de Op. Amp.. O macro modelo um modelo simplificado do Op. Amp. que leva em conta todos os seus parmetros chaves (veja figura 4.4 c). Atualmente vrios fabricante de CIs (circuitos integrados) fornecem junto com os seus Data Sheets, macro modelos de Op. Amp. que so compatveis com vrios pacotes de simulao eltrica, um exemplo o MICROSIMS PSPICE. O macro modelo usa transistores reais para modelar o estgio de entrada do Op. Amp. Fonte de corrente, de tenso e componentes passivos so utilizados para modelar o ganho e caracterstica de resposta em freqncia dos vrios estgios. Cada parmetros so derivados das
Sensores e Condicionamento de Sinais 73 especificaes do Op. Amp. e assim a simulao realizada com alto nvel de preciso. Os macro modelos, assim como tudo, permite um compromisso entre desempenho timo e velocidade de computao, custo e facilidade de utilizao. Um modelo completo do Op. Amp. dar um melhor representao do dispositivo mas consumir muito tempo de simulao e maior custo. A figura 4.4) mostra um resumo dos modelos acima mencionados, sendo que o macro modelo mostrado apenas para efeito de ilustrao.
vin
Rs
Rf vin vout
v out =
A(s) *v 1+ A(s). in
Curto virtual
vin - vout
A(s) vout Rf Rs
v out =
Rf * v in Rs
Rf Rf + Rs
a)
Vcc+
In+
In-
Vcc-
c)
Sensores e Condicionamento de Sinais 74 sistema. Ele pode ser usado como uma medida dos erros do sistema. Na maior parte das aplicaes os dispositivos que tero maior efeito no desempenho do sistema como um todo, sero aqueles do estgio de entrada , desde que no existe nenhuma forma de eliminar os erros introduzidos. A configurao mais bsica de um Op. Amp. mostrado na figura 4.5). os transistores do estgio de entrada no perfeitamente casados e assim existe um offset entre eles. Esta voltagem de offset tambm dependente da tenso de alimentao e da voltagem de modo comum na entrada. Estes efeitos so normalmente conhecidos como Razo de Rejeio de fonte de alimentao (PSRR, do ingls, Power Supply Rejection Ratio) e Razo de Rejeio de Modo Comum (CMRR, do ingls, Common Mode Rejection Ratio) respectivamente. Estes parmetros pode ter uma influncia elevada se a voltagem de offset do dispositivo for pequena. Os transistores de entrada tambm so os responsveis pela corrente de bias do Op. Amp.. Estas correntes de bias podem adicionar uma voltagem de offset equivalente devido a passagem das mesma pelos resistores vistos pelas as entradas inversora e no-inversora. Por exemplo, para uma configurao de amplificador inversor , a resistncia da entrada inversora ser igual a resistncia de fonte em paralelo com o resistor de realimentao, e a resistncia da entrada noinversora deve ser igual a mesma de modo a minimizar o valor da voltagem de offset equivalente. A voltagem de offset pode tambm variar devido a mudana na temperatura de juno dos transistores de entrada e durante o tempo de vida do dispositivo. Erros dc podem tambm ser introduzidos pelo ganho de malha aberta finito. A grande maioria das aplicaes assume o ganho do Op. Amp. infinito. Mas quando o projeto exige uma preciso melhor do que 0.1%, o erro devido a ganho finito pode ser um fator limitante.
Vcc+
In+
Vout
In-
Vcc-
Figura 4.5) configurao bsica de um Op. Amp. Erro devido a rudo de baixa freqncia pode um grande problema em aplicaes DC. Neste caso somente o rudo flicker (1/f) predominante e deve ser considerado. Portanto a seleo do dispositivo com baixo rudo 1/f de extrema importncia. Todos estes erros somados de forma adequada limitar a preciso do sistema. A seguir daremos um maior formalismo a esta questo.
Sensores e Condicionamento de Sinais 75 normalmente expresso em dB e definido como a razo do mximo sinal de sada e o erro total na sada. Esta medida normalmente usado em aplicaes AC onde rudo de banda larga pode ser freqentemente um fator limitante do desempenho do sistema como um todo. Entretanto, com o aumento de processamento de sinais digitais comum expressar a preciso do sistema em termos do nmero de BITs. A figura 4.6) mostra um Op. Amp., incluindo todos os seus erros de entrada, na configurao no inversora. E a figura 4.7) todos os erros relacionados com o projeto DC, e o range dinmico.
Bits de Preciso
Erros referenciados a entrada
Erros de offset de entrada I I0 = I IB+ I IBVIE = VIO + VN(PP) + VPSRR + VCMRR Erros relacionados ao ganho VIN 1 1 V0 = VIN + A VD 1 Erro total referenciado a entrada VIN R S I IO + I IB (R F R S ) + VIE VIET = 1 + A VD Erro total na sada
V0ET R I R V = S IO + I IB R F S + IE 1 + A VD V0(max)
IIB-
RF RSH
IIO VIN VIE VCC+ 10%
AVD
V0
VCC- 10%
RS
IIB+
R SH R SH + R F
V0 V V = I IB + V = V0 I IB R F RF R SH
VID = V+ - V- = = VIN R S I IO + I IB (R F R S ) + VIE V0
Erro Total VIO Drift IIB VN(PP) PSRR CMRR Erro Ganho
Figura 4.7) Erro relacionados com projeto DC e faixa dinmica A voltagem vista pela entrada no inversora ser: V+ = VIN R S I IB + VIE (4.5)
onde VIE inclui a voltagem de offset do dispositivo e tambm a sua razo de rejeio de fonte de alimentao e de modo comum, assim como rudo de baixa freqncia. VIE = VIO + VN(PP) + VPSRR + VCMRR
(4.6)
Somando as correntes que flui na entrada inversora: V O V V = I IB + RF R SH A voltagem na entrada inversora ser: (4.7)
onde
RSH RSH + RF
(4.8)
(4.9)
Sensores e Condicionamento de Sinais 77 A voltagem de sada, Vo, igual VID multiplicado pelo ganho de malha aberta do Op. Amp.(e ignorando as voltagens de offset)
VO = VID A VD =
VIN 1 VIN (1 + A VD )
(4.10)
Referenciando esta e os outros erro de offset de entrada, o erro total referenciado a entrada, VIET, igual
VIET =
VIN R S I IO + I IB (R F R S ) + VIE 1 + A VD
(4.11)
Todos erros sero multiplicado pelo ganho no inversor do Op. Amp. (1/) para dar um erro total na sada, VOET:
VOET =
VIN R I R V S IO + I IB (R F S ) + IE (1 + A VD )
(4.12)
A mxima faixa dinmica ser alcanado quando o sinal de sada atingir seu mximo valor, de modo que o
VOET =
VIN(MAX) (1 + A VD )
R S I IO R V + I IB (R F S ) + IE
(4.13)
A mxima faixa dinmica do sistema ser portanto igual a mxima sada, VO(MAX), dividido pelo erro total, V0ET. Convertendo em decibeis vem: V Faixa dinmica = 20Log 0ET VO(MAX) (dB) (4.14)
(4.15)
(4.16)
= Faixa dinmica/6.02 - 1
(4.17)
Esta uma outra forma de medir a preciso de um sistema, e pode ser usada quando relacionarmos o desempenho de um Op. Amp. com um conversor AD. Para se ter uma noo do estado da arte em amplificadores de preciso para aplicao DC, a figura 4.8) mostra os erros de um amplificador operacional de preciso fabricado pela Texas Instruments.
Voltagem de Offset
TLE2027A..........25V mx TLE2027 .........100V mx Ganho de malha aberta 45 V/V ou 153 dB Voltagem de rudo 3.3 nV/Hz @ 10 Hz 2.5 nV/Hz @ 1 kHz Produto Ganho Banda 15 Mhz Corrente de Bias
Cancelamento de correntes de bias tpica 15 nA
TLE2027
100V 25V 9V 1.4V
VIO
Obs: PSRR medido com 10% sobre 15V CMRR medido com volt. de modo comum igual 5 V
v1
R1
R2 vout
v2
R3
v out =
R2 * (v 2 v1 ) R1
R4
Obs: Se R2 = R4 e R1 = R3
Figura 4.9) O mais simples amplificador de instrumentao Estes problemas podem ser contornados pelo o uso da configurao de trs Op. Amp. como mostra a figura 4.10). Os amplificadores A1 e A2 fornecem um alto ganho diferencial enquanto mantm um ganho de modo comum igual 1. Outra vantagem que a impedncia de entrada do amplificador agora a impedncia do Op. Amp. A escolha do Op. amp. ser agora muito importante do desempenho do amplificador de instrumentao, por isso para uma performance tima os erros associados com cada amplificador devem ser reduzidos.
VOE2
A2 17.4 k IIB-
R8
1 k
R9
1 k
R4 R3
174
IIBA3
vo
V0 = 10 V VOET = 28.5 mV VIRE = 142 V
R5
17.4 k A1 IIB+ VIE+(3) VIO
R1 v1
175
VOE1
VIE+(1)
R6 R7
Calcule as fontes de erro e o erro total do amplificador de instrumentao de preciso mostrado na figura 4.10.
O amplificador Choppper
Vcc+
In+
Vout
CC
In-
Vcc-
O produto ganho banda limitado do Op. Amp. tambm reduz o seu PSRR e o seu CMRR quando a freqncia aumenta. Isto aumenta os efeitos de rudo de alta freqncia devido a fonte de alimentao, assim como erros devido aos sinais de modo comum de alta frequncia. O capacitor de compensao tambm limita a razo na qual a voltagem de sada do segundo estgio pode mudar, intoduzindo um limite no slew rate do dispositivo. Isto um outro fator limitante na preciso AC. Todos estes erros somados de forma adequada limitar a preciso do sistema. A seguir daremos um maior formalismo a esta questo.
1/2
(4.x)
VO = (
I2 R 2 N F
4kT 2 + 4kTR F + RF R SH
1/2
(4.x)
Est voltagem pode ser referenciada a entrada no inversora simplesmente dividindo-a pelo ganho de malha fechada (1+RF/RS), resultando num rudo total, ENT na entrada no inversora igual
2 2 E 2 = VN + 4kTR S + I 2 R S + NT N
4kTR F R SH I2 R 2 R 2 + N F SH 2 R F + R SH (R F + R SH )
(4.x)
Erros de entrada AC
Alm do rudo existem os erros devido a razo de rejeio de fonte de alimentao e razo de rejeio de modo comum. Estes erros normalmente no so correlacionados de modo que estes so somados RMS
(4.x)
Assim o erro total na sada do Op. Amp. ser a soma RMS dos erros de entrada AC, dos erros total de rudo e dos erros devido ao ganho.
Sensores e Condicionamento de Sinais 84 Erros devido ao ganho Os erros devido ao ganho ser agora ligeiramente diferente do caso DC devido a reduo e o deslocamento de fase do ganho de malha aberta. O ganho de malha aberta, AMA de um Op. Amp. compensado com um polo dominante em fP pode ser expresso por:
A MA =
A VD jf 1 + fP
(4.x)
onde AVD o ganho de malha aberta DC. Usando um Op. Amp. com realimentao igual resulta num ganho de malha fechada, AMF, igual :
A VD jf 1 1 + fP = = A VD 1 jf 1+ 1 + + A VD A VD f P jf 1 + fP
A MF
(4.x)
Assim o erro devido ao ganho, VOGE, que aparece na sada com excurso mxima :
1 = 1 2 2 1 f + + 1 + A VD f P A VD V O(MAX)
VOGE
(4.x)
Todos estes erros somados produz na sada do Op. amp. um erro total na sada, VOET, para uma mxima excurso de sada igual :
2 VOET =
2 2 VIE + E 2 BW 2 + VOGE NT
(4.x)
Sensores e Condicionamento de Sinais 85 onde BW a largura da banda de rudo do Op. Amp. Uma vez determinado o erro total na sada a mxima faixa dinmica e/ou os Bits de preciso pode ser calculado pelas equaes definidas na seo de aplicaes DC. V Bits de preciso = Log 0ET VO(MAX)
Log 2 1
(4.x)
= Faixa dinmica/6.02 - 1
(4.x)
Os erros introduzidos pela distoro harmnica total do dispositivo outro parmetro que pode ser adicionado ao erro de entrada ac. Estes so normalmente baixos, desde que o ganho de malha (AMA) seja maior que 100. O nvel de distoro muito dependente do projeto e da tecnologia sendo que os de melhor desempenho com relao a este parmetro a tecnologia bipolar. A literatura mostra que hoje (1997) est disponvel comercialmente Op. Amp. com distoro harmnica to baixa quanto 0.00008%, na banda de adio. Os efeitos do Slew rate no desempenho do sistema difcil de ser quantificado. normalmente este s limita a banda til, ao invs de introduzir distores diretas em sinais de baixa freqncia. A figura 4.x) mostra todos os erros relacionados com o projeto AC, e a faixa dinmica. A figura 4.x) mostra um Op. Amp., incluindo todos os seus erros de entrada, na configurao no inversora.
Bits de Preciso
Erros referenciados a entrada
Rudo
2 2 V+ = VIN + [VN + 4kTRS + I2 RS N
4kT/RF
IN
1/ 2
RF RSH 4kTRS
VIN VIE VCC+
4kTRF
VO = V-
AVD(s)
2 I2 R 2 RSH N F
V0
VCC-
RS
IN
Erros de entrada AC
2 2 2 VIE = VCMRR + VPSRR
1 1 + 1 A VD
2
Para se ter uma noo do estado da arte em amplificadores de preciso para aplicao AC, a figura 4.x) mostra os erros de um amplificador operacional de preciso AC fabricado pela Texas Instruments.
f =10 Hz f =1 kHz
Voltagem de rudo 3.3 nV/Hz @ 10 Hz 2.5 nV/Hz @ 1 kHz Corrente de rudo 1.5 pA/Hz @ 10 Hz 0.4 pA/Hz @ 1 kHz Ganho de malha aberta 45 V/V ou 153 dB Produto Ganho Banda TLE2037..........76 MHz TLE2237......... 50 MHz Caractersticas de sada baixa distoro < 0.002% recuperao de saturao slew rate 7.5 V/s
nV
15V
10V
300nV
200nV
4nV
1000 pV
.6nV
100 10
0.002%
VN(PP) THD
Obs: PSRR medido com 10% sobre 15V CMRR medido com volt. de modo comum igual 1 V IN dado em A/Hz
Fontes de Rudo
O rudo um fator crtico no projeto de sistemas de deteco de baixo nvel. O rudo mascara o sinal de baixo nvel fazendo sua deteco impossvel. Assim, a compreenso da natureza do rudo e a sua origem essencial para estes sistemas. Vrios tipos de rudo ento presentes no sinal, entre estes podemos citar:
Branco
Rudo trmico, Nyquist ou Johnson ----------- sempre presente no resistor Branco Rudo Shot ------------------------------------------- sempre presente no semicondutor Rudo Popcorn --------------------------------------- presente em processos ruidosos 1/f Rudo 1/f ou Flicker -------------------------------- sempre presente no semicondutor e carbono
Sensores e Condicionamento de Sinais 88 Rudo trmico (Itrms) - causado pelo movimento trmico de partculas carregadas num elemento resistivo. Este rudo gerado gerado em todo resistor, no importando o tipo e a construo. A voltagem ou corrente de rudo depende do valor da resistncia da temperatura e da largura de banda do sistema. (tabela 3.1) Rudo Shot (Isrms) - (ou rudo schottky) associado com o fluxo de corrente atravs de uma juno PN gerado e causada pela flutuao na corrente direta. Do ponto de vista de resposta dos dispositivos eletrnicos este rudo pode ser considerado como branco. Rudo Popcorn (Iprms) - este rudo soa como um pipocar de pipoca (da o nome) quando alimenta um alto falante. A sua origem no bem compreendida, mas este rudo menor em processo mais limpos. Bons processos de baixo rudo no apresentam rudo popcorn. Rudo 1/f ou flicker (Ifrms) - gerado em todos condutor no metlico, por exemplo em semicondutores e carbono . At hoje, no existe uma boa explicao para a sua origem. Este depende do material semicondutor usado e seu tratamento da superfcie. Tambm, no existe uma equao exata para calcular o rudo, mas este segue uma relao mostrada na tabela 3.1). Este rudo apresenta uma importante caracterstica: a amplitude do rudo inversamente proporcional a freqncia. Normalmente este rudo predominante em freqncia abaixo de 100Hz e existe em todo semicondutor que necessita de uma corrente de polarizao para sua operao. O rudo equivalente total (INeq) pode ser calculado pela adio (rms) de todas as corrente ou voltagem de rudo, como mostrado abaixo:
1/ 2
(3.8)
Circuito
ITrms
VTrms = 4 kTRf
Frmula
I Trms =
ou
4kTf R
I Srms = 2qImedio f
a I Frms = C I DC
f fb
Parmetros
k = constante de Boltzmann (1.38x10-23) T = temperatura absoluta f = largura da banda do sistema R = valor da resistncia
q =carga do eltron Imdia= corrente mdia que atravessa o fotodetetor f = larg. da banda do sistema
C, a,b = constante arbitrria IDC = Corrente mdia atravs do con. f = freqncia de operao f = larg. da banda do sistema
RF
4kTRB
vN
rudo flicker
V NT =
(V
2 N
)B
VOUT = A CL (VNT )
Existe tipicamente dois parmetros especificados nos datasheets de um Amplificador Operacional, a voltagem de rudo e a corrente de rudo; Voltagem de rudo A voltagem de rudo de um Op. Amp bipolar devido ao rudo trmico da resistncia de base rbb e rudo shot da corrente de coletor dos transistores de entrada. Existe tambm rudo 1/f , associados com as correntes de base fluindo atravs da resistncia de base dos transistores de entrada. Em baixas freqncias o rudo 1/f predomina enquanto em altas freqncias, o rudo trmico predomina. A voltagem de rudo de um amplificador com entrada FET dominado pelo rudo trmico da resistncia do canal e normalmente bem maior que projeto bipolar. As caractersticas de voltagem de rudo para ambas as partes apresenta um comportamento 1/f, embora a freqncia de canto 1/f dos projetos com entrada FET seja bem maior que a do projetos bipolares. Os projetos MOS tem um rudo 1/f pior que os Bifet, mais novos dispositivos desenvolvidos com tecnologia CMOS avanadas, tais como a LinCMOS da Texas Instruments, tem melhorado significativamente a performance de rudo e reduzido a freqncia de canto 1/f.
Sensores e Condicionamento de Sinais 90 Corrente de rudo Para Op. Amp. com entrada bipolar a corrente de rudo provocado pelo rudo shot da correbte de base e rudo 1/f de rbb. Amplificador com entrada FET apresentam uma corrente de rudo shot associada com a corrente de fuga de porta de entrada dos FETs, e esta muito menor que a dos projetos bipolares. A equao indicada na figura 4.x) mostra como as correntes e voltagem de rudo so combinadas. O resultado desta equao de fato um termo RMS que normalmente preferido que o valor pico pico. Se a voltagem RMS multiplicada por 6.6 se tem uma certeza de 99.7% que o valor de pico pico no excede o resultado. Pela investigao desta equao se observa que existe um ponto no qual o rudo do sistema dominado pelo resistores externos. Um termo, de particular interesse em projetos bipolares a Resistncia de rudo equivalente, que igual VN/IN e mostra quando o erro devido corrente de rudo igual ao erro devido voltagem de rudo.
Largura de banda de rudo /2 =1.57 x f-3dB 1.11 x f-3dB 1.05 x f-3dB 1.03 x f-3dB 1.00 x f-3dB
A figura 4.x) discutiu a importncia da voltagem e corrente de rudo e como dependendo da impedncia de fonte cada ou ambos podem ser importante. O grfico e a tabela da figura 4.x) compara o desempenho geral de rudo de Op. Amp. para as trs mais importantes tecnologias. Esta figura mostra que amplificadores bipolares os melhores em desempenho de rudo quando a impedncia de fonte pequena. Quando o valor dos resistores externos aumenta, o rudo trmico destes componentes
Sensores e Condicionamento de Sinais 91 comea a dominar a equao de rudo total. claro, quanto menor o valor da voltagem de rudo menor o valor o valor destes resistores para que estes no predominem. Quando o valor dos resistores externos aumenta mais ainda, existem um ponto que, a corrente de rudo fluindo atravs destes resistores domina a equao total de rudo. Como os Op. amp. bipolares tem uma maior corrente de rudo que aqueles com FET, isto implica que em projetos com resistores externos de altos valores os amplificadores com entradas FETs sejam preferidos. Outra informao mostrada pela figura diz respeito a freqncia de canto 1/f do Op. Amp.. Projetos bipolares de baixo rudo normalmente ter melhores especificaes que projeto com entrada FET.
@f = 1 KHz
vN
nV/Hz
1E3 100
VN Predomina
EN(total) RS IN
E N (total) =
2 V N + (I N * R S ) + 4kT R S 2
10M
100M 1G
10G
100G
Resistncia de fonte, RS
4kTR2 R2
VN 4kTR8 4kTR9
v2
175 IN
A2 17.4 k 4kTR4
R8
1 k
R9
1 k
IN
R4 R3
174 4kT/R3 IN A3
vo
R5
17.4 k 4kTR5 IN VN
IN 4kTR1
R1
175 IN
VN
A1 4kTR6 VIE+(1)
R6
1 k
v1
4kTR7 1 k
R7
10
1.0
0.1
Freqncia - Hz
Amplificador de carga
Conversor 2 p/ 4 fios
Entrada
Condicionamento
AntiAliasing
S H AD
Amostragem
Resoluo
Um conversor ideal de n bits tem um 2N-1 steps o que, (fig5.2) como vimos na seo 1) equao 1.17), corresponde a uma faixa dinmica de aproximadamente 6NdB. Isto necessita ser compatvel com a razo sinal/rudo e faixa dinmica requerida para o sistema.
Vin V 1/fs t
Um conversor AD de n bit tem uma resoluo de 2N-1 ou aproximadamente 6N dB de faixa dinmica. A freqncia de amostragem fs dever ser escolhida no mnimo duas vezes a mxima freqncia do sinal de entrada (aps o filtro anti-aliasing) para evitar erro aliasing. f
0 dB
Banda base
Vin
1a Imagem
-6N fs/2 fs
2N-1 AD
N Bits
Vin
2N-1 steps
A funo de transferncia ideal de um converso AD ser afetada pr erros tais como: Offset, erro no ganho, e no linearidade integral e no linearidade diferencial. (ver figura 5.3) O erro de Offset e o erro no ganho podem ser corrigidos pr um ajuste de offset e ganho. Mas em muitos sistema isto um gasto indesejvel, desde que envolve componentes adicionais e tempo de ajuste. A no linearidade integral e a no linearidade diferencial adiciona rudo e distoro ao sistema degradando seu desempenho.
Erro de Offset
Figura 5.3 Erros de ganho, offset e linearidade Erro de offset o valor de entrada no meio step quando o cdigo de sada zero. Erro de ganho a diferena entre o valor no meio do step ideal e o valor do step real quando o cdigo de sada mximo. No linearidade diferencial - a diferena entre a largura de 1LSB de um step ideal e um step real para cada cdigo digital. No linearidade integral o desvio entre o meio do step e a linha reta corrigida que o meio do step mximo ao step mnimo (isto , sem o erro de offset e de ganho)
Um conversor AD ideal representa unicamente todas as entradas analgicas dentro de um certo intervalo pr um nmero limitado de cdigo de sada digital. A figura 5.4) abaixo mostra que cada cdigo digital representa uma frao do intervalo total do sinal analgico de entrada. Desde que a escala analgica contnua, enquanto os cdigos digital so discretos, existe um processo de quantificao que introduz um erro (erro de quantificao). Quando o nmero de cdigo discretos aumenta (nmero de bits aumenta), este erro diminui e a funo de transferncia se aproxima de um linha reta ideal. Os steps (degraus) so projetados de maneira que a transio acontea no meio de cada step correspondendo ao ponto sobre esta reta ideal. A largura de um step definida como 1LSB (um Bit Menos Significativo) e freqentemente usada como unidade de referncia para outras especificaes. Ela tambm uma medida da resoluo do conversor j que esta define em quantas pores o mximo sinal de entrada foi dividido. Portanto, LSB representa uma quantidade analgica igual a metade da resoluo analgica.
Sensores e Condicionamento de Sinais 99 A resoluo de um conversor AD normalmente expressa como o nmero de bits no seu cdigo de sada digital. Pr exemplo, um conversor com uma resoluo de N bits tem 2N possveis cdigo digitais o que define 2N nveis de steps. Portanto, desde que o primeiro (zero) e o ltimo step tem somente metade da largura (ver fig. 5.4)), todo o intervalo da escala (FSR) dividido em 2N 1 steps. Assim 1 LSB = FSR/(2N 1) para um conversor de N bits (5.1)
Um conversor DA representa um numero limitado de cdigos digitais de entrada pelo nmero correspondente de valores analgico discretos de sada. Portanto, a funo de transferncia de um DA uma srie de pontos discretos. Para um DA, 1 LSB corresponde ao peso de um step entre voltagem analgicas sucessivas, cujo o valor definido pelo modo como no conversor AD. Um DA pode ser encarado como um potencimetro controlado digitalmente cuja sada uma frao da voltagem analgica de fundo de escala determinada pelo cdigo digital.
Da equao (5.1)
Erro = LSB = 1/2 * FSR/(2N 1) = * FSR(255) = FSR/510 Logo Erro = LSB(% de FSR) = 100/510 = 0.2%
(5.2)
(5.3)
Erro de offset
O erro de Offset definido como a diferena entre o ponto de Offset real e o ponto de Offset nominal como mostrado na figura 5.5 (conversor de 3 bits). Para um conversor AD, o ponto de offset valor no meio do step quando a sada digital zero, e para um conversor DA o
Sensores e Condicionamento de Sinais100 valor do step quando a entrada analgica zero. Este erro afeta todos os cdigos pela mesma quantidade e normalmente podem ser compensados pr ajustes
a)
b)
Erro de ganho
O erro de ganho definido como a diferena entre os pontos de ganho real e o ganho nominal na funo de transferencia aps a remoo do erro de offset. Para um conversor AD, o ponto de ganho o valor no meio do step quando a sada digital fundo de escala, e para o conversor DA o valor do step na sada analgica quando a entrada digital fundo de escala. Este erro representa uma diferena na inclinao da funo de transferencia ideal e a real e corresponde e como tal corresponde ao mesmo erro percentual em cada step. Este erro normalmente pode ser minimizado pr ajustes. A figura 5.6) mostra o erro de ganho para conversores AD e DA de 3 bits.
a)
b)
(5.4)
(5.5)
Para que o erro de abertura (Ea) no afete a preciso do conversor, este deve ser menor do que 1 LSB no ponto de mximo Slew rate. Portanto, para um conversor AD de N bits: (veja figura 5.10)
Ea = t A dv dt = 1 LSB = 2Vo N +1 2 2
(5.6)
2Vo
2 N +1
= 2fVot A
(5.7)
f MAX = 1
t A 2 N +1
(5.8)
+Vo
Pulso de amostragem
ADC N bits
Clk
-Vo
Incerteza na abertura
TA
dv dt max = 2fVo
Erro de abertura
EA S/H
A potncia do rudo mdio (mdia quadrtica) do erro sobre um step dado por,
p( )d
2
(5.10)
O que resulta em
E 2 ( ) = q
12
(5.11)
O erro mdio quadrtico total, N2, sobre toda a rea de converso ser a soma das mdias quadrticas de cada nvel de quantizao multiplicado pela sua probabilidade. Assumindo que a converso ideal, a largura de cada step idntica e portanto tem igual probabilidade. Assim, para o caso ideal, tem-se
N2 = q
12
(5.12)
Que a potncia do rudo de sada. Considere agora um sinal de entrada senoidal V(t) de amplitude A dada por V (t ) = Asint
(5.13)
V (t ) = 1 2
2
A2 Asin (t )dt = 2 0
2
(5.14)
que a potncia do sinal de entrada. Portanto a razo sinal rudo, SNR dada por
(5.15)
SNR ( dB ) = 10 log 3 2
2N
] 6.02 N + 1.76dB
(5.16)
A equao acima mostra que para um conversor ideal, cada bits extra contribui para uma melhoria de 6dB na razo sinal rudo. Na prtica, os erros mencionados anteriormente introduz no linearidades que levam a reduo deste valor. Por exemplo, um erro LSB no erro de linearidade diferencial uma condio de ausncia de cdigo que equivalente a uma reduo de 1 bit de resoluo e consequentemente uma reduo de 6dB na SNR. Isto da um valor de pior caso par SNR de uma conversor AD de N bits com um erro de linearidade de LSB. O que pode ser escrito por
(5.17)
Assim baseado no valor da razo sinal rudo, SNR, desejada , as equaes (5.16) ou (5.17) nos permite determinar a resoluo do conversor AD.
N2 = q
Vin
12
Asin 2
0
(t )dt =
A2 2
Ej
Erro de quantizao
+1/2LSB
-1/2LSB
Sensores e Condicionamento de Sinais109 Se ns assumirmos que o sinal de entrada de banda limitada em f1, e amostrado na freqncia fs fcil de ver pelo grfico na figura 5.12) que o superposio (e assim, o aliasing) caso f 1 < fs f 1 2 f 1 < fs
isto ,
(5.18)
Portanto se a amostragem for feita numa freqncia no mnimo duas vezes maior que a mxima freqncia do sinal de entrada, nenhum a aliasing ocorrer e toda informao pode ser extrada. Este o Teorema de Nyquist.
f(t) Sinal de entrada h(t ) Funo Sampling g(t) Sada amostrada
f(t1)
Impulso
t1
t2
t3
t4
t1
t2
t3
t4
f
Transformada de Fourier Transformada de Fourier Transformada de Fourier
F(f)
Espectro de entrada
G(f)
Espectro da sada
Espectro original
f1
fs=1/T
2fs
3fs f
f1 fs-f1
fs+f1 2fs-f1
( T )[sin(fs )]/ fs
(5.19)
Note agora (veja figura 5.15) ) que um erro introduzido no espectro original. Este erro pode ser eliminado ou minimizado atravs de um filtro que compense o envelope sinc(x). Isto pode ser implementado com um filtro digital num DSP, ou utilizando tcnicas analgicas convencionais. (existe disponveis comercialmente Chips que incorporam funes de correo de sinc).
Espectro F(f) f(t) Trem de pulsos
T
Transformada de Fourier
A/T
-1/
1/T
1/
f(t)
Sinal de entrada
h(t )
Funo Sampling
Trem de pulsos
t1
t2
t3
t4
t1
t2
t3
t4
Transformada de Fourier
Transformada de Fourier
Transformada de Fourier
F(f)
Espectro de entrada
G(f)
Espectro da sada
Espectro original
f1
fs=1/T
2fs
3fs f
f1 fs-f1
fs+f1 2fs-f1